JPH0415963B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0415963B2 JPH0415963B2 JP58230597A JP23059783A JPH0415963B2 JP H0415963 B2 JPH0415963 B2 JP H0415963B2 JP 58230597 A JP58230597 A JP 58230597A JP 23059783 A JP23059783 A JP 23059783A JP H0415963 B2 JPH0415963 B2 JP H0415963B2
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- JP
- Japan
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- mol
- bao
- dielectric
- tio
- temperature coefficient
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
（技術分野）
本発明は比誘電率（εr）および無負荷Ｑが大き
く、かつ組成を変化させることにより、零を中心
にして正または負の任意の温度係数（ηf）が得ら
れるマイクロ波用誘電体セラミツクス組成物に関
するものである。 （技術的背景） 温度補償用磁器コンデンサやマイクロ波回路用
の誘電体共振器等では、誘電体セラミツクス組成
物として比誘電率（εr）および無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度係数（ηf）としては、金属
の温度係数を考慮して、零を中心にして正または
負の任意の温度係数が得られることが必要とされ
ている。従来そのような誘電体セラミツクス組成
物としてBaO−TiO2系、MgTiO3−CaO系等を
使用していた。しかしながら、これらの組成物で
誘電体共振器やコンデンサを作つた場合、温度係
数（ηf）が０（ppm／℃）付近では、比誘電率
（εr）が20〜40と小さく、これらの材料を用いて
誘電体共振器等を作成した場合装置が大型化する
という欠点があつた。 （発明の目的） 本発明の目的はこれらの欠点を解決するため、
温度係数（ηf）が０（ppm／℃）付近に於いても
比誘電率（εr）および無負荷Ｑが大きい材料の組
成に関するもので以下詳細に説明する。 （発明の概要） 本発明は、BaO、TiO2及びLu2O3からなるも
のに、10モル％程度以下のCeO2もしくはSm2O3
を添加したものである。 （実施例） 第１実施例として、出発原料には高純度の
BaCO3、TiO2、CeO2、Lu2O3を第１表の組成比
率になるように混合し、空気中において1060℃の
温度で２時間仮焼した。
く、かつ組成を変化させることにより、零を中心
にして正または負の任意の温度係数（ηf）が得ら
れるマイクロ波用誘電体セラミツクス組成物に関
するものである。 （技術的背景） 温度補償用磁器コンデンサやマイクロ波回路用
の誘電体共振器等では、誘電体セラミツクス組成
物として比誘電率（εr）および無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度係数（ηf）としては、金属
の温度係数を考慮して、零を中心にして正または
負の任意の温度係数が得られることが必要とされ
ている。従来そのような誘電体セラミツクス組成
物としてBaO−TiO2系、MgTiO3−CaO系等を
使用していた。しかしながら、これらの組成物で
誘電体共振器やコンデンサを作つた場合、温度係
数（ηf）が０（ppm／℃）付近では、比誘電率
（εr）が20〜40と小さく、これらの材料を用いて
誘電体共振器等を作成した場合装置が大型化する
という欠点があつた。 （発明の目的） 本発明の目的はこれらの欠点を解決するため、
温度係数（ηf）が０（ppm／℃）付近に於いても
比誘電率（εr）および無負荷Ｑが大きい材料の組
成に関するもので以下詳細に説明する。 （発明の概要） 本発明は、BaO、TiO2及びLu2O3からなるも
のに、10モル％程度以下のCeO2もしくはSm2O3
を添加したものである。 （実施例） 第１実施例として、出発原料には高純度の
BaCO3、TiO2、CeO2、Lu2O3を第１表の組成比
率になるように混合し、空気中において1060℃の
温度で２時間仮焼した。
【表】
仮焼物はポツトミルで純水とともに湿式粉砕
し、脱水乾燥後バインダを添加し、32メツシユの
ふるいを通して造粒した。造粒粉体は金型と油圧
プレスを用いて成形し、圧力１〜3ton／cm2で直径
