JPH04162782A - 端面発光ダイオード - Google Patents
端面発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH04162782A JPH04162782A JP2290308A JP29030890A JPH04162782A JP H04162782 A JPH04162782 A JP H04162782A JP 2290308 A JP2290308 A JP 2290308A JP 29030890 A JP29030890 A JP 29030890A JP H04162782 A JPH04162782 A JP H04162782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- electrode
- inp
- emitting diode
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、発光ダイオード、特に、光通信や情報処理お
よび計測の分野などにおける端面発光ダイオードに関す
るものである。
よび計測の分野などにおける端面発光ダイオードに関す
るものである。
（従来の技術）
端面発光ダイオードにおいて、レーザ発振を抑制し、低
温での温度依存性を小さくすることは、最も重要な課題
であるが、従来は、第４図、第５図に示すような種々の
対策が行なわれている。
温での温度依存性を小さくすることは、最も重要な課題
であるが、従来は、第４図、第５図に示すような種々の
対策が行なわれている。
第４図は、発光部分の後方に非導波領域を設けた端面発
光ダイオードの一例を示すものであり、内部を説明する
ため、その一部を切り開いて図示した。図中、４０はｎ
電極、４１はｎ−工ｎＰの基板、４２はｎ−ＩｎＰのバ
ッファ層、４３は工ｎＧａＡｓＰの活性層、４４はｐ−
１ｎＰのクラッド層、４５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰのコン
タクト層、４６はｐ−ＩｎＰのブロック層、４７はｎ−
ＩｎＰのブロック層、４８はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、４
９はｐ電極である。ＩｎＧａＡＳＰの活性層４３の後部
におけるｐ−ＩｎＰのブロック層４６、ｎ−ＩｎＰのブ
ロック層４７は、非導波領域となり、ＩｎＧａＡｓＰの
活性層４３がら後方へ伝搬される励起光は拡がり、後部
から出射される。
光ダイオードの一例を示すものであり、内部を説明する
ため、その一部を切り開いて図示した。図中、４０はｎ
電極、４１はｎ−工ｎＰの基板、４２はｎ−ＩｎＰのバ
ッファ層、４３は工ｎＧａＡｓＰの活性層、４４はｐ−
１ｎＰのクラッド層、４５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰのコン
タクト層、４６はｐ−ＩｎＰのブロック層、４７はｎ−
ＩｎＰのブロック層、４８はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、４
９はｐ電極である。ＩｎＧａＡＳＰの活性層４３の後部
におけるｐ−ＩｎＰのブロック層４６、ｎ−ＩｎＰのブ
ロック層４７は、非導波領域となり、ＩｎＧａＡｓＰの
活性層４３がら後方へ伝搬される励起光は拡がり、後部
から出射される。
第５図は、後方部分にレーザ発振を抑制するための非励
起吸収領域を設けた従来の端面発光ダイオードの一部を
切り欠いて図示した斜視図である。
起吸収領域を設けた従来の端面発光ダイオードの一部を
切り欠いて図示した斜視図である。
図中、５１はｐ電極、５２はｐ−ＩｎＰの基板、５３は
ｎ−ＩｎＰのブロック層、５４はｐ−：［ｎＰのブロッ
ク層、５５．５６はｐ−ＩｎＰのクララド層、５７．５
８は工ｎＧａＡｓＰの活性層、５９はｎ−ＩｎＰのクラ
ッド層、６０はｎ−工ｎＧａＡｓＰのコンタクト層、６
１はｎ電極、６２はＳ ｉ Ｏ２の絶縁層である。ｐ−
ＩｎＰのクラッド層５５．５６とＩｎＧａＡｓＰの活性
層５７゜５８は、埋め込み領域の前後に同時に形成され
