JP2003124111A - 軟ｘ線露光装置 - Google Patents
軟ｘ線露光装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電子の衝突を避け、さらに、放電を防ぐこ
とのできる多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置を提供
する。 【解決手段】 多層膜反射鏡５０は、絶縁性の石英ガラ
ス基板５１の反射面に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性の多
層膜５３が成膜されている。同反射鏡５０の側面は保持
部材５５によって鏡筒５７の内壁に保持されている。多
層膜５３の一部には導線５９が電気的に接続している。
導線５９は、鏡筒５７の外部に延びて、電源６１の負極
と接続している。鏡筒５７は電源６１の正極に電気的に
接続して接地されている。軟Ｘ線６３の照射によって発
生した光電子６５は、相対的に正の電位が存在する鏡筒
５７方向に移動し、対向する多層膜への衝突を防ぐこと
ができる。
とのできる多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置を提供
する。 【解決手段】 多層膜反射鏡５０は、絶縁性の石英ガラ
ス基板５１の反射面に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性の多
層膜５３が成膜されている。同反射鏡５０の側面は保持
部材５５によって鏡筒５７の内壁に保持されている。多
層膜５３の一部には導線５９が電気的に接続している。
導線５９は、鏡筒５７の外部に延びて、電源６１の負極
と接続している。鏡筒５７は電源６１の正極に電気的に
接続して接地されている。軟Ｘ線６３の照射によって発
生した光電子６５は、相対的に正の電位が存在する鏡筒
５７方向に移動し、対向する多層膜への衝突を防ぐこと
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造に用いられる軟Ｘ線露光装置に関する。
の製造に用いられる軟Ｘ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化に伴い、
光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上
させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長
（１１〜１４ｎｍ）のＸ線を使用した投影リソグラフィ
技術が開発されている（例えば、Ｄ．Ｔｉｃｈｅｎｏ
ｒ，ｅｔ ａｌ.,ＳＰＩＥ２４３７（１９９５）２９２
参照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ
ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）リソグラフィと呼ばれてお
り、従来の波長１９０ｎｍの光線を用いた光リソグラフ
ィでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる
技術として期待されている。
光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上
させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長
（１１〜１４ｎｍ）のＸ線を使用した投影リソグラフィ
技術が開発されている（例えば、Ｄ．Ｔｉｃｈｅｎｏ
ｒ，ｅｔ ａｌ.,ＳＰＩＥ２４３７（１９９５）２９２
参照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ
ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）リソグラフィと呼ばれてお
り、従来の波長１９０ｎｍの光線を用いた光リソグラフ
ィでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる
技術として期待されている。
【０００３】Ｘ線の波長領域での物質の複素屈折率ｎ
は、ｎ＝１−δ−ｉｋ（δ、ｋは実数、ｎは複素数）で
表される。この屈折率の虚部ｋはＸ線の吸収を表す。
δ、ｋは１に比べて非常に小さいため、この領域での屈
折率は１に非常に近い。したがって従来のレンズ等の光
学素子を使用できず、反射を利用した光学系が使用され
る。反射面に斜め方向から入射したＸ線を全反射を利用
して反射させる斜入射光学系の場合、全反射臨界角θｃ
（波長１０ｎｍで２０°程度以下）よりも小さい（垂直
に近い）入射角度では、反射率が非常に小さい。なお、
ここで入射角度とは、反射面の法線と入射光がなす角度
を示す。
は、ｎ＝１−δ−ｉｋ（δ、ｋは実数、ｎは複素数）で
表される。この屈折率の虚部ｋはＸ線の吸収を表す。
δ、ｋは１に比べて非常に小さいため、この領域での屈
折率は１に非常に近い。したがって従来のレンズ等の光
学素子を使用できず、反射を利用した光学系が使用され
