JPH04157399A - Sor光装置の光取り出しライン - Google Patents

Sor光装置の光取り出しライン

Info

Publication number
JPH04157399A
JPH04157399A JP2280815A JP28081590A JPH04157399A JP H04157399 A JPH04157399 A JP H04157399A JP 2280815 A JP2280815 A JP 2280815A JP 28081590 A JP28081590 A JP 28081590A JP H04157399 A JPH04157399 A JP H04157399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
extraction line
light extraction
bellows
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2280815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3070085B2 (ja
Inventor
Motoharu Marushita
丸下 元治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd filed Critical Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
Priority to JP2280815A priority Critical patent/JP3070085B2/ja
Publication of JPH04157399A publication Critical patent/JPH04157399A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3070085B2 publication Critical patent/JP3070085B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、SOR光(シンクロトロン放射光)装置の
光取り出しラインにおいて、斜入射ミラーを垂直方向に
揺動させるためのミラー揺動装置に関し、光取り出しラ
イン内に揺動のための軸受が入らないようにして、滑ら
かな揺動を実現したものである。
〔従来の技術〕
近年、シンクロトロン装置は、SOR光装置として、超
々LS1回路の作成、医療分野における診断、分子解析
、構造解析等様々な分野への適用が期待されている。
SOR光装置の概要を第2図に示す。SOR光装置1に
おいて、電子発生装置(電子銃等)10で発生した電子
ビームは直線加速器(ライナック)12で光速近くに加
速され、ビーム輸送部14の偏向電磁石16て偏向され
て、インフレクタ18を介してシンクロトロンの蓄積リ
ング22内に入射される。蓄積リング22に入射された
電子ビームは高周波加速空洞21てエネルギを与えられ
ながら収束電磁石23で収束され、偏向電磁石24て偏
向されて真空ダクト22内を周回し続ける。
偏向電磁石24て偏向される時に発生するSOROR光
合9取り出しライン26を通して出射されて、例えば露
光装置28に送られて超々LS1回路作成用の光源等と
して利用される。
従来における光取り出しライン26の構造を第3図に縦
断面図で示す。光取り出しライン26の途中には、斜入
射ミラー30が配設されている。
斜入射ミラー30は、無酸素銅、3iC,Au、pt等
の平面鏡または曲面鏡て構成され、SOROR光合9射
して光取り出しライン26の端部のベリリウム等の薄板
で作られた窓32から出射させる。
斜入射ミラー30は軸34を支点として、上下方向に揺
動自在に支持されている。斜入射ミラー30の端部31
にはミラー揺動機構36のロッド38が取り付けられて
いる。ロッド38はモータ40て駆動されるカム42の
回転により上下方向に動作し、斜入射ミラー30を上下
方向に揺動して、SOROR光合9下方向に揺動させる
。
蓄積リング22(第2図)から出射されたSOROR光
合9来垂直方向の広がりか小さいが、この斜入射ミラー
30の揺動により垂直方向に拡大されて、LSI露光用
の露光面積が確保される。
〔発明が解決しようとするF[] 前記第3図のミラー揺動装置では、ミラーの回動支点3
4やロッド38と斜入射ミラー30の連結部31に軸受
が必要となるが、これらは光取り出しライン中にあるの
で、高真空中でのガス発生を防止するために潤滑油を使
用することができない。このため軸受がかみ合って、揺
動不能になるおそれかあった。
この発明は、前記従来の技術における問題点を解決して
、光取り出しライン中にミラー揺動のための軸受が入ら
ないようにして、軸受のがみ合いによる揺動不能か生じ
ないようにしたSOR光装賀におけるミラー揺動装置を
提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、SOR光装置の光取り出しラインの途中に
この光取り出しラインと連通状態に挿入されたミラーチ
ェンバーと、このミラーチェンバー内に固定されて、前
記光取り出しラインを通過するSOR光を反射して光取
り出しラインの端部に導く斜入射ミラーと、前記ミラー
チェンバーの両側の前記光取り出しラインにそれぞれ挿
入されて、このミラーチェンバーを前記光取り出しライ
ンに対して上下方向に揺動可能に連結させるベローズと
、前記ミラーチェンバーを上下方向に揺動させる揺動装
置とを具備してなるものである。
〔作 用〕
この発明によれば、光取り出しラインに連通状態に挿入
