JPH04163837A - 蛍光表示装置 - Google Patents
蛍光表示装置Info
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- JPH04163837A JPH04163837A JP28899090A JP28899090A JPH04163837A JP H04163837 A JPH04163837 A JP H04163837A JP 28899090 A JP28899090 A JP 28899090A JP 28899090 A JP28899090 A JP 28899090A JP H04163837 A JPH04163837 A JP H04163837A
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- Pending
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蛍光表示装置に関し、特に冷陰極群を電子放射
源とした低速電子線励起蛍光表示装置に関する。
源とした低速電子線励起蛍光表示装置に関する。
従来この種の低速電子線励起蛍光表示装置は、主として
ガラスより成る真空外囲器と、この真空外囲器内表面の
１主面上に設けられた多結晶シリコン層と絶縁体膜と金
ＲＭを含む多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路と、こ
の多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路の選択された箇
所に電気的に接続してかつ各々が分離独立して形成され
た透明導電膜と、この透明導電膜の各々に電気的に接続
してかつ各々独立して形成された島状蛍光体膜と、多結
晶シリコン薄膜トランジスタ回路と島状蛍光体膜が形成
された１主面に平行に対面する他の主面上に設けられ、
金，白金等の金属層と５ｉ０２ 、Ａｆｆ１２０３，有
機絶縁体等の絶縁膜及び金属薄膜から成る、いわゆる、
金属−絶縁体−金属（Ｍ−Ｉ−Ｍ）構造の冷陰極群とに
よって構成され、この冷陰極群から放出された低速電子
線によって蛍光体膜を励起し、発光させていた。
ガラスより成る真空外囲器と、この真空外囲器内表面の
１主面上に設けられた多結晶シリコン層と絶縁体膜と金
ＲＭを含む多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路と、こ
の多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路の選択された箇
所に電気的に接続してかつ各々が分離独立して形成され
た透明導電膜と、この透明導電膜の各々に電気的に接続
してかつ各々独立して形成された島状蛍光体膜と、多結
晶シリコン薄膜トランジスタ回路と島状蛍光体膜が形成
された１主面に平行に対面する他の主面上に設けられ、
金，白金等の金属層と５ｉ０２ 、Ａｆｆ１２０３，有
機絶縁体等の絶縁膜及び金属薄膜から成る、いわゆる、
金属−絶縁体−金属（Ｍ−Ｉ−Ｍ）構造の冷陰極群とに
よって構成され、この冷陰極群から放出された低速電子
線によって蛍光体膜を励起し、発光させていた。
前記した如き蛍光表示装置においては、各島状蛍光体膜
の発光輝度が不均一であると表示品質が損なわれるとい
う問題点がある。
の発光輝度が不均一であると表示品質が損なわれるとい
う問題点がある。
この発光輝度の不均一の原因は、多くあるが、その１つ
に、冷陰極各々の電子放射密度のばらつきがある。電子
放射密度のばらつきが各島状蛍光体膜に入射する電子放
射密度に差を生ぜしめ、結果として、発光輝度の不均一
をもたらす。
に、冷陰極各々の電子放射密度のばらつきがある。電子
放射密度のばらつきが各島状蛍光体膜に入射する電子放
射密度に差を生ぜしめ、結果として、発光輝度の不均一
をもたらす。
冷陰極各々の電子放射密度のばらつきの原因も複数存在
するが、主たるものは、絶縁体膜の膜厚と物性の不均一
と、金属薄膜の膜厚の不均一である。これらの不均一は
、絶縁体膜も金属薄膜も１００人程度の膜厚でないと実
用的な冷陰極が得られないが、１００人程度の膜厚の薄
膜を均一に形成る事が非常に困難である。
するが、主たるものは、絶縁体膜の膜厚と物性の不均一
と、金属薄膜の膜厚の不均一である。これらの不均一は
、絶縁体膜も金属薄膜も１００人程度の膜厚でないと実
用的な冷陰極が得られないが、１００人程度の膜厚の薄
膜を均一に形成る事が非常に困難である。
本発明の目的は、冷陰極の電子放射密度にばらつきがな
く、発光輝度の均一な蛍光表示装置を提供することにあ
る。
く、発光輝度の均一な蛍光表示装置を提供することにあ
る。
本発明は、主としてガラスより成る真空外囲器と、該真
空外囲器内表面の１主面上に設けられた多結晶シリコン
層と絶縁体膜と金属膜を含む多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタ回路と、該多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路
の選択された箇所に電気的に接続してかつ各々が分離独
立して形成された透明導電膜と、該透明導電膜の各々に
電気的に接続してかつ各々独立して形成された島状蛍光
体膜と、前記１主面に平行に対面する他の主面上に設け
られた多数の冷陰極から成る冷陰極群とを有する蛍光表
示装置において、前記冷陰極の配置密度が前記島状蛍光
体膜の配置密度の少くとも４倍である。
空外囲器内表面の１主面上に設けられた多結晶シリコン
層と絶縁体膜と金属膜を含む多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタ回路と、該多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路
の選択された箇所に電気的に接続してかつ各々が分離独
立して形成された透明導電膜と、該透明導電膜の各々に
電気的に接続してかつ各々独立して形成された島状蛍光
体膜と、前記１主面に平行に対面する他の主面上に設け
られた多数の冷陰極から成る冷陰極群とを有する蛍光表
示装置において、前記冷陰極の配置密度が前記島状蛍光
体膜の配置密度の少くとも４倍である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明する概略構成図である
。
。
第１図に示す様に、冷陰極群１４は、金、白金等の金属
層５とＳｉＣ２、Ａ １２２０３ 、有機絶縁体等から
なる絶縁体膜６ａ、６ｂ及び金属薄膜１８より構成され
る、いわゆる、金属−絶縁体−金属（Ｍ−Ｉ−Ｍ）構造
となっている。
層５とＳｉＣ２、Ａ １２２０３ 、有機絶縁体等から
なる絶縁体膜６ａ、６ｂ及び金属薄膜１８より構成され
る、いわゆる、金属−絶縁体−金属（Ｍ−Ｉ−Ｍ）構造
となっている。
金属層５に対して、金属薄膜１８に正電位を印加すると
トンネル効果により電子は、薄い部分の絶縁体膜６ａを
透過し、更に、正電位により与えられた運動エネルギー
で金属薄膜１８を通過して真空空間］７に飛び出す。こ
の様な冷陰極群１４は、真空外囲器の一部を構成するガ
ラス板１の内表面上に設けられる。冷陰極群１４は、薄
い部分の絶縁体膜６ａに位１する複数の冷陰極より構成
されている。
トンネル効果により電子は、薄い部分の絶縁体膜６ａを
透過し、更に、正電位により与えられた運動エネルギー
で金属薄膜１８を通過して真空空間］７に飛び出す。こ
の様な冷陰極群１４は、真空外囲器の一部を構成するガ
ラス板１の内表面上に設けられる。冷陰極群１４は、薄
い部分の絶縁体膜６ａに位１する複数の冷陰極より構成
されている。
一方、ガラス板１に平行に対面する真空外囲器の一部の
カラス板３の内表面上には、多結晶シリコン層７ａ、、
７ｂ、７ｃとゲート酸化膜８と絶縁体膜１０，１１ど金
属膜１８及びゲート電極９から成る多結晶シリコン薄膜
トランジスタ回路１５と、この多結晶シリコン薄膜トラ
ンジスタ回路１５の選択された箇所（第１図では７ｃ）
に電気的に接続されたＩＴＯｌｊ（、ＳｎＯ□膜等の透
明導電膜１２と、この透明導電膜１２の上に形成された
蛍光体膜１３が設けられている。
カラス板３の内表面上には、多結晶シリコン層７ａ、、
７ｂ、７ｃとゲート酸化膜８と絶縁体膜１０，１１ど金
属膜１８及びゲート電極９から成る多結晶シリコン薄膜
トランジスタ回路１５と、この多結晶シリコン薄膜トラ
ンジスタ回路１５の選択された箇所（第１図では７ｃ）
に電気的に接続されたＩＴＯｌｊ（、ＳｎＯ□膜等の透
明導電膜１２と、この透明導電膜１２の上に形成された
蛍光体膜１３が設けられている。
ガラス板１の内表面上に設けられた冷陰極群１４から真
空空間に飛び出した電子は、金属薄膜１８に対して正電
位が印加されている蛍光体膜１３に衝突し発光させる。
空空間に飛び出した電子は、金属薄膜１８に対して正電
位が印加されている蛍光体膜１３に衝突し発光させる。
発光は矢印１６の方向がら観察する。多結晶シリコン薄
膜トランジスタ回路１５は、外部制御信号に応じて（図
示せず）表示パターン及び表示時間等を制御する。
膜トランジスタ回路１５は、外部制御信号に応じて（図
示せず）表示パターン及び表示時間等を制御する。
又、真空外囲器は、前記したガラス板１，３とスペーサ
ガラス２とから構成され、接続部は低融点ガラス４ａ、
４ｂにより気密封止される。
ガラス２とから構成され、接続部は低融点ガラス４ａ、
４ｂにより気密封止される。
冷陰極群１４は、金属層５．金属１Ｍ１Ｂを真空蒸着法
やスパッタリング法により形成し、絶縁層を反応性スパ
ッタ法やｃＶＤ法等により成膜し、その厚さの薄い部分
は、例えば、ホトリソグラフィ法により、絶縁体膜６ａ
を作製し、個々の冷陰極の配置密度が島状蛍光体膜の配
置密度の少くとも４倍になるよう均一に形成する。
やスパッタリング法により形成し、絶縁層を反応性スパ
ッタ法やｃＶＤ法等により成膜し、その厚さの薄い部分
は、例えば、ホトリソグラフィ法により、絶縁体膜６ａ
を作製し、個々の冷陰極の配置密度が島状蛍光体膜の配
置密度の少くとも４倍になるよう均一に形成する。
又、多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路１５は、各々
のエピタキシャル法、ＣＶＤ法、スパッタリンク法、ホ
トリソグラフィ法、イオン注入法、レーザアニール法の
各種熱処理等を組み合わせて形成され、蛍光体膜１３は
、電気泳動法、ホトリソグラフィ法、印刷法等で形成さ
れる。
のエピタキシャル法、ＣＶＤ法、スパッタリンク法、ホ
トリソグラフィ法、イオン注入法、レーザアニール法の
各種熱処理等を組み合わせて形成され、蛍光体膜１３は
、電気泳動法、ホトリソグラフィ法、印刷法等で形成さ
れる。
以上説明した様に本発明は、発光画素となる島状蛍光体
膜の配置密度に対し、電子源となる個々の冷陰極の配置
密度を少くとも４倍にする事により、個々の冷陰極のそ
れぞれ特性の不均一性か解消され、各島状蛍光体膜のそ
れぞれに入射する電子放射密度が平均化されて発光輝度
が均一化する。従って、表示品位の良好な蛍光表示装置
を提供できるという効果を有する。
膜の配置密度に対し、電子源となる個々の冷陰極の配置
密度を少くとも４倍にする事により、個々の冷陰極のそ
れぞれ特性の不均一性か解消され、各島状蛍光体膜のそ
れぞれに入射する電子放射密度が平均化されて発光輝度
が均一化する。従って、表示品位の良好な蛍光表示装置
を提供できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を説明する概略構成図である
。 １．３・・・ガラス板、２・・・スペーサガラス、４ａ
、４ｂ・・・低融ガラス、５・・・金属層、６ａ、６ｂ
・・・絶縁体膜、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・多結晶シリコ
ン層、８・・・ゲート酸化膜、９・・・ゲート電極、１
０゜１１・・・絶縁膜、１２・・・透明導電膜、１３・
・・蛍光体膜、１４・・・冷陰極群、１５・・・多結晶
シリコン薄膜トランジスタ回路、１６・・・視線、１７
・・・真空空間、１８・・・金属薄膜。
。 １．３・・・ガラス板、２・・・スペーサガラス、４ａ
、４ｂ・・・低融ガラス、５・・・金属層、６ａ、６ｂ
・・・絶縁体膜、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・多結晶シリコ
ン層、８・・・ゲート酸化膜、９・・・ゲート電極、１
０゜１１・・・絶縁膜、１２・・・透明導電膜、１３・
・・蛍光体膜、１４・・・冷陰極群、１５・・・多結晶
シリコン薄膜トランジスタ回路、１６・・・視線、１７
・・・真空空間、１８・・・金属薄膜。
Claims (1)
- 主としてガラスより成る真空外囲器と、該真空外囲器内
表面の１主面上に設けられた多結晶シリコン層と絶縁体
膜と金属膜を含む多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路
と、該多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路の選択され
た箇所に電気的に接続してかつ各々が分離独立して形成
された透明導電膜と、該透明導電膜の各々に電気的に接
続してかつ各々独立して形成された島状蛍光体膜と、前
記１主面に平行に対面する他の主面上に設けられた多数
の冷陰極から成る冷陰極群とを有する蛍光表示装置にお
いて、前記冷陰極の配置密度が前記島状蛍光体膜の配置
密度の少くとも４倍である事を特徴とする蛍光表示装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28899090A JPH04163837A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 蛍光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28899090A JPH04163837A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 蛍光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04163837A true JPH04163837A (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=17737416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28899090A Pending JPH04163837A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 蛍光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04163837A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553169A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Character display unit |
| JPS5611456B2 (ja) * | 1978-11-21 | 1981-03-14 | ||
| JPH01128573A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜トランジスタ |
| JPH0261946A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-03-01 | Commiss Energ Atom | マイクロドット三原色蛍光スクリーンとその製造方法及びそのアドレス方法 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28899090A patent/JPH04163837A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553169A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Character display unit |
| JPS5611456B2 (ja) * | 1978-11-21 | 1981-03-14 | ||
| JPH01128573A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜トランジスタ |
| JPH0261946A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-03-01 | Commiss Energ Atom | マイクロドット三原色蛍光スクリーンとその製造方法及びそのアドレス方法 |
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