JPH0416005A - High frequency amplifier circuit - Google Patents

High frequency amplifier circuit

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JPH0416005A
JPH0416005A JP12097590A JP12097590A JPH0416005A JP H0416005 A JPH0416005 A JP H0416005A JP 12097590 A JP12097590 A JP 12097590A JP 12097590 A JP12097590 A JP 12097590A JP H0416005 A JPH0416005 A JP H0416005A
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JP
Japan
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differential amplifier
stage
common
transistors
trs
Prior art date
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Pending
Application number
JP12097590A
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Japanese (ja)
Inventor
Susumu Ushida
牛田 進
Sadao Igarashi
貞男 五十嵐
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0416005A publication Critical patent/JPH0416005A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the distortion characteristic and the band characteristic by providing a common emitter differential amplifier of a pre-stage comprising a couple of transistors TRs) whose emitters connect to ground and a common base differential amplifier of a post-stage comprising a couple of TRs whose bases are connected in common. CONSTITUTION:When a high frequency signal is fed to input terminals A, B via a band pass filter, a signal amplified by a common emitter differential amplifier of a pre-stage is outputted from collectors of TRs Q1, Q2 and inputted to emitters of TRs Q3, Q4 of a common base differential amplifier of the post- stage via resistors R5, R6, amplified by the differential amplifier of the post-stage and outputted from output terminals C, D via collectors of the TRs Q3, Q4. In this case, since the resistors R5, R6 are inserted respectively between the differential amplifiers of the post and pre-stage, the load impedance of the differential amplifier of the pre-stage is increased.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、テレヒチューナやCATVコンバータ等の高
周波機器に適用される高周波増幅回路に関するらのであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a high frequency amplifier circuit applied to high frequency equipment such as a television tuner and a CATV converter.

[従来の技術] この種の高周波増幅回路において、差動型カスコード接
続増幅回路と呼ばれるものは、従来、第3図に示すよう
に構成さヒていfこ。この図において、トランジスタQ
 、、Q 、によって前段の差動増幅器か構成されてお
り、まに、トランジスタQ3Q4によって後段の差動増
幅器か81!成されている。
[Prior Art] Among this type of high frequency amplifier circuit, what is called a differential cascode connection amplifier circuit has conventionally been constructed as shown in FIG. In this diagram, transistor Q
,,Q constitutes the front stage differential amplifier, and transistors Q3Q4 constitute the rear stage differential amplifier 81! has been completed.

前段の差動増幅器のトランジスタQ1およびQ。Transistors Q1 and Q of the front-stage differential amplifier.

の各l\−スには、高周波入力端子BおよびAか各々接
続されるとともに、抵抗R3およびR4を介してバイア
ス電圧VBか各々供給される。まfコ、トランジスタQ
1およびQ、の各エミッタ間には直列接続されたインピ
ーダンス素子R1およびR7か接続され、これらのイン
ピーダンス素子R,およびR7の接続点か電流源Iを介
して接地されている。
High frequency input terminals B and A are respectively connected to each l\- source, and a bias voltage VB is also supplied through resistors R3 and R4, respectively. Mafco, transistor Q
Impedance elements R1 and R7 connected in series are connected between the respective emitters of 1 and Q, and the connection point of these impedance elements R and R7 is grounded via a current source I.

これにより、前段の差動増幅器はエミッタ接地型差動増
幅器になっている。
As a result, the front-stage differential amplifier is a common emitter differential amplifier.

他方、後段の差動増幅器のトランジスタQ3およびQ4
のベースは共通接続され、各コレクタの間には直列接続
されたチョークコイルL、およびり、が接続され、これ
らのチョークコイルL、およびり、の接続点が電源端子
Vccに接続されている。
On the other hand, transistors Q3 and Q4 of the differential amplifier in the subsequent stage
The bases of are commonly connected, and choke coils L and RI connected in series are connected between each collector, and the connection point of these choke coils L and RI is connected to a power supply terminal Vcc.

また、トランジスタQ、およびQ4の各コレクタは出力
端子CおよびDに各々接続されている。これにより、後
段の差動増幅器はベース接地型差動増幅器になっている
Further, the collectors of transistors Q and Q4 are connected to output terminals C and D, respectively. As a result, the differential amplifier at the subsequent stage is a common base type differential amplifier.

そして、前段の差動増幅器のトランジスタQおよびQ、
の各コレクタが、後段の差動増幅器のトランジスタQ、
およびQ4の各エミッタに各々接続され、これによりト
ランジスタQ、およびQ2にトランジスタQ、およびQ
4が負荷として縦続接続された差動型カスコード接続増
幅回路になっている。
And the transistors Q and Q of the differential amplifier in the previous stage,
Each collector of the transistor Q of the subsequent differential amplifier,
and Q4 respectively, thereby connecting transistors Q and Q2 to the respective emitters of transistors Q and Q4.
4 is cascade-connected as a load to form a differential cascode-connected amplifier circuit.

このような構成において、高周波信号がバンドパスフィ
ルタ(BPF)を介して入力端子A、Bに供給されると
、前段のエミッタ接地型差動増幅器によって増幅された
信号がトランジスタQ 、、Q 2のコレクタから出力
され、さらに、この信号か後段のベース接地型の差動増
幅器によって増幅されて、トランジスタQ、、Q、のコ
レクタを介して出力端子C,Dから出力される。
In such a configuration, when a high frequency signal is supplied to input terminals A and B via a bandpass filter (BPF), the signal amplified by the common emitter differential amplifier in the previous stage is transmitted to the transistors Q, Q2. This signal is outputted from the collector, and further amplified by a common-base differential amplifier in the subsequent stage, and outputted from output terminals C and D via the collectors of transistors Q, , Q.

[発明が解決しようとする課題] ところで、上述した従来の高周波増幅回路においては、
次のような問題があった。
[Problem to be solved by the invention] By the way, in the conventional high frequency amplifier circuit described above,
There were the following problems.

■前段の差動増幅器の出力か後段のベース接地型差動増
幅器に入力される構成であるか、一般に、ベース接地型
差動増幅器の入力インピーダンスは低く、10数Ω程度
しかない。このため、これを負荷とする前段の差動増幅
器の負荷インピーダンスが低くなって、歪み特性の悪化
が避けられず、高周波増幅回路全体として混変調や相互
変調等の歪み特性の悪化を(召く。これは、米国コンパ
クト社の非線形ソフトウェア(マイクロウェーブハーモ
ニカ)によるノミュレーションによって明らかである。
(2) Either the output of the front-stage differential amplifier is input to the rear-stage common-base differential amplifier, or the input impedance of the common-base differential amplifier is generally low, about 10-odd ohms. As a result, the load impedance of the differential amplifier at the front stage that uses this as a load becomes low, and deterioration of distortion characteristics is unavoidable, resulting in deterioration of distortion characteristics such as cross-modulation and intermodulation in the entire high-frequency amplifier circuit. This is clear from the simulation using non-linear software (microwave harmonica) from Compact, USA.

■高周波信号かバンドパスフィルタを介して入力される
が、前段の差動増幅器の負荷インピーダンスが極端に低
いため、その差動増幅器の入力インピーダンスが負性抵
抗になり、それがバンドパスフィルタの負荷になるので
、バンドパスフィルタの帯域内の平坦度が悪くなったり
、帯域幅が狭くなるという問題が生じ、特に、最近のト
ランジスタは利得帯域幅積Ftが高く、この問題か顕著
に現れる。
■A high-frequency signal is input through a band-pass filter, but because the load impedance of the differential amplifier in the previous stage is extremely low, the input impedance of that differential amplifier becomes a negative resistance, which causes the load of the band-pass filter. As a result, there arises a problem that the flatness within the band of the bandpass filter deteriorates and the bandwidth becomes narrow. In particular, recent transistors have a high gain-bandwidth product Ft, and this problem becomes noticeable.

■前段の差動増幅器の入力インピーダンスか負性抵抗に
なるので、バンドパスフィルタとのインピーダンス整合
を得るのか困難であり、この負性抵抗をなくするために
、例えば抵抗等を付加すると、伝送損失が大きくなり、
NF(雑音指数)が悪化するという新たな問題が生しる
■Since the input impedance of the differential amplifier in the previous stage becomes a negative resistance, it is difficult to obtain impedance matching with the bandpass filter.If, for example, a resistor is added to eliminate this negative resistance, transmission loss will occur. becomes larger,
A new problem arises in that the NF (noise figure) worsens.

■後段の差動増幅器はベース接地型であるため、出力イ
ンピーダンスが高く、出力から正帰還かかかりやすくな
り、また、前段の差動増幅器は負荷インピーダンスが低
いので、トランジスタQ1およびQ、がコレクタ接地型
の発振器を形成することになり、異常発振が生じやすい
■Since the differential amplifier in the latter stage is a base-grounded type, the output impedance is high and positive feedback is likely to occur from the output.Also, the differential amplifier in the previous stage has a low load impedance, so transistors Q1 and Q are connected to the collector. This results in the formation of a type oscillator, which tends to cause abnormal oscillation.

この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、歪み
特性や帯域特性を向上することかできるとともに、前段
の回路とのインピーダンス整合を容易に得ることかでき
、また、異常発振を防止することができる高周波増幅回
路を提供することを目的としている。
This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to improve distortion characteristics and band characteristics, easily obtain impedance matching with the preceding circuit, and prevent abnormal oscillation. The purpose is to provide a high-frequency amplification circuit that can perform

[課題を解決するための手段] この発明による高周波増幅回路は、各エミッタか接地さ
れた一対のトランジスタによって構成される前段のエミ
ッタ接地型差動増幅器と、各エミッタか前記一対のトラ
ンジスタの各コレクタにそれぞれ抵抗を介して接続され
るとともに、各ベースか共通接続された一対のトランジ
スタによって構成される後段のベース接地型差動増幅器
とを具備することを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] A high-frequency amplifier circuit according to the present invention includes a common-emitter differential amplifier in the preceding stage, which is constituted by a pair of transistors whose respective emitters are grounded, and a common-emitter differential amplifier at the front stage, which is constituted by a pair of transistors whose respective emitters are grounded, and whose respective emitters are connected to each collector of the pair of transistors. The device is characterized in that it is provided with a common-base differential amplifier at the subsequent stage, which is constituted by a pair of transistors connected to each other via a resistor, and whose bases are commonly connected.

[作用] 上記の構成によれば、前段のエミッタ接地型差動増幅器
の各トランジスタの負荷インピーダンスが高くなり、こ
れにより、歪み特性や帯域特性か向上し、さらに、前段
の回路とのインピーダンス整合が容易に得られ、異常発
振が防止される。
[Function] According to the above configuration, the load impedance of each transistor of the common emitter differential amplifier in the previous stage is increased, thereby improving the distortion characteristics and band characteristics, and further improving the impedance matching with the circuit in the previous stage. It is easily obtained and abnormal oscillations are prevented.

[実施例=1 以下、図面を参照し、この発明の詳細な説明する。[Example=1 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の第1実施例の構成を示す図であり、
第3図の各部に対応する部分には同一の符号を付け、そ
れらの説明は省略する。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention,
Components corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and their description will be omitted.

第1図において、前段のエミッタ接地型差動増幅器を構
成するトランジスタQ、およびQ、の各コレクタは、抵
抗R6およびR8を介して後段のベース接地型差動増幅
器のトランジスタQ3およびQ4の各エミッタに各々接
続されている。これにより、トランジスタQ、に抵抗R
5とトランジスタQ、が負荷として縦続接続されるとと
しに、トランジスタQ、に抵抗R@とトランジスタQ4
が負荷として縦続接続された差動型カスコード接続増幅
回路か構成されている。
In FIG. 1, the collectors of transistors Q and Q constituting the common emitter differential amplifier in the previous stage are connected to the emitters of transistors Q3 and Q4 of the common base differential amplifier in the subsequent stage via resistors R6 and R8. are connected to each other. This causes the transistor Q to have a resistor R
5 and transistor Q are connected in cascade as a load, resistor R@ and transistor Q4 are connected to transistor Q,
The circuit consists of a differential cascode-connected amplifier circuit in which cascodes are connected in cascade as a load.

このような構成において、高周波信号が、バンドパスフ
ィルタを介して入力端子A、Bに供給されると、前段の
エミッタ接地型差動増幅器によって増幅された信号がト
ランジスタQ 、、Q 、のコレクタから出力され、さ
らに、抵抗R5,Raを介して後段のベース接地型差動
増幅器のトランジスタQ8.Q、のエミッタに入力され
、この後段の差動増幅器で増幅された後、トランジスタ
Q s 、 Q 4のコレクタを介して出力端子C,D
から出力される。
In such a configuration, when a high frequency signal is supplied to input terminals A and B via a bandpass filter, the signal amplified by the common emitter differential amplifier in the previous stage is transmitted from the collectors of transistors Q,, Q, Furthermore, the transistor Q8 . It is input to the emitter of Q, and after being amplified by the differential amplifier at the subsequent stage, it is output to the output terminals C and D via the collectors of transistors Q s and Q 4.
is output from.

この場合、前段と後段の差動増幅器の間に抵抗R6およ
び抵抗R6が挿入されているので、従来に比べて前段の
差動増幅器の負荷インピーダンスが高くなり、前段の差
動増幅器の電圧歪か改善され、高周波増幅回路全体とし
ての歪み特性が改善される。このことは、米国コンパク
ト社の非線形ソフトウェア(マイクロウエーブハーモニ
ーカ)によるンユミレーンヨンによって明らかである。
In this case, since resistor R6 and resistor R6 are inserted between the front-stage and rear-stage differential amplifiers, the load impedance of the front-stage differential amplifier is higher than in the past, and the voltage distortion of the front-stage differential amplifier increases. This improves the distortion characteristics of the high frequency amplifier circuit as a whole. This is clearly demonstrated by the nonlinear software (Microwave Harmonica) from Compact, USA.

また、前段の差動増幅器は、負荷インピーダンスが抵抗
R5およびR6により、適正な値にされるので、入力イ
ンピーダンスが負性抵抗にならず、これにより、さらに
前段に設けられるバンドパスフィルタの帯域特性を向上
することができるとともに、前段の差動増幅器とバンド
パスフィルタとのインピーダンス整合を得やすく、整合
損失を小さくすることができ、この結果、NFか良好に
なり、前段の差動増幅器の異常発振が防止される。
In addition, since the load impedance of the front-stage differential amplifier is set to an appropriate value by the resistors R5 and R6, the input impedance does not become a negative resistance. It is possible to improve the impedance matching between the differential amplifier in the front stage and the bandpass filter, and to reduce the matching loss. Oscillation is prevented.

次に、第2図はこの発明の第2実施例の構成を示す図で
あり、前述した第1実施例に加えて、後段のトランジス
タQ、およびQ4の各コレクタと出力端子CおよびDの
間に、抵抗R7およびReを各々接続し1こ構成になっ
ている。
Next, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention. In addition to the above-mentioned first embodiment, there is a A resistor R7 and a resistor Re are connected to each of the resistors R7 and Re to form a single configuration.

このような第2実施例においても、第1実施例と同様に
、歪み特性や帯域特性を向上することができるとともに
、前段の差動増幅器とバンドパスフィルタとのインピー
ダンス整合を得やすく、これらに加えて、抵抗R9およ
びR6を設けf二ことにより、後段の差動増幅器の安定
度(ローレットの安定係数K)を大きくすることができ
、これにより、後段の差動増幅器の異常発振を完全に防
止することかできる。この場合後段の差動増幅器はベー
ス接地型であるので、その信号源インピーダンスか抵抗
R9およびReの値より非常に高く、したがって、抵抗
R7およびR8による出力信号の損失よ小さい。また、
後段の差動増幅器の安定度が高いので、インピーダンス
変換回路やバンドパスフィルタ回路の設計が容易になり
、設計の自由度を向上することができる。
In the second embodiment as well, as in the first embodiment, it is possible to improve the distortion characteristics and bandpass characteristics, and it is also possible to easily obtain impedance matching between the differential amplifier and bandpass filter in the previous stage, and to improve these characteristics. In addition, by providing resistors R9 and R6, the stability (knurling stability coefficient K) of the differential amplifier in the subsequent stage can be increased, thereby completely preventing abnormal oscillations in the differential amplifier in the subsequent stage. It can be prevented. In this case, since the differential amplifier at the subsequent stage is of a common base type, its signal source impedance is much higher than the values of resistors R9 and Re, and therefore smaller than the output signal loss due to resistors R7 and R8. Also,
Since the subsequent differential amplifier has high stability, it becomes easy to design the impedance conversion circuit and the bandpass filter circuit, and the degree of freedom in design can be improved.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、前段のエミッ
タ接地型差動増幅器の各トランジスタの負荷インピーダ
ンスか高くなるようにしたので、歪み特性や帯域特性を
向上することかできるとともに、前段の回路とのインピ
ーダンス整合を容易に得ることができ、異常発振を防止
することかできるという効果が得られる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the load impedance of each transistor of the common emitter differential amplifier in the previous stage is increased, so that distortion characteristics and band characteristics can be improved. At the same time, it is possible to easily obtain impedance matching with the circuit at the previous stage, and it is possible to prevent abnormal oscillations.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1実施例の構成を示す回路図、第
2図はこの発明の第2実施例の構成を示す回路図、第3
図は従来の高周波増幅回路の構成を示す回路図である。 Q、、Q、・・・トランジスタ(エミッタ接地型差動増
幅器)、Q 3.Q 、・ トランジスタ(へ−人接地
型差動増幅器)、Ra、 R−、R1,Rs”’抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a first embodiment of the invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a second embodiment of the invention, and FIG.
The figure is a circuit diagram showing the configuration of a conventional high frequency amplifier circuit. Q,,Q,...transistor (common emitter differential amplifier), Q3. Q, ・Transistor (grounded differential amplifier), Ra, R-, R1, Rs"'resistance.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)各エミッタが接地された一対のトランジスタによ
って構成される前段のエミッタ接地型差動増幅器と、 各エミッタが前記一対のトランジスタの各コレクタにそ
れぞれ抵抗を介して接続されるとともに、各ベースが共
通接続された一対のトランジスタによって構成される後
段のベース接地型差動増幅器と、 を具備することを特徴とする高周波増幅回路。
(1) A front-stage common emitter differential amplifier consisting of a pair of transistors whose emitters are grounded; each emitter is connected to each collector of the pair of transistors via a resistor; and each base is 1. A high-frequency amplification circuit comprising: a common-base differential amplifier at a subsequent stage configured by a pair of commonly connected transistors;
(2)前記ベース接地型差動増幅器の各トランジスタの
コレクタの出力をそれぞれ抵抗を介して出力することを
特徴とする請求項1記載の高周波増幅回路。
(2) The high frequency amplifier circuit according to claim 1, wherein the output of the collector of each transistor of the common base differential amplifier is outputted via a resistor.
JP12097590A 1990-05-10 1990-05-10 High frequency amplifier circuit Pending JPH0416005A (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5896409A (en) * 1981-11-23 1983-06-08 ア−ルシ−エ− コ−ポレ−シヨン Differential amplifier

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5896409A (en) * 1981-11-23 1983-06-08 ア−ルシ−エ− コ−ポレ−シヨン Differential amplifier

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