JPH04160913A - 静磁波フィルタ - Google Patents
静磁波フィルタInfo
- Publication number
- JPH04160913A JPH04160913A JP28779590A JP28779590A JPH04160913A JP H04160913 A JPH04160913 A JP H04160913A JP 28779590 A JP28779590 A JP 28779590A JP 28779590 A JP28779590 A JP 28779590A JP H04160913 A JPH04160913 A JP H04160913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- magnetostatic wave
- wave filter
- insertion loss
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は静磁波素子、特には周波数０．８ＧＨよ〜数１
０ＧＨ，の準マイクロ彼帯〜マイクロ波帯で用いらられ
る静磁波を利用するフィルタに関するものである。
０ＧＨ，の準マイクロ彼帯〜マイクロ波帯で用いらられ
る静磁波を利用するフィルタに関するものである。
（従来の技術）
周波数０．８６）１．〜数１０Ｇ）ｌ工の準マイクロ波
帯〜マイクロ波帯で使用されるフィルタについてはＹ３
Ｆｅ、Ｏ，、（ＹＩＧ）または（ＢｉＹＦｅ）ａｏ＋２
を用いたものが提案されている。
帯〜マイクロ波帯で使用されるフィルタについてはＹ３
Ｆｅ、Ｏ，、（ＹＩＧ）または（ＢｉＹＦｅ）ａｏ＋２
を用いたものが提案されている。
（発明が解決しようとする課Ｉ！ｌり
しかし、これら公知の静磁波フィルタは磁性膜の飽和磁
化の温度依存性が大きいためにフィルタの中心周波数が
温度により大きく変化してしまうという問題があると共
に、材料に加わる高周波磁界がある値より大きくなると
、材料の高周波磁化が飽和する特徴をもっているので、
扱える電力が小さいという問題がある。
化の温度依存性が大きいためにフィルタの中心周波数が
温度により大きく変化してしまうという問題があると共
に、材料に加わる高周波磁界がある値より大きくなると
、材料の高周波磁化が飽和する特徴をもっているので、
扱える電力が小さいという問題がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような課題を解決した静磁波フィルタに関
するものであり、これは液相エピタキシャル法により基
板上に育成される、膜厚が２０μｍ以上で磁気共鳴半値
幅（△Ｈ）が周波数９．２０Ｈ，において１．０≦ΔＨ
≦４．０Ｏｅで、飽和磁化が１，０００Ｇ以下である酸
化物ガーネット磁性膜を用いてなる、周波数０．８ＧＨ
，以上で、挿入損失が入力電力を増加させたとぎに３ｄ
Ｂ増加するときの人力電力が０ｄＢ１１以上であること
を特徴とするものである。
するものであり、これは液相エピタキシャル法により基
板上に育成される、膜厚が２０μｍ以上で磁気共鳴半値
幅（△Ｈ）が周波数９．２０Ｈ，において１．０≦ΔＨ
≦４．０Ｏｅで、飽和磁化が１，０００Ｇ以下である酸
化物ガーネット磁性膜を用いてなる、周波数０．８ＧＨ
，以上で、挿入損失が入力電力を増加させたとぎに３ｄ
Ｂ増加するときの人力電力が０ｄＢ１１以上であること
を特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは実際に大きな電力を扱え、また
中心周波数の温度依存性のｔＪｚさな静磁波フィルタを
開発すべく種々検討した結果、この静磁波フィルタは液
相エピタキシャル法で基板上に育成した酸化物ガーネッ
ト磁性膜からなるものとするが、これを飽和磁化が小さ
く、膜厚が厚く、磁気共鳴半値幅の大きいものとすれば
中心周波数の温度依存性が小さく、かつ扱える電力量の
大きい静磁波フィルタの得られることを見出し、これに
ついてさらに研究を進め、これについてはその膜厚を２
ＧＨ厘以上とし、周波数９．２Ｇ）Ｉよにおける磁気共
鳴半値幅（△Ｈ）が１．０≦ΔＨ≦４．０Ｏｅのものと
し、飽和磁化が１，０００Ｇ以下のものとすれば、周波
数０．８ＧＨ，以上で飽和入力電力が０６８ｍ以上であ
り、０〜６０℃の温度範囲での中心周波数の変化幅が３
５０ＭＨｚ以下である静磁波フィルタの得られることを
確認して本発明を完成させた。
中心周波数の温度依存性のｔＪｚさな静磁波フィルタを
開発すべく種々検討した結果、この静磁波フィルタは液
相エピタキシャル法で基板上に育成した酸化物ガーネッ
ト磁性膜からなるものとするが、これを飽和磁化が小さ
く、膜厚が厚く、磁気共鳴半値幅の大きいものとすれば
中心周波数の温度依存性が小さく、かつ扱える電力量の
大きい静磁波フィルタの得られることを見出し、これに
ついてさらに研究を進め、これについてはその膜厚を２
ＧＨ厘以上とし、周波数９．２Ｇ）Ｉよにおける磁気共
鳴半値幅（△Ｈ）が１．０≦ΔＨ≦４．０Ｏｅのものと
し、飽和磁化が１，０００Ｇ以下のものとすれば、周波
数０．８ＧＨ，以上で飽和入力電力が０６８ｍ以上であ
り、０〜６０℃の温度範囲での中心周波数の変化幅が３
５０ＭＨｚ以下である静磁波フィルタの得られることを
確認して本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
（作用）
本発明は扱える電力量が大きく、中心周波数の温度依存
性の小さい静磁波フィルタに関するものである。
性の小さい静磁波フィルタに関するものである。
本発明の静磁波フィルタは液相エピタキシャル法で基板
上に育成された酸化物ガーネット磁性膜から゛なるもの
とされる。
上に育成された酸化物ガーネット磁性膜から゛なるもの
とされる。
この酸化物ガーネット磁性膜はガーネット基板単結晶上
に液相エピタキシャル法で育成させることによって得た
ものとされる。このガーネット基板単結晶はＧ（１２０
３、Ｓｍ２０ｓ、Ｎｄ、Ｏ，または必要に応じＣａｂ、
ＭｇＯ１ｚ「０２、Ｙ、０．などの置換材を所定量のＧ
ａ２Ｏ，と共にルツボに仕込み、高周波誘導で各々の融
点以上に加熱して溶融したのち、この融液からチョクラ
ルスキー法で引ぎ上げることによって得られたガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）
、サマリウム・ガリウム・ガーネット、ネオジム・ガリ
ウム・ガーネットまたは上記したＧＧＧにＣａ、Ｍｇ、
Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を添加したＧＧＧ系のＳＯ
Ｇ、ＮＯＧ、 ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業■製部
品′名コから選択されたものとすればよく、このガーネ
ット基板単結晶へのエピタキシャル膜の育成は例えば白
金ルツボの中にＹ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３および必要に応じ
Ｂｉ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＧｄｚＯｓ、Ｇａｚｅｓをフ
ラックス成分としてのｐｂｏ、Ｂ２Ｏ３と共に仕込み、
１．１００−１，２００℃に加熱してこれを熔融したの
ち、この中に上記したガーネット基板単結晶を浸漬し、
過冷却状態から液相エピタキシャル法で形成させればよ
い。
に液相エピタキシャル法で育成させることによって得た
ものとされる。このガーネット基板単結晶はＧ（１２０
３、Ｓｍ２０ｓ、Ｎｄ、Ｏ，または必要に応じＣａｂ、
ＭｇＯ１ｚ「０２、Ｙ、０．などの置換材を所定量のＧ
ａ２Ｏ，と共にルツボに仕込み、高周波誘導で各々の融
点以上に加熱して溶融したのち、この融液からチョクラ
ルスキー法で引ぎ上げることによって得られたガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）
、サマリウム・ガリウム・ガーネット、ネオジム・ガリ
ウム・ガーネットまたは上記したＧＧＧにＣａ、Ｍｇ、
Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を添加したＧＧＧ系のＳＯ
Ｇ、ＮＯＧ、 ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業■製部
品′名コから選択されたものとすればよく、このガーネ
ット基板単結晶へのエピタキシャル膜の育成は例えば白
金ルツボの中にＹ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３および必要に応じ
Ｂｉ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＧｄｚＯｓ、Ｇａｚｅｓをフ
ラックス成分としてのｐｂｏ、Ｂ２Ｏ３と共に仕込み、
１．１００−１，２００℃に加熱してこれを熔融したの
ち、この中に上記したガーネット基板単結晶を浸漬し、
過冷却状態から液相エピタキシャル法で形成させればよ
い。
このよにして作られた酸化物ガーネット磁性膜としては
一般式 ％式％ で示される単結晶が例示されるが、このものは膜厚さが
２０μｍ未満では飽和しやすくなるので膜厚が２０μｍ
以上のものであることが必要であるし、ぎ これはまた周波数９．２Ｇ）ｌｚにおける磁気共鳴半値
幅（△Ｈ）が１．０Ｏｅ未満では飽和しやすくなり、４
．０Ｏｅより大きいと挿入損失が大となるので、これは
Ｇａ元素の添加量を選択することによってその磁気共鳴
半値幅（△Ｈ）が１．０≦ΔＨ≦４００８となるように
することが必要とされるし、これはまた温度特性を良く
するということから飽和磁化が１．０００Ｇ以下のもの
とすることが必要とされる。
一般式 ％式％ で示される単結晶が例示されるが、このものは膜厚さが
２０μｍ未満では飽和しやすくなるので膜厚が２０μｍ
以上のものであることが必要であるし、ぎ これはまた周波数９．２Ｇ）ｌｚにおける磁気共鳴半値
幅（△Ｈ）が１．０Ｏｅ未満では飽和しやすくなり、４
．０Ｏｅより大きいと挿入損失が大となるので、これは
Ｇａ元素の添加量を選択することによってその磁気共鳴
半値幅（△Ｈ）が１．０≦ΔＨ≦４００８となるように
することが必要とされるし、これはまた温度特性を良く
するということから飽和磁化が１．０００Ｇ以下のもの
とすることが必要とされる。
本発明の静磁波フィルタは膜厚、磁気共鳴半値幅および
飽和磁化がこのように調整された液相エピタキシャル法
で作られた酸化物ガーネット磁性−膜をチップ化するこ
とによって作られるが、このようにして得られた静磁波
フィルタは入力電力を増加していくと挿入損失が増加す
るという飽和現象が起り難いし、このものは周波数０．
８ＧＨｚ以上で飽和入力電力が０ｄＢｍ以上、例えば０
．５〜１６０ｄＢｍとなり、扱える電力が従来品にくら
べて著しく大きくなり、０〜６０℃の温度範囲での中心
周波数の変化幅が３５０ＭＨｚ以下であるという有利性
が与えられるので、このものは例えば０．８ＧＨ２から
数１０Ｇ）ｌｘの準マイクロ波帯からマイクロ波帯で使
用されるフィルタとして、使用された場合小型でかつ大
電力が得られ、また周波数の温度依存性の小さいものに
なるという工業的な有用性が与えられ（実施例） つぎに本発明の実施例および比較例をあげるが、例中に
おける磁気共鳴半値幅（△Ｈ）は強磁性共鳴装置（ＦＭ
Ｒ）を用いた破壊測定により周波数９．２Ｇ）Ｉｚで求
めたもの、飽和磁化は振動子法（ＶＳＭ）により求めた
もの、また静磁波フィルターの入出力特性はネットワー
クアナライザーにより求めたものである。
飽和磁化がこのように調整された液相エピタキシャル法
で作られた酸化物ガーネット磁性−膜をチップ化するこ
とによって作られるが、このようにして得られた静磁波
フィルタは入力電力を増加していくと挿入損失が増加す
るという飽和現象が起り難いし、このものは周波数０．
８ＧＨｚ以上で飽和入力電力が０ｄＢｍ以上、例えば０
．５〜１６０ｄＢｍとなり、扱える電力が従来品にくら
べて著しく大きくなり、０〜６０℃の温度範囲での中心
周波数の変化幅が３５０ＭＨｚ以下であるという有利性
が与えられるので、このものは例えば０．８ＧＨ２から
数１０Ｇ）ｌｘの準マイクロ波帯からマイクロ波帯で使
用されるフィルタとして、使用された場合小型でかつ大
電力が得られ、また周波数の温度依存性の小さいものに
なるという工業的な有用性が与えられ（実施例） つぎに本発明の実施例および比較例をあげるが、例中に
おける磁気共鳴半値幅（△Ｈ）は強磁性共鳴装置（ＦＭ
Ｒ）を用いた破壊測定により周波数９．２Ｇ）Ｉｚで求
めたもの、飽和磁化は振動子法（ＶＳＭ）により求めた
もの、また静磁波フィルターの入出力特性はネットワー
クアナライザーにより求めたものである。
実施例１〜６、比較例１〜３
目的とする酸化物ガーネット磁性膜を育成するためのガ
ーネット基板単結晶として、格子定数が１２．３８３人
で厚さが５００ μｍ 、直径３インチのＧＧＧ結晶板
とこのＧＧＧ結晶を構成する元素の一部をＹマ置換した
格子定数が１２．３７人で厚さが５００μｍ１直径３イ
ンチのＹＯＧ結晶板を用意した。
ーネット基板単結晶として、格子定数が１２．３８３人
で厚さが５００ μｍ 、直径３インチのＧＧＧ結晶板
とこのＧＧＧ結晶を構成する元素の一部をＹマ置換した
格子定数が１２．３７人で厚さが５００μｍ１直径３イ
ンチのＹＯＧ結晶板を用意した。
ついで、純度が９９．９９％以上である所定量のＹ２Ｏ
３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５，Ｌａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ，
およびフラックス成分としてのＰｂＯ１Ｂ２０．を白金
ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱して溶融し、この
融液から上記したガーネット基板単結晶の上に液相エピ
タキシャル法で第１表に示した９種類の酸化物ガーネッ
ｌ−１ｉｉＩ性膜を育成させ、分光光度計でその膜厚を
しらへたところ、第１表に示したとおりの結果が得られ
た。
３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５，Ｌａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ，
およびフラックス成分としてのＰｂＯ１Ｂ２０．を白金
ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱して溶融し、この
融液から上記したガーネット基板単結晶の上に液相エピ
タキシャル法で第１表に示した９種類の酸化物ガーネッ
ｌ−１ｉｉＩ性膜を育成させ、分光光度計でその膜厚を
しらへたところ、第１表に示したとおりの結果が得られ
た。
ついで、これらの単結晶から１．Ｏｘ １．０ｍｍ角の
試料を切り出し、これを強磁性共鳴装置の９．２ＧＨｚ
の円筒型キャビティ内に、この試料が印加磁界に対して
垂直になるようにセットしてその磁気共鳴半値幅（△Ｈ
）を測定したところ、第１表に示したとおりの結果が得
られた。
試料を切り出し、これを強磁性共鳴装置の９．２ＧＨｚ
の円筒型キャビティ内に、この試料が印加磁界に対して
垂直になるようにセットしてその磁気共鳴半値幅（△Ｈ
）を測定したところ、第１表に示したとおりの結果が得
られた。
つぎにこれらの単結晶から１．２ｍｍ Ｘ ３．２ｍａ
＋の試料を切り圧し、これを＾Ｕ製で電極対数が３で、
電極幅が５０μ閣、電極間隔が５０μ■であり、また送
・受信用のトランスジユーザーの間隔が０．６ｍｍであ
るパラレルストリップトランスデユーサの上に、その長
辺がトランスジューサと平行で、その中心が２つのトラ
ンスジューサの中心線と合致するように接着して１７ｓ
１図に示した静磁波フィルタを作り、この素子を小型の
電磁石内に入れ、この磁性材料の磁性膜に対して垂直に
３．０００Ｇの磁場を加え、この素子の周波数と挿入損
失との関係をしらへたところ、第１表の試料Ｎ０９１の
試料についてて第２図に示したような結果得られた。
＋の試料を切り圧し、これを＾Ｕ製で電極対数が３で、
電極幅が５０μ閣、電極間隔が５０μ■であり、また送
・受信用のトランスジユーザーの間隔が０．６ｍｍであ
るパラレルストリップトランスデユーサの上に、その長
辺がトランスジューサと平行で、その中心が２つのトラ
ンスジューサの中心線と合致するように接着して１７ｓ
１図に示した静磁波フィルタを作り、この素子を小型の
電磁石内に入れ、この磁性材料の磁性膜に対して垂直に
３．０００Ｇの磁場を加え、この素子の周波数と挿入損
失との関係をしらへたところ、第１表の試料Ｎ０９１の
試料についてて第２図に示したような結果得られた。
また、この第２図において最小の挿入損失を示した周波
数（２，０ＧＩ（ｚ）において人力する電、力を一２０
ｄＢｍから◆２８ ｄＢｍまで変化させて挿入損失をし
らべ、同様に第１表に示した試料すべてについてこれを
静電波フィルタとしたときの人力電力と損失の関係をし
らべたところ、第１表および第２図に示したとおりの結
果が得られ、比較例としての試料Ｎｏ、７ （比較例１
）のものは飽和人力電力が０．８ＧＨｚで１８ｄＢ＋＊
と大きいが挿入損失が７．９ｄＢと大きくなり、試料Ｎ
ｏ、８ （比較例２）のものは０．８ＧＨｚにおいて飽
和入力電力が−３，５ｄＢｍと小さく、また試料Ｎｏ、
９ （比較例３）のものは挿入損失が０．８ＧＨｚにお
いて７．ｌ１ｄＢ と大きかった。
数（２，０ＧＩ（ｚ）において人力する電、力を一２０
ｄＢｍから◆２８ ｄＢｍまで変化させて挿入損失をし
らべ、同様に第１表に示した試料すべてについてこれを
静電波フィルタとしたときの人力電力と損失の関係をし
らべたところ、第１表および第２図に示したとおりの結
果が得られ、比較例としての試料Ｎｏ、７ （比較例１
）のものは飽和人力電力が０．８ＧＨｚで１８ｄＢ＋＊
と大きいが挿入損失が７．９ｄＢと大きくなり、試料Ｎ
ｏ、８ （比較例２）のものは０．８ＧＨｚにおいて飽
和入力電力が−３，５ｄＢｍと小さく、また試料Ｎｏ、
９ （比較例３）のものは挿入損失が０．８ＧＨｚにお
いて７．ｌ１ｄＢ と大きかった。
（発明の効果）
本発明は温度特性がよく、大きな電力が扱える静磁波フ
ィルタに関するものであり、これは前記したように液相
エピタキシャル法により基板に育成された、膜厚が２０
μｍ以上で、磁気共鳴半値幅（△Ｈ）が９．２ＧＨｚに
おいて、１．０≦ΔＨ≦４．０Ｏｅで、飽和磁化が１．
０００Ｇ以下である酸化物ガーネット磁性膜からなり、
周波数０．８１Ｊｚ以上で、挿入損失が入力電力を増加
させたときに３６Ｂｆｌ加するときの入力電力がＯｄＢ
＋＋以上であることを特徴とするものであるが、このも
のは従来品にくらべて大きな電力が扱えるので、フィル
タに使用される静磁波素子として有用とされる。
ィルタに関するものであり、これは前記したように液相
エピタキシャル法により基板に育成された、膜厚が２０
μｍ以上で、磁気共鳴半値幅（△Ｈ）が９．２ＧＨｚに
おいて、１．０≦ΔＨ≦４．０Ｏｅで、飽和磁化が１．
０００Ｇ以下である酸化物ガーネット磁性膜からなり、
周波数０．８１Ｊｚ以上で、挿入損失が入力電力を増加
させたときに３６Ｂｆｌ加するときの入力電力がＯｄＢ
＋＋以上であることを特徴とするものであるが、このも
のは従来品にくらべて大きな電力が扱えるので、フィル
タに使用される静磁波素子として有用とされる。
第１図（ａ）は本発明の静磁波フィルタの縦断面図、第
１図（ｂ）はその平面図、第２図は本発明の静磁波フィ
ルタの周波数と挿入損失との関係を示したグラフ、第３
図は本発明の静磁波フィルタの入力電力と挿入損失との
関係を示したグラフを示したものである。 第１図 （ｂ） フルミアτフＳツ２基不及 １．８ ＋、９ ２．０ ２．１
２．２−周波数（ＧＨｚ） 第３図 一入力電力（６８ｍ）
１図（ｂ）はその平面図、第２図は本発明の静磁波フィ
ルタの周波数と挿入損失との関係を示したグラフ、第３
図は本発明の静磁波フィルタの入力電力と挿入損失との
関係を示したグラフを示したものである。 第１図 （ｂ） フルミアτフＳツ２基不及 １．８ ＋、９ ２．０ ２．１
２．２−周波数（ＧＨｚ） 第３図 一入力電力（６８ｍ）
Claims (1)
- １．液相エピタキシャル法により基板上に育成される、
膜厚が２０μｍ以上で磁気共鳴半値幅（△Ｈ）が周波数
９．２ＧＨ＿２において１．０≦ΔＨ≦４．０Ｏｅで、
飽和磁化が１，０００Ｇ以下である酸化物ガーネット磁
性膜を用いてなる、周波数０．８ＧＨ＿２以上で、挿入
損失が入力電力を増加させたときに３ｄＢ増加するとき
の入力電力が０ｄＢｍ以上であることを特徴とする静磁
波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28779590A JP2779058B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 静磁波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28779590A JP2779058B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 静磁波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160913A true JPH04160913A (ja) | 1992-06-04 |
| JP2779058B2 JP2779058B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=17721850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28779590A Expired - Fee Related JP2779058B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 静磁波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779058B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011252741A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Toyohashi Univ Of Technology | 磁界の測定方法及びその装置 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP28779590A patent/JP2779058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011252741A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Toyohashi Univ Of Technology | 磁界の測定方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2779058B2 (ja) | 1998-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4121550C2 (de) | Magnetoelastischer Oberflächenwellenleiter | |
| JP2779057B2 (ja) | 静磁波素子用チップおよび静磁波素子 | |
| US3864647A (en) | Substantially linear magnetic dispersive delay line and method of operating it | |
| JPH04160913A (ja) | 静磁波フィルタ | |
| US5449942A (en) | Rare earth oxide-based garnet single crystal for magnetostatic device and method for the preparation thereof | |
| EP0044586A2 (en) | Device for propagating magnetic domains | |
| EP0743660B1 (en) | Magnetostatic wave device and material for the same | |
| EP0559095A1 (en) | Material for magnetostatic-wave devices | |
| JPH03223199A (ja) | 磁性ガーネット単結晶およびマイクロ波素子材料 | |
| Gorter et al. | Square-loop ferrites obtained by magnetic annealing of new compositions | |
| Kurtzig et al. | Correlation of domain wall mobility with gallium concentration in bubble garnets | |
| KR100385121B1 (ko) | 정자파 디바이스 | |
| JPH02168606A (ja) | マイクロ波素子 | |
| JPH05175710A (ja) | 温度補償型静磁表面波フィルタ | |
| Nilsen et al. | Microwave Properties of a Calcium‐Vanadium‐Bismuth Garnet | |
| JPH07130539A (ja) | 表面静磁波デバイス | |
| JP3324304B2 (ja) | 静磁波素子用磁性ガーネット単結晶膜の処理方法およびその処理手段を備えた磁性ガーネット単結晶膜の製造装置 | |
| EP0501434A2 (en) | Use of a garnet thin film in a magnetostatic-wave device | |
| US6194091B1 (en) | Magnetostatic wave device | |
| JPH1197242A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH07157399A (ja) | マイクロ波素子材料およびその製造方法 | |
| JPH1012440A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH02248398A (ja) | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| OWENS et al. | Tunable microwave transversal filters[Annual Technical Report, 1 Aug. 1982- 31 Jul. 1984] | |
| JP2784926B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080508 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090508 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |