JPH0416420Y2 - - Google Patents
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- JPH0416420Y2 JPH0416420Y2 JP8222886U JP8222886U JPH0416420Y2 JP H0416420 Y2 JPH0416420 Y2 JP H0416420Y2 JP 8222886 U JP8222886 U JP 8222886U JP 8222886 U JP8222886 U JP 8222886U JP H0416420 Y2 JPH0416420 Y2 JP H0416420Y2
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- fluororesin
- case
- capacitor
- resin
- epoxy resin
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この考案は、例えばエキシマレーザー等のレー
ザー管内のようなハロゲンガス等の活性ガス中で
使用可能な高圧磁器コンデンサに関するものであ
る。
ザー管内のようなハロゲンガス等の活性ガス中で
使用可能な高圧磁器コンデンサに関するものであ
る。
〈従来の技術〉
エキシマレーザー等の放電励起用として、高圧
磁器コンデンサが一般に用いられているが、この
従来の高圧磁器コンデンサは第４図に示すように
磁器素体１の両端に電極２を設け、この電極２の
外側に端子３を取付けたものに、絶縁保護等の目
的でエポキシ樹脂等によるモールド樹脂４を施し
たものである。
磁器コンデンサが一般に用いられているが、この
従来の高圧磁器コンデンサは第４図に示すように
磁器素体１の両端に電極２を設け、この電極２の
外側に端子３を取付けたものに、絶縁保護等の目
的でエポキシ樹脂等によるモールド樹脂４を施し
たものである。
〈考案が解決しようとする問題点〉
上記のような高圧磁器コンデンサを用いたエキ
シマレーザーの発振効率を上げるためには、高圧
磁器コンデンサをレーザー管内に設置して放電経
路を短くしてインダクタンスを小さくする必要が
ある。
シマレーザーの発振効率を上げるためには、高圧
磁器コンデンサをレーザー管内に設置して放電経
路を短くしてインダクタンスを小さくする必要が
ある。
しかし、エポキシ樹脂でモールドされた高圧磁
器コンデンサは、レーザー管内のハロゲンガスや
紫外線等によつて侵されるので短い期間に絶縁破
壊等の不具合を生じるという問題がある。
器コンデンサは、レーザー管内のハロゲンガスや
紫外線等によつて侵されるので短い期間に絶縁破
壊等の不具合を生じるという問題がある。
上記のような問題点を改善するためには、コン
デンサの表面に四フツ化エチレン樹脂等のフツ素
樹脂による表面処理を施すと良いということが知
られているが、このようなフツ素樹脂の処理を施
すには、コンデンサのエポキシ樹脂の熱変形温度
を遥かに越えた温度で焼付ける必要があり、その
ため、エポキシ樹脂が劣化してコンデンサとして
の性能を充分に発揮できなくなる。
デンサの表面に四フツ化エチレン樹脂等のフツ素
樹脂による表面処理を施すと良いということが知
られているが、このようなフツ素樹脂の処理を施
すには、コンデンサのエポキシ樹脂の熱変形温度
を遥かに越えた温度で焼付ける必要があり、その
ため、エポキシ樹脂が劣化してコンデンサとして
の性能を充分に発揮できなくなる。
又、エポキシ樹脂のモールドを施さずに、直接
磁器素体にフツ素樹脂の処理を施しても、磁器素
体にフツ素樹脂が密着しないため、充分な電気的
特性が発揮できないという問題があつた。
磁器素体にフツ素樹脂の処理を施しても、磁器素
体にフツ素樹脂が密着しないため、充分な電気的
特性が発揮できないという問題があつた。
〈問題点を解決するための手段〉
この考案は上記のような問題点を解決するため
になされたもので、高圧用磁器コンデンサのエポ
キシ樹脂等からなるモールド樹脂の外側を四フツ
化エチレン樹脂等のフツ素樹脂からなるケースに
より覆つたものである。
になされたもので、高圧用磁器コンデンサのエポ
キシ樹脂等からなるモールド樹脂の外側を四フツ
化エチレン樹脂等のフツ素樹脂からなるケースに
より覆つたものである。
〈実施例〉
第１図ないし第３図は、この考案の高圧用磁器
コンデンサの実施例を示すもので、磁器素体１１
の両端に電極１２を設け、この電極１２の外側に
端子１３を取付けたものに、エポキシ樹樹脂等の
モールド樹脂１４を施す。
コンデンサの実施例を示すもので、磁器素体１１
の両端に電極１２を設け、この電極１２の外側に
端子１３を取付けたものに、エポキシ樹樹脂等の
モールド樹脂１４を施す。
このエポキシ樹脂等のモールド樹脂１４を施す
方法として、第３図のような上部開放のフツ素樹
脂のケース１５を形成してこれを金型のかわりに
用いる。
方法として、第３図のような上部開放のフツ素樹
脂のケース１５を形成してこれを金型のかわりに
用いる。
即ち、両端に端子１３を有する磁器素体１１を
ケース１５に入れて、その上端の端子１３はケー
ス１５の上縁付近に突出させ、下端の端子１３は
ケース１５の底部に設けた孔から突出させる。
ケース１５に入れて、その上端の端子１３はケー
ス１５の上縁付近に突出させ、下端の端子１３は
ケース１５の底部に設けた孔から突出させる。
そして、このケース１５内に液状のエポキシ樹
脂を注入し、硬化させてモールド樹脂１４とす
る。
脂を注入し、硬化させてモールド樹脂１４とす
る。
エポキシ樹脂が硬化した後、コンデンサをレー
ザー装置に組込む際にケース１５の上下に、第１
図のように金属製のコンデンサ取付け用の電極１
８を重ねてこの各電極１８に設けた挿入孔に各ビ
ス１９を挿入し、コンデンサの上下の各端子１３
に設けたネジ孔に螺合して固定するが、このとき
上部の電極１８によりケース１５の開口を密閉す
るとよい。
ザー装置に組込む際にケース１５の上下に、第１
図のように金属製のコンデンサ取付け用の電極１
８を重ねてこの各電極１８に設けた挿入孔に各ビ
ス１９を挿入し、コンデンサの上下の各端子１３
に設けたネジ孔に螺合して固定するが、このとき
上部の電極１８によりケース１５の開口を密閉す
るとよい。
又、第３図のように別に形成したフツ素樹脂か
らなる蓋板１７によつてケース１５の開口を閉鎖
したり、或いはフツ素ゴム等の比較的低温処理の
可能な材料により開口部に露出しているモールド
樹脂１４の表面処理を施すことで直接ガスに触れ
ないようにできる。
らなる蓋板１７によつてケース１５の開口を閉鎖
したり、或いはフツ素ゴム等の比較的低温処理の
可能な材料により開口部に露出しているモールド
樹脂１４の表面処理を施すことで直接ガスに触れ
ないようにできる。
上記のフツ素樹脂のケース１５や蓋板１７は実
施例のようにフツ素樹脂のみで形成する場合の他
に熱硬化性等のフツ素樹脂の焼付け温度に耐える
樹脂製のケースや蓋板の外側にフツ素樹脂を焼付
けてフツ素樹脂の層を形成したものでもよい。
施例のようにフツ素樹脂のみで形成する場合の他
に熱硬化性等のフツ素樹脂の焼付け温度に耐える
樹脂製のケースや蓋板の外側にフツ素樹脂を焼付
けてフツ素樹脂の層を形成したものでもよい。
〈効果〉
この考案は上記のように、高圧用磁器コンデン
サのエポキシ樹脂等のモールド樹脂の外側をフツ
素樹脂で形成したケースによつて覆つたものであ
るから、この考案のコンデンサをエキシマレーザ
ー等のレーザー管内のようなハロゲンガス中で使
用しても、モールド樹脂がハロゲンガスにより侵
されるようなことがない。
サのエポキシ樹脂等のモールド樹脂の外側をフツ
素樹脂で形成したケースによつて覆つたものであ
るから、この考案のコンデンサをエキシマレーザ
ー等のレーザー管内のようなハロゲンガス中で使
用しても、モールド樹脂がハロゲンガスにより侵
されるようなことがない。
従つて例えばエキシマレーザー管内にこのコン
デンサを取付けることにより放電経路が短くなつ
てインダクタンスが小さくなり、ロスが少なくな
つて、レーザー効率が向上とするという優れた効
果が得られる。
デンサを取付けることにより放電経路が短くなつ
てインダクタンスが小さくなり、ロスが少なくな
つて、レーザー効率が向上とするという優れた効
果が得られる。
第１図はこの考案の高圧用磁器コンデンサの一
例を示す縦断側面図、第２図はフツ素樹脂のケー
スにエポキシ樹脂を注入した状態の縦断側面図、
第３図はフツ素樹脂のケースと蓋板の斜視図、第
４図は従来の高圧用磁器コンデンサの一例を示す
縦断側面図である。 １１……磁器素体、１２……電極、１３……端
子、１４……モールド樹脂、１５……ケース、１
７……蓋板。
例を示す縦断側面図、第２図はフツ素樹脂のケー
スにエポキシ樹脂を注入した状態の縦断側面図、
第３図はフツ素樹脂のケースと蓋板の斜視図、第
４図は従来の高圧用磁器コンデンサの一例を示す
縦断側面図である。 １１……磁器素体、１２……電極、１３……端
子、１４……モールド樹脂、１５……ケース、１
７……蓋板。
Claims (1)
- モールド樹脂を施した高圧用磁器コンデンサに
おいて、該モールド樹脂をフツ素樹脂からなるケ
ースで覆つたことを特徴とする高圧用磁器コンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222886U JPH0416420Y2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222886U JPH0416420Y2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62192624U JPS62192624U (ja) | 1987-12-08 |
| JPH0416420Y2 true JPH0416420Y2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=30934688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8222886U Expired JPH0416420Y2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416420Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6031996B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | 高圧コンデンサ |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP8222886U patent/JPH0416420Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62192624U (ja) | 1987-12-08 |
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