JPH04166947A - Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露光装置 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露光装置Info
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- JPH04166947A JPH04166947A JP2294543A JP29454390A JPH04166947A JP H04166947 A JPH04166947 A JP H04166947A JP 2294543 A JP2294543 A JP 2294543A JP 29454390 A JP29454390 A JP 29454390A JP H04166947 A JPH04166947 A JP H04166947A
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims description 16
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露
光装置に関し、Ｘ線により励起された２次電了のレジス
ト中ての散乱ノｊ向を規制して、形成されるレジストパ
ターンの解像度を向」ニさせたものである。
光装置に関し、Ｘ線により励起された２次電了のレジス
ト中ての散乱ノｊ向を規制して、形成されるレジストパ
ターンの解像度を向」ニさせたものである。
Ｘ線リソグラフィは、従来の紫外線を使用したりソグラ
フィに比べて細い線幅のパターンを容品に形成できるた
め、超々Ｌ Ｓ Ｉ製作用の露光１１Ｊ光源として期待
されている。特に、最近ではシンクロトロン放射による
強力で平行性のよいＸ線を用いたＸ線リソグラフィの研
究かさかんに行なわれている。
フィに比べて細い線幅のパターンを容品に形成できるた
め、超々Ｌ Ｓ Ｉ製作用の露光１１Ｊ光源として期待
されている。特に、最近ではシンクロトロン放射による
強力で平行性のよいＸ線を用いたＸ線リソグラフィの研
究かさかんに行なわれている。
従来におけるＸ線リソグラフィによる露光方法を第２図
に示す。シリコン等のウェハ］０上にはＸ線用レジスト
１２が塗布されている。
に示す。シリコン等のウェハ］０上にはＸ線用レジスト
１２が塗布されている。
ウェハ１０の上方には微少距離を隔ててＸ線透過祠でで
きたマスク１４が平行に配設されている。
きたマスク１４が平行に配設されている。
マスク１４にはＬＳＩ回路の微細パターンがＸ線吸収体
１６で描かれている。
１６で描かれている。
Ｘ線１８をＸ線源１７から出射してマスク１４の上方か
ら照射すると、Ｘ線１８のうちＸ線吸収体１６に当たっ
た部分はここで吸収され、それ以外の部分はマスク１４
を透過してＸ線用レジスト１２に照射される。Ｘ線用レ
ジスト１２に照射されたＸ線１８のエネルギは、このＸ
線用レジスト１２中で光電子放出の形で吸収され、Ｘ線
用レジストパターンに光電子を放出する。この光電子は
Ｘ線用レジスト１２に化学反応を及ぼし、これを現像す
ることによりマスク１４上のＸ線吸収体１６による微細
パターンが転写された形のレジストパターンがウェハ］
０上に形成される。
ら照射すると、Ｘ線１８のうちＸ線吸収体１６に当たっ
た部分はここで吸収され、それ以外の部分はマスク１４
を透過してＸ線用レジスト１２に照射される。Ｘ線用レ
ジスト１２に照射されたＸ線１８のエネルギは、このＸ
線用レジスト１２中で光電子放出の形で吸収され、Ｘ線
用レジストパターンに光電子を放出する。この光電子は
Ｘ線用レジスト１２に化学反応を及ぼし、これを現像す
ることによりマスク１４上のＸ線吸収体１６による微細
パターンが転写された形のレジストパターンがウェハ］
０上に形成される。
第２図の従来の露光方法におけるＸ線用レジスト１２中
での光電子放出および散乱の様子を第３図に示す。Ｘ線
］８が照射されると、Ｘ線用レジスト］２中で光電子２
０が放出されて、このＸ線すンスト］２に化学反応を及
はし、レジストパターンを形成する。ところが、この光
電子２０は四方に散乱するため、形成されるレジストパ
ターンのエツジがほけてしまい、解像度を低ドさせてい
た。
での光電子放出および散乱の様子を第３図に示す。Ｘ線
］８が照射されると、Ｘ線用レジスト］２中で光電子２
０が放出されて、このＸ線すンスト］２に化学反応を及
はし、レジストパターンを形成する。ところが、この光
電子２０は四方に散乱するため、形成されるレジストパ
ターンのエツジがほけてしまい、解像度を低ドさせてい
た。
この発明は、前記従来の技術における問題点を解決して
、Ｘ線用レジスト中での光電子の散乱方向を規制して、
レジストパターンのエツジのはけを防止して解像度を向
上させたＸ線リソグラフィによる露光方法および露光装
置を提供しようとするものである。
、Ｘ線用レジスト中での光電子の散乱方向を規制して、
レジストパターンのエツジのはけを防止して解像度を向
上させたＸ線リソグラフィによる露光方法および露光装
置を提供しようとするものである。
この発明のＸ線リソグラフィによる露光方法は、Ｘ線用
レジストを塗布したウェハをマスクに対向配置し、Ｘ線
を前記マスクを通して前記Ｘ線用レジストに照射して露
光を行なうＸ線リソグラフィによる露光方法において、
前記Ｘ線用レジストに対し略々前記Ｘ線の照射方向に沿
って電界を印加した状態で露光を行なうことを特徴とす
るものである。
レジストを塗布したウェハをマスクに対向配置し、Ｘ線
を前記マスクを通して前記Ｘ線用レジストに照射して露
光を行なうＸ線リソグラフィによる露光方法において、
前記Ｘ線用レジストに対し略々前記Ｘ線の照射方向に沿
って電界を印加した状態で露光を行なうことを特徴とす
るものである。
また、この発明のＸ線リソグラフィの露光装置は、Ｘ線
用レジストを塗布したウェハと、このウェハに対向配置
されたマスクと、Ｘ線を前記マスクを通して前記Ｘ線用
レジストに照射するＸ線源と、前記Ｘ線の照射を行なう
時に前記ウエノ１と前記マスクとの間に電圧を印加して
、前記Ｘ線レジストに対し略々前記Ｘ線の照射方向に沿
って電界を印加する電源とを具備してなるものである。
用レジストを塗布したウェハと、このウェハに対向配置
されたマスクと、Ｘ線を前記マスクを通して前記Ｘ線用
レジストに照射するＸ線源と、前記Ｘ線の照射を行なう
時に前記ウエノ１と前記マスクとの間に電圧を印加して
、前記Ｘ線レジストに対し略々前記Ｘ線の照射方向に沿
って電界を印加する電源とを具備してなるものである。
この発明のＸ線リソグラフィの露光方法によれば、Ｘ線
用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿って電界を印
加した状態で露光を行なうようにしたので、Ｘ線用レジ
スト中の光電子は電界の方向すなわちＸ線用レジストの
厚さ方向に移動し、レジスト膜に沿った方向の移動が抑
制される。したがって、光電子の散乱方向が規制されて
、レジストパターンのエツジのほけが防止され、解像度
が向上する。
用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿って電界を印
加した状態で露光を行なうようにしたので、Ｘ線用レジ
スト中の光電子は電界の方向すなわちＸ線用レジストの
厚さ方向に移動し、レジスト膜に沿った方向の移動が抑
制される。したがって、光電子の散乱方向が規制されて
、レジストパターンのエツジのほけが防止され、解像度
が向上する。
また、この発明のＸ線リソグラフィの露光装置によれば
、ウェハとマスクとの間に電圧を印加することによりＸ
線用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿った電界が
印加されて上記露光方法が実現される。
、ウェハとマスクとの間に電圧を印加することによりＸ
線用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿った電界が
印加されて上記露光方法が実現される。
この発明の一実施例を第１図に示す。
シリコン等のウェハ１０上にはＸ線用レジスト１２が塗
布されている。Ｘ線用レジスト１２は、ＰＭＭＡ、、Ｆ
ＢＭＳＤＣＰＡ等のポジ型またはネガ型レジストが用い
られている。
布されている。Ｘ線用レジスト１２は、ＰＭＭＡ、、Ｆ
ＢＭＳＤＣＰＡ等のポジ型またはネガ型レジストが用い
られている。
ウェハ１０の上方には微少距離を隔ててＸ線透過祠でで
きたマスク１４が平行に配設されている。
きたマスク１４が平行に配設されている。
ウェハ１０とマスク１４と距離は近接露光法の場合は数
μｍ程度に設定されている。マスク１４にはＬＳＩ回路
の微細パターンが金、タングステン等のＸ線吸収体］６
で描かれている。ウェハ１〇の下面には十電極２２が配
設されている。マスク］４は十電極として作用し、十電
極２２とマスク１４間には直流電源２４が接続されて、
電界２６を形成している。
μｍ程度に設定されている。マスク１４にはＬＳＩ回路
の微細パターンが金、タングステン等のＸ線吸収体］６
で描かれている。ウェハ１〇の下面には十電極２２が配
設されている。マスク］４は十電極として作用し、十電
極２２とマスク１４間には直流電源２４が接続されて、
電界２６を形成している。
Ｘ線１８をＸ線源１７から出射してマスク１４の上方か
ら照射すると、Ｘ線１８のうちＫＸ線吸収体１６に！ま
たった部分はここで吸収され、それ以夕（の部分はマス
ク１４を透過してＸ線用リンス１〜１２に照射される。
ら照射すると、Ｘ線１８のうちＫＸ線吸収体１６に！ま
たった部分はここで吸収され、それ以夕（の部分はマス
ク１４を透過してＸ線用リンス１〜１２に照射される。
Ｘ線用レジスト１２に照射されたＸ線のエネルギは、こ
のＸ線用レジスト１２中で光電子放出の形で吸収され、
Ｘ線用レジストパターンに光電子を放出する。この光電
子はＸ線用レジスト１２に化学反応を及ぼし、これを現
像することによりマスク１４」二のＸ線吸収体１６によ
る微細パターンが転写された形のレジストパターンがウ
ェハ１０」二に形成される。
のＸ線用レジスト１２中で光電子放出の形で吸収され、
Ｘ線用レジストパターンに光電子を放出する。この光電
子はＸ線用レジスト１２に化学反応を及ぼし、これを現
像することによりマスク１４」二のＸ線吸収体１６によ
る微細パターンが転写された形のレジストパターンがウ
ェハ１０」二に形成される。
第１図の露光方法によるＸ線用レジスト１２中での光電
ｒ−放出および散乱の様子を第４図に示す。
ｒ−放出および散乱の様子を第４図に示す。
Ｘ線１８か照射されると、Ｘ線用レジストパターンて光
電子−２０が放１］１されて、このＸ線すンスト］２に
化学反応を及はす。
電子−２０が放１］１されて、このＸ線すンスト］２に
化学反応を及はす。
Ｘ線用レジスト１２中には略々Ｘ線１８の照射方向に沿
って電界２６が形成されている。このため、光電子２０
はこの電界２６によりｌ−電極２２の方向に吸引される
。したがって、光電子２０はレジスト膜に沿った方向（
４，＋、′ｉ）ｊ向）への散乱は抑制されるので、レジ
ストパターンのエツジのはけか防１１”されて、解像度
が向」二する。
って電界２６が形成されている。このため、光電子２０
はこの電界２６によりｌ−電極２２の方向に吸引される
。したがって、光電子２０はレジスト膜に沿った方向（
４，＋、′ｉ）ｊ向）への散乱は抑制されるので、レジ
ストパターンのエツジのはけか防１１”されて、解像度
が向」二する。
前記実施例では、ウェハ１０の下面に電極２２を配設し
たが、ウェハ１０自体を導電性のもので構成すれば、ウ
ェハ］Ｏ自体を電極に兼用することができ、独立した電
極２２を不要にすることができる。
たが、ウェハ１０自体を導電性のもので構成すれば、ウ
ェハ］Ｏ自体を電極に兼用することができ、独立した電
極２２を不要にすることができる。
また、電極の極性を逆にすれば、ウェハからの光電子も
レジストの反応に利用でき、感度の向」二か期待できる
。
レジストの反応に利用でき、感度の向」二か期待できる
。
以」−説明したように、この発明のＸ線リソグラフ、イ
の露光り法によれば、Ｘ線用レジストにり・ｊし略々Ｘ
線の照射方向に沿って電界を印加した状態で露光を行な
うようにしたので、Ｘ線用レジスト中の光電子は電界の
方向すなわちＸ線用レジストの厚さ方向に移動し、レジ
スト膜に沿った方向の移動が抑制される。したかって、
光電子の散乱方向が規制されて、レジストパターンのエ
ツジのはけが防１トされ、解像度が向上する。
の露光り法によれば、Ｘ線用レジストにり・ｊし略々Ｘ
線の照射方向に沿って電界を印加した状態で露光を行な
うようにしたので、Ｘ線用レジスト中の光電子は電界の
方向すなわちＸ線用レジストの厚さ方向に移動し、レジ
スト膜に沿った方向の移動が抑制される。したかって、
光電子の散乱方向が規制されて、レジストパターンのエ
ツジのはけが防１トされ、解像度が向上する。
また、この発明のＸ線リソグラフィの露光装置によれば
、ウェハとマスクとの間に電圧を印加することによりＸ
線用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿った電界が
印加されて上記露光方法が実現される。
、ウェハとマスクとの間に電圧を印加することによりＸ
線用レジストに対し略々Ｘ線の照射方向に沿った電界が
印加されて上記露光方法が実現される。
第１図は、この発明の一実施例を示す側面図である。
第２図は、従来のＸ線リソグラフィによる露光方法を示
す側面図である。 第３図は、第２図の従来の露光方法によるＸ線用レジス
ト・中での光電子の放出および散乱の様子−つ − を示す一部拡大側面図である。 第４図は、第１図の露光ｈ゛法によるＸ線用レジスト中
での光電子の放出および散乱の様ｒを示す一部拡大側面
図である。 １０・・ウェハ、１２・・Ｘ線用レジスト、１４・・・
マスク、１８・・Ｘ線、２４・・電源、２６・・電界。 出願人 石川島播磨重王業株式会？１−１（，１− 町 ′ 幣 ― 桝 框 掻 剣（ 、Ｘ あ ： Ｎ
す側面図である。 第３図は、第２図の従来の露光方法によるＸ線用レジス
ト・中での光電子の放出および散乱の様子−つ − を示す一部拡大側面図である。 第４図は、第１図の露光ｈ゛法によるＸ線用レジスト中
での光電子の放出および散乱の様ｒを示す一部拡大側面
図である。 １０・・ウェハ、１２・・Ｘ線用レジスト、１４・・・
マスク、１８・・Ｘ線、２４・・電源、２６・・電界。 出願人 石川島播磨重王業株式会？１−１（，１− 町 ′ 幣 ― 桝 框 掻 剣（ 、Ｘ あ ： Ｎ
Claims (2)
- （１）Ｘ線用レジストを塗布したウェハをマスクに対向
配置し、Ｘ線を前記マスクを通して前記Ｘ線用レジスト
に照射して露光を行なうＸ線リソグラフィによる露光方
法において、前記Ｘ線用レジストに対し略々前記Ｘ線の
照射方向に沿って電界を印加した状態で露光を行なうこ
とを特徴とするＸ線リソグラフィによる露光方法。 - （２）Ｘ線用レジストを塗布したウェハと、このウェハ
に対向配置されたマスクと、 Ｘ線を前記マスクを通して前記Ｘ線用レジストに照射す
るＸ線源と、 前記Ｘ線の照射を行なう時に前記ウェハと前記マスクと
の間に電圧を印加して、前記Ｘ線レジストに対し略々前
記Ｘ線の照射方向に沿って電界を印加する電源と を具備してなるＸ線リソグラフィによる露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294543A JPH04166947A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294543A JPH04166947A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04166947A true JPH04166947A (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=17809149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294543A Pending JPH04166947A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | Ｘ線リソグラフィによる露光方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04166947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟ｘ線露光装置 |
| US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2294543A patent/JPH04166947A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟ｘ線露光装置 |
| US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
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