JPH04158536A - ダイスボンディング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子を放熱板上に固着するダイスボン
ディング方法に関するものである。

従来の技術 半導体素子を放熱板上にダイスボンディングするには、
放熱板上の溶融半田の上に半導体素子を固着させて行っ
ている。

以下に従来の技術について説明する。

第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）は従来のダイス
ボンディング方法を示すものである。第２図において、
１は放熱板、２は溶融した半田、３は溶融した半田を広
げるための半田たたき治具、４は半導体素子である。

従来は、放熱板１を加熱し、放熱板１上の半田２を溶融
させた状態で、放熱板１の上部に設置された半田だたき
治具３を放熱板１に密着させ、半導体素子４全体が半田
２の上に載るように、半田２の形状を整えていた。

発明が解決しようとする課題 しかし従来の方法では、放熱板ｊ上の溶融半田２を、半
田だたき治具３を放熱板１上に密着させることによって
、放熱板１上に広げているため、放熱板１上での半田２
の形状および厚みが半田たたき治具３の形状によって決
まってしまうという欠点を有している。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体素
子のサイズに応じて、放熱板上の半田の形状および厚み
を調整することのできるダイスボンディング方法を提供
することを目的とする。

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のダイスボンディング
方法は、放熱板上に不活性ガスを噴射するノズルを設置
し、このノズルから噴射される不活性ガスによって溶融
半田を放熱板上に広げるものである。

作用 このように、放熱板上の溶融した半田を、ノズルから噴
射される不活性ガスによって放熱板上に広げれば、不活
性ガスの流量によって半田の形状および厚みを調整でき
るため、半導体素子のサイズが異なっても、不活性ガス
の流量調整のみで最適のダイスボンディングが行なえる
。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）は、本発明の一
実施例におけるダイスボンディング方法を示すものであ
る。１は放熱板、２は溶融した半田、４は半導体素子、
５は窒素なとの不活性ガスを噴射するノズルである。

まず、第１図（ａ）に示すように放熱板１の表面を加熱
し、半田２を溶融させる。その後、ノズル３から不活性
ガスを噴射させ、第１図（ｂ）に示すように放熱板１の
表面々溶融した半田２を広げる。そして第１図（Ｃ）に
示すように、広がった半田２の上に半導体素子４を載置
し、放熱板１に向けて押圧することにより半導体素子４
を放熱板１に固着する。

ここで、不活性ガスの流量を多くすれば、噴射時の圧力
によって半田２を広い面積にわたって広げることができ
る。逆に不活性ガスの流量を少なくすれば半田２の広が
りは小さくなる。

したがって、固着する半導体素子４のサイズが異なって
も、単に不活性ガスの流量を調整するだけで、半田の形
状および厚みを半導体素子４のサイズに合った最適のも
のとすることができ、従来のように定型の治具を用いる
方法に比べて作業能率を大幅に改善することができる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、ノズルから噴射される不
活性ガスによって放熱板上の半田を所望の形状と厚みに
形成することができるから、ダイスボンディングの作業
能率の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は本発明の一実
施例におけるダイスボンディング方法を工程順に示す断
面図、第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は従来例
を工程順に示す断面図である。 １・・・・・・放熱板、２・・・・・・溶融した半田、
３・・・・・・不活性ガスを噴射するノズル、４・・・
・・・半導体素子。 代理人の氏名　弁理士小蝦治明　ほか２名城　　　　　
　　　　　　　憾

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 放熱板を加熱し、上記放熱板上で溶融させた半田に、上
   記放熱板の上部に設けたノズルからの不活性ガスを噴射
   して、上記半田を上記放熱板上に広げ、上記広がった半
   田を介して半導体素子を上記放熱板に固着することを特
   徴とするダイスボンディング方法。