16mm厚さ９mmの円板状に成形した。成形体は高純
度のアルミナ匣に入れ、1260℃〜1500℃２時間の
条件で焼成し、誘電体セラミツクスを得た。得ら
れた誘電体セラミツクスはハツキ・コールマン法
による測定から比誘電率（εr）と無負荷Ｑを求め
た。 共振周波数の温度係数（ηf）は、20℃に於ける
共振周波数を基準にして−40℃〜80℃の温度範囲
に於ける値から求めた。これらの測定における共
振周波数は３〜7GHzであつた。 第２表に代表的な誘電体セラミツクスの特性測
定結果を示す。第２表において＊印を付した試料
番号のものは本発明の範囲外の比較例であり、そ
れ以外の試料が本発明範囲内の実施例である。
し、脱水乾燥後バインダを添加し、32メツシユの
ふるいを通して造粒した。造粒粉体は金型と油圧
プレスを用いて成形し、圧力１〜3ton／cm2で直径
16mm厚さ９mmの円板状に成形した。成形体は高純
度のアルミナ匣に入れ、1260℃〜1500℃２時間の
条件で焼成し、誘電体セラミツクスを得た。得ら
れた誘電体セラミツクスはハツキ・コールマン法
による測定から比誘電率（εr）と無負荷Ｑを求め
た。 共振周波数の温度係数（ηf）は、20℃に於ける
共振周波数を基準にして−40℃〜80℃の温度範囲
に於ける値から求めた。これらの測定における共
振周波数は３〜7GHzであつた。 第２表に代表的な誘電体セラミツクスの特性測
定結果を示す。第２表において＊印を付した試料
番号のものは本発明の範囲外の比較例であり、そ
れ以外の試料が本発明範囲内の実施例である。
【表】
すなわち（BaO）（TiO2）xが77モル％未満で
CeO2が18モル％を超える場合は無負荷Ｑが小さ
く使用出来ない。また、Lu2O3が２モル％未満の
場合は無負荷Ｑが小さくなる。 （BaO）（TiO2）xが90モル％を超えCeO2が７
モル％未満の場合及びLu2O3が11モル％を超える
場合は測定不能で使用出来ない。 したがつて実用的にみて（BaO）（TiO2）x：77
〜90モル％、CeO2：７〜18モル％、Lu2O3：２
〜11モル％の範囲が適当である。ｘ＝3.7〜4.3モ
ルであることからBaO：14.5〜19.0モル％、
TiO2：60.7〜73.0モル％、CeO2：７〜18モル％、
Lu2O3：２〜11モル％の範囲がマイクロ波用誘電
体セラミツクスとして適当である。 第２の実施例として、出発原料には化学的に高
純度のBaCO3、TiO2、Sm2O3、およびLu2O3を
第３表の組成比率となるようにポツトミルで純水
とともに湿式混合し、脱水乾燥後空気中において
1060℃で２時間仮焼した。
CeO2が18モル％を超える場合は無負荷Ｑが小さ
く使用出来ない。また、Lu2O3が２モル％未満の
場合は無負荷Ｑが小さくなる。 （BaO）（TiO2）xが90モル％を超えCeO2が７
モル％未満の場合及びLu2O3が11モル％を超える
場合は測定不能で使用出来ない。 したがつて実用的にみて（BaO）（TiO2）x：77
〜90モル％、CeO2：７〜18モル％、Lu2O3：２
〜11モル％の範囲が適当である。ｘ＝3.7〜4.3モ
ルであることからBaO：14.5〜19.0モル％、
TiO2：60.7〜73.0モル％、CeO2：７〜18モル％、
Lu2O3：２〜11モル％の範囲がマイクロ波用誘電
体セラミツクスとして適当である。 第２の実施例として、出発原料には化学的に高
純度のBaCO3、TiO2、Sm2O3、およびLu2O3を
第３表の組成比率となるようにポツトミルで純水
とともに湿式混合し、脱水乾燥後空気中において
1060℃で２時間仮焼した。
【表】
仮焼物は第１実施例と同様にして焼成し、誘電
体セラミツクスを得た。得られた誘電体セラミツ
クスは第１実施例と同様にして比誘電率と無負荷
Ｑを求めた。 第４表に代表的な誘電体セラミツクスの特性測
定結果を示す。第４表において＊印を付した試料
番号のものは、本発明の範囲外の比較例であり、
それ以外の試料が、本発明範囲内の実施例であ
る。
体セラミツクスを得た。得られた誘電体セラミツ
クスは第１実施例と同様にして比誘電率と無負荷
Ｑを求めた。 第４表に代表的な誘電体セラミツクスの特性測
定結果を示す。第４表において＊印を付した試料
番号のものは、本発明の範囲外の比較例であり、
それ以外の試料が、本発明範囲内の実施例であ
る。
【表】
すなわちSm2O3が15モル％を超える場合は無
負荷Ｑが小さく温度係数は負に大きい。 Lu2O3が10モル％を超えると無負荷Ｑが小さく
温度係数が大きくなる。また、（BaO）（TiO2）x
が90モル％を超えSm2O3が７モル％未満の場合
及び（BaO）（TiO2）xが78モル％未満でLu2O3が
10モル％を超える場合は無負荷Ｑが小さく温度係
数も大きくなる。Lu2O3が２モル％以下の場合、
無負荷Ｑが小さく使用出来ない。 したがつて実用的にみて（BaO）（TiO2）x：78
〜90モル％、Sm2O3：７〜15モル％、Lu2O3：２
〜10モル％の範囲が適当である。ｘ＝3.7〜4.3よ
り、BaO：15.0〜19.0モル％、TiO2：61.5〜73.0
モル％、Sm2O3：７〜15モル％、Lu2O3：２〜10
モル％の範囲がマイクロ波用誘電体セラミツクス
として適当である。 （発明の効果） 本発明は、マイクロ波領域において、比誘電率
εr、及び無負荷Ｑが大きく、さらに組成によつて
温度係数を変化させることができるので、マイク
ロ波用誘電体共振器あるいは、温度補償用コンデ
ンサ等の誘電体セラミツクスとして利用すること
ができる。
負荷Ｑが小さく温度係数は負に大きい。 Lu2O3が10モル％を超えると無負荷Ｑが小さく
温度係数が大きくなる。また、（BaO）（TiO2）x
が90モル％を超えSm2O3が７モル％未満の場合
及び（BaO）（TiO2）xが78モル％未満でLu2O3が
10モル％を超える場合は無負荷Ｑが小さく温度係
数も大きくなる。Lu2O3が２モル％以下の場合、
無負荷Ｑが小さく使用出来ない。 したがつて実用的にみて（BaO）（TiO2）x：78
〜90モル％、Sm2O3：７〜15モル％、Lu2O3：２
〜10モル％の範囲が適当である。ｘ＝3.7〜4.3よ
り、BaO：15.0〜19.0モル％、TiO2：61.5〜73.0
モル％、Sm2O3：７〜15モル％、Lu2O3：２〜10
モル％の範囲がマイクロ波用誘電体セラミツクス
として適当である。 （発明の効果） 本発明は、マイクロ波領域において、比誘電率
εr、及び無負荷Ｑが大きく、さらに組成によつて
温度係数を変化させることができるので、マイク
ロ波用誘電体共振器あるいは、温度補償用コンデ
ンサ等の誘電体セラミツクスとして利用すること
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ BaO14.5〜19.0モル％、TiO260.7〜73.0モル
％、CeO27〜18モル％、Lu2O32〜11モル％から
なるマイクロ波用誘電体セラミツクス。 ２ BaO15.0〜19.0モル％、TiO261.5〜73.0モル
％、Sm2O37〜15モル％、Lu2O32〜10モル％から
なるマイクロ波用誘電体セラミツクス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230597A JPS60124304A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230597A JPS60124304A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124304A JPS60124304A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0415963B2 true JPH0415963B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16910234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58230597A Granted JPS60124304A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124304A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2938671B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2938672B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3029502B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2938673B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58230597A patent/JPS60124304A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124304A (ja) | 1985-07-03 |
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| JPS6112866B2 (ja) |