JPH01218037A - 半導体ウェハの検査方法 - Google Patents
半導体ウェハの検査方法Info
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- JPH01218037A JPH01218037A JP63045000A JP4500088A JPH01218037A JP H01218037 A JPH01218037 A JP H01218037A JP 63045000 A JP63045000 A JP 63045000A JP 4500088 A JP4500088 A JP 4500088A JP H01218037 A JPH01218037 A JP H01218037A
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- Japan
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- inspection
- semiconductor
- semiconductor wafer
- photoresist
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Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハの検査方法に関し、特に半導体ウ
ェハ上に多数作製された多数の半導体素子の良品不良品
の検を方法に関する。
ェハ上に多数作製された多数の半導体素子の良品不良品
の検を方法に関する。
従来、第３図に示すように半導体基板（半導体ウェハ１
）に多数作製された半導体素子２に探針（以下グローブ
と呼ぶ）４を当接し、電気的検香を行う時（こは、半導
体素子２の主表面には印しを付けるものがなく、検査の
結果に応じてノズル９から半導体素子２上にインク１０
による打点、もしくは金属等によるＩＣ上へのキズ打点
（以下スクラッチマークと呼ぶ）が行なわれていた。
）に多数作製された半導体素子２に探針（以下グローブ
と呼ぶ）４を当接し、電気的検香を行う時（こは、半導
体素子２の主表面には印しを付けるものがなく、検査の
結果に応じてノズル９から半導体素子２上にインク１０
による打点、もしくは金属等によるＩＣ上へのキズ打点
（以下スクラッチマークと呼ぶ）が行なわれていた。
前述した従来の検査・マーキング方法では、インク１０
打点の場合良品半導体素子２にインクが誤って付着する
と、インクｌこ含まれる不純物がデバイスの特性変動の
原因となり、デバイスの信頼性上大きな問題となる。ま
た、スクラッチマークの場合には、−１１打点するとデ
バイスを破壊してしまう為、検査にミスがあった場合、
再検査が行なえないという欠点と、デバイスのグレード
（こ応じた分類をデバイス（ＩＣ）上にマークすること
が困難であるという欠点がある。
打点の場合良品半導体素子２にインクが誤って付着する
と、インクｌこ含まれる不純物がデバイスの特性変動の
原因となり、デバイスの信頼性上大きな問題となる。ま
た、スクラッチマークの場合には、−１１打点するとデ
バイスを破壊してしまう為、検査にミスがあった場合、
再検査が行なえないという欠点と、デバイスのグレード
（こ応じた分類をデバイス（ＩＣ）上にマークすること
が困難であるという欠点がある。
本発明の目的は、前言上問題点が解決され、デバイスの
特性に影響を及はさず、再検査も行えるようζこ半導体
ウェハの検査方法を提供することにある。
特性に影響を及はさず、再検査も行えるようζこ半導体
ウェハの検査方法を提供することにある。
本発明の構成は、半導体フェノ・上に多数作製された半
導体素子に探針を当接して、電気的検査を行う半導体ウ
ェハの検査方法に２いて、前記半導体ウェハの主表面に
あらかじめフォトレジスト層を形成した後、前記検査の
結果に応じて前記半導体素子上の７オトレジストが所定
形状ζこ露光されることを特徴とする。
導体素子に探針を当接して、電気的検査を行う半導体ウ
ェハの検査方法に２いて、前記半導体ウェハの主表面に
あらかじめフォトレジスト層を形成した後、前記検査の
結果に応じて前記半導体素子上の７オトレジストが所定
形状ζこ露光されることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体ウニノーの検査
方法を示す断面図である。同図において、本実施例の検
査方法では、半導体ウニｊＳｌ上に多数作製された半導
体素子２にプローブ４を当接し、半導体素子２の検査を
行う時には、半導体素子２の主表面にあらかじめフォト
レジスト３を形成しておき、良・不良品に応じて（ポジ
型レジストの場合は良品、ネガ型レジストの場合は不良
品に）フォトレジスト３を露光光５によって露光する。
方法を示す断面図である。同図において、本実施例の検
査方法では、半導体ウニｊＳｌ上に多数作製された半導
体素子２にプローブ４を当接し、半導体素子２の検査を
行う時には、半導体素子２の主表面にあらかじめフォト
レジスト３を形成しておき、良・不良品に応じて（ポジ
型レジストの場合は良品、ネガ型レジストの場合は不良
品に）フォトレジスト３を露光光５によって露光する。
露光完了後、現像を行なえば、不良半導体素子２の上の
レジスト３のみが残る為、後工程で良・不良が容易に色
別できる。
レジスト３のみが残る為、後工程で良・不良が容易に色
別できる。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体ウェハの検査方
法を示す平面図である。同図において、半導体ウェハ１
に多数形成された半導体素子２上に形成されているフォ
トレジスト３は、検査の結果に基づき特性分類、グレー
ド分類がなされ、その結果に応じた露光形状６．７．８
がなされている。例えば、フォトレジスト３がそのまま
残っているもの、〔１〕や〔２〕等の算用数字が露光さ
れたもの、フォトレジスト３が全く除去されたもの等で
ある。
法を示す平面図である。同図において、半導体ウェハ１
に多数形成された半導体素子２上に形成されているフォ
トレジスト３は、検査の結果に基づき特性分類、グレー
ド分類がなされ、その結果に応じた露光形状６．７．８
がなされている。例えば、フォトレジスト３がそのまま
残っているもの、〔１〕や〔２〕等の算用数字が露光さ
れたもの、フォトレジスト３が全く除去されたもの等で
ある。
これにより、後工程で、半導体素子２の特性に応じた分
類が容易１こできる為、半導体素子２のアクセスタイム
別の組立等が可能であるという利点がある。
類が容易１こできる為、半導体素子２のアクセスタイム
別の組立等が可能であるという利点がある。
以上説明したように、本発明は、半導体素子上に形成さ
れたフォトレジストを露光することにより、検査結果に
応じたマーキングが可能であり、かつデバイスの信頼性
を劣化させることなく、再検査ができ、半導体ウェハの
加工工程で使用されている露光−現像を行なえば、極め
て容易に再検査が可能となり、フォトレジストの露光方
法により特性による分類もできるという効果がある。
れたフォトレジストを露光することにより、検査結果に
応じたマーキングが可能であり、かつデバイスの信頼性
を劣化させることなく、再検査ができ、半導体ウェハの
加工工程で使用されている露光−現像を行なえば、極め
て容易に再検査が可能となり、フォトレジストの露光方
法により特性による分類もできるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体フェノ・の検査
方法を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半
導体ウェハの検査方法を示す平面図、第３図は従来の半
導体ウェハの検査方法を示す断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・半導体素
子、３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・プ
ローブ（探針）、５・・・・・・露光光、６・・・・・
・特性分類された半導体素子、７・・・・・・不良半導
体素子、８・・・・・・長生導体素子、９・・・・・・
インク用ノズル、１０・・−・・・インク。 代理人 弁理士 内 原 音 生１０ 半２ 図
方法を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半
導体ウェハの検査方法を示す平面図、第３図は従来の半
導体ウェハの検査方法を示す断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・半導体素
子、３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・プ
ローブ（探針）、５・・・・・・露光光、６・・・・・
・特性分類された半導体素子、７・・・・・・不良半導
体素子、８・・・・・・長生導体素子、９・・・・・・
インク用ノズル、１０・・−・・・インク。 代理人 弁理士 内 原 音 生１０ 半２ 図
Claims (1)
- 半導体ウェハ上に多数作製された半導体素子に探針を
当接して、電気的検査を行う半導体ウェハの検査方法に
おいて、前記半導体ウェハの主表面にあらかじめフォト
レジスト層を形成した後、前記検査の結果に応じて前記
半導体素子上のフォトレジストが所定形状に露光される
ことを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045000A JPH01218037A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体ウェハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045000A JPH01218037A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体ウェハの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218037A true JPH01218037A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12707147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045000A Pending JPH01218037A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体ウェハの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01218037A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170039A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体デバイスペレットのマーキング方法 |
| JPH05283488A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045000A patent/JPH01218037A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170039A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体デバイスペレットのマーキング方法 |
| JPH05283488A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
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