JPH0416552B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、各種表示体、例えば、液晶パネルや
エレクトロクロミツクなどにおける表示媒体の駆
動用電極として、酸化錫（SnO₂）膜を用いる際
の、パターニング工程におけるエツチングに関す
る。 一般に、SnO₂膜のパターニングのプロセスは、
ガラス基板上に、物理的又は化学的蒸着法により
SnO₂薄膜（約300〓程度）を形成した後、フオト
レジスト材を塗布、乾燥し、その後、所要のパタ
ーン（例えば、数字、文字、図形などの形状）に
作成した露光マスクを用いて所要部分のみを感光
させ、その後、不要部分のレジストを除去して、
所要のパターン以外の部分のSnO₂膜を表面に露
出させる。しかる後、本件が関係するエツチング
工程に入り、以下に述べるエツチング液に浸漬さ
せ、その不要部分のSnO₂膜を除去して所要のパ
ターンを形成した後、最後に、所要パターンの表
面に残つているレジスト膜を除去してパターニン
グは完了する。 さて、従来、SnO₂膜のエツチング法は、次の
化学式に示すようなモデルで、塩酸水溶液
（HCl）と亜鉛粉末（Zn）を併用して、還元性の
強い発生基の水素H⁺を発生させ、その還元力に
よりSnO₂膜を金属錫化させ、ガラス表面から析
出解離させていくプロセスにより、SnO₂膜を除
去（エツチング）できると考えられてきた。 Zn＋2HCl→ZnCl₂＋2H⁺ (1) SnO₂＋4H⁺→Sn＋2H₂O (2) しかるに、実際には、この発生基の水素（H⁺）
の状態は長く続かず、たちまちのうちにイオン性
を失ない、水素ガスとなつてZnやSnO₂膜の表面
に吸着し、HClとZnとの反応は抑制又は停止さ
せてしまう。つまり(1)式は、 Zn＋2HCl→ZnCl₂＋2H⁺→ZnCl₂＋H₂↑ ……(3) となりやすい。 このため(2)式に示す反応は続かず、従つて実際
のエツチングの品質としては不完全なものとな
り、除去すべき部分にSnO₂膜が残つたり、その
残つたSnO₂膜を除去しようとして、長時間浸漬
しておくと、今度は、除去すべきでない部分のエ
ツジ部から浸食が起こり（オーバーエツチングと
称する）、実使用に耐えない品質に作り込んでし
まう事になり、ひいては、止留りの低下、手間の
増大など、著しく生産性を落す結果になつてい
た。 本発明は、かかる不具合点を解消するために、
発生基の水素の発生を永続的かつ活発に起こさせ
るための手段を発明したものである。 着眼点として、ガス化してしまつた水素分子が
SnO₂膜やZn粉末の表面に吸着、する前に、他の
物質に吸着させ、常にSnO₂とZnと、そしてHCl
とが互に接触し反応が持続できるように、その吸
着物質を考案することにあつた。 気体吸着力の大きい元素を調査した結果、次の
ようなデータが得られた。（抜萃）

【表】 この中から、特にH₂ガス吸着量に着目すると、
Pd，Pt，Niが、その性質が強いことがわかる。 我々は、これらの元素から、イオン化傾向の強
いNiに着目し、量産上、入手しやすい塩化ニツ
ケル（NiCl）を対象にして実験を行なつた結果、
次のような条件下で、期待通りのエツチング残り
や、オーバーエツチングのない優れたパターニン
グが可能となつた。 (イ) SnO₂膜 200〜500Å (ロ) HCl濃度 0.4〜2.0wt％（規定0.5〜1.0N） (ハ) NiCl濃度 1.0〜5.0wt％ (ニ) Zn粉末量 軽い散布程度 (ホ) 浸漬時間 ２〜３分

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 塩化ニツケル1.0〜5.0wt％および塩酸水溶液
   を含んだエツチング液と、亜鉛を用いることを特
   徴とする酸化錫膜のエツチング法。