JPH04162759A - リードの半田メッキ装置 - Google Patents
リードの半田メッキ装置Info
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- JPH04162759A JPH04162759A JP2289393A JP28939390A JPH04162759A JP H04162759 A JPH04162759 A JP H04162759A JP 2289393 A JP2289393 A JP 2289393A JP 28939390 A JP28939390 A JP 28939390A JP H04162759 A JPH04162759 A JP H04162759A
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- Japan
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- solder
- leads
- cathode
- solder plating
- lead
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はＩＣ（半導体集積回路）等の半導体装置のリ
ードに厚膜半田メッキを施す半田メッキ装置に関する。
ードに厚膜半田メッキを施す半田メッキ装置に関する。
「従来の技術」
ＩＣなどの半導体装置の実装において、信頼性か高く、
コストのかからない実装方法が望まれている。しかし、
近年の半導体集積回路の大規模化に応じ、それを搭載す
るＩＣパッケージの多ピン化および狭ピッチ化か加速し
ているために、これに対応した精密半田付は技術の進歩
が伴わない状況か生じてきている。
コストのかからない実装方法が望まれている。しかし、
近年の半導体集積回路の大規模化に応じ、それを搭載す
るＩＣパッケージの多ピン化および狭ピッチ化か加速し
ているために、これに対応した精密半田付は技術の進歩
が伴わない状況か生じてきている。
即ち、多ビンおよび狭ピッチ化されたＩＣの端子を半田
付けするに際し、微細な半田付は部に一定量の半田を安
定的に供給することが極めて困難であるために、従来、
これらのＩＣに対′し、手付は作業に負っているところ
が大きいのが現状である。
付けするに際し、微細な半田付は部に一定量の半田を安
定的に供給することが極めて困難であるために、従来、
これらのＩＣに対′し、手付は作業に負っているところ
が大きいのが現状である。
ところが手付は作業では、微細な部分に半田を供給する
場合、供給する半田量が一定しない問題がある。このた
め、供給する半田量が少ない場合は、接合部の強度不足
を来し、また、半田量が過多の場合は、隣接する端子ど
うしが半田のブリッジによって接合されて短絡してしま
う不具合を生じていた。
場合、供給する半田量が一定しない問題がある。このた
め、供給する半田量が少ない場合は、接合部の強度不足
を来し、また、半田量が過多の場合は、隣接する端子ど
うしが半田のブリッジによって接合されて短絡してしま
う不具合を生じていた。
そこで、この種の半導体装置の基板への実装方法として
、予め半導体装置の端子、例えば、ＩＣのリードに半田
メッキを施しておき、基板の回路への接合の際に、接合
部分に半田を外部から供給して接合する方法がとられて
いる。
、予め半導体装置の端子、例えば、ＩＣのリードに半田
メッキを施しておき、基板の回路への接合の際に、接合
部分に半田を外部から供給して接合する方法がとられて
いる。
ここで、半導体装置の端子に施されている半田メッキは
、外部から供給される半田との濡れ性を良好にする目的
で設けられたもので、数μｍ程度の厚さで形成される。
、外部から供給される半田との濡れ性を良好にする目的
で設けられたもので、数μｍ程度の厚さで形成される。
しかし、この程度の厚さの半田メッキのみでは、接合強
度が不足するので、不足となる半田を以下に説明する方
法で外部から供給して接合作業を行っていた。
度が不足するので、不足となる半田を以下に説明する方
法で外部から供給して接合作業を行っていた。
半田の供給方法には、糸半田を用いる方法、端子が接合
される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによって
半田ペーストを塗布しておく方法、デイスペンサーによ
って基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶融
半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによって
半田ペーストを塗布しておく方法、デイスペンサーによ
って基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶融
半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
しかし、ＱＦＰなとの多ピンで、リードの間隔か狭い本
体部を有するＩＣ，例えば、リート間隔が０．６５ｍｍ
以下のＩＣなどでは、供給半田量が僅かでも過剰である
と、リフロー（溶融）後にリード間の半田によるブリッ
ジが発生し、また、少しでも不足すると、接合強度の不
足が生じるために、適正な量の半田を供給することか極
めて困難であった。
体部を有するＩＣ，例えば、リート間隔が０．６５ｍｍ
以下のＩＣなどでは、供給半田量が僅かでも過剰である
と、リフロー（溶融）後にリード間の半田によるブリッ
ジが発生し、また、少しでも不足すると、接合強度の不
足が生じるために、適正な量の半田を供給することか極
めて困難であった。
そこで、本願出願人は以下説明するように、ＩＣのリー
ドに厚膜半田メッキを施すことにより適量な半田をリー
ドに付着させる方法を提案するに至った。
ドに厚膜半田メッキを施すことにより適量な半田をリー
ドに付着させる方法を提案するに至った。
第５図はＱＦＰなどの多ピンパツケージＩＣの多数のリ
ードに電気半田メッキを施すための治具１を示すもので
ある。この治具１は黄銅などの金属からなる４角形状の
上枠３と非導電体の下枠２とネジ４・・・とから構成さ
れている。
ードに電気半田メッキを施すための治具１を示すもので
ある。この治具１は黄銅などの金属からなる４角形状の
上枠３と非導電体の下枠２とネジ４・・・とから構成さ
れている。
そして、第６図に示すように、その下枠２と上枠３との
間にＱＦＰなどの多ピンパツケージＩＣの本体部５のリ
ード６．６．・・・を挾み、ネジ４・・・で固定したの
ち、この治具１を半田メッキ浴Ａに浸漬し、リード６．
６．・・・の大部分が半田メッキ浴Ａ中に浸されるよう
に配置し、治具１を陰極に、半田インゴット７を陽極と
して電気メッキすることによって行なわれる。
間にＱＦＰなどの多ピンパツケージＩＣの本体部５のリ
ード６．６．・・・を挾み、ネジ４・・・で固定したの
ち、この治具１を半田メッキ浴Ａに浸漬し、リード６．
６．・・・の大部分が半田メッキ浴Ａ中に浸されるよう
に配置し、治具１を陰極に、半田インゴット７を陽極と
して電気メッキすることによって行なわれる。
「発明か解決しようとする課題」
ところで、上述した従来の半田メッキ装置によってＱＦ
Ｐのリードの半田メッキを行った場合、ＱＦＰの４隅の
近傍のリードは他のリードよりもメッキ厚が厚くなる傾
向にある。このため、ＱＦＰをプリント基板に実装する
際にＱＦＰの４隅の近傍における各リードの間が半田の
ブリッジによって短絡される恐れかあるという問題があ
った。
Ｐのリードの半田メッキを行った場合、ＱＦＰの４隅の
近傍のリードは他のリードよりもメッキ厚が厚くなる傾
向にある。このため、ＱＦＰをプリント基板に実装する
際にＱＦＰの４隅の近傍における各リードの間が半田の
ブリッジによって短絡される恐れかあるという問題があ
った。
また、リードのメッキ厚が一定でないため、ＱＦＰを実
装する際の実装強度か安定性に欠けるという問題かあっ
た。
装する際の実装強度か安定性に欠けるという問題かあっ
た。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、
各リードに対し均一な厚さの半田メッキ層を電析させる
ことができるリードの半田メッキ装置を提供することを
目的とする。
各リードに対し均一な厚さの半田メッキ層を電析させる
ことができるリードの半田メッキ装置を提供することを
目的とする。
「課題を解決するための手段」
この発明は、半導体装置の本体部の周囲に配設された複
数のリードに当接する陰極と、前記リードに対し、前記
陰極と反対側に配設される陽極と、 前記本体部の周囲の角部近傍における前記リードの配備
されていない領域に配設される補助陰極と を具備し、半田メッキ液中にて前記陽極と前記陰極およ
び前記補助陰極との間に電流を流すことにより、前記リ
ードに半田を電析させることを特徴としている。
数のリードに当接する陰極と、前記リードに対し、前記
陰極と反対側に配設される陽極と、 前記本体部の周囲の角部近傍における前記リードの配備
されていない領域に配設される補助陰極と を具備し、半田メッキ液中にて前記陽極と前記陰極およ
び前記補助陰極との間に電流を流すことにより、前記リ
ードに半田を電析させることを特徴としている。
「作用」
上記構成によれば、補助陰極への電析が行われることに
より、本体部周囲の角部のリードにメッキが過剰に電析
されるのが抑えられる。
より、本体部周囲の角部のリードにメッキが過剰に電析
されるのが抑えられる。
「実施例」
以下、図面を参照し、本発明の一実施例を説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半田メッキ装置の構
成を示す正断面図である。この図において、１１はチタ
ン材による陰極であり、略直方体状をなすと共に、その
上部は絶縁材によるカバー１０によって覆われ、その下
部は半導体装置の本体部５に対応した形状の凹部が形成
されている。
成を示す正断面図である。この図において、１１はチタ
ン材による陰極であり、略直方体状をなすと共に、その
上部は絶縁材によるカバー１０によって覆われ、その下
部は半導体装置の本体部５に対応した形状の凹部が形成
されている。
この凹部の周囲のチタン材が本体部５の４辺に配列した
すべてのリード６．６．−の基部上面に当接する。また
、ｌｌａ、ｌｌａ、−は、ダミー陰極で有り、陰極１１
から、第２図に示すように、本体部５の４角のり一層６
の存在しない各４領域に突出している。ダミー陰極１１
ａの材料としては、４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金）あるい
はチタン等が好ましい。１２はＰＥＥＫ材等の絶縁材に
よる下受台であり、その上部は中央部が除去されること
