JPH04162644A - 半導体ウェーハ及び半導体素子の識別方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハに関し、特に、特性検査の結
果に基づき不良半導体素子に不良識別用記号が施された
半導体ウェーハに適用して有効な技術に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

半導体ウェーハの素子形成面に半導体素子を形成した後
、半導体素子の特性検査（いわゆるプローブ検査）を行
なっている。この特性検査の結果不良と判断された半導
体素子には、インクをボッティング（滴下）することに
より、ドツトを形成し、このドツトを不良識別用記号と
していた。この不良識別用記号を認識することにより、
良品の半導体素子（ペレット）のみを抽出し、例えば、
リードフレーム上に載置することができる。

しかし、インクをポツティングした場合、インクが乾燥
するまでに時間がかかる。また、インクが硬化するまで
時間がかかるので、インクをポツティングした後のハン
ドリングの際に、インクが流れて汚れが発生する。また
、各ドツト毎の太きさ及び濃淡にばらつきが生じる、等
の問題があった。

そこで、特性検査の結果に基づき、不良半導体素子に１
点または２点のスポットをレーザで形成し、このスポッ
トを不良識別用記号とする方法が使用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、水発明者は、前記従来技術を検討した結
果、以下のような問題点を見出した。

前記レーザを用いてスポットを形成した場合には、スポ
ットの径がホさいため、例えば人手（目視）で認識を行
なっても認識が難しいので、誤認識が発生するという問
題があった。

また、装置を用いた自動認識では、光の反射を利用して
いるため、半導体素子のパターン部とスポットとの区別
がつかず、誤認識が発生するという問題があった。或い
は、半導体ウェーハの周辺部の鏡面部分にハンドリング
時に付いた傷、汚れ等と、前記スポットとを誤認識する
という問題があった。

本発明の目的は、素子形成面に複数の半導体素子が形成
された半導体ウェーハにおいて、前記半導体素子の特性
検査結果に基づく良品、不良品の認識を容易にすること
が可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、半導体素子の識別方法において、
半導体素子の良品、不良品の識別を容易にすることが可
能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、水
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

（１！［１を解決するための手段〕 ゛本願おいて開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡皿に説明すれば、以下のとおりである。

（１）複数の半導体素子が形成された半導体ウェーハに
おいて、前記複数の半導体素子の特性検査の結果に基づ
く不良半導体素子に、複数の点からなる不良識別用図形
を施す。

（２）半導体ウェーハの素子形成面に複数の半導体素子
を形成する工程と、該複数の半導体素子の特性を検査す
る工程と、該特性検査の結果に基づく不良半導体素子に
、複数の点からなる不良識別用図形を形成する工程と、
半導体ペレット毎に半導体ウェーハを切断する工程と、
切断された半導体ペレットの不良識別用図形を認識する
工程と、該認識に基づいて良品の半導体ペレットのみを
抽出する工程とを備える。

〔作　　用〕

前述した手段（１）によれば、半導体素子のパターンま
たは半導体ウェーハの周辺部の鏡面部分の傷、汚れ等と
不良識別用記号とを明確に区別することができるので、
半導体素子の特性検査結果に基づく良品、不良品の認識
を容易にすることができる。

前述した手段（２）によれば、前述した手段（１）と同
様に、半導体素子の特性検査結果に基づく良品、不良品
の認識を容易にすることができるので、良品の半導体ペ
レットのみを容易に抽出することができる。また、これ
により、半導体装置の製造に要する時間を短縮すること
ができる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。

第１図（本発明の実施例の半導体ウェーハの平面図）に
示すように、半導体ウェーハ１には、複数の半導体素子
（半導体ペレットのパターン）３が形成されている。

前記複数の半導体素子３のうち、ウェーハプロセス終了
後の特性検査（いわゆるプローブ検査）で不良と判断さ
れた半導体素子３Ｂには、１字型の不良識別用記号５が
施されている。

前記不良識別用記号５は、第２図（前記第１図の点線で
囲んだ領域■内を拡大して示す要部平面図）に示すよう
に、複数個の点７から構成されている。この点７は、レ
ーザで形成されている。なお、第２図に示すスクライブ
（ダイシング）領域９で、各半導体素子３間は切断され
、半導体ペレットが形成される。

以上の説明から分かるように、水実施例の構成によれば
、不良識別用記号５を、複数の点７からなる図形で構成
することにより、半導体素子３のパターンまたは半導体
ウェーハ１の周辺部の鏡面部分の傷、汚れ等と不良識別
用記号５とを明確に区別することができるので、半導体
ウェーハ１の半導体素子３の良品、不良品の認識を容易
にすることができる。

次に、本発明の実施例の半導体素子の識別方法を、前記
第１図、第３図及び第４図（製造工程毎に示す平面図）
並びに第５図（水実施例の半導体素子の識別方法を説明
するためのフローチャート）を用いて説明する。

まず、第３図に示すように、半導体ウェーハ１に複数の
半導体素子３を形成する〈１〉。この工程は、いわゆる
ウェーハプロセス工程である。

次に、前記複数の半導体素子３の特性を検査するく２〉
。この検査は、いわゆるプローブ検査である。

次に、前記特性検査の結果に基づく不良半導体素子３Ｂ
に、前記第１図に示すように、不良識別用記号５を形成
する〈３〉。この不良識別用記号５は、例えば、レーザ
で形成する。この不良識別用記号５は、前記第２図に示
すように、複数の点７で形成する。このような図形をレ
ーザで形成することは、レーザの光学系を操作すること
により可能である。

次に、前記半導体ウェーハを、半導体ペレット３毎に切
断するく４〉。

次に、人手または装置で前記切断された半導体ペレット
３の不良識別用記号５を認識する〈５〉。

装置で、前記不良識別用記号５を認識する場合には、例
えば、光センサーを用いる。この際、前記不良識別用記
号５を１字型に構成したことにより、例えば、半導体素
子３のパターン、半導体ウェーハ１の周辺部の鏡面部分
の傷、汚れ等と明確に区別することができるので、半導
体素子３の良品、不良品の認識を容易にすることができ
る。

次に、前記不良識別用記号５の認識に基づき、第４図に
示すように、良品の半導体素子３のみを抽出する〈６〉
。この際、前記認識は正確に行なわれているので、不良
半導体ペレット３Ｂを良品として抽出することは低減さ
れ、例えば、リードフレーム上に載置された不良半導体
ペレット３Ｂを再度良品と交換するのに必要な時間に相
当する　　７分、半導体装置の製造に要する時間を短縮
することができる。

以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。

例えば、水実施例では、前記不良識別用記号５を工学型
で構成した例を示したが、本発明は、前記不良識別用記
号５を、他の字型や図形で構成することもできる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る 素子形成面に複数の半導体素子が形成された半導体ウェ
ーハにおいて、良品、不良品の半導体素子を容易に認識
することができる。

半導体素子の識別方法において、半導体素子の良品、不
良品の識別を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例の半導体ウェーハの平面図。 第２図は、前記第１図の点線で囲った領域■内を拡大し
て示す要部平面図、 第３図及び第４図は、前記半導体ウェーハを、製造工程
毎に示す平面図である。 第５図は、本発明の実施例の半導体素子の識別方法を説
明するためのフローチャートである。 図中、１・・・半導体ウェーハ、３・・・半導体素子、
３Ｂ・・・不良半導体素子、５・・・不良識別用記号、
７・・・ドツト、９・・・スクライブ領域である。 第１図 １−・半導体ウェーハ ５−・不良識別用記号 箪２図 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数の半導体素子が形成された半導体ウェーハにお
   いて、前記各半導体素子の特性検査の結果に基づく不良
   半導体素子に、複数の点からなる不良識別用図形を施し
   たことを特徴とする半導体ウェーハ。 ２、半導体ウェーハの素子形成面に複数の半導体素子を
   形成する工程と、該複数の半導体素子の特性を検査する
   工程と、該特性検査の結果に基づく不良半導体素子に、
   複数の点からなる不良識別用図形を形成する工程と、半
   導体ペレット毎に半導体ウェーハを切断する工程と、切
   断された半導体ペレットの不良識別用図形を認識する工
   程と、該認識に基づいて良品の半導体ペレットのみを抽
   出する工程とを備えたことを特徴とする半導体素子の識
   別方法。