されたミラーチェンバー内に斜入射ミラーを固定して、
ミラーチェンバー自体をその両側のベローズを介して揺
動させるようにしたので、揺動のための軸受を光取り出
しラインの外に配設することがてきる。したがって、高
真空中でのガス発生の問題がなくなり、軸受に潤滑油を
使用することかできるので、軸受のかみ合いが防止され
、滑らかに揺動させることができる。
〔実施例〕
この発明が適用された光取り出しラインの一実施例を第
1図に縦断面図で示す。SOR光装置の蓄積リング22
(第1図)の偏向位置から接線方向に放射されたSOR
OR光合9光取り出しライン26の固定ダクト33、ミ
ラーチェンバー揺動用2重ベローズ35、ミラーチェン
バー37、ミラーチェンバー揺動用2重ベローズ39、
固定ダクト41、窓部揺動用2重ベローズ76および窓
部48を介して出射され、フォトマスク基板43を介し
て半導体ウェハ45へ照射されて露光が行なわれる。2
重ベローズ35,39.76と固定ダクト33.41お
よびミラーチェンバー37とはフランジを介して着脱自
在に連結される。この連結部にはゲートバルブ70がそ
れぞれ介挿されており、光取り出しライン26を真空封
止した状態でベローズ35.3(J、76を交換できる
ように構成されている。
2重ベローズ35は径の異なる2つの円筒状のベローズ
78.80を同心状に配して、それぞれの端部をフラン
ジ72.74に気密に取り付けて構成されている。内周
側のベローズ78の内周面は光取り出しライン26内に
臨み、その中をSOROR光合9過する。外周側ベロー
ズ80の外周面は大気に臨んでいる。内周側ベローズ7
8と外周側ベローズ80の間には、光取り出しライン2
6とも大気とも遮断された空気層82が形成されている
。空気層82内は光取り出しライン26の圧力(高真空
)よりもわずかに高い圧力で密閉されている。この空気
層82にはポート84が連通して設けられ、このポート
84には圧力検出器として真空計86が接続されて、空
気層82の圧力を常時監視している。
内周側および外周側のベローズ78.80のいずれにも
亀裂等の破損が生じていない時は、空気層82内は光取
り出しライン26内の圧力(高真空)よりもわずかに高
い圧力に密閉されているので、この圧力値が真空計86
で検出される。
揺動の繰り返しにより内周側のベローズ78に破損が生
じると、空気層82の気体か光取り出しライン26内に
漏出するので、圧力か低下する。
また、外周側のベローズ80に破損が生しると、外気が
空気層82内に浸入するので、圧力か上昇する。したか
って、空気層82の圧力が当初の設定値よりも低下した
かまたは上昇したかにより内外周のベローズ78.80
のいずれが破損したかがわかる。
ベローズ78.80のいずれかの破損が検出されたら、
両側のゲートバルブ70を閉じて、2重ベローズ35を
固定ダクト33およびミラーチェンバー37から外して
交換する。このようにして、ベローズ78または80に
破損が生しても光取り出しライン26に真空破壊を生し
る以前にこれを検知して、修理または交換することがで
きる。
ミラーチェンバー37内には、斜入射ミラー30が固定
配設されている。斜入射ミラー30は無酸素銅、SiC
,Au5Pt等の平面鏡または曲面鏡て構成され、SO
ROR光合9射して先取り出しライン26の端部に導く
。
ミラーチェンバー37は、固定部49に固定された6軸
アライメント装置51の先端部の回動支点34に垂直方
向に揺動自在に支持されている。
6軸アライメント装置は、X、Y、ZおよびθX。
θY、θ2の各方向にミラーチェンバー 37の位置お
よび角度を調整する。回動支点34には軸受が用いられ
ている。この軸受は光取り出しライン26の外側に配設
されているので、ガス発生の問題はなく、潤滑油を使用
することができるので、滑らかな揺動が可能となる。
ミラーチェンバー37の端部にはミラー揺動機構36の
ロッド38が取り付けられている。ロッド38はモータ
40で駆動されるカム42の回転により上下方向に動作
し、斜入射ミラー30ごとミラーチェンバー37を上下
方向に揺動して、SOROR光合9下方向に揺動させて
上下方向の必要な露光面積を確保する。ロッド38と連
結部31にも軸受が設けられるが、この軸受は光取り出
しライン26の外側に配設されるので、ガス発生の問題
はなく、潤滑油を使用することができるので、滑らかな
揺動が可能となる。
ミラーチェンバー37の底部にはゲートバルブ70を介
して2重ベローズ53が取り付けられている。2重ベロ
ーズ35の下端部には、ゲー)・バルブ70を介して真
空ポンプ55が連結されて、光り取り出しライン26内
を真空排気する。2重ベローズ53は、前記2重ベロー
ズ35と同様に構成され、真空計86で破損を常時監視
して、破損が生じた場合はゲートバルブ70を閉して交
換される。
ミラーチェンバー37と固定ダクト41の間の2重ベロ
ーズ39も前記2重ベローズ35と同様に構成され、真
空計86で破損を常時監視している。2重ベローズ35
.39により、ミラーチェンバー37は揺動自在に光取
り出しライン26に連結される。
窓揺動用の2重ベローズ76も前記2重ベローズ35と
同様に構成され、真空計86で破損を常時監視している
。2重ベローズ76の右端部のフラングには、窓板50
が取り付けられている。
窓板50の中央部には窓44が取り付けられている。窓
44はベリリウム等の薄板で構成され、光取り出しライ
ン26の内部の高真空と外部の低1空を遮断した状態で
SOROR光合9射する。
窓44は、SOROR光合9動に同期して揺動してSO
ROR光合9射させる。したがって、窓44は上下方向
の幅がSOROR光合9動範囲(つまり、全露光範囲)
よりも狭く形成することができるので、面積を小さくす
ることができ、したがって、薄く形成しても十分な機械
的強度が確保され、その分SOR光29の透過率を高め
ることができる。
窓板50の外側には円筒状容器90が取り付けられ、さ
らに円筒状容器90の開口端部は窓板92で封止されて
、円筒状容器90内にその外側の大気と遮断されたキャ
ビティ94を形成している。このキャビティ94内には
大気圧または大気圧より減圧された不活性ガスとしてX
線透過率の高いヘリウムガス100が配管101から流
されて、ベリリウム窓44を大気との接触による腐食か
ら5るとともに冷却している。
窓板92の中央部には、X線マスクメンブレン窓96が
設けられている。X線マスクメンブレン窓96は例えば
窒化シリコン、窒化ボロン、siC、ポリイミド等の腐
食をしないまたはしに(いX線マスク基板材料で作られ
、その厚さはヘリウムガスを封止するのに必要な厚さだ
けあればよく、例えば1μm程度にすることができる。
キャビティ94を通過してきたSOROR光合9線マス
クメンブレン窓96から出射され、大気中に置かれたX
線マスク43を介して半導体ウェハ45に照射されて、
露光が行なわれる。
X線メンブレン窓96は、ベリリウム窓44と同様に、
上下方向の幅がSOROR光合9動範囲(つまり、全露
光範囲)より狭く形成されている。
2重ベローズ76には、窓部揺動機構52のロッド54
が取り付けられている。ロッド54はモータ56て駆動
されるカム58の回転により上下方向に動作し、窓部4
8を2重ベローズ76を介して上下方向に揺動させる。
前記ミラー揺動aiwt36のカム42の回転位置は、
パルスエンコーダ等の位置検出器60で検出される。ま
た、窓部揺動機構52のカム58の回転位置は、パルス
エンコーダ等の位置検出器62で検出される。
揺動制御手段64は、位置検出器60.62の検出に基
づき、サーボアンプ66.68を介してモータ40,5
6を同期駆動することにより、斜入射ミラー30および
窓部48を連動させる。これにより、SOROR光合9
置に窓44.96が移動して、SOROR光合9射され
る。
ミラー揺動機構36および窓部揺動機構52の動作を第
4図に示す。(a)のように斜入射ミラー30の右部が
ミラーチェンバー37ごと上方向に揺動している時は窓
部48も上方向に揺動して、上方向に揺動しているSO
ROR光合944゜96から出射させる。また、(b)
のように斜入射ミラー30の右部がミラーチェンバー3
7ごと下方向に揺動している時は窓部48も下方向に揺
動じて、下方向に揺動しているSOROR光合944.
96から出射させる。
〔変更例1〕 前記実施例では2重ベローズを使用した場合について説
明したが1重または3重以上にすることもできる。
〔変更例2〕 第5図に示すように、内周側ベローズ78と外周側ベロ
ーズ80との間にこれらが互いに当ってかみ合わないよ
うに、円筒状の薄板で構成されるフィン(インナースリ
ーブ)20oを例えば外周側ベローズ80の内周面に一
端を固定するなどして配置することもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、光取り出しラ
インに連通状態に挿入されたミラーチェンバー内に斜入
射ミラーを固定して、ミラーチェンバー自体をその両側
のベローズを介して揺動させるようにしたので、揺動の
ための軸受を光取り出しラインの外に配設することがで
きる。したがって、高真空中てのガス発生の問題がなく
なり、軸受に潤滑油を使用することができるので、軸受
のかみ合いが防止され、滑らかに揺動させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例を示す光取り出しライン
の縦断面図および揺動機構の制御系統を示すブロック図
である。 vs2図は、SOR光装置の概要を示す平面図である。 第3図は、従来の光取り出しラインの構造を示す縦断面
図である。 第4図は、tJ1図の揺動機構の揺動動作を示す縦断面
図である。 第5図は、この考案の変更例を示す縦断面図である。 1・・・SOR光装置、26・・・光取り出しライン、
29・・・SOR光、30・・・斜入射ミラー、36・
・・ミラー揺動機構(揺動装置)、64・・・揺動制御
手段、70・・・ゲートバルブ、35.39・・・2雷
ベローズ、37・・・ミラーチェンバー。 出願人  石川島t、It磨重工業株式会社762重へ
゛゛ロース ゛5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 SOR光装置の光取り出しラインの途中にこの光取り出
    しラインと連通状態に挿入されたミラーチェンバーと、 このミラーチェンバー内に固定されて、前記光取り出し
    ラインを通過するSOR光を反射して光取り出しライン
    の端部に導く斜入射ミラーと、前記ミラーチェンバーの
    両側の前記光取り出しラインにそれぞれ挿入されて、こ
    のミラーチェンバーを前記光取り出しラインに対して上
    下方向に揺動可能に連結させるベローズと、 前記ミラーチェンバーを上下方向に揺動させる揺動装置
    と を具備してなるSOR光装置におけるミラー揺動装置。
JP2280815A 1990-10-19 1990-10-19 Sor光装置の光取り出しライン Expired - Fee Related JP3070085B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2280815A JP3070085B2 (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Sor光装置の光取り出しライン

