JPH041616A - 光波長変換方法 - Google Patents
光波長変換方法Info
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- JPH041616A JPH041616A JP10201490A JP10201490A JPH041616A JP H041616 A JPH041616 A JP H041616A JP 10201490 A JP10201490 A JP 10201490A JP 10201490 A JP10201490 A JP 10201490A JP H041616 A JPH041616 A JP H041616A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- QJRWLNLUIAJTAD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-3-methoxybenzonitrile Chemical compound COC1=CC(C#N)=CC=C1O QJRWLNLUIAJTAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光源から発生させた少なくとも1つの基本波
を、光波長変換素子によって1/2の波長の第2高調波
、あるいは和周波等に変換する光波長変換方法に関する
ものである。
を、光波長変換素子によって1/2の波長の第2高調波
、あるいは和周波等に変換する光波長変換方法に関する
ものである。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料による第2高調波発生を利用
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば[光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば[光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。
上述のようなバルク結晶型の光波長変換素子を形成する
非線形光学材料として従来より、無機材料ではLiNb
O3やKTP、有機材料では例えば特開昭60−250
334号公報等に示されるMNA (2−メチル−4−
ニトロアニリン)、J、Opt、Sac、Am、B、に
記載されているNPP (N−(4−ニトロフェニル)
−L−プロリノール) 、NPAN (N−(4−ニト
ロフェニル)−N−メチルアミノアセトニトリル)等が
知られている。このMNAやNPP等の有機の非線形光
学材料は、LiNbO3やKTP等の無機の非線形光学
材料と比べると、非線形光学定数が大きいので波長変換
効率が高い、誘電破懐しきい値が大きい等の長所を有し
ている。
非線形光学材料として従来より、無機材料ではLiNb
O3やKTP、有機材料では例えば特開昭60−250
334号公報等に示されるMNA (2−メチル−4−
ニトロアニリン)、J、Opt、Sac、Am、B、に
記載されているNPP (N−(4−ニトロフェニル)
−L−プロリノール) 、NPAN (N−(4−ニト
ロフェニル)−N−メチルアミノアセトニトリル)等が
知られている。このMNAやNPP等の有機の非線形光
学材料は、LiNbO3やKTP等の無機の非線形光学
材料と比べると、非線形光学定数が大きいので波長変換
効率が高い、誘電破懐しきい値が大きい等の長所を有し
ている。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、これら有機の非線形光学材料の吸収端は、例
えばMNAで450nm、NPPで480nm近辺に存
在するので、青色領域の第2高調波を発生させることは
困難となっている。
えばMNAで450nm、NPPで480nm近辺に存
在するので、青色領域の第2高調波を発生させることは
困難となっている。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、高い波長変換効率が得られ、その一方青色領域の第2
高調波も容易に得ることができる光波長変換方法を提供
することを目的とするものである。
、高い波長変換効率が得られ、その一方青色領域の第2
高調波も容易に得ることができる光波長変換方法を提供
することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明の光波長変換方法は、先に述べたようなバルク結
晶型の光波長変換素子として下記の分子式 で示される非線形光学材料(4−ヒドロキシ−3−メト
キシベンゾニトリル二以下HMNと称する)のバルク単
結晶を用いた上で、 直線偏光した基本波をこのバルク単結晶に対して、その
入射方向を結晶のa軸からb軸側に角度θをなす方向と
して、かつその偏光方向が略す軸と平行な向きとなるよ
うに入射させ、 波長変換波の偏光方向が略C軸と平行な向きとなるよう
にして、TYPEIの角度位相整合を取ることを特徴と
するものである。
晶型の光波長変換素子として下記の分子式 で示される非線形光学材料(4−ヒドロキシ−3−メト
キシベンゾニトリル二以下HMNと称する)のバルク単
結晶を用いた上で、 直線偏光した基本波をこのバルク単結晶に対して、その
入射方向を結晶のa軸からb軸側に角度θをなす方向と
して、かつその偏光方向が略す軸と平行な向きとなるよ
うに入射させ、 波長変換波の偏光方向が略C軸と平行な向きとなるよう
にして、TYPEIの角度位相整合を取ることを特徴と
するものである。
(作 用)
上記HMNは、これまで、実際にバルク結晶型の光波長
変換素子を形成して利用する上で、どのようにすれば基
本波と波長変換波との間で良好に位相整合が取れるかは
、不明であった。
変換素子を形成して利用する上で、どのようにすれば基
本波と波長変換波との間で良好に位相整合が取れるかは
、不明であった。
本発明方法においては、上述のように基本波の入射方向
を定めることにより、基本波と波長変換波との間でTY
PEIの角度位相整合が取れるようになる。以下、この
点について説明する。
を定めることにより、基本波と波長変換波との間でTY
PEIの角度位相整合が取れるようになる。以下、この
点について説明する。
このHMNのバルク結晶構造を、第2図に示す。
このHMNの結晶は斜方晶系をなし、空間群Fdd2点
群はmm2である。したがって非線形光学定数のテンソ
ルは、 り出す場合の非線形光学定数、d33はX偏光の基本波
を入射させてX偏光の第2高調波を取り出す場合の非線
形光学定数、d24はYとX偏光の基本波を入射させて
Y偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数、
dl、はXとX偏光の基本波を入射させてX偏光の第2
高調波を取り出す場合の非線形光学定数である。各非線
形光学定数の大きさを下表に示す。
群はmm2である。したがって非線形光学定数のテンソ
ルは、 り出す場合の非線形光学定数、d33はX偏光の基本波
を入射させてX偏光の第2高調波を取り出す場合の非線
形光学定数、d24はYとX偏光の基本波を入射させて
Y偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数、
dl、はXとX偏光の基本波を入射させてX偏光の第2
高調波を取り出す場合の非線形光学定数である。各非線
形光学定数の大きさを下表に示す。
となる。ここでd3+は、第2図に示すように結晶軸a
、b、cに対して定まる光学軸x、y、zを考えたとき
、X方向に直線偏光した光(以下、X偏光゛という。Y
、Zについても同様。)を基本波として入射させてX偏
光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であり
、同様に632はY偏光の基本波を入射させてX偏光の
第2高調波を取なお上の表における値は、X線結晶構造
解析による値であり、単位は[Pm/V]である。
、b、cに対して定まる光学軸x、y、zを考えたとき
、X方向に直線偏光した光(以下、X偏光゛という。Y
、Zについても同様。)を基本波として入射させてX偏
光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であり
、同様に632はY偏光の基本波を入射させてX偏光の
第2高調波を取なお上の表における値は、X線結晶構造
解析による値であり、単位は[Pm/V]である。
またHMNは斜方晶系で2軸性結晶となっているので、
光の偏光面が光学軸であるX軸(結晶軸でa軸)方向で
あるときの屈折率nxと、このX軸に直角なY軸(結晶
軸でb軸)方向であるときの屈折率nY、およびX、Y
両軸に直角なZ軸(結晶軸でa軸)方向であるときの屈
折率n2を有する。これらの屈折率nX s nY s
nZの値は、実fiPlおよびX線結晶構造解析の結
果より、ny >nz >nX となる。−例として波長550nmの光に対しては、n
x−1,50、ny=1.75、nz−1,68であり
、上記関係が満たされている。
光の偏光面が光学軸であるX軸(結晶軸でa軸)方向で
あるときの屈折率nxと、このX軸に直角なY軸(結晶
軸でb軸)方向であるときの屈折率nY、およびX、Y
両軸に直角なZ軸(結晶軸でa軸)方向であるときの屈
折率n2を有する。これらの屈折率nX s nY s
nZの値は、実fiPlおよびX線結晶構造解析の結
果より、ny >nz >nX となる。−例として波長550nmの光に対しては、n
x−1,50、ny=1.75、nz−1,68であり
、上記関係が満たされている。
したがってこの場合、前記X軸方向とY軸方向の中間的
な方向に基本波を入射させて、その場合の基本波に対す
る屈折率 IRとnフの中間的な屈折率ny’yを、第
2高調波に対する屈折率n賢と一致させれば、角度位相
整合が取れることになる。
な方向に基本波を入射させて、その場合の基本波に対す
る屈折率 IRとnフの中間的な屈折率ny’yを、第
2高調波に対する屈折率n賢と一致させれば、角度位相
整合が取れることになる。
つまり
2ω −
n z = n Xv −(1)とすればよい。
ここで、X−7面上における光の進行方向と光学軸Xと
のなす角(X軸からY軸側への傾きとする)をθとする
と、 である。そこで任意の波長で、任意の角度θを持たせる
ことにより、TYPEIの角度位相整合が可能になる。
のなす角(X軸からY軸側への傾きとする)をθとする
と、 である。そこで任意の波長で、任意の角度θを持たせる
ことにより、TYPEIの角度位相整合が可能になる。
さらにθ−0°では、ノンクリティカル位相整合が可能
である。
である。
またさらに、基本波の進行方向をZ軸から角度φだけ傾
けても、前記角度θとは異なる角度θ゛において位相整
合が可能である。
けても、前記角度θとは異なる角度θ゛において位相整
合が可能である。
また、HMNのバルク結晶(厚さ1mm)の透過スペク
トルを第4図に示すが、図示されるようにこのHMNは
、波長350nm近辺の光を多く吸収することがない。
トルを第4図に示すが、図示されるようにこのHMNは
、波長350nm近辺の光を多く吸収することがない。
したがって、このHMNをバルク結晶として用いた光波
長変換素子によれば、青紫色領域の波長変換波を効率良
く発生させることが可能である。
長変換素子によれば、青紫色領域の波長変換波を効率良
く発生させることが可能である。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1図は、本発明の方法によって基本波を1/2の波長
の第2高調波に変換する装置を示している。最初に、バ
ルク単結晶型の光波長変換素子IOを作成する方法につ
いて説明する。素子10は通常のブリッジマン法により
作成することができる。
の第2高調波に変換する装置を示している。最初に、バ
ルク単結晶型の光波長変換素子IOを作成する方法につ
いて説明する。素子10は通常のブリッジマン法により
作成することができる。
まず、融液状態のHMNを適当な型に流し、次いで急冷
させると、このHMNが多結晶化する。その後このHM
Nを、その融点88℃より高い温度(例えば91℃)に
保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外
に徐々に引き出すことにより、溶融状態のHMNを炉外
への引出し部分から単結晶化させる。それにより、50
mm以上もの長い範囲に亘って単結晶状態となり、結晶
方位も一定に揃ったHMNが形成され、光波長変換素子
lOを十分に長くすることができる。周知のようにこの
種の光波長変換素子の波長変換効率は素子の長さの2乗
に比例するので、光波長変換素子は長いほど実用的価値
が高くなる。
させると、このHMNが多結晶化する。その後このHM
Nを、その融点88℃より高い温度(例えば91℃)に
保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外
に徐々に引き出すことにより、溶融状態のHMNを炉外
への引出し部分から単結晶化させる。それにより、50
mm以上もの長い範囲に亘って単結晶状態となり、結晶
方位も一定に揃ったHMNが形成され、光波長変換素子
lOを十分に長くすることができる。周知のようにこの
種の光波長変換素子の波長変換効率は素子の長さの2乗
に比例するので、光波長変換素子は長いほど実用的価値
が高くなる。
以上述べたようにして形成したHMN単結晶を、光学軸
XとY軸(結晶軸ではa軸とb軸)を含むX−Y面でカ
ットし、Z軸(結晶軸ではa軸)方向に厚さ2mmに切
り出して、バルク単結晶型の光波長変換素子10を形成
した。
XとY軸(結晶軸ではa軸とb軸)を含むX−Y面でカ
ットし、Z軸(結晶軸ではa軸)方向に厚さ2mmに切
り出して、バルク単結晶型の光波長変換素子10を形成
した。
この光波長変換素子IOには、第1図図示のようにして
基本波15が入射される。本例においては、基本波を発
生する光源としてYAGレーザ−11が用いられ、そこ
から発せられた波長11064nのレーザー光(基本波
)15が、光波長変換素子10に入射される。この際基
本波15は、その入射方向をX軸からY軸側に角度θ傾
けて入射させる。
基本波15が入射される。本例においては、基本波を発
生する光源としてYAGレーザ−11が用いられ、そこ
から発せられた波長11064nのレーザー光(基本波
)15が、光波長変換素子10に入射される。この際基
本波15は、その入射方向をX軸からY軸側に角度θ傾
けて入射させる。
このようにしてHMNからなる光波長変換素子10に入
射された基本波15は、波長が1/2っまり532nm
の第2高調波15’ に、Z偏光(C軸部光)にて変換
される。したがって光波長変換素子10からは、この第
2高調波15゛ と基本波15が混合したビームが出
射する。この出射ビームは、532nmの第2高調波1
5°は良好に透過させる一方、11064nの基本波1
5は吸収するバンドパスフィルター13に通され、第2
高調波15′のみが取り出される。この第2高調波15
’ は、Z偏光であることが確認された。
射された基本波15は、波長が1/2っまり532nm
の第2高調波15’ に、Z偏光(C軸部光)にて変換
される。したがって光波長変換素子10からは、この第
2高調波15゛ と基本波15が混合したビームが出
射する。この出射ビームは、532nmの第2高調波1
5°は良好に透過させる一方、11064nの基本波1
5は吸収するバンドパスフィルター13に通され、第2
高調波15′のみが取り出される。この第2高調波15
’ は、Z偏光であることが確認された。
したがって本例では、前述の(1)式が満たされて、基
本波15と第2高調波15′ との位相整合が取られて
いる。そして非線形光学定数としては、前述したように
高い値のd32が利用されていることになる。
本波15と第2高調波15′ との位相整合が取られて
いる。そして非線形光学定数としては、前述したように
高い値のd32が利用されていることになる。
比較例として、厚さ2mmのLiNbO3のバルク単結
晶を形成し、第1図の装置と同じ装置でYAGレーザー
光を基本波として入射させ、第2高調波を発生させた。
晶を形成し、第1図の装置と同じ装置でYAGレーザー
光を基本波として入射させ、第2高調波を発生させた。
この比較例と上記実施例における第2高調波15° (
バンドパスフィルター13を通過したもの)の光強度を
測定したが、上記実施例における第2高調波の光強度は
、比較例のものに比べて1桁以上高かった。
バンドパスフィルター13を通過したもの)の光強度を
測定したが、上記実施例における第2高調波の光強度は
、比較例のものに比べて1桁以上高かった。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換方法におい
ては、HMN結晶に入射させる基本波の入射方向と偏光
方向を適切に設定したことにより、基本波と第2高調波
との角度位相整合が取れるので、この方法によれば、H
MNが有する高い非線形光学定数を実際にバルク結晶型
の非線形光学材料において利用可能であるので、極めて
高い波長変換効率を実現できる。またHMNは330n
mよりも短波長側に吸収端を有するものであるから′、
このHMNのバルク単結晶を用いる本発明方法によれば
、青紫色領域の第2高調波を効率良く取り出すことも可
能となる。
ては、HMN結晶に入射させる基本波の入射方向と偏光
方向を適切に設定したことにより、基本波と第2高調波
との角度位相整合が取れるので、この方法によれば、H
MNが有する高い非線形光学定数を実際にバルク結晶型
の非線形光学材料において利用可能であるので、極めて
高い波長変換効率を実現できる。またHMNは330n
mよりも短波長側に吸収端を有するものであるから′、
このHMNのバルク単結晶を用いる本発明方法によれば
、青紫色領域の第2高調波を効率良く取り出すことも可
能となる。
第1図は、本発明の方法を実施する装置の一例を示す概
略図、 第2図は、本発明に用いられるHMNのバルク結晶構造
図、 第3図は、第1図の装置における基本波の入射方向を説
明する説明図、 第4図は、上記HMNの透過スペクトルを示すグラフで
ある。 10・・・光波長変換素子 11・・・YAGレー
ザ−12・・・コリメートレンズ 15・・・基本波
+5’・・・第2高調波 一
略図、 第2図は、本発明に用いられるHMNのバルク結晶構造
図、 第3図は、第1図の装置における基本波の入射方向を説
明する説明図、 第4図は、上記HMNの透過スペクトルを示すグラフで
ある。 10・・・光波長変換素子 11・・・YAGレー
ザ−12・・・コリメートレンズ 15・・・基本波
+5’・・・第2高調波 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記の分子式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される非線形光学材料のバルク単結晶に、直線偏光
した少なくとも1つの基本波を入射させて、該基本波を
波長変換させる光波長変換方法において、 基本波を前記非線形光学材料に対して、その入射方向を
結晶のa軸からb軸側に角度θをなす方向として、かつ
その偏光方向が略b軸と平行な向きとなるように入射さ
せ、 波長変換波の偏光方向が略c軸と平行な向きとなるよう
にして、TYPE I の角度位相整合を取ることを特徴
とする光波長変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10201490A JPH041616A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10201490A JPH041616A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041616A true JPH041616A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14315907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10201490A Pending JPH041616A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041616A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963114A (en) * | 1987-11-25 | 1990-10-16 | Bell Communications Research, Inc. | Process for fabrication of high resolution flat panel plasma displays |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10201490A patent/JPH041616A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963114A (en) * | 1987-11-25 | 1990-10-16 | Bell Communications Research, Inc. | Process for fabrication of high resolution flat panel plasma displays |
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