るものであり、前方の活性層５７はｎ電極５１とｎ電極
６１との間に流れる電流により励起される励起領域とな
るから、前方が発光ダイオードを構成している。後方の
活性層５８には電流が流れず、この部分は非励起吸収領
域となる。その中間に存在するｎ−ＩｎＰのブロック層
５３とｐ−ＩｎＰのブロック層５４とは、非導波領域を
形成しており、活性層の励起領域から後方への光を活性
層の光吸収領域へ拡散しながら伝達する。したがって、
活性層の励起領域から後方にしみ出した光は、光吸収領
域で吸収され、発振を防止することができる。
ｎ−ＩｎＰのブロック層、５４はｐ−：［ｎＰのブロッ
ク層、５５．５６はｐ−ＩｎＰのクララド層、５７．５
８は工ｎＧａＡｓＰの活性層、５９はｎ−ＩｎＰのクラ
ッド層、６０はｎ−工ｎＧａＡｓＰのコンタクト層、６
１はｎ電極、６２はＳ ｉ Ｏ２の絶縁層である。ｐ−
ＩｎＰのクラッド層５５．５６とＩｎＧａＡｓＰの活性
層５７゜５８は、埋め込み領域の前後に同時に形成され
るものであり、前方の活性層５７はｎ電極５１とｎ電極
６１との間に流れる電流により励起される励起領域とな
るから、前方が発光ダイオードを構成している。後方の
活性層５８には電流が流れず、この部分は非励起吸収領
域となる。その中間に存在するｎ−ＩｎＰのブロック層
５３とｐ−ＩｎＰのブロック層５４とは、非導波領域を
形成しており、活性層の励起領域から後方への光を活性
層の光吸収領域へ拡散しながら伝達する。したがって、
活性層の励起領域から後方にしみ出した光は、光吸収領
域で吸収され、発振を防止することができる。
しかしながら、このような従来の端面発光ダイオードに
おいては、活性層の励起領域から後方にしみ出した光の
吸収を十分にするためには、光吸収領域の長さを長くす
る必要があり、発光ダイオードの素子寸法が大きくなる
という問題がある。
おいては、活性層の励起領域から後方にしみ出した光の
吸収を十分にするためには、光吸収領域の長さを長くす
る必要があり、発光ダイオードの素子寸法が大きくなる
という問題がある。
また、端面発光ダイオードは、温度特性にも問題がある
。第６図は、端面発光ダイオードの温度特性の一例を示
すもので、横軸がケース温度、縦軸が相対光出力である
。図からもわかるように、特に、低温領域での温度依存
性が大きく、０°Ｃ付近では、−３％／℃程度にも達し
、この値は、通常の表面発光ダイオードの光出力の温度
依存性が、−〇、５％／℃程度であるのに比べると、非
常に大きいものである。
。第６図は、端面発光ダイオードの温度特性の一例を示
すもので、横軸がケース温度、縦軸が相対光出力である
。図からもわかるように、特に、低温領域での温度依存
性が大きく、０°Ｃ付近では、−３％／℃程度にも達し
、この値は、通常の表面発光ダイオードの光出力の温度
依存性が、−〇、５％／℃程度であるのに比べると、非
常に大きいものである。
この対策として、自動光出力制御をすることが考えられ
るが、第４図や第５図で説明したように、励起領域の後
方に、非励起領域や非導波領域を設けているため、活性
層の励起領域から後方にしみ出した光がここで吸収され
、また広がってしまい、後方端面から出射する光の強度
が非常に弱くなる。
るが、第４図や第５図で説明したように、励起領域の後
方に、非励起領域や非導波領域を設けているため、活性
層の励起領域から後方にしみ出した光がここで吸収され
、また広がってしまい、後方端面から出射する光の強度
が非常に弱くなる。
したがって、後方出射光をフォトダイオードでモニタし
、出力制御するということは困難である。
、出力制御するということは困難である。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、簡単
な構成で、活性層から後方へしみ出した光を十分に吸収
することができ、また、光出力のモニタもできる端面発
光ダイオードを提供することを目的とするものである。
な構成で、活性層から後方へしみ出した光を十分に吸収
することができ、また、光出力のモニタもできる端面発
光ダイオードを提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、端面発光ダイオードにおいて、その後方に傾
斜した反射面を形成するとともに、上層あるいは下層に
、受光素子として機能する層構造を形成し、後方出射光
を前記反射面により前記受光素子に入射させるようにし
たことを特徴とするものである。
斜した反射面を形成するとともに、上層あるいは下層に
、受光素子として機能する層構造を形成し、後方出射光
を前記反射面により前記受光素子に入射させるようにし
たことを特徴とするものである。
（作 用）
本発明は、端面発光ダイオードの後方に、傾斜した反射
面が形成されるとともに、上層あるいは下層に、受光素
子として機能する層構造が形成されている。発光ダイオ
ードの活性層の励起領域から後方にしみ出した光は、前
記反射面により反射して、上層あるいは下層に形成され
た受光素子に入射され、その光吸収層で吸収される。こ
のとき発生した電子、正孔対は、上下電極間に印加され
た逆バイアス電圧により電流として取り出され、発光部
における発光強度のモニタとして利用することができる
。
面が形成されるとともに、上層あるいは下層に、受光素
子として機能する層構造が形成されている。発光ダイオ
ードの活性層の励起領域から後方にしみ出した光は、前
記反射面により反射して、上層あるいは下層に形成され
た受光素子に入射され、その光吸収層で吸収される。こ
のとき発生した電子、正孔対は、上下電極間に印加され
た逆バイアス電圧により電流として取り出され、発光部
における発光強度のモニタとして利用することができる
。
（実施例）
第１図は、本発明の端面発光ダイオードの一実施例を説
明するためのもので、同図（Ａ）は、発光側端面の正面
図、同図（Ｂ）は、活性領域に沿った側断面図である。
明するためのもので、同図（Ａ）は、発光側端面の正面
図、同図（Ｂ）は、活性領域に沿った側断面図である。
図中、１１はｎ工電極、１２はｎ−ＩｎＰの基板、１３
はｎ−ＩｎＰのバッファ層、１４はｎ−−ＩｎＧａＡｓ
の光吸収層、１５はｐ−ＩｎＰのコンタクト層、１６は
ｎ−ＩｎＰの電流ブロック層、１７はｐ−ＩｎＰの電流
ブロック層、１８はｐ−ＩｎＰのクラッド層、１９はＩ
ｎＧａＡｓＰの活性層、２０はｐ−ＩｎＰの層、２１は
ｎ−ＩｎＰのクラッド層、２２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰの
コンタクト層、２３はｎ２電極、２４はｐ電極、２５は
反射面である。
はｎ−ＩｎＰのバッファ層、１４はｎ−−ＩｎＧａＡｓ
の光吸収層、１５はｐ−ＩｎＰのコンタクト層、１６は
ｎ−ＩｎＰの電流ブロック層、１７はｐ−ＩｎＰの電流
ブロック層、１８はｐ−ＩｎＰのクラッド層、１９はＩ
ｎＧａＡｓＰの活性層、２０はｐ−ＩｎＰの層、２１は
ｎ−ＩｎＰのクラッド層、２２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰの
コンタクト層、２３はｎ２電極、２４はｐ電極、２５は
反射面である。
第１図の端面発光ダイオードの製造方法を、第２図によ
り説明する。
り説明する。
■ 第２図（Ａ）に示すように、第１回目の結晶成長に
より、ｎ−Ｉｎ、Ｐの基板１２上に、受光素子としての
機能を持たせるためのｎ−ＩｎＰのバッファ層１３．ｒ
ｒ −ＩｎＧａＡｓの光吸収層１４、ｐ−ＩｎＰのコン
タクト層１５を、そして、その上に、発光素子のための
ｎ−ＩｎＰの電流ブロック層１６、ｐ−ＩｎＰの電流ブ
ロック層１７を、最後に、矢尻型の埋め込み溝の形成の
ためのＩｎＧａＡｓＰのマスク層２６を順に成長する。
より、ｎ−Ｉｎ、Ｐの基板１２上に、受光素子としての
機能を持たせるためのｎ−ＩｎＰのバッファ層１３．ｒ
ｒ −ＩｎＧａＡｓの光吸収層１４、ｐ−ＩｎＰのコン
タクト層１５を、そして、その上に、発光素子のための
ｎ−ＩｎＰの電流ブロック層１６、ｐ−ＩｎＰの電流ブ
ロック層１７を、最後に、矢尻型の埋め込み溝の形成の
ためのＩｎＧａＡｓＰのマスク層２６を順に成長する。
結晶成長法は、液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法が
一般的であるが、気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ、Ｍ
ＯＣＶＤ）法等、適宜の方法を用いることができる。
一般的であるが、気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ、Ｍ
ＯＣＶＤ）法等、適宜の方法を用いることができる。
■ その上に、エツチングマスクとしてＳｉＯ□を着膜
し、フォトリソグラフィーの手法によりバターニングし
た後、埋め込み溝を形成する部分の３１０２を除去した
後、第２図（Ｂ）に示すように、ＩｎＧａＡｓＰマスク
層２６によるマスクパターンを作成し、これに塩酸系の
エツチング液を用いて、第２図（Ｃ）に示すように、ｐ
−ＩｎＰの電流ブロック層１７、ｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層１６をエツチングし、矢尻型の埋め込み溝を形成し
、Ｓ ｉ Ｏ２を除去する。結晶の＜０１１＞方向に溝
を形成するから、溝は矢尻型になる。
し、フォトリソグラフィーの手法によりバターニングし
た後、埋め込み溝を形成する部分の３１０２を除去した
後、第２図（Ｂ）に示すように、ＩｎＧａＡｓＰマスク
層２６によるマスクパターンを作成し、これに塩酸系の
エツチング液を用いて、第２図（Ｃ）に示すように、ｐ
−ＩｎＰの電流ブロック層１７、ｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層１６をエツチングし、矢尻型の埋め込み溝を形成し
、Ｓ ｉ Ｏ２を除去する。結晶の＜０１１＞方向に溝
を形成するから、溝は矢尻型になる。
■ 次に、第２図（Ｄ）に示すように、第２回目の結晶
成長を行ない、形成された埋め込み溝内に、ｐ−ＩｎＰ
のクラッド層１８、工ｎＧａＡｓＰの活性層１９を順次
成長する。埋め込み溝の両側に形成されたｐ−ＩｎＰの
層２０は、ｐ−ＩｎＰのクラッド層１８と同時に形成さ
れた層である。ＩｎＧａＡｓＰの活性層１９と同じ層が
ｐ−ＩｎＰの層２０の上にも形成されるが、薄いので、
図示を省略した。さらに、その上に、ｎ−ＩｎＰのクラ
ッド層２１、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰのコンタクト層２２を
成長させる。
成長を行ない、形成された埋め込み溝内に、ｐ−ＩｎＰ
のクラッド層１８、工ｎＧａＡｓＰの活性層１９を順次
成長する。埋め込み溝の両側に形成されたｐ−ＩｎＰの
層２０は、ｐ−ＩｎＰのクラッド層１８と同時に形成さ
れた層である。ＩｎＧａＡｓＰの活性層１９と同じ層が
ｐ−ＩｎＰの層２０の上にも形成されるが、薄いので、
図示を省略した。さらに、その上に、ｎ−ＩｎＰのクラ
ッド層２１、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰのコンタクト層２２を
成長させる。
■ さらに、Ｓｉｇｈを着膜し、フォトリソグラフィー
の手法を用いてバターニングし、後方部分をｐ−ＩｎＰ
のコンタクト層１５までをエツチングする。このとき、
エツチング液として、塩酸系のものを使用することによ
り、水平とのなす角θがおよそ５４°となる斜面が形成
され、反射面２５となる。この面に、例えば、Ａｕのよ
うな金属膜を蒸着などにより形成してもよい。
の手法を用いてバターニングし、後方部分をｐ−ＩｎＰ
のコンタクト層１５までをエツチングする。このとき、
エツチング液として、塩酸系のものを使用することによ
り、水平とのなす角θがおよそ５４°となる斜面が形成
され、反射面２５となる。この面に、例えば、Ａｕのよ
うな金属膜を蒸着などにより形成してもよい。
その後、ｎ工電極１１、ｎ２電極２３、ｐ電極２４を形
成し、最後に、ウェハから各素子にへき関して、端面に
図示しない反射防止膜を形成して、第２図（Ｅ）に示す
端面発光ダイオードが完成する。なお、第２図（Ｅ）に
おいては、右半分の一部を切断した斜面図として図示し
た。
成し、最後に、ウェハから各素子にへき関して、端面に
図示しない反射防止膜を形成して、第２図（Ｅ）に示す
端面発光ダイオードが完成する。なお、第２図（Ｅ）に
おいては、右半分の一部を切断した斜面図として図示し
た。
動作について説明する。
前方の領域は、発光ダイオードとして動作する。
すなわち、ｎ１電極１１とｎ２電極２３との間に印加さ
れた電圧により、ｎ２電極２３の下は励起領域となり、
ＩｎＧａＡｓＰの活性層１９が励起されて発光する。活
性層の後方のｎ２電極２３が設けられていない領域は、
非励起吸収領域である。
れた電圧により、ｎ２電極２３の下は励起領域となり、
ＩｎＧａＡｓＰの活性層１９が励起されて発光する。活
性層の後方のｎ２電極２３が設けられていない領域は、
非励起吸収領域である。
励起領域から後方にしみ出した光は、非励起吸収領域を
介して後方の反射面２５で下方に反射され、ｎ−−Ｉｎ
ＧａＡｓの光吸収層１４で吸収される。
介して後方の反射面２５で下方に反射され、ｎ−−Ｉｎ
ＧａＡｓの光吸収層１４で吸収される。
光の吸収により発生した電子・正孔対は、ｎ１電極１１
とｐ電極２４との間に印加された逆バイアス電圧により
電流として取り８される。
とｐ電極２４との間に印加された逆バイアス電圧により
電流として取り８される。
第３図は、第１図の端面発光ダイオードの等両回路を示
すものであり、発光部であるＬＥＤ部分と受光部である
ＰＤ部分が並列に接続され、光結合しているから、ＰＤ
部分からの電流を、ＬＥＤ部分における発光強度のモニ
タとして利用することができ、自動８力制御回路の入力
電流とすることにより、温度変化等による出力変動を保
証して、安定した光出力を得ることができる。
すものであり、発光部であるＬＥＤ部分と受光部である
ＰＤ部分が並列に接続され、光結合しているから、ＰＤ
部分からの電流を、ＬＥＤ部分における発光強度のモニ
タとして利用することができ、自動８力制御回路の入力
電流とすることにより、温度変化等による出力変動を保
証して、安定した光出力を得ることができる。
なお、上述した実施例は、ｎ型基板を用いた場合につい
て説明したが、ｐ型基板を用いることができることは勿
論である。また、ＩｎＧａＡｓＰ系に限らず、他の系の
ものに本発明を適用することができる。
て説明したが、ｐ型基板を用いることができることは勿
論である。また、ＩｎＧａＡｓＰ系に限らず、他の系の
ものに本発明を適用することができる。
また、矢ｍ型の埋め込み溝の端面発光ダイオードについ
て説明したが、■溝のものや、最初に活性層を形成し、
後で周辺を埋め込むＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒ
ｏ）型にも適用することができる。電流の通路を工夫す
ることにより、上方に受光素子部分を積層することも可
能である。
て説明したが、■溝のものや、最初に活性層を形成し、
後で周辺を埋め込むＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒ
ｏ）型にも適用することができる。電流の通路を工夫す
ることにより、上方に受光素子部分を積層することも可
能である。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、レー
ザ発振を十分に抑制でき、自動出力制御を行なうことが
できる端面発光ダイオードを提供できる効果がある。
ザ発振を十分に抑制でき、自動出力制御を行なうことが
できる端面発光ダイオードを提供できる効果がある。
また、１つの基板上に発光素子部分と受光素子部分とが
形成されるから、両者の位置合わせの必要もなく、実装
が簡単にでき、下方または上方に受光素子が設けらるか
ら、受光素子を後方に設けた場合に比べて素子長を短く
でき、製造コストを低下できる効果もある。
形成されるから、両者の位置合わせの必要もなく、実装
が簡単にでき、下方または上方に受光素子が設けらるか
ら、受光素子を後方に設けた場合に比べて素子長を短く
でき、製造コストを低下できる効果もある。
第１図は、本発明の端面発光ダイオードの一実施例を説
明するためのもので、同図（Ａ）は、発光側端面の正面
図、同図（Ｂ）は、活性領域に沿った側断面図、第２図
は、第１図の端面発光ダイオードの製造工程の説明図、
第３図は、第１図の端面発光ダイオードの等価回路図、
第４図、第５図は、従来例の端面発光ダイオードの一部
を切り欠いて図示した斜視図、第６図は、端面発光ダイ
オードの温度特性を示す線図である。 １ｌ−ｎ１電極、１２−ｎ−ＩｎＰの基板、１３・・・
ｎ−ＩｎＰのバッファ層、１４・・・ｎ−−ＩｎＧａＡ
ｓの光吸収層、１５・・・ｐ−ＩｎＰのコンタクト層、
１６・・・ｎ−４ｎＰの電流ブロック層、１７・・・ｐ
−ＩｎＰの電流ブロック層、１８・・・ｐ−ＩｎＰのク
ラッド層、１９・・・ＩｎＧａＡｓＰの活性層、２０
・ｐ −Ｉ ｎ Ｐの層、２１・ｎ−工ｎＰのクラッド
層、２２・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰのコンタクト層、２
３・・・ｎ２電極、２４・・・ｐ電極、２５・・・反射
面。 特許出願人 株式会社島津製作所
明するためのもので、同図（Ａ）は、発光側端面の正面
図、同図（Ｂ）は、活性領域に沿った側断面図、第２図
は、第１図の端面発光ダイオードの製造工程の説明図、
第３図は、第１図の端面発光ダイオードの等価回路図、
第４図、第５図は、従来例の端面発光ダイオードの一部
を切り欠いて図示した斜視図、第６図は、端面発光ダイ
オードの温度特性を示す線図である。 １ｌ−ｎ１電極、１２−ｎ−ＩｎＰの基板、１３・・・
ｎ−ＩｎＰのバッファ層、１４・・・ｎ−−ＩｎＧａＡ
ｓの光吸収層、１５・・・ｐ−ＩｎＰのコンタクト層、
１６・・・ｎ−４ｎＰの電流ブロック層、１７・・・ｐ
−ＩｎＰの電流ブロック層、１８・・・ｐ−ＩｎＰのク
ラッド層、１９・・・ＩｎＧａＡｓＰの活性層、２０
・ｐ −Ｉ ｎ Ｐの層、２１・ｎ−工ｎＰのクラッド
層、２２・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰのコンタクト層、２
３・・・ｎ２電極、２４・・・ｐ電極、２５・・・反射
面。 特許出願人 株式会社島津製作所
Claims (1)
- 端面発光ダイオードにおいて、その後方に傾斜した反
射面を形成するとともに、上層あるいは下層に、受光素
子として機能する層構造を形成し、後方出射光を前記反
射面により前記受光素子に入射させるようにしたことを
特徴とする端面発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290308A JPH04162782A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 端面発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290308A JPH04162782A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 端面発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162782A true JPH04162782A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17754427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290308A Pending JPH04162782A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 端面発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181350A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | 半導体光集積素子 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2290308A patent/JPH04162782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181350A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | 半導体光集積素子 |
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