JPH0416466B2 - - Google Patents

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JPH0416466B2
JPH0416466B2 JP8497483A JP8497483A JPH0416466B2 JP H0416466 B2 JPH0416466 B2 JP H0416466B2 JP 8497483 A JP8497483 A JP 8497483A JP 8497483 A JP8497483 A JP 8497483A JP H0416466 B2 JPH0416466 B2 JP H0416466B2
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JP
Japan
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mol
formula
reaction
benzene
solvent
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JP8497483A
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JPS59212468A (ja
Inventor
Akyoshi Ueda
Hiroshi Takakura
Shigeru Kojima
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Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
Nippon Soda Co Ltd
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Publication date
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  • Pyrrole Compounds (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は医薬、農薬等の中間体として有用な一
般式 (式中Rは低級アルキル基を、Xはハロゲン原子
を、nは0、1又は2を示す。)で表わされる化
合物及びその製造方法に関するものである。
本発明化合物は、例えば2位を脱炭酸したのち
1位にアシル化することにより特開昭56−
7967255−51066、55−57508等に記載の農園芸用
殺菌剤を収率よく製造できる。
上記ピロール誘導体の殺菌剤の製造方法として
は下記反応式に示す方法が知られている。
(式中X及びnは前記と同一の意味を示し、
R′はH、低級アルキル又はメトキシメチルを示
す。)しかしながら該製造方法は化合物()と
化合物()を反応させることにより本発明化合
物を経ることなく式()で表わされるピロール
誘導体が得られるが、その収率はXnの種類、反
応条件により30〜70%と低収率であるばかりでな
く、重要な原料化合物である化合物()は下記
反応式に示す方法により製造されることが知られ
ているが、収率が低く高いコストがかかる等の欠
点を有していた。
本発明者らはより入手しやすい安価な原料を用
いて収率よく前記ピロール誘導体を製造する方法
について検討を重ね本発明を完成した。
本発明の化合物は一般式 (式中X及びnは前記と同一の意味を示し、Zは
ハロゲン原子、ニトリル基又は式SO2r(rはアル
キル基又はアリール基を示す。)で表わされるス
ルホニル基を示す。}で表わされるシンナムニト
リル類と一般式()CNCH2COOR(式中Rは前
記と同一の意味を示す。)で表わされるイソシア
ノ酢酸エステル類とを有機溶媒中、塩基又は触媒
の存在下反応させることにより製造することがで
きる。
塩基としては水素化ナトリウム、ナトリウムア
ルコキシド、カリウムアルコキシド、金属ナトリ
ウム、炭酸カリあるいは炭酸ナトリウム等の有機
又は無機塩基が用いられる。塩基として水素化ナ
トリウム、アルコラート、金属ナトリウム等を用
いる場合は有機溶媒はベンゼン、トルエン、エー
テル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等
の非水素溶媒を用いることができるが、ジメトキ
シエタン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド等のアニオン安定化溶媒を用いるか又は
イソシアノ酢酸エステルと当量のジメチルスルホ
キシドもしくはジメチルホルムアミドを添加した
混合溶媒を用いるのが好ましい。塩基として炭酸
ナトリムウを用いる場合は前記の溶媒の他にメタ
ノール、エタノール等を用いることもでき、特に
含水エタノールを用いるのが好ましい。触媒とし
てはイソシアノ酢酸エステル類と錯体を形成する
銅化合物、例えば酸化第1銅が用いられる。
反応温度は用いる塩基、溶媒等により異なるが
通常室温あるいは冷却下0℃〜45℃の緩和な条件
下で行われる。但し、炭酸ナトリウム−含水エタ
ノールの系で反応を行なう場合は加熱還流下でも
可能である。
前記一般式()で表わされるシンナムニトリ
ル類のZとしては塩素、臭素、ニトリル、メタン
スルホニル、エタンスルホニル、トシル等脱離基
として利用できる官能基を用いることができる
が、スルホン酸含有基を用いるのが好ましい。
尚、本発明化合物の構造はMASS,NMR,IR
等のスペクトル分析結果から決定した。
以下、実施例を挙げて本発明化合物の製造方法
について更に詳しく説明する。
実施例 1 30ml4頚フラスコにα−シアノ−O−クロロシ
ンナモニトリル4.7g、60%水素化ナトリウム1.1
g、乾燥テトラヒドロフラン15mlを仕込み5〜10
℃に冷却し、窒素雰囲気下5mlの乾燥テトラヒド
ロフラン5mlに溶解したイソシアノ酢酸エチルエ
ステル3.1gを反応温度10℃以下で滴下した。滴
下後室温で3時間撹拌し反応を完結させ析出した
結晶を別した。液を減圧乾固せしめベンゼン
で溶解し水洗乾燥後再度減圧乾固した。得られた
粗結晶をエタノールで再結晶し、3gの3−シア
ノ−4−(2−クロルフエニル)−5−カルボエト
キシピロールを得た。収率44% 実施例 2 α−クロル−O−クロルシンナモニトリル2g
(0.01モル)とエチルイソシアノアセテート1.3g
(0.0115モル)を乾燥したベンゼン30mlに溶かし
た溶液をN2気流中、50%水素化ナトリウム0.6g
(0.0125モル)の乾燥したベンゼン20mlと
DMSO10mlの懸濁液に0°〜5℃の間で滴下し反応
させた。その後室温で1時間撹拌した。反応液を
氷水50mlの中に注入し、酢酸エチル30mlで2回抽
出し、有機層を飽和食塩水30mlで2回洗浄後硫酸
マグネシウムで乾燥して濃縮した。残留物をベン
ゼンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマト
グラフイーにかけ精製すると2−エトキシカルボ
ニル−3−(2−クロルフエニル)−4−シアノピ
ロール1gを得た。収率38% mp136−138℃ 実施例 3 α−クロルシンナモニトリル2.5g(0.015モ
ル)とエチルイソシアノアセテート2.1g
(0.0185モル)を乾燥したジメトキシエタン25ml
に溶かした溶液をN2気流中、50%NaH1.1g
(0.0229モル)の乾燥したジメトキシエタン15ml
の懸濁液に反応温度が45℃を越えないように徐々
に滴下した。その後室温で1時間撹拌した。反応
液を氷水30mlの中に注入し酢酸エチル50mlで抽出
し、有機層を飽和食塩水で洗浄後硫酸マグネシウ
ムで乾燥して濃縮した。残留物をベンゼンを展開
溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフイー
にかけ精製すると2−エトキシカルボニル−3−
フエニル−4−シアノピロール1.3gを得た。収
率36.1% mp156−158℃ 実施例 4 α−トシル−O−クロルシンナモニトリル2g
(0.0063モル)とエチルイソシアノアセテート0.9
g(0.0079モル)を乾燥したジメトキシエタン30
mlに溶かした溶液をN2気流中、50%NaH0.4g
(0.0083モル)の乾燥したジメトキシエタン10ml
の懸濁液に反応温度が45℃を越えないように徐々
に滴下した。その後室温で30分撹拌した。反応後
析出したp−トルエンフルフイン酸ソーダを別
し、液を濃縮して残留物を酢酸エチル50mlに溶
解させ飽和食塩水で洗浄、次いで硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧下留去した。得られた粗
結晶をn−ヘキサン/ベンゼン2対1の混合溶媒
10mlで洗浄し、2−エトキシカルボニル−3−
(2−クロルフエニル)−4−シアノピロール0.9
gを得た。洗液を濃縮して残留物をベンゼンを展
開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーにかけ精製し、二次晶として0.53g得られた。
収率 82.7% mp136−138℃ 実施例 5 α−トシル−シンナモニトリル3g(0.0106モ
ル)とエチルイソシアノアセテート1.4g
(0.0123モル)を乾燥したジメトキシエタン20ml
に溶かした溶液をN2気流下50%NaH0.6g
(0.0125モル)の乾燥したジメトキシエタン10ml
の懸濁液に反応温度が43℃を越えないように徐々
に滴下した。その後室温で1時間撹拌した。反応
後析出したp−トルエンスルフイン酸ソーダを
別し、液を濃縮して残留物を酢酸エチル30mlに
溶解させ、飽和食塩水で水洗後硫酸マグネシウム
で乾燥して、溶媒を減圧下留去した。得られた粗
結晶をn−ヘキサン、ベンゼン1対1の混合溶媒
10mlで洗浄し、1.8gの2−エトキシカルボニル
−3−フエニル−4−シアノピロール1.8gを得
た。洗液を濃縮して残留物をベンゼンを展開溶媒
としてシリカゲルカラムクロマトグラフイーにか
け精製すると二次晶として0.128gを得た。収率
75.8% mp156−158℃ 実施例 6 α−メチルスルホニル−0−クロルシンナモニ
トリル2g(0.00828モル)とエチルイソシアノ
アセテート1g(0.0088モル)を乾燥したジメト
キシエタン25mlに溶かした溶液をN2気流中50%
NaH0.4g(0.0083モル)の乾燥したジメトキシ
エタン10mlの懸濁液に反応温度が40℃を越えない
ように徐々に滴下した。その後室温で30分撹拌し
た。反応後析出したメタンスルフイン酸ナトリウ
ムを別し、液を濃縮して得られた残留物をn
−ヘキサン40mlで2回洗浄して鉱油成分を除去
し、次いで残渣を酢酸エチル35mlに溶解させ飽和
食塩水で洗浄、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し
溶媒を減圧下留去した。得られた粗結晶をn−ヘ
キサンヘンゼン1対1の混合溶媒10mlで洗浄し、
2−エトキシカルボニル−3−(2−クロルフエ
ニル)−4−シアノピロール1.5gを得た。洗液を
濃縮して残留物をベンゼンを展開溶媒としてシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーにかけ精製し、
二次晶として0.36g得た。収率82.7% mp140−
141℃ 実施例 7 α−メチルスルホニル−0−クロルシンナモニ
トリル2g(0.00828モル)とエチルイソシアノ
アセテート0.95g(0.0084モル)をエタノール40
mlに溶かした溶液に炭酸ナトリウム0.53g
(0.005モル)を加え50分間加熱還流した。反応終
了後室温に冷却し、過して析出した炭酸ナトリ
ウムの結晶を除いた。液に酢酸エチルエステル
30mlを加えて過し、液を飽和食塩水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去
した。得られた粗結晶をn−ヘキサン−ベンゼン
7対3の混合溶媒で洗浄し、2−エトキシカルボ
ニル−3−(2−クロルフエニル)−4−シアノピ
ロール1.55gを得た。洗液を濃縮してベンゼンを
展開溶媒としてカラムクロマトグラフイーにかけ
て精製し二次晶として0.1gを得た。収率 72.7
% 実施例 8 α−トシル−0−クロルシンナモニトリル6.35
(0.02モル)、エチルイソシアノアセテート2.26g
(0.02モル)、炭酸ナトリウム1.06g(0.01モル)、
エタノール30ml、水10mlからなる懸濁液を撹拌
下、30分間加熱還流した。反応液はロータリーエ
バポレーターを用いてエタノールを留去の後残渣
をベンゼン抽出した。ベンゼン層は水洗後、硫酸
マグネシウムにて乾燥、溶媒を留去した。得られ
た結晶は、n−ヘキサン洗浄して5.5gの2−エ
トキシカルボニル−3−(2−クロルフエニル)−
4−シアノピロールを得た。高速液体クロマトグ
ラフイー純度92.3% 収率 92.3% 参考例 1 エタノール8ml、水16.3ml、水酸化ナトリウム
1.6g(0.04モル)からなる溶液中に2−エトキ
シカルボニル−3−(2−クロルフエニル)−4−
シアノピロール5.49g(0.02モル)を加え、撹拌
下、5時間加熱還流した。反応液は冷却後、氷水
中に注加し、次いで塩酸を加えて酸性とした。こ
のものは酢酸エチルで抽出し、有機層は飽和食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下に留去、真空ポンプで乾燥して4.52gの
2−カルボキシ−3−(2−クロルフエニル)−4
−シアノピロールを得た。収率91.3% 分解点
215.1℃ (このものは特に精製する事なく次工程へ用いる
事が出来る純度を有する。) 参考例 2 2−カルボキシ−3−(2−クロルフエニル)−
4−シアノピロール9.86g(0.04モル)、キノリ
ン20ml、酸化第二銅0.64g(0.008モル)からな
る混合物を撹拌下、150〜60℃にて2.5時間加熱し
た。反応液は室温まで冷却後、濃塩酸20gを含む
氷水中に注加した。酢酸エチル200mlを用いて抽
出後、有機層は飽和食塩水で洗浄、次いで硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去して
粗製品8.0gを得た。
粗製品はシリカゲルカラムクロマト法(溶出液
ベンゼン)で精製し、7.03gの3−(2−クロル
フエニル)−4−シアノピロールを得た。
収率 86.8% 融点 139.4℃

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (1) 一般式 (式中Rは低級アルキル基を、Xはハロゲン原子
    を、nは0、1又は2を示す。)で表わされる化
    合物。 2 一般式 {式中Xはハロゲン原子を、nは0、1又は2
    を、Zはハロゲン原子、シアノ基又は式SO2r(r
    はアルキル基又はアリール基を示す。)で表わさ
    れるスルホニル基を示す。}で表わされるシンナ
    ムニトリル類と、 一般式 CNCH2COOR () (式中Rは低級アルキル基を示す。)で表わされ
    るイソシアノ酢酸エステル類とを反応させること
    を特徴とする一般式 (式中X、R及びnは前記と同一の意味を示す。)
    で表わされる化合物の製造方法。 3 有機溶媒中塩基の存在下反応させる特許請求
    の範囲第2項記載の製造方法。 4 有機溶媒中触媒の存在下反応させる特許請求
    の範囲第2項記載の製造方法。 5 ZがSO2r(rはアルキル基又はアリール基を
    示す。)である特許請求の範囲第2,3又は4項
    記載の製造方法。
JP8497483A 1983-05-17 1983-05-17 3−フエニル−4−シアノピロ−ル誘導体及び製造方法 Granted JPS59212468A (ja)

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JPS59212468A JPS59212468A (ja) 1984-12-01
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