により、リード６．６．−の各基部に当接する塀状部１
２ａ、１２ａ、−・が形成されている。
すべてのリード６．６．−の基部上面に当接する。また
、ｌｌａ、ｌｌａ、−は、ダミー陰極で有り、陰極１１
から、第２図に示すように、本体部５の４角のり一層６
の存在しない各４領域に突出している。ダミー陰極１１
ａの材料としては、４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金）あるい
はチタン等が好ましい。１２はＰＥＥＫ材等の絶縁材に
よる下受台であり、その上部は中央部が除去されること
により、リード６．６．−の各基部に当接する塀状部１
２ａ、１２ａ、−・が形成されている。
また、下受台１２はその断面積が下部へ向う程小さくな
るように、側部にテーバが形成されている。
るように、側部にテーバが形成されている。
１４は保持部材であり、下受台１２のテーパ部と当接す
るすり林状の凹部か形成されている。また、保持部材１
４の周囲には陰極１１と対向する位置に陽極１３が設け
られている。
るすり林状の凹部か形成されている。また、保持部材１
４の周囲には陰極１１と対向する位置に陽極１３が設け
られている。
この半田メッキ装置による半田メッキは次のようにして
行われる。リードフォーミングの完了した半導体装置は
、下受台１２に載せられ、その本体部５の４辺の各リー
ド６．６．−の基部が塀状部１２ａ、１２ａ、・−によ
って下から支えられる。
行われる。リードフォーミングの完了した半導体装置は
、下受台１２に載せられ、その本体部５の４辺の各リー
ド６．６．−の基部が塀状部１２ａ、１２ａ、・−によ
って下から支えられる。
次いで陰極１１が半導体装置の上に載せられ、陰極１１
の下面四部の周囲のチタン材と下受台１２の塀状部１２
ａ、１２ａ、−とによってリード６゜６、−の基部が挟
まれる。そして、半導体装置および陰極１１の載置され
た下受台１２が保持部材１４のすり林状部に収納される
。陽極１３は、リード６．６−・との距離ｄが約５〜２
０ｍｍ程度となる位置に設置される。
の下面四部の周囲のチタン材と下受台１２の塀状部１２
ａ、１２ａ、−とによってリード６゜６、−の基部が挟
まれる。そして、半導体装置および陰極１１の載置され
た下受台１２が保持部材１４のすり林状部に収納される
。陽極１３は、リード６．６−・との距離ｄが約５〜２
０ｍｍ程度となる位置に設置される。
このようにして半導体装置の装着が完了し、この半田メ
ッキ装置が半田メッキ液中に浸され、陰極１１およびダ
ミー陰極１１ａと陽極１３に電流が流される。
ッキ装置が半田メッキ液中に浸され、陰極１１およびダ
ミー陰極１１ａと陽極１３に電流が流される。
本実施例による半田メッキ装置によれば、ダミー陰極１
１ａ、ｌｌａ、 ・に対して半田メッキか電着するた
め、本体部５０４角の付近のリードに過剰に半田メッキ
層か電析されるのが防止される。
１ａ、ｌｌａ、 ・に対して半田メッキか電着するた
め、本体部５０４角の付近のリードに過剰に半田メッキ
層か電析されるのが防止される。
各辺に３２本のリードを有する半導体装置を試料とし、
本実施例による半田メッキ装置を用いてリードへの半田
メッキを行なうと、第３図に示す結果か得られた。なお
、第４図はダミー陰極１１ａを設けないで半田メッキを
行った場合の各リードのメッキの膜厚を示している。第
４図に示すように、ダミー陰極１１ａを設けない場合に
は各辺の端部、すなわち、本体部５の角部付近のリード
のメッキの膜厚か厚くなるのに対し、第３図に示すよう
に、ダミー陰極１１ｂを設けた場合にはすべてのリード
が−様な膜厚のメッキ層が形成されるのがわかる。
本実施例による半田メッキ装置を用いてリードへの半田
メッキを行なうと、第３図に示す結果か得られた。なお
、第４図はダミー陰極１１ａを設けないで半田メッキを
行った場合の各リードのメッキの膜厚を示している。第
４図に示すように、ダミー陰極１１ａを設けない場合に
は各辺の端部、すなわち、本体部５の角部付近のリード
のメッキの膜厚か厚くなるのに対し、第３図に示すよう
に、ダミー陰極１１ｂを設けた場合にはすべてのリード
が−様な膜厚のメッキ層が形成されるのがわかる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、半導体装置の
本体部の周囲に配設された複数のリードに当接する陰極
と、前記リードに対し、前記陰極と反対側に配設される
陽極と、前記本体部の周囲の角部近傍における前記リー
ドの配備されていない領域に配設される補助陰極とを設
け、半田メッキ液中にて前記陽極と前記陰極および前記
補助陰極との間に電流を流すことにより、前記リードに
半田を電析させるようにしたので、各リードに−様な膜
厚の半田メッキ層を形成することができ、実装時におい
て安定した実装強度の得られる半導体装置を製造するこ
とかできるという効果が得られる。
本体部の周囲に配設された複数のリードに当接する陰極
と、前記リードに対し、前記陰極と反対側に配設される
陽極と、前記本体部の周囲の角部近傍における前記リー
ドの配備されていない領域に配設される補助陰極とを設
け、半田メッキ液中にて前記陽極と前記陰極および前記
補助陰極との間に電流を流すことにより、前記リードに
半田を電析させるようにしたので、各リードに−様な膜
厚の半田メッキ層を形成することができ、実装時におい
て安定した実装強度の得られる半導体装置を製造するこ
とかできるという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるリードの半田メッキ
装置の構成を示す正断面図、第２図は同装置に半導体装
置を載置した状態を示す平面図、第３図は同実施例によ
って半田メッキを行った場合の半田メッキ層の膜厚を示
す図、第４図は従来の半田メッキ層の膜厚を示す図、第
５図は従来の半田メッキ治具の構成を示す斜視図、第６
図は第５図の半田メッキ治具を用いた半田メッキを説明
する図である。 ５−一本体部、６−・−リード、１１−＝・陰極、１１
ａ−−ダミー陰極、１３−・−陽極。
装置の構成を示す正断面図、第２図は同装置に半導体装
置を載置した状態を示す平面図、第３図は同実施例によ
って半田メッキを行った場合の半田メッキ層の膜厚を示
す図、第４図は従来の半田メッキ層の膜厚を示す図、第
５図は従来の半田メッキ治具の構成を示す斜視図、第６
図は第５図の半田メッキ治具を用いた半田メッキを説明
する図である。 ５−一本体部、６−・−リード、１１−＝・陰極、１１
ａ−−ダミー陰極、１３−・−陽極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置の本体部の周囲に配設された複数のリード
に当接する陰極と、 前記リードに対し、前記陰極と反対側に配設される陽極
と、 前記本体部の周囲の角部近傍における前記リードの配備
されていない領域に配設される補助陰極と を具備し、半田メッキ液中にて前記陽極と前記陰極およ
び前記補助陰極との間に電流を流すことにより、前記リ
ードに半田を電析させることを特徴とするリードの半田
メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289393A JPH0821664B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | リードの半田メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289393A JPH0821664B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | リードの半田メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162759A true JPH04162759A (ja) | 1992-06-08 |
| JPH0821664B2 JPH0821664B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=17742643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289393A Expired - Fee Related JPH0821664B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | リードの半田メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821664B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021075743A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社花岡金属商会 | 電解銅めっき方法、及び、ダミー材の処理方法 |
| US11996347B2 (en) | 2021-05-24 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283491A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-16 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 電気メツキ時における被メツキ物端部のオ−バ−コ−ト防止方法 |
| JPH02111898A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2289393A patent/JPH0821664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283491A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-16 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 電気メツキ時における被メツキ物端部のオ−バ−コ−ト防止方法 |
| JPH02111898A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021075743A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社花岡金属商会 | 電解銅めっき方法、及び、ダミー材の処理方法 |
| US11996347B2 (en) | 2021-05-24 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821664B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |