JPH04160790A - ヒータ基板 - Google Patents
ヒータ基板Info
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- JPH04160790A JPH04160790A JP28372390A JP28372390A JPH04160790A JP H04160790 A JPH04160790 A JP H04160790A JP 28372390 A JP28372390 A JP 28372390A JP 28372390 A JP28372390 A JP 28372390A JP H04160790 A JPH04160790 A JP H04160790A
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- Japan
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- heater
- substrate
- gas
- gas sensor
- insulating layer
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はセラミックス基板上にヒータを形成したヒータ
基板に係り、特に1つのセラミックス基板上に複数のセ
ンサを装着することが可能なヒータ基板に関する。
基板に係り、特に1つのセラミックス基板上に複数のセ
ンサを装着することが可能なヒータ基板に関する。
(従来の技術)
セラミックス基板上に線状の抵抗体を印刷してヒータを
形成したヒータ基板は、面発熱体やガスセンサとして広
く利用されている。
形成したヒータ基板は、面発熱体やガスセンサとして広
く利用されている。
例えばガスセンサの一種として、半導体と、この半導体
に吸着したガス分子との間の電荷の移動を電気伝導率の
変化として検出する半導体型ガスセンサが実用化されて
おり、有毒ガスのガス漏れ警報器や炭化水素などから成
る都市ガスのガス漏れ警報器として使用されている。
に吸着したガス分子との間の電荷の移動を電気伝導率の
変化として検出する半導体型ガスセンサが実用化されて
おり、有毒ガスのガス漏れ警報器や炭化水素などから成
る都市ガスのガス漏れ警報器として使用されている。
このような半導体型ガスセンサとして、セラミックス基
板を用いた抵抗型のものが開発されている。このガスセ
ンサは、例えばセラミックス基板の一方の面(表面)に
電極と、ガスを接触させるためのガス検知層および触媒
層とを形成する一方、他方の面(裏面)にヒータを形成
して構成される。
板を用いた抵抗型のものが開発されている。このガスセ
ンサは、例えばセラミックス基板の一方の面(表面)に
電極と、ガスを接触させるためのガス検知層および触媒
層とを形成する一方、他方の面(裏面)にヒータを形成
して構成される。
ガス検知層は、例えば感ガス特性を有する半導体膜(厚
膜)と半導体膜に重ねて形成された触媒層とで構成され
る。このガスセンサは、ガスが検知層および触媒層に接
触した時のガス分子と触媒層との間の電荷の移動により
、電極の電気伝導度すなわち抵抗値が変化し、電極を流
れる電流値が変化してガスの存在を検出する。
膜)と半導体膜に重ねて形成された触媒層とで構成され
る。このガスセンサは、ガスが検知層および触媒層に接
触した時のガス分子と触媒層との間の電荷の移動により
、電極の電気伝導度すなわち抵抗値が変化し、電極を流
れる電流値が変化してガスの存在を検出する。
このように構成されたガスセンサでは、ヒータに通電す
ることにより触媒層を所定温度に加熱し、触媒層表面に
おけるガスの酸化還元反応を円滑に実施せしめて半導体
膜の感度と応答性とを高めるとともに、触媒層の汚れを
除去している。
ることにより触媒層を所定温度に加熱し、触媒層表面に
おけるガスの酸化還元反応を円滑に実施せしめて半導体
膜の感度と応答性とを高めるとともに、触媒層の汚れを
除去している。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、ガスセンサの感度および応答性は半導体や触
媒の種類および温度によって異なっており、ある特定の
検出対象ガスに対して検出感度を最適値に保持するため
には感ガス特性が優れた半導体を選定するとともに、セ
ンサ温度を一定に保持する必要がある。
媒の種類および温度によって異なっており、ある特定の
検出対象ガスに対して検出感度を最適値に保持するため
には感ガス特性が優れた半導体を選定するとともに、セ
ンサ温度を一定に保持する必要がある。
そのため上述したガスセンサは基板表面の温度分布を均
一にするために、セラミックス基板に形成するヒータの
パターンを面状にしたり、線状のヒータを基板全面に引
き回したりしたヒータ基板を使用している。これにより
センサのガス検知層を構成する、感ガス特性を有するS
n 02などの半導体膜の感度分布を一定に保持して
いるこのように従来は、1枚のヒータ基板上に1種類の
ガス検知層を設け、特定の1種類のガスのみを検知する
ガスセンサが一般的である。そして特性が異なる2種類
以上のガスを検出する複合センサを形成するためには、
触媒種類またはセンサ温度が異なる複数のヒータ基板を
作成し、これらを組み合せて形成していた。
一にするために、セラミックス基板に形成するヒータの
パターンを面状にしたり、線状のヒータを基板全面に引
き回したりしたヒータ基板を使用している。これにより
センサのガス検知層を構成する、感ガス特性を有するS
n 02などの半導体膜の感度分布を一定に保持して
いるこのように従来は、1枚のヒータ基板上に1種類の
ガス検知層を設け、特定の1種類のガスのみを検知する
ガスセンサが一般的である。そして特性が異なる2種類
以上のガスを検出する複合センサを形成するためには、
触媒種類またはセンサ温度が異なる複数のヒータ基板を
作成し、これらを組み合せて形成していた。
しかしながら複数のヒータ基板を組み合せて形成した複
合センサは、容量が大型化し、また各基板毎にヒータ抵
抗を調節したり、印加電圧を調節する必要があるため、
配線や電源構成が複雑化し、小形に構成することが困難
であるという問題点があった。
合センサは、容量が大型化し、また各基板毎にヒータ抵
抗を調節したり、印加電圧を調節する必要があるため、
配線や電源構成が複雑化し、小形に構成することが困難
であるという問題点があった。
近年、センサを使用する機器の小型化が急速に進展し、
これに対応するためにも、小型軽量で複数のガスを高い
精度で検出することができるセンサ用のヒータ基板が望
まれている。
これに対応するためにも、小型軽量で複数のガスを高い
精度で検出することができるセンサ用のヒータ基板が望
まれている。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、小型軽量化を図ることができ、複数のガス検知部
を装着することができるヒータ基板を提供することを目
的とする。
あり、小型軽量化を図ることができ、複数のガス検知部
を装着することができるヒータ基板を提供することを目
的とする。
(課題を解決するための手段と作用)
上記目的を達成するため、本発明に係るヒータ基板は、
セラミックス基板と、セラミックス基板の表面全体に配
設されたヒータと、このヒータに重ねて形成された絶縁
層とを有するヒータ基板において、上記ヒータの配設密
度を部分的に変化させたことを特徴とする。
セラミックス基板と、セラミックス基板の表面全体に配
設されたヒータと、このヒータに重ねて形成された絶縁
層とを有するヒータ基板において、上記ヒータの配設密
度を部分的に変化させたことを特徴とする。
本発明に係るヒータ基板に使用されるセラミックス基板
は、比較的熱伝導率の小さいものが好ましく、例えば熱
伝導率が10〜20W/m−に程度のアルミナ、熱伝導
率が15〜20W/m−に程度の窒化ケイ素などが挙げ
られる。
は、比較的熱伝導率の小さいものが好ましく、例えば熱
伝導率が10〜20W/m−に程度のアルミナ、熱伝導
率が15〜20W/m−に程度の窒化ケイ素などが挙げ
られる。
またヒータに用いる導体(抵抗体)としては、高融点金
属(タングステン系、モリブデン系)を主成分とするも
のが適用され、中でもタングステン−白金系合金が耐酸
化性に優れる点で好ましい。
属(タングステン系、モリブデン系)を主成分とするも
のが適用され、中でもタングステン−白金系合金が耐酸
化性に優れる点で好ましい。
さらに絶縁層としては、アルミナ、窒化ケイ素やガラス
系ペーストなどを主成分とする絶縁ペーストがヒータに
重ねるように形成される。特にセラミックス基板と同一
の材料を使用することによって、絶縁層およびセラミッ
クス基板の熱膨張率を等しくすることができ、両者の熱
膨張差による剥離を防止することができ、耐久性が優れ
たヒータ基板を形成することができる。
系ペーストなどを主成分とする絶縁ペーストがヒータに
重ねるように形成される。特にセラミックス基板と同一
の材料を使用することによって、絶縁層およびセラミッ
クス基板の熱膨張率を等しくすることができ、両者の熱
膨張差による剥離を防止することができ、耐久性が優れ
たヒータ基板を形成することができる。
本発明に係るヒータ基板の製造方法は、まずアルミナや
窒化ケイ素などのセラミックス原料粉末に焼結助剤を添
加し、有機バインダおよび溶剤等を添加して均一な混合
体を調製し、得られた混合体をドクターブレード法等に
より板状に射出してグリーンシートを成形する。
窒化ケイ素などのセラミックス原料粉末に焼結助剤を添
加し、有機バインダおよび溶剤等を添加して均一な混合
体を調製し、得られた混合体をドクターブレード法等に
より板状に射出してグリーンシートを成形する。
次に得られたグリーンシート上に、タングステンまたは
モリブデン粉末を主成分とする導体(抵抗体)ペースト
を用い、スクリーン印刷法などによって配線パターンを
印刷し、ヒータを形成する。
モリブデン粉末を主成分とする導体(抵抗体)ペースト
を用い、スクリーン印刷法などによって配線パターンを
印刷し、ヒータを形成する。
スクリーン印刷で使用するスクリーン板には予めヒータ
の配設密度が疎になる部分と密になる部分とが形成され
る。
の配設密度が疎になる部分と密になる部分とが形成され
る。
さらにヒータの上面に重なるように、アルミナなどのセ
ラミックス基板と同一材料を主成分とする絶縁ペースト
をスクリーン印刷により基板全面に印刷して絶縁層を形
成する。
ラミックス基板と同一材料を主成分とする絶縁ペースト
をスクリーン印刷により基板全面に印刷して絶縁層を形
成する。
なお絶縁層には、ヒータの端部を絶縁層の外部に導出す
るためのスルーホールを設け、各スルーホール内を導体
ペーストで充填してリードパッドを形成する。
るためのスルーホールを設け、各スルーホール内を導体
ペーストで充填してリードパッドを形成する。
そして得られたヒータ基板積層体をN2などの不活性雰
囲気中で脱脂、焼成して一体化し、所定形状のヒータ基
板を得る。このようにセラミックス基板、ヒータ、およ
び絶縁層を同時焼成によって一体に形成することにより
、各構成材間の密着性が向上し、特にヒータ抵抗の経時
変化が効果的に防止される。
囲気中で脱脂、焼成して一体化し、所定形状のヒータ基
板を得る。このようにセラミックス基板、ヒータ、およ
び絶縁層を同時焼成によって一体に形成することにより
、各構成材間の密着性が向上し、特にヒータ抵抗の経時
変化が効果的に防止される。
本発明に係るヒータ基板によれば、1枚のセラミックス
基板上に形成するヒータの配設密度が異なっているため
、ヒータからの伝熱量がセラミックス基板の各領域毎に
異なり、表面温度が異なった領域が1枚の基板内に形成
される。そして各領域毎に検知特性が異ったガス検知層
を配置することにより、異なった種類のガスを1枚の基
板に配置した複数のガス検知層によって検出することが
可能となり、構造が簡素で小型・軽量な複合センサを容
易に形成することができる。
基板上に形成するヒータの配設密度が異なっているため
、ヒータからの伝熱量がセラミックス基板の各領域毎に
異なり、表面温度が異なった領域が1枚の基板内に形成
される。そして各領域毎に検知特性が異ったガス検知層
を配置することにより、異なった種類のガスを1枚の基
板に配置した複数のガス検知層によって検出することが
可能となり、構造が簡素で小型・軽量な複合センサを容
易に形成することができる。
(実施例)
次に本発明の一実施例について添付図面を参照して説明
する。第1図(a)、 (b)は、それぞれ本実施例
に係るヒータ基板Aの平面図および断面図である。
する。第1図(a)、 (b)は、それぞれ本実施例
に係るヒータ基板Aの平面図および断面図である。
セラミック基板としてのアルミナ基板1上の全面に分布
するように線状のヒータ2が蛇行して形成されている。
するように線状のヒータ2が蛇行して形成されている。
但しヒータ2の配設密度は、図においてアルミナ基板1
の左半分において密である一方、右半分において疎とな
るように設定されている。
の左半分において密である一方、右半分において疎とな
るように設定されている。
ヒータ2上には、これに重ねて絶縁層3が形成され、こ
の絶縁層3の対角方向の角部には、ヒータ用電極パッド
4がそれぞれ形成されており、このヒータ用電極パッド
4は絶縁層3の対角方向の角部にそれぞれ形成されたス
ルーホール5を介してヒータ2の端部に接続されている
。
の絶縁層3の対角方向の角部には、ヒータ用電極パッド
4がそれぞれ形成されており、このヒータ用電極パッド
4は絶縁層3の対角方向の角部にそれぞれ形成されたス
ルーホール5を介してヒータ2の端部に接続されている
。
上記のヒータ基板は例えば次のような工程を経て量産さ
れる。まず平均粒径1〜2μmのアルミナを主成分とす
る粉末にバインダーとして10重量部のポリビニルブチ
ラール(P V B)を加え、さらに可塑剤、溶剤を加
えてスラリー化し、ドクターブレード法により第4図に
示すように縦60鮒、横90m、厚さ0. 4+amの
アルミナグリーンシートを調製した。
れる。まず平均粒径1〜2μmのアルミナを主成分とす
る粉末にバインダーとして10重量部のポリビニルブチ
ラール(P V B)を加え、さらに可塑剤、溶剤を加
えてスラリー化し、ドクターブレード法により第4図に
示すように縦60鮒、横90m、厚さ0. 4+amの
アルミナグリーンシートを調製した。
次に第1図(a)に示すように、白金ペーストにて蛇行
幅Wが3mm、基板の左半分における蛇行間隔Llが0
.2ma、基板の右半分における蛇行間隔L2が0.
5mmで蛇行するような同一の導体(ヒータパターン)
をスクリーン版によって印刷し、第4図に示すように1
00個の基板素体を形成した。
幅Wが3mm、基板の左半分における蛇行間隔Llが0
.2ma、基板の右半分における蛇行間隔L2が0.
5mmで蛇行するような同一の導体(ヒータパターン)
をスクリーン版によって印刷し、第4図に示すように1
00個の基板素体を形成した。
次にアルミナを主成分とするグリーンシートに用いたと
同様の組成を有する粉末にバインダーおよび溶剤を加え
て調製した絶縁用ペーストを使用し、同様にスクリーン
印刷法によってヒータ全面を覆うように基板上に絶縁層
を印刷した。このとき第4図に示すように絶縁層の所定
部分にスルーホール5が形成されるように印刷を行なっ
た。
同様の組成を有する粉末にバインダーおよび溶剤を加え
て調製した絶縁用ペーストを使用し、同様にスクリーン
印刷法によってヒータ全面を覆うように基板上に絶縁層
を印刷した。このとき第4図に示すように絶縁層の所定
部分にスルーホール5が形成されるように印刷を行なっ
た。
次に上記スルーホール内を白金ペーストで充填する一方
、各ヒータ基板A成形体を区画するようにカッタナイフ
等でスリットライン6を形成する。
、各ヒータ基板A成形体を区画するようにカッタナイフ
等でスリットライン6を形成する。
次に第4図のように多数のヒータ基板積層体を形成した
グリーンシートをH2ガス還元雰囲気中において温度1
540℃にて同時焼成する。そしてスリットライン6に
沿って分割して第1図(a)、 (b)に示すような、
配設密度が相互に異なるヒータを有するヒータ基板Aが
多数製造される。
グリーンシートをH2ガス還元雰囲気中において温度1
540℃にて同時焼成する。そしてスリットライン6に
沿って分割して第1図(a)、 (b)に示すような、
配設密度が相互に異なるヒータを有するヒータ基板Aが
多数製造される。
このようにして得られたヒータ基板Aのヒータ用電源パ
ッド4,4に通電して絶縁層3の左右両側の表面温度を
測定したところ、図において左側でヒータを密に配設し
た領域では500℃となり、右側でヒータを疎に配設し
た領域ではヒータの発熱量が小となるため460℃とな
り、温度差は40℃であった。
ッド4,4に通電して絶縁層3の左右両側の表面温度を
測定したところ、図において左側でヒータを密に配設し
た領域では500℃となり、右側でヒータを疎に配設し
た領域ではヒータの発熱量が小となるため460℃とな
り、温度差は40℃であった。
なお上記製造方法のように、グリーンシート上にヒータ
パターンおよび絶縁層をスクリーン印刷したヒータ基板
の生成形体を同時焼成して製造したヒータ基板は、セラ
ミックス基板とヒータと絶縁層との相互の接合力が極め
て強く、またヒータが絶縁層によって被覆されているた
め、ヒータ抵抗の経時変化が少なく、特にガスセンサ用
ヒータ基板として使用した場合には長期に亘って高い信
頼性を確保することができた。
パターンおよび絶縁層をスクリーン印刷したヒータ基板
の生成形体を同時焼成して製造したヒータ基板は、セラ
ミックス基板とヒータと絶縁層との相互の接合力が極め
て強く、またヒータが絶縁層によって被覆されているた
め、ヒータ抵抗の経時変化が少なく、特にガスセンサ用
ヒータ基板として使用した場合には長期に亘って高い信
頼性を確保することができた。
第2図(a)、(b)は、それぞれ本発明に係るヒータ
基板Aを用いたガスセンサを示す平面図および断面図で
ある。このガスセンサに使用したヒータ基板Aは、第1
図(a)、 (b)に示すものと同一であり、同一部
分には同一符号を付している。
基板Aを用いたガスセンサを示す平面図および断面図で
ある。このガスセンサに使用したヒータ基板Aは、第1
図(a)、 (b)に示すものと同一であり、同一部
分には同一符号を付している。
すなわちアルミナ基板1上にヒータ2が蛇行して形成さ
れ、さらにヒータ2を覆うように、絶縁層3が形成され
ている。ヒータ2の配設密度は、図において左側半分に
おいて密である一方、右側半分において疎に設定される
。絶縁層3の対角方向の角部にはヒータ2の各端部に接
続するヒータ用電源パッド4.4が形成されている。
れ、さらにヒータ2を覆うように、絶縁層3が形成され
ている。ヒータ2の配設密度は、図において左側半分に
おいて密である一方、右側半分において疎に設定される
。絶縁層3の対角方向の角部にはヒータ2の各端部に接
続するヒータ用電源パッド4.4が形成されている。
またヒータ2の疎密部分に対応する絶縁層3の表面には
、それぞれガス検知層7a、7bが形成される。各ガス
検知層7a、7bは、S n O2系の半導体膜の表面
にPt−Rh系触媒層を積層して構成される。上記ガス
検知層7a、7bは、ヒータ2の疎密部分にそれぞれ対
応する絶縁層3aの両縁部に形成された一対の高温部対
向電極8゜8および一対の低温部対向電極9.9に接続
される。
、それぞれガス検知層7a、7bが形成される。各ガス
検知層7a、7bは、S n O2系の半導体膜の表面
にPt−Rh系触媒層を積層して構成される。上記ガス
検知層7a、7bは、ヒータ2の疎密部分にそれぞれ対
応する絶縁層3aの両縁部に形成された一対の高温部対
向電極8゜8および一対の低温部対向電極9.9に接続
される。
上記のガスセンサはヒータ基板の製法に準じて下記の工
程により量産することができる。
程により量産することができる。
すなわち第4図に示すようなシート状のヒータ基板へを
焼成した後に、センサ検知用の対向電極を金(Au)系
ペーストにてスクリーン印刷した後焼成し、さらに半導
体(S n O2系)ペースト、触媒(Pt−Rh系)
ペーストをスクリーン印刷法により順次ヒータ基板Aの
絶縁層3の表面に印刷後、焼成してガス感知部を形成し
て製造する。
焼成した後に、センサ検知用の対向電極を金(Au)系
ペーストにてスクリーン印刷した後焼成し、さらに半導
体(S n O2系)ペースト、触媒(Pt−Rh系)
ペーストをスクリーン印刷法により順次ヒータ基板Aの
絶縁層3の表面に印刷後、焼成してガス感知部を形成し
て製造する。
雰囲気中の特定のガスが、ガスセンサのガス検知層7a
、7bに接触すると、触媒の選択性および温度によって
、ガスの酸化還元反応が起こり、電子の授受によってガ
ス検知層7a、7bの抵抗値が変化し、ガス濃度に応じ
て信号電流が変化するので、検出回路がガスの存在を検
出するしくみとなっている。
、7bに接触すると、触媒の選択性および温度によって
、ガスの酸化還元反応が起こり、電子の授受によってガ
ス検知層7a、7bの抵抗値が変化し、ガス濃度に応じ
て信号電流が変化するので、検出回路がガスの存在を検
出するしくみとなっている。
このようにして得られたガスセンサでは、ヒータ2が密
に配設された絶縁層3の高温部対向電極8.8側の表面
温度を500℃に設定した場合、ヒータ2が疎に配設さ
れた絶縁層3の低温部対向電極9.9の表面温度は46
0℃となり、高温部に位置するガス検知層7aではエタ
ノールを特異的に検出する一方、低温部に位置するガス
検知層7bでは水素を高感度で検出することができた。
に配設された絶縁層3の高温部対向電極8.8側の表面
温度を500℃に設定した場合、ヒータ2が疎に配設さ
れた絶縁層3の低温部対向電極9.9の表面温度は46
0℃となり、高温部に位置するガス検知層7aではエタ
ノールを特異的に検出する一方、低温部に位置するガス
検知層7bでは水素を高感度で検出することができた。
第3図は上記のようにヒータ基板Aの上面にガス検知層
7a、7bを形成したガスセンサを直径1国程度の微小
なステム10に実装して形成した複合ガスセンサの検知
部の斜視図である。ステム10の軸方向には6本のコネ
クタピン11が貫通しており、高温部対向電極8、低温
部対向電極9およびヒータ用電極パッド4は、それぞれ
銀ろう付けされたリード線12によってコネクタピン1
1に接続されている。
7a、7bを形成したガスセンサを直径1国程度の微小
なステム10に実装して形成した複合ガスセンサの検知
部の斜視図である。ステム10の軸方向には6本のコネ
クタピン11が貫通しており、高温部対向電極8、低温
部対向電極9およびヒータ用電極パッド4は、それぞれ
銀ろう付けされたリード線12によってコネクタピン1
1に接続されている。
このように本実施例に係るヒータ基板へを使用したガス
センサによれば、1枚のセラミックス基板1上に形成す
るヒータ2の配設密度が異なっているため、単位面積当
りの絶縁層3に対するヒータ2からの伝熱量が領域毎に
異なり、表面温度が異なる領域が1枚の基板内に形成さ
れる。そして各領域の温度において反応性が特異的に高
くなるガス検知層を配置することにより、異なった2種
類のガスを1枚の基板に配置した2個のガス検知層7a
、7bによって検出することが可能となり、構造が簡素
で小型であり、かつ軽量な複合センサを容易に形成する
ことができる。
センサによれば、1枚のセラミックス基板1上に形成す
るヒータ2の配設密度が異なっているため、単位面積当
りの絶縁層3に対するヒータ2からの伝熱量が領域毎に
異なり、表面温度が異なる領域が1枚の基板内に形成さ
れる。そして各領域の温度において反応性が特異的に高
くなるガス検知層を配置することにより、異なった2種
類のガスを1枚の基板に配置した2個のガス検知層7a
、7bによって検出することが可能となり、構造が簡素
で小型であり、かつ軽量な複合センサを容易に形成する
ことができる。
以上の実施例では、ヒータの配設密度を変えることによ
って形成した、表面温度が異なる2つの絶縁層表面にそ
れぞれ同一種類の半導体膜および触媒層を形成した例で
示しているが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。例えば、ガス検知層7a、7bにそれぞれ
塗布する触媒種をW−Cu系とPt−Rh系とに塗り分
けたり、ヒータの配設密度をさらに3段階以上に変化さ
せることによって、ヒータ温度分布をさらに多様に変化
させたりして、検出対象ガスの反応性が最も高くなる条
件に合せることにより、他の種類のガスも同時に検出す
ることが可能になる。
って形成した、表面温度が異なる2つの絶縁層表面にそ
れぞれ同一種類の半導体膜および触媒層を形成した例で
示しているが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。例えば、ガス検知層7a、7bにそれぞれ
塗布する触媒種をW−Cu系とPt−Rh系とに塗り分
けたり、ヒータの配設密度をさらに3段階以上に変化さ
せることによって、ヒータ温度分布をさらに多様に変化
させたりして、検出対象ガスの反応性が最も高くなる条
件に合せることにより、他の種類のガスも同時に検出す
ることが可能になる。
以上の通り本発明に係るヒータ基板によれば、1枚のセ
ラミックス基板上に配設されるヒータの配設密度が異な
っているため、ヒータからの伝熱量がセラミックス基板
の各領域毎に異なり、表面温度が異なった領域が1枚の
基板内に形成される。
ラミックス基板上に配設されるヒータの配設密度が異な
っているため、ヒータからの伝熱量がセラミックス基板
の各領域毎に異なり、表面温度が異なった領域が1枚の
基板内に形成される。
そして各領域毎に検知特性が異ったガス検知層を配置す
ることにより、異なった種類のガスを1枚の基板に配置
した複数のガス検知層によって検出することが可能とな
り、構造が簡素で小型・軽量な複合センサを容易に形成
することができる。
ることにより、異なった種類のガスを1枚の基板に配置
した複数のガス検知層によって検出することが可能とな
り、構造が簡素で小型・軽量な複合センサを容易に形成
することができる。
第1図(a)、 (b)はそれぞれ本発明に係るヒー
タ基板の一実施例を示す平面図および断面図、第2図(
a)、 (b)はそれぞれ本発明に係るヒータ基板を
用いたガスセンサの平面図および断面図、第3図は本発
明に係るヒータ基板を使用した複合ガスセンサの実装例
を示す斜視図、第4図はヒータ等を印刷して多数のヒー
タ基板を同時に製造する場合のグリーンシートの平面図
である。 1・・・アルミナ基板(セラミックス基板)、2・・・
ヒータ、3・・・絶縁層、4・・・ヒータ用電源パッド
、5・・・スルーホール、6・・・スリットライン、7
a。 7b・・・ガス検知層、8・・・高温部対向電極、9・