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2280815A JP3070085B2 (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Sor光装置の光取り出しライン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04157399A true JPH04157399A (ja) 1992-05-29
JP3070085B2 JP3070085B2 (ja) 2000-07-24

Family

ID=17630363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2280815A Expired - Fee Related JP3070085B2 (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Sor光装置の光取り出しライン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3070085B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1284444A1 (en) * 2001-08-15 2003-02-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004001821A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Nikon Corporation 光学ユニット及びx線露光装置
US6937316B2 (en) 2001-08-15 2005-08-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2013072785A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Hitachi Ltd 低真空軟x線実験装置
WO2016046583A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-31 Fmb Feinwerk- Und Messtechnik Gmbh Adjustment system for aligning optical elements or samples in vacuum

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1284444A1 (en) * 2001-08-15 2003-02-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6937316B2 (en) 2001-08-15 2005-08-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
WO2004001821A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Nikon Corporation 光学ユニット及びx線露光装置
JP2013072785A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Hitachi Ltd 低真空軟x線実験装置
WO2016046583A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-31 Fmb Feinwerk- Und Messtechnik Gmbh Adjustment system for aligning optical elements or samples in vacuum
CN107076956A (zh) * 2014-09-23 2017-08-18 Fmb精密技术有限公司 用于对准真空中的光学元件或样品的调节系统
JP2017531208A (ja) * 2014-09-23 2017-10-19 エフエムベー・ファインヴェルク−ウント・メステヒニク・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 真空内で光学素子又はサンプルを配列調整するための調整システム
US9846294B2 (en) 2014-09-23 2017-12-19 FMB FEINWERK-UND MESSTECHNIK GmbH Adjustment system for aligning optical elements or samples in vacuum
CN107076956B (zh) * 2014-09-23 2018-07-10 Fmb精密技术有限公司 用于对准真空中的光学元件或样品的调节系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP3070085B2 (ja) 2000-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2761438B2 (ja) 搬送装置
JP2770960B2 (ja) Sor−x線露光装置
US5641960A (en) Circuit pattern inspecting device and method and circuit pattern arrangement suitable for the method
US7034319B2 (en) Electron beam irradiation apparatus, electron beam irradiation method, original disk, stamper, and recording medium
US7025005B2 (en) Stage device and angle detecting device
JP4370924B2 (ja) 真空装置、真空装置の運転方法、露光装置、及び露光装置の運転方法
US4969169A (en) X-ray lithography system
US5533083A (en) Vacuum optical system
JP3070085B2 (ja) Sor光装置の光取り出しライン
JP3727222B2 (ja) 真空チャンバと共に使用する絶縁マウントおよびリソグラフ投影装置内での使用
JP4063201B2 (ja) 電子ビーム照射装置
JP2627543B2 (ja) Sor露光システム
JPH0554377B2 (ja)
JPH0754960Y2 (ja) Sor光装置におけるsor光出射用窓装置
JPS58220117A (ja) 光学的偏向装置
JPH0616484B2 (ja) X線リソグラフイ装置及び処理方法
JP4310065B2 (ja) ステージ装置
JPH04136943A (ja) X線露光装置
JPH04359200A (ja) Sor光装置におけるsor光出射用窓装置
JP3020460B2 (ja) 真空光学系構造
JPH04125500A (ja) Sor光装置におけるsor光出射用窓装置
JPH04282500A (ja) Sor光装置におけるsor光出射用窓装置
EP0869703B1 (en) Acoustic delay line with movable partition plates
JPH04225199A (ja) Sor光装置におけるsor光出射用窓装置
US20250372434A1 (en) Methods And Systems For Chucking Highly Bowed Semiconductor Wafers

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees