JPH041615A - 光波長変換モジュール - Google Patents
光波長変換モジュールInfo
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- JPH041615A JPH041615A JP10201390A JP10201390A JPH041615A JP H041615 A JPH041615 A JP H041615A JP 10201390 A JP10201390 A JP 10201390A JP 10201390 A JP10201390 A JP 10201390A JP H041615 A JPH041615 A JP H041615A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光源から発生させた少なくとも１つの基本波
を、光波長変換素子によって１７２の波長の第２高調波
、あるいはその和周波等に変換する光波長変換モジュー
ルに関するものである。
を、光波長変換素子によって１７２の波長の第２高調波
、あるいはその和周波等に変換する光波長変換モジュー
ルに関するものである。
（従来の技術）
従来より、非線形光学材料による第２高調波発生を利用
して、レーザー光を波長変換（短波長化）する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば［光エレクトロニ
クスの基礎ＪＡ、ＹＡＲＩＶ著、多田邦雄、神谷武志訳
（丸善株式会社）のｐ２００〜２０４に示されるような
バルク結晶型のものがよく知られている。ところがこの
光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の
複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性
が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、という
問題があった。
して、レーザー光を波長変換（短波長化）する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば［光エレクトロニ
クスの基礎ＪＡ、ＹＡＲＩＶ著、多田邦雄、神谷武志訳
（丸善株式会社）のｐ２００〜２０４に示されるような
バルク結晶型のものがよく知られている。ところがこの
光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の
複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性
が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、という
問題があった。
上記のような問題を解決できる光波長変換素子として、
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた先ファイバーであり、特開昭６４−
２３２３２号公報にはその一例が示されている。このフ
ァイバー型の光波長変換素子は、基本波と波長変換波と
の間の位相整合をとることも容易であるので、最近では
このファイバー型光波長変換素子についての研究が盛ん
になされている。
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた先ファイバーであり、特開昭６４−
２３２３２号公報にはその一例が示されている。このフ
ァイバー型の光波長変換素子は、基本波と波長変換波と
の間の位相整合をとることも容易であるので、最近では
このファイバー型光波長変換素子についての研究が盛ん
になされている。
上述のようなファイバー型の光波長変換素子の波長変換
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光学定数の
高い光学材料としては従来より、例えば特開昭６０−２
５０３３４号公報等に示されるＭＮＡ （２−メチル−
４−ニトロアニリン）、Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、Ｂ
Ｖｏｌ。
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光学定数の
高い光学材料としては従来より、例えば特開昭６０−２
５０３３４号公報等に示されるＭＮＡ （２−メチル−
４−ニトロアニリン）、Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、Ｂ
Ｖｏｌ。
４ ｐ９７７ （１９８７）に記載されているＮＰＰ
（Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｌ−プロリノール）
、ＮＰＡＮ （Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｎ−メ
チルアミノアセトニトリル）等が知られている。
（Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｌ−プロリノール）
、ＮＰＡＮ （Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｎ−メ
チルアミノアセトニトリル）等が知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし上記のような非線形光学飼料を用いてファイバー
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなってしまう。
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなってしまう。
また光波長変換素子の波長変換効率は素子が長いほど高
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、波長変換効率が高く、そして青色領域の波長変換波も
容品に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
、波長変換効率が高く、そして青色領域の波長変換波も
容品に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の光波長変換モジュールは、先に述べたようなフ
ァイバー型の光波長変換素子と光Ｍ装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料（４−ヒドロキシ−３−メト
キシベンゾニトリル二以下、ＨＭＮと称する）を単結晶
状態にして用い、またこのコアを構成するＨＭＮの結晶
配向方向を、そのａ軸が略コアの長軸方向に延びる向き
に設定し、一方光源装置は、上記ａ軸と直交する結晶の
略す軸あるいは略Ｃ軸の方向に直線偏光したＷ本渡を光
波長変換素子に入射させるように構成したことを特徴と
するものである。
ァイバー型の光波長変換素子と光Ｍ装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料（４−ヒドロキシ−３−メト
キシベンゾニトリル二以下、ＨＭＮと称する）を単結晶
状態にして用い、またこのコアを構成するＨＭＮの結晶
配向方向を、そのａ軸が略コアの長軸方向に延びる向き
に設定し、一方光源装置は、上記ａ軸と直交する結晶の
略す軸あるいは略Ｃ軸の方向に直線偏光したＷ本渡を光
波長変換素子に入射させるように構成したことを特徴と
するものである。
（作 用）
上記ＨＭＮは、これまで、実際にファイバー型の光波長
変換素子を形成する上で、結晶配向をどのように設定し
、またそこに入射させる基本波の偏光方向をどのような
向きに設定すれば高い波長変換効率が得られるかは、不
明であった。
変換素子を形成する上で、結晶配向をどのように設定し
、またそこに入射させる基本波の偏光方向をどのような
向きに設定すれば高い波長変換効率が得られるかは、不
明であった。
以下、上述のように非線形光学材料の結晶配向および基
本波の直線偏光方向を設定することにより、高い波長変
換効率が得られる点について説明する。
本波の直線偏光方向を設定することにより、高い波長変
換効率が得られる点について説明する。
上記ＨＭＮのバルク結晶構造を、第２図に示す。
その結晶は斜方晶系をなし、魚群ｍｍ２空間群Ｆｄｄ２
である。また、各格子定数はａ−２９，７８人、ｂ−４
９，２０人、ｃｍ４．０７人である。したがって非線形
光学定数のテンソルは、 となる。ここで６３１は、第２図に示すように結晶軸ａ
、ｂＳｃに対して定まる光学軸ｘ、ｙ、ｚを考えたとき
、Ｘ方向に直線偏光した光（以下、Ｘ偏光という。Ｙ、
Ｚについても同様。）を基本波として入射させてＺ偏光
の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数であり、
同様にｄ３２はＹ偏光の基本波を入射させてＺ偏光の波
長変換波を取り出す場合の非線形光学定数、ｄ３３はＺ
偏光の基本波を入射させてＺ偏光の波長変換波を取り出
す場合の非線形光学定数、ｄ２４はＹとＺ偏光の基本波
を入射させてＹ偏光の波長変換波を取り出す場合の非線
形光学定数、ｄ１５はＸと２偏光の基本波を入射させて
Ｘ偏光の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数で
ある。
である。また、各格子定数はａ−２９，７８人、ｂ−４
９，２０人、ｃｍ４．０７人である。したがって非線形
光学定数のテンソルは、 となる。ここで６３１は、第２図に示すように結晶軸ａ
、ｂＳｃに対して定まる光学軸ｘ、ｙ、ｚを考えたとき
、Ｘ方向に直線偏光した光（以下、Ｘ偏光という。Ｙ、
Ｚについても同様。）を基本波として入射させてＺ偏光
の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数であり、
同様にｄ３２はＹ偏光の基本波を入射させてＺ偏光の波
長変換波を取り出す場合の非線形光学定数、ｄ３３はＺ
偏光の基本波を入射させてＺ偏光の波長変換波を取り出
す場合の非線形光学定数、ｄ２４はＹとＺ偏光の基本波
を入射させてＹ偏光の波長変換波を取り出す場合の非線
形光学定数、ｄ１５はＸと２偏光の基本波を入射させて
Ｘ偏光の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数で
ある。
各非線形光学定数の大きさを下表に示す。
なお上の表における値は、Ｘ線結晶構造解析による値で
あり、単位は［Ｐｍ／Ｖ］である。この表からｄ３２、
ｄ３３、ｄ２４、ｄ１５が大きな値をとりうろことが分
かる。そこで第３図に示すように、ＨＭＮからなるコア
１１をクラッド１２内に充てんさせてファイバー型の光
波長変換素子１０を形成するに当り、ＨＭＮの結晶をそ
のａ軸（光学軸ではＸ軸）がコア軸方向に延びるように
配向させた上で（これは以下に記す方法で実現可能であ
る）、この光波長変換素子１０に結晶のｂ軸（光学軸で
はＹ軸）あるいはＣ軸（光学軸ではＺ軸）の方向に直線
偏光した基本波を入射させれば、上述した大きな非線形
光学定数ｄ３□、ｄ３３を利用できることになる。
あり、単位は［Ｐｍ／Ｖ］である。この表からｄ３２、
ｄ３３、ｄ２４、ｄ１５が大きな値をとりうろことが分
かる。そこで第３図に示すように、ＨＭＮからなるコア
１１をクラッド１２内に充てんさせてファイバー型の光
波長変換素子１０を形成するに当り、ＨＭＮの結晶をそ
のａ軸（光学軸ではＸ軸）がコア軸方向に延びるように
配向させた上で（これは以下に記す方法で実現可能であ
る）、この光波長変換素子１０に結晶のｂ軸（光学軸で
はＹ軸）あるいはＣ軸（光学軸ではＺ軸）の方向に直線
偏光した基本波を入射させれば、上述した大きな非線形
光学定数ｄ３□、ｄ３３を利用できることになる。
なお非線形光学定数６２４を利用するためには、７５２
両偏光の基本波を、そして非線形光学定数ｄ１５を利用
するためには、ＸｌＺ両偏光の基本波をファイバー型光
波長変換素子に入力する必要かあるので、ＨＭＮの屈折
率異方性のため、シングルモード化して高効率化を図る
ことが困難である。
両偏光の基本波を、そして非線形光学定数ｄ１５を利用
するためには、ＸｌＺ両偏光の基本波をファイバー型光
波長変換素子に入力する必要かあるので、ＨＭＮの屈折
率異方性のため、シングルモード化して高効率化を図る
ことが困難である。
それに対してＹ偏光あるいはＺ偏光の基本波をファイバ
ー型光波長変換素子に入力させる場合は、十分にシング
ルモード化可能で高効率化を図ることができる。
ー型光波長変換素子に入力させる場合は、十分にシング
ルモード化可能で高効率化を図ることができる。
また、ＨＭＮのバルク結晶（厚さ１ｍｍ）の透過スペク
トルを第４図に示すが、図示されるようにこのＨＭＮは
、波長３５０ｎｍ近辺の光を多く吸収することがない。
トルを第４図に示すが、図示されるようにこのＨＭＮは
、波長３５０ｎｍ近辺の光を多く吸収することがない。
したがって、このＨＭＮをコアとして用いた光波長変換
素子によれば、青紫色領域の波長変換波を効率良く発生
させることができる。
素子によれば、青紫色領域の波長変換波を効率良く発生
させることができる。
（実 施 例）
〈第１実施例〉
第１図は本発明の第１実施例による光波長変換モジュー
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子１０と、この光波長変換素子ｌ
Ｏに基本波を入力させる光源装置２０とから構成されて
いる。
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子１０と、この光波長変換素子ｌ
Ｏに基本波を入力させる光源装置２０とから構成されて
いる。
ここで、上記光波長変換素子ＩＯの作成方法について説
明する。まずクラッド１２となる中空のガラスファイバ
ー１２°が用意される。このガラスファイバー１２’
は−例として５Ｆ１５ガラスからなり、外径が１００μ
ｍ程度で、中空部の径が２μｍのものである。そして第
５図に示すように、炉内等においてＨＭＮを融液状態に
保ち、この融液１１’内にガラスファイバー１２’の一
端部を浸入させる。
明する。まずクラッド１２となる中空のガラスファイバ
ー１２°が用意される。このガラスファイバー１２’
は−例として５Ｆ１５ガラスからなり、外径が１００μ
ｍ程度で、中空部の径が２μｍのものである。そして第
５図に示すように、炉内等においてＨＭＮを融液状態に
保ち、この融液１１’内にガラスファイバー１２’の一
端部を浸入させる。
すると毛細管現象により、融液状態のＨＭＮがガラスフ
ァイバー１２°の中空部内に進入する。なお該融液１１
’ の温度は、ＨＭＮの分解を防止するため、その融点
（８８℃）よりも作かに高い温度とする。その後ガラス
ファイバー１２′ を急冷させると、中空部に進入して
いたＨＭＮが多結晶化する。
ァイバー１２°の中空部内に進入する。なお該融液１１
’ の温度は、ＨＭＮの分解を防止するため、その融点
（８８℃）よりも作かに高い温度とする。その後ガラス
ファイバー１２′ を急冷させると、中空部に進入して
いたＨＭＮが多結晶化する。
次いでこの光ファイバー１２°を、ＨＭＮの融点より高
い温度（例えば９１℃）に保たれた炉内から、該融点よ
り低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すことにより
、溶融状態のＨＭＮを炉外への引出し部分から単結晶化
させる。それにより、５０ｍｍ以上もの長い範囲に亘っ
て６１結晶状態となり、結晶方位も一定に揃ったコア１
１が形成され、光波長変換素子１０を十分に長くするこ
とができる。
い温度（例えば９１℃）に保たれた炉内から、該融点よ
り低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すことにより
、溶融状態のＨＭＮを炉外への引出し部分から単結晶化
させる。それにより、５０ｍｍ以上もの長い範囲に亘っ
て６１結晶状態となり、結晶方位も一定に揃ったコア１
１が形成され、光波長変換素子１０を十分に長くするこ
とができる。
周知のようにこの種の光波長変換素子の波長変換効率は
素子の長さに比例するので、光波長変換素子は長いほど
実用的価値が高（なる。
素子の長さに比例するので、光波長変換素子は長いほど
実用的価値が高（なる。
上述のようにしてＨＭＮをガラスファイバー１２゜内に
単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は第３
図図示のように、ａ軸（光学軸はＸ軸）がコア軸方向に
延びる状態となる。
単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は第３
図図示のように、ａ軸（光学軸はＸ軸）がコア軸方向に
延びる状態となる。
なお上記のようにしてＨＭＮを単結晶化させるためには
、例えば特開昭６４−３５４２４号公報に示されるよう
なブリッジマン炉を用いる方法が利用可能である。また
ガラスファイバー１２’ の引出し速度は、例えば５
ｍ ｍ ／ ｈ程度とするとよい。
、例えば特開昭６４−３５４２４号公報に示されるよう
なブリッジマン炉を用いる方法が利用可能である。また
ガラスファイバー１２’ の引出し速度は、例えば５
ｍ ｍ ／ ｈ程度とするとよい。
以上述べたようにしてコア１１を充てんした後、ガラス
ファイバー１２°の両端をファイバーカッターで切断し
て、長さ１０ｍｍの光波長変換素子１０を形成した。第
１図図示のように、この光波長変換素子ＩＯを光源装置
２０と組み合わせて光波長変換モジュールが構成される
。本実施例においては、基本波を発生する光源として半
導体レーザー２１が用いられており、そこから発せられ
た波長８２０ｎｍのレーザー光（基本波）１５はコリメ
ートレンズ２２によって平行ビーム化され、次いでアナ
モルフィックプリズムベアー２３およびλ／２板２５に
通され、集光レンズ２６で小さなビームスポットに絞ら
れた上で、光波長変換素子１０の入射端面１０ａに照射
される。それにより、この基本波Ｉ５が光波長変換索子
１０内に入射する。
ファイバー１２°の両端をファイバーカッターで切断し
て、長さ１０ｍｍの光波長変換素子１０を形成した。第
１図図示のように、この光波長変換素子ＩＯを光源装置
２０と組み合わせて光波長変換モジュールが構成される
。本実施例においては、基本波を発生する光源として半
導体レーザー２１が用いられており、そこから発せられ
た波長８２０ｎｍのレーザー光（基本波）１５はコリメ
ートレンズ２２によって平行ビーム化され、次いでアナ
モルフィックプリズムベアー２３およびλ／２板２５に
通され、集光レンズ２６で小さなビームスポットに絞ら
れた上で、光波長変換素子１０の入射端面１０ａに照射
される。それにより、この基本波Ｉ５が光波長変換索子
１０内に入射する。
前述した通り、コア１１を構成するＨＭＮは、Ｘ軸がコ
ア軸方向に延びる結晶配向状態となっており、一方本例
では、光源装置２０のλ／２板２５を回転させることに
より、Ｙ偏光状態の基本波１５を光波長変換素子ｌＯに
入力させる。
ア軸方向に延びる結晶配向状態となっており、一方本例
では、光源装置２０のλ／２板２５を回転させることに
より、Ｙ偏光状態の基本波１５を光波長変換素子ｌＯに
入力させる。
光波長変換素子１０内に入射した基本波Ｉ５は、コア１
１を構成するＨＭＮにより、波長が１／２ （−４１０
ｎｍ）の第２高調波１５゛ に変換される。この第２高
調波１５’ はクラッド１２と周囲媒質との界面で全反
射を繰り返して素子ｌＯ内を進行し、Ｕ水波１５のコア
部での導波モードと、第２高調波１５゜のクラッド部へ
の放射モードとの間で位相整合が取られる（いわゆるチ
ェレンコフ放射の場合）。
１を構成するＨＭＮにより、波長が１／２ （−４１０
ｎｍ）の第２高調波１５゛ に変換される。この第２高
調波１５’ はクラッド１２と周囲媒質との界面で全反
射を繰り返して素子ｌＯ内を進行し、Ｕ水波１５のコア
部での導波モードと、第２高調波１５゜のクラッド部へ
の放射モードとの間で位相整合が取られる（いわゆるチ
ェレンコフ放射の場合）。
光波長変換素子１０の出射端面１０ｂからは、上記第２
高調波１５゛ と基本波１５とが混合したビーム１５”
が出射する。この出射ビーム１５″は、集光レンズ２７
に通されて集光された後、上記４１０ｎｍの第２高調波
１５″は良好に透過させる一方、８２００ｍの基本波Ｉ
５は吸収するバンドパスフィルター２８に通され、第２
高調波１５″のみが取り出される。
高調波１５゛ と基本波１５とが混合したビーム１５”
が出射する。この出射ビーム１５″は、集光レンズ２７
に通されて集光された後、上記４１０ｎｍの第２高調波
１５″は良好に透過させる一方、８２００ｍの基本波Ｉ
５は吸収するバンドパスフィルター２８に通され、第２
高調波１５″のみが取り出される。
偏光板等を使用して、上記第２高調波１５′ はＺ偏光
であることが確認された。つまり本例では、前述したＨ
ＭＮの非線形光学定数６３２が利用されている。この第
２高調波１５’ の光強度を光パワーメータ２９で１ｉ
ｊＪ定して、波長変換効率を求めたところ、ＩＷ換算で
約１％であった。
であることが確認された。つまり本例では、前述したＨ
ＭＮの非線形光学定数６３２が利用されている。この第
２高調波１５’ の光強度を光パワーメータ２９で１ｉ
ｊＪ定して、波長変換効率を求めたところ、ＩＷ換算で
約１％であった。
く第２実施例〉
クラッドを構成するガラスファイバーとしてＳＦ９ガラ
スからなるものを用い、他の条件は第１実施例と同様に
して、ＨＭＮをコアとする光波長変換素子を作成した。
スからなるものを用い、他の条件は第１実施例と同様に
して、ＨＭＮをコアとする光波長変換素子を作成した。
なお本実施例でも、ＨＭＮの結晶はａ軸がコア軸方向に
延びるように配向される。
延びるように配向される。
この光波長変換素子に、波長１１０６４ｎのＺ偏光した
ＹＡＧレーザー光を基本波として入力させたところ、Ｚ
偏光の第２高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ＨＭＮの非線形光学定数ｄ３３が利用される。このと
きの波長変換効率は、第１実施例におけるのと同様、Ｉ
Ｗ換算で約１％であった。
ＹＡＧレーザー光を基本波として入力させたところ、Ｚ
偏光の第２高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ＨＭＮの非線形光学定数ｄ３３が利用される。このと
きの波長変換効率は、第１実施例におけるのと同様、Ｉ
Ｗ換算で約１％であった。
〈第３実施例〉
クラッドを構成するガラスファイバーとしてＳＦ８ガラ
スからなるものを用い、他の条件は第１実施例と同様に
して、ＨＭＮをコアとする光波長変換素子を作成した。
スからなるものを用い、他の条件は第１実施例と同様に
して、ＨＭＮをコアとする光波長変換素子を作成した。
なお本実施例でも、Ｉ（ＭＮの結晶はａ軸がコア軸方向
に延びるように配向される。
に延びるように配向される。
この光波長変換素子に、波長１１０６４ｎのＹ偏光した
ＹＡＧレーザー光を基本波として入力させたところ、Ｚ
偏光の第２高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ＨＭＮの非線形光学定数６３２が利用される。このと
きの波長変換効率は、第１実施例におけるのと同様に、
ＩＷ換算で約１％であった。
ＹＡＧレーザー光を基本波として入力させたところ、Ｚ
偏光の第２高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ＨＭＮの非線形光学定数６３２が利用される。このと
きの波長変換効率は、第１実施例におけるのと同様に、
ＩＷ換算で約１％であった。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換モジュール
によれば、ＨＭＮが有する高い非線形光学定数を実際に
ファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、し
かも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので、
極めて高い波長変換効率を実現できる。またＨＭＮは３
３０ｎｍよりも短波長側に吸収端を有するものであるか
ら、この光波長変換モジュールによれば、例えば波長が
８００ｎｍ以下程度のレーザー光を基本波として用いて
、青紫色領域の波長変換波を効率良く取り出すことも可
能となる。
によれば、ＨＭＮが有する高い非線形光学定数を実際に
ファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、し
かも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので、
極めて高い波長変換効率を実現できる。またＨＭＮは３
３０ｎｍよりも短波長側に吸収端を有するものであるか
ら、この光波長変換モジュールによれば、例えば波長が
８００ｎｍ以下程度のレーザー光を基本波として用いて
、青紫色領域の波長変換波を効率良く取り出すことも可
能となる。
第１図は、本発明の一実施例を示す概略図、第２図は、
本発明に用いられるＨＭＮのバルク結晶構造図、 第３図は、本発明に係る光波長変換素子におけるコアの
結晶配向を示す概略図、 第４図は、上記ＨＭＮの透過スペクトルを示すグラフ、 第５図は、本発明に係る光波長変換素子を作成する方法
を説明する説明図である。 １０・・・光波長変換素子 ｌ】・・・コア１１’
・・・ＨＭ Ｎ Ｆａ液１２−・・クラッド１２°・
・・ガラスファイバー １５・・・基本波１５’ ・・
・第２高調波 ２０・・・光源装置２１・・・半
導体レーザー ２２・・・コリメートレンズ２３・
・・アナモルフィックプリズムペアー２５・・・λ／２
板 ２６．２７・・・集光レンズ第１図 第４図 第２図 第３図 汲４（ｎｍ）
本発明に用いられるＨＭＮのバルク結晶構造図、 第３図は、本発明に係る光波長変換素子におけるコアの
結晶配向を示す概略図、 第４図は、上記ＨＭＮの透過スペクトルを示すグラフ、 第５図は、本発明に係る光波長変換素子を作成する方法
を説明する説明図である。 １０・・・光波長変換素子 ｌ】・・・コア１１’
・・・ＨＭ Ｎ Ｆａ液１２−・・クラッド１２°・
・・ガラスファイバー １５・・・基本波１５’ ・・
・第２高調波 ２０・・・光源装置２１・・・半
導体レーザー ２２・・・コリメートレンズ２３・
・・アナモルフィックプリズムペアー２５・・・λ／２
板 ２６．２７・・・集光レンズ第１図 第４図 第２図 第３図 汲４（ｎｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 クラッド内に下記の分子式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される単結晶の非線形光学材料がコアとして充てん
され、該光学材料の結晶がそのａ軸が略コア軸方向に延
びるように配向されてなる光波長変換素子と、 この光波長変換素子に、前記ａ軸と直交する結晶の略ｂ
軸あるいは略ｃ軸の方向に直線偏光した基本波を入射さ
せる光源装置とからなる光波長変換モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10201390A JPH041615A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10201390A JPH041615A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041615A true JPH041615A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14315880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10201390A Pending JPH041615A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光波長変換モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017159696A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光部材および発光モジュール |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10201390A patent/JPH041615A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017159696A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光部材および発光モジュール |
| JPWO2017159696A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-01-24 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光部材および発光モジュール |
| CN109429533A (zh) * | 2016-03-18 | 2019-03-05 | 株式会社小糸制作所 | 荧光构件及发光模块 |
| EP3432370A4 (en) * | 2016-03-18 | 2019-11-20 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | FLUORESCENT ELEMENT AND LIGHT-EMITTING MODULE |
| CN109429533B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-06-29 | 株式会社小糸制作所 | 荧光构件及发光模块 |
| US11402077B2 (en) | 2016-03-18 | 2022-08-02 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Fluorescent member and light-emitting module |
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