・・低温部対向電極、10・・・ステム、11・・・コ
ネクタピン、12・・・リード線。 出願人代理人 波 多 野 久第1I!! 第2m
タ基板の一実施例を示す平面図および断面図、第2図(
a)、 (b)はそれぞれ本発明に係るヒータ基板を
用いたガスセンサの平面図および断面図、第3図は本発
明に係るヒータ基板を使用した複合ガスセンサの実装例
を示す斜視図、第4図はヒータ等を印刷して多数のヒー
タ基板を同時に製造する場合のグリーンシートの平面図
である。 1・・・アルミナ基板(セラミックス基板)、2・・・
ヒータ、3・・・絶縁層、4・・・ヒータ用電源パッド
、5・・・スルーホール、6・・・スリットライン、7
a。 7b・・・ガス検知層、8・・・高温部対向電極、9・
・・低温部対向電極、10・・・ステム、11・・・コ
ネクタピン、12・・・リード線。 出願人代理人 波 多 野 久第1I!! 第2m
Claims (1)
- セラミックス基板と、セラミックス基板の表面全体に
配設されたヒータと、このヒータに重ねて形成された絶
縁層とを有するヒータ基板において、上記ヒータの配設
密度を部分的に変化させたことを特徴とするヒータ基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28372390A JPH04160790A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ヒータ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28372390A JPH04160790A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ヒータ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160790A true JPH04160790A (ja) | 1992-06-04 |
Family
ID=17669257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28372390A Pending JPH04160790A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ヒータ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04160790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0893688A1 (de) * | 1997-07-24 | 1999-01-27 | Heraeus$Sensor-Nite International | Heizleiter-Schicht mit veränderlichem elektrischen Widerstand und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2003228778A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Osaka Gas Co Ltd | 油脂火災防止用ガス検知器及び油脂火災防止用ガス検知方法 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28372390A patent/JPH04160790A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0893688A1 (de) * | 1997-07-24 | 1999-01-27 | Heraeus$Sensor-Nite International | Heizleiter-Schicht mit veränderlichem elektrischen Widerstand und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2003228778A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Osaka Gas Co Ltd | 油脂火災防止用ガス検知器及び油脂火災防止用ガス検知方法 |
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