る。反射面に斜め方向から入射したＸ線を全反射を利用
して反射させる斜入射光学系の場合、全反射臨界角θｃ
（波長１０ｎｍで２０°程度以下）よりも小さい（垂直
に近い）入射角度では、反射率が非常に小さい。なお、
ここで入射角度とは、反射面の法線と入射光がなす角度
を示す。
【０００４】そこで、界面の振幅反射率がなるべく高い
物質を積層させることで反射面を多数（一例で数十〜数
百層）設けて、それぞれの反射波の位相が合うように光
干渉理論に基づいて各層の厚さを調整した多層膜反射鏡
が使用される。多層膜反射鏡は、使用されるＸ線波長域
における屈折率と、真空の屈折率（＝１）の差が大きい
物質と、その差が小さい物質とを、ガラス等の基板上に
交互に積層して形成される。多層膜の材料としては、タ
ングステン／炭素、モリブデン／炭素等の組み合わせを
用いたものが知られており、スパッタリングや真空蒸
着、ＣＶＤ等の薄膜形成技術により成膜されている。な
お、多層膜反射鏡は、垂直に入射したＸ線を反射するこ
とも可能であるため、全反射を用いた斜入射光学系より
も収差の少ない光学系を構成することができる。
物質を積層させることで反射面を多数（一例で数十〜数
百層）設けて、それぞれの反射波の位相が合うように光
干渉理論に基づいて各層の厚さを調整した多層膜反射鏡
が使用される。多層膜反射鏡は、使用されるＸ線波長域
における屈折率と、真空の屈折率（＝１）の差が大きい
物質と、その差が小さい物質とを、ガラス等の基板上に
交互に積層して形成される。多層膜の材料としては、タ
ングステン／炭素、モリブデン／炭素等の組み合わせを
用いたものが知られており、スパッタリングや真空蒸
着、ＣＶＤ等の薄膜形成技術により成膜されている。な
お、多層膜反射鏡は、垂直に入射したＸ線を反射するこ
とも可能であるため、全反射を用いた斜入射光学系より
も収差の少ない光学系を構成することができる。
【０００５】多層膜としてモリブデン（Ｍｏ）／シリコ
ン（Ｓｉ）を用いた場合、波長１２．６ｎｍのシリコン
のＬ吸収端の長波長側で高い反射率を示すことが知られ
ている。このため、波長１３ｎｍ付近で、垂直入射（入
射角度が０°）で６０％以上の高い反射率を有する多層
膜反射鏡を比較的容易に作製することができる。このよ
うなＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いた反射鏡は、ＥＵＶＬ（Ｅ
ｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ）と呼ばれる、軟Ｘ線を用いた縮小投影リソ
グラフィ技術へも応用される。
ン（Ｓｉ）を用いた場合、波長１２．６ｎｍのシリコン
のＬ吸収端の長波長側で高い反射率を示すことが知られ
ている。このため、波長１３ｎｍ付近で、垂直入射（入
射角度が０°）で６０％以上の高い反射率を有する多層
膜反射鏡を比較的容易に作製することができる。このよ
うなＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いた反射鏡は、ＥＵＶＬ（Ｅ
ｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ）と呼ばれる、軟Ｘ線を用いた縮小投影リソ
グラフィ技術へも応用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図７は、従来の多層膜
反射鏡の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射
鏡１５０は、ガラス等の基板１５１上の反射面に多層膜
１５３が成膜されたものである。同反射鏡１５０の側面
は保持部材１５５によって鏡筒１５７の内壁に保持され
ている。このような構造により、基板１５１がガラス等
の絶縁体の場合、同基板上に成膜された多層膜１５３は
鏡筒１５７と電気的に絶縁している。多層膜１５３は、
使用される材料によって絶縁性又は導電性を有する。例
えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合は導電性で、ケイ化モリ
ブデン（ＭｏＳｉ2）／シリコンカーバイド（ＳｉＣ）
多層膜の場合は絶縁性である。
反射鏡の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射
鏡１５０は、ガラス等の基板１５１上の反射面に多層膜
１５３が成膜されたものである。同反射鏡１５０の側面
は保持部材１５５によって鏡筒１５７の内壁に保持され
ている。このような構造により、基板１５１がガラス等
の絶縁体の場合、同基板上に成膜された多層膜１５３は
鏡筒１５７と電気的に絶縁している。多層膜１５３は、
使用される材料によって絶縁性又は導電性を有する。例
えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の場合は導電性で、ケイ化モリ
ブデン（ＭｏＳｉ2）／シリコンカーバイド（ＳｉＣ）
多層膜の場合は絶縁性である。
【０００７】一般に、光が物質に照射されると、この物
質から電子（光電子）が放出される（光電効果）。光電
子が放出されるには、照射される光のエネルギーが、照
射された物質の仕事関数より大きいことが必要であり、
放出される光電子のエネルギーは、光のエネルギーと物
質の仕事関数の差に等しい。上述の軟Ｘ線露光装置に用
いられる波長が１３ｎｍ付近の軟Ｘ線のエネルギーは約
１００ｅＶ（電子ボルト）と、光電子を放出させるのに
十分な大きさであり、物質（多層膜）の仕事関数は数ｅ
Ｖである。したがって、多層膜から放出される光電子の
エネルギーは約１００ｅＶ程度となる。
質から電子（光電子）が放出される（光電効果）。光電
子が放出されるには、照射される光のエネルギーが、照
射された物質の仕事関数より大きいことが必要であり、
放出される光電子のエネルギーは、光のエネルギーと物
質の仕事関数の差に等しい。上述の軟Ｘ線露光装置に用
いられる波長が１３ｎｍ付近の軟Ｘ線のエネルギーは約
１００ｅＶ（電子ボルト）と、光電子を放出させるのに
十分な大きさであり、物質（多層膜）の仕事関数は数ｅ
Ｖである。したがって、多層膜から放出される光電子の
エネルギーは約１００ｅＶ程度となる。
【０００８】ところで、多層膜反射鏡から放出された光
電子の進行方向に、この反射鏡と対向する別の多層膜反
射鏡が存在する場合、その反射面に光電子が衝突して、
表面や界面の粗さの増大等の損傷を与えることがある。
そして、このような損傷は多層膜の軟Ｘ線の反射率の低
下を招くおそれがある。
電子の進行方向に、この反射鏡と対向する別の多層膜反
射鏡が存在する場合、その反射面に光電子が衝突して、
表面や界面の粗さの増大等の損傷を与えることがある。
そして、このような損傷は多層膜の軟Ｘ線の反射率の低
下を招くおそれがある。
【０００９】また、多層膜から負電荷をもつ光電子が放
出されることによって、多層膜自体は正に帯電する。し
かし、上述のように多層膜は電気的に絶縁状態に保持さ
れているため、軟Ｘ線の照射とともに多層膜の帯電電位
は蓄積されていき、最終的には放電するおそれがある。
鏡筒内で放電が起こると、鏡筒の内外に配置されたセン
サ等に破壊等の影響を与える場合がある。
出されることによって、多層膜自体は正に帯電する。し
かし、上述のように多層膜は電気的に絶縁状態に保持さ
れているため、軟Ｘ線の照射とともに多層膜の帯電電位
は蓄積されていき、最終的には放電するおそれがある。
鏡筒内で放電が起こると、鏡筒の内外に配置されたセン
サ等に破壊等の影響を与える場合がある。
【００１０】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
もので、光電子の衝突を避け、さらに、放電を防ぐこと
のできる多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置を提供す
ることを目的とする。
もので、光電子の衝突を避け、さらに、放電を防ぐこと
のできる多層膜反射鏡を備えた軟Ｘ線露光装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の多層膜反射鏡は、 Ｘ線を発生させるＸ線
光源と、このＸ線光源からのＸ線をマスクに導く照明光
学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く投影
光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ
転写する軟Ｘ線露光装置において、 基板上に多層膜が
形成され、この多層膜によって軟Ｘ線を反射させる多層
膜反射鏡を複数枚有し、 前記多層膜反射鏡のうち少な
くとも１枚以上には、多層膜に電圧を印加して該多層膜
の電位を制御する手段を具備することを特徴とする。こ
の際、 前記手段は、多層膜に負電圧又はゼロボルト電
圧を印加して電位を制御するものであることが好まし
い。
め、本発明の多層膜反射鏡は、 Ｘ線を発生させるＸ線
光源と、このＸ線光源からのＸ線をマスクに導く照明光
学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く投影
光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ
転写する軟Ｘ線露光装置において、 基板上に多層膜が
形成され、この多層膜によって軟Ｘ線を反射させる多層
膜反射鏡を複数枚有し、 前記多層膜反射鏡のうち少な
くとも１枚以上には、多層膜に電圧を印加して該多層膜
の電位を制御する手段を具備することを特徴とする。こ
の際、 前記手段は、多層膜に負電圧又はゼロボルト電
圧を印加して電位を制御するものであることが好まし
い。
【００１２】本発明の他の態様の軟Ｘ線露光装置は、
Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線
をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからのＸ線を
感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパ
ターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置におい
て、 基板上に多層膜が形成され、この多層膜によって
軟Ｘ線を反射させる多層膜反射鏡を複数枚有し、 前記
多層膜反射鏡のうち少なくとも１枚以上には、多層膜の
上又は下に電極層が形成され、この電極層に電圧を印加
して該電極層の電位を制御する手段を具備することを特
徴とする。この際、 前記手段は、電極層に負電圧又は
ゼロボルト電圧を印加して電位を制御するものであるこ
とが好ましい。
Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線
をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからのＸ線を
感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパ
ターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置におい
て、 基板上に多層膜が形成され、この多層膜によって
軟Ｘ線を反射させる多層膜反射鏡を複数枚有し、 前記
多層膜反射鏡のうち少なくとも１枚以上には、多層膜の
上又は下に電極層が形成され、この電極層に電圧を印加
して該電極層の電位を制御する手段を具備することを特
徴とする。この際、 前記手段は、電極層に負電圧又は
ゼロボルト電圧を印加して電位を制御するものであるこ
とが好ましい。
【００１３】軟Ｘ線の多層膜反射鏡への照射によって発
生した光電子が、この反射鏡と対向する多層膜反射鏡に
衝突することを防ぐには、光電子の進行方向を、例えば
鏡筒方向にそらせばよい。光電子は負電荷をもっている
ため、相対的に正の電位が存在する方向に移動する。し
たがって、光電子の進行方向を鏡筒の方へ向けるには、
鏡筒内の電界の方向を、鏡筒から多層膜への方向とすれ
ばよい。すなわち、多層膜に負電圧を印加して同膜の電
位を負電圧とすれば、相対的に鏡筒の電位は正となり、
負電荷を持つ光電子は鏡筒の方向に移動する。これより
対向する多層膜への光電子の衝突を防ぐことができる。
生した光電子が、この反射鏡と対向する多層膜反射鏡に
衝突することを防ぐには、光電子の進行方向を、例えば
鏡筒方向にそらせばよい。光電子は負電荷をもっている
ため、相対的に正の電位が存在する方向に移動する。し
たがって、光電子の進行方向を鏡筒の方へ向けるには、
鏡筒内の電界の方向を、鏡筒から多層膜への方向とすれ
ばよい。すなわち、多層膜に負電圧を印加して同膜の電
位を負電圧とすれば、相対的に鏡筒の電位は正となり、
負電荷を持つ光電子は鏡筒の方向に移動する。これより
対向する多層膜への光電子の衝突を防ぐことができる。
【００１４】また、軟Ｘ線の照射によって多層膜から光
電子が放出されると、上述のように多層膜は正に帯電す
る。多層膜にゼロボルトを印加することは、多層膜を接
地することと電気的に等価である。したがって、多層膜
にゼロボルトを印加することによって、帯電した多層膜
の正電荷はアースへ逃げ、多層膜は帯電しない。多層膜
を接地する方法は、多層膜を導線を介して接地する方法
や、通常金属製の露光チャンバと多層膜を導線等で電気
的に接続する方法がある。他には、反射鏡保持部材や鏡
筒を金属製として、これらの露光チャンバと電気的に接
続し、多層膜とこれらの保持部材や鏡筒を電気的に接続
すればよい。
電子が放出されると、上述のように多層膜は正に帯電す
る。多層膜にゼロボルトを印加することは、多層膜を接
地することと電気的に等価である。したがって、多層膜
にゼロボルトを印加することによって、帯電した多層膜
の正電荷はアースへ逃げ、多層膜は帯電しない。多層膜
を接地する方法は、多層膜を導線を介して接地する方法
や、通常金属製の露光チャンバと多層膜を導線等で電気
的に接続する方法がある。他には、反射鏡保持部材や鏡
筒を金属製として、これらの露光チャンバと電気的に接
続し、多層膜とこれらの保持部材や鏡筒を電気的に接続
すればよい。
【００１５】本発明においては、多層膜が導電性である
場合は、多層膜に直接電圧を印加したり、多層膜を接地
すればよい。また、多層膜が絶縁性である場合、多層膜
の上又は下に電極層を形成してこの電極層に電圧を印加
したり、電極層を接地することにより、電極層の電位を
制御することができる。
場合は、多層膜に直接電圧を印加したり、多層膜を接地
すればよい。また、多層膜が絶縁性である場合、多層膜
の上又は下に電極層を形成してこの電極層に電圧を印加
したり、電極層を接地することにより、電極層の電位を
制御することができる。
【００１６】本発明においては、前記手段は、軟Ｘ線の
照射時に多層膜又は電極層に正電圧を印加し、軟Ｘ線の
非照射時には多層膜又は電極層にゼロボルト電圧を印加
して電位を制御するものであることとしてもよい。軟Ｘ
線の照射時に多層膜又は電極層を正に帯電させて、負電
荷である光電子を多層膜又は電極層に引き付けておく。
そして、非照射時には多層膜又は電極層をゼロ電位にし
て多層膜の帯電を防ぐ。
照射時に多層膜又は電極層に正電圧を印加し、軟Ｘ線の
非照射時には多層膜又は電極層にゼロボルト電圧を印加
して電位を制御するものであることとしてもよい。軟Ｘ
線の照射時に多層膜又は電極層を正に帯電させて、負電
荷である光電子を多層膜又は電極層に引き付けておく。
そして、非照射時には多層膜又は電極層をゼロ電位にし
て多層膜の帯電を防ぐ。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図１は、本発明の実施の形態に係る多層膜反射鏡の
構造を示す側面断面図である。図２は、図１の多層膜反
射鏡を搭載したＸ線露光装置の全体構成を示す図であ
る。まず、Ｘ線露光装置の概要を図２を参照しつつ説明
する。このＸ線露光装置１は、露光用の照明光として、
波長１３nm近傍の軟Ｘ線領域の光（以下、ＥＵＶ光）を
用いて、ステップアンドスキャン方式により露光動作を
行う投影露光装置である。
る。図１は、本発明の実施の形態に係る多層膜反射鏡の
構造を示す側面断面図である。図２は、図１の多層膜反
射鏡を搭載したＸ線露光装置の全体構成を示す図であ
る。まず、Ｘ線露光装置の概要を図２を参照しつつ説明
する。このＸ線露光装置１は、露光用の照明光として、
波長１３nm近傍の軟Ｘ線領域の光（以下、ＥＵＶ光）を
用いて、ステップアンドスキャン方式により露光動作を
行う投影露光装置である。
【００１８】Ｘ線露光装置１の最上流部には、レーザ光
源３が配置されている。レーザ光源３は、赤外域から可
視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半
導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等
を使用する。レーザ光源３から発せられたレーザ光は、
集光光学系５により集光され、下部に配置されたレーザ
プラズマ光源７に達する。レーザプラズマ光源７は、波
長１３nm近傍のＸ線を効率よく発生することができる。
源３が配置されている。レーザ光源３は、赤外域から可
視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半
導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等
を使用する。レーザ光源３から発せられたレーザ光は、
集光光学系５により集光され、下部に配置されたレーザ
プラズマ光源７に達する。レーザプラズマ光源７は、波
長１３nm近傍のＸ線を効率よく発生することができる。
【００１９】レーザプラズマ光源７には、図示せぬノズ
ルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出さ
れたキセノンガスはレーザプラズマ光源７において高照
度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレー
ザ光のエネルギにより高温になり、プラズマ状態に励起
され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を放
出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、
その光路はチャンバ（真空室）９により覆われて外気が
遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノズル
からデブリが発生するため、チャンバ９を他のチャンバ
とは別に配置する必要がある。
ルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出さ
れたキセノンガスはレーザプラズマ光源７において高照
度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレー
ザ光のエネルギにより高温になり、プラズマ状態に励起
され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を放
出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、
その光路はチャンバ（真空室）９により覆われて外気が
遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノズル
からデブリが発生するため、チャンバ９を他のチャンバ
とは別に配置する必要がある。
【００２０】レーザプラズマ光源７の上部には、Ｍｏ／
Ｓｉ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１１が配置さ
れている。レーザプラズマ光源７から輻射されたＸ線
は、放物面反射鏡１１に入射し、波長１３nm付近のＸ線
のみが露光装置１の下方に向かって平行に反射される。
Ｓｉ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１１が配置さ
れている。レーザプラズマ光源７から輻射されたＸ線
は、放物面反射鏡１１に入射し、波長１３nm付近のＸ線
のみが露光装置１の下方に向かって平行に反射される。
【００２１】回転放物面反射鏡１１の下方には、厚さ
０．１５μｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カッ
トＸ線透過フィルター１３が配置されている。放物面反
射鏡１１で反射されたＸ線の内、所望の１３nmのＸ線の
みが透過フィルター１３を通過する。透過フィルター１
３付近は、チャンバ１５により覆われて外気を遮断して
いる。
０．１５μｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カッ
トＸ線透過フィルター１３が配置されている。放物面反
射鏡１１で反射されたＸ線の内、所望の１３nmのＸ線の
みが透過フィルター１３を通過する。透過フィルター１
３付近は、チャンバ１５により覆われて外気を遮断して
いる。
【００２２】透過フィルター１３の下方には、露光チャ
ンバ３３が設置されている。露光チャンバ３３内の透過
フィルター１３の下方には、照明光学系１７が配置され
ている。照明光学系１７は、コンデンサー系の反射鏡、
フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フ
ィルター１３から入力されたＸ線を円弧状に整形し、図
の左方に向かって照射する。
ンバ３３が設置されている。露光チャンバ３３内の透過
フィルター１３の下方には、照明光学系１７が配置され
ている。照明光学系１７は、コンデンサー系の反射鏡、
フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フ
ィルター１３から入力されたＸ線を円弧状に整形し、図
の左方に向かって照射する。
【００２３】照明光学系１７の図の左方には、Ｘ線反射
鏡１９が配置されている。Ｘ線反射鏡１９は、図の右側
の反射面１９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーで
あり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射
鏡１９は、反射面１９ａが高精度に加工された石英の基
板からなる。反射面１９ａには、一例で波長１３ｎｍの
Ｘ線の反射率が高いMｏとSｉの多層膜が形成されてい
る。なお、波長が１０〜１５nmのＸ線を用いる場合に
は、Rｕ（ルテニウム）、Rｈ（ロジウム）等の物質と、
Sｉ、Bｅ（ベリリウム）、B4C（４ホウ化炭素）等の物
質とを組み合わせた多層膜でも良い。
鏡１９が配置されている。Ｘ線反射鏡１９は、図の右側
の反射面１９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーで
あり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射
鏡１９は、反射面１９ａが高精度に加工された石英の基
板からなる。反射面１９ａには、一例で波長１３ｎｍの
Ｘ線の反射率が高いMｏとSｉの多層膜が形成されてい
る。なお、波長が１０〜１５nmのＸ線を用いる場合に
は、Rｕ（ルテニウム）、Rｈ（ロジウム）等の物質と、
Sｉ、Bｅ（ベリリウム）、B4C（４ホウ化炭素）等の物
質とを組み合わせた多層膜でも良い。
【００２４】Ｘ線反射鏡１９の図の右方には、光路折り
曲げ反射鏡２１が斜めに配置されている。光路折り曲げ
反射鏡２１の上方には、反射型マスク２３が、反射面が
下になるように水平に配置されている。照明光学系１７
から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１９により反射集光
された後に、光路折り曲げ反射鏡２１を介して、反射型
マスク２３の反射面に達する。
曲げ反射鏡２１が斜めに配置されている。光路折り曲げ
反射鏡２１の上方には、反射型マスク２３が、反射面が
下になるように水平に配置されている。照明光学系１７
から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１９により反射集光
された後に、光路折り曲げ反射鏡２１を介して、反射型
マスク２３の反射面に達する。
【００２５】反射型マスク２３の反射面にも多層膜から
なる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ
２９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成
されている。反射型マスク２３は、その上部に図示され
たマスクステージ２５に固定されている。マスクステー
ジ２５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折
り曲げ反射鏡２１で反射されたＸ線を順次マスク２３上
に照射する。
なる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ
２９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成
されている。反射型マスク２３は、その上部に図示され
たマスクステージ２５に固定されている。マスクステー
ジ２５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折
り曲げ反射鏡２１で反射されたＸ線を順次マスク２３上
に照射する。
【００２６】反射型マスク２３の下部には、順に投影光
学系２７、ウェハ２９が配置されている。投影光学系２
７は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク２３で反
射されたＸ線を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小
し、ウェハ２９上に結像する。ウェハ２９は、ＸＹＺ方
向に移動可能なウェハステージ３１に吸着等により固定
されている。
学系２７、ウェハ２９が配置されている。投影光学系２
７は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク２３で反
射されたＸ線を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小
し、ウェハ２９上に結像する。ウェハ２９は、ＸＹＺ方
向に移動可能なウェハステージ３１に吸着等により固定
されている。
【００２７】露光チャンバ３３にはゲートバルブ３５を
介して予備排気室３７（ロードロック室）が設けられて
いる。予備排気室３７には真空ポンプ３９が接続してお
り、真空ポンプ３９の運転により予備排気室３７は真空
排気される。
介して予備排気室３７（ロードロック室）が設けられて
いる。予備排気室３７には真空ポンプ３９が接続してお
り、真空ポンプ３９の運転により予備排気室３７は真空
排気される。
【００２８】露光動作を行う際には、照明光学系１７に
より反射型マスク２３の反射面にＥＵＶ光を照射する。
その際、投影光学系２７に対して反射型マスク２３及び
ウェハ２９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の
速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マ
スク２３の回路パターンの全体をウェハ２９上の複数の
ショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転
写する。なお、ウェハ２９のチップは例えば２５×２５
mm角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパ
ターンが露光できる。
より反射型マスク２３の反射面にＥＵＶ光を照射する。
その際、投影光学系２７に対して反射型マスク２３及び
ウェハ２９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の
速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マ
スク２３の回路パターンの全体をウェハ２９上の複数の
ショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転
写する。なお、ウェハ２９のチップは例えば２５×２５
mm角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパ
ターンが露光できる。
【００２９】次に、図１を参照して本発明の実施の形態
に係る多層膜反射鏡の構造について説明する。ここで、
図２のＸ線露光装置の回転放物面反射鏡１１、Ｘ線反射
鏡１９、光路折り曲げ反射鏡２１に、本発明の多層膜反
射鏡が適用される。多層膜反射鏡５０は、絶縁性の石英
ガラス基板５１の反射面に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性
の多層膜５３が成膜されたものである。同反射鏡５０の
側面は保持部材５５によって鏡筒５７の内壁に保持され
ている。多層膜５３の一部には導線５９が電気的に接続
している。導線５９は、鏡筒５７の外部に延びて、電源
６１の負極と接続している。鏡筒５７は電源６１の正極
に電気的に接続して接地されている。
に係る多層膜反射鏡の構造について説明する。ここで、
図２のＸ線露光装置の回転放物面反射鏡１１、Ｘ線反射
鏡１９、光路折り曲げ反射鏡２１に、本発明の多層膜反
射鏡が適用される。多層膜反射鏡５０は、絶縁性の石英
ガラス基板５１の反射面に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性
の多層膜５３が成膜されたものである。同反射鏡５０の
側面は保持部材５５によって鏡筒５７の内壁に保持され
ている。多層膜５３の一部には導線５９が電気的に接続
している。導線５９は、鏡筒５７の外部に延びて、電源
６１の負極と接続している。鏡筒５７は電源６１の正極
に電気的に接続して接地されている。
【００３０】多層膜５３に導線５９を介して電源６１か
ら負電圧が印加されると、相対的に鏡筒５７が正、多層
膜５３が負となる電界が形成される。軟Ｘ線６３の照射
によって多層膜５３から放出された光電子６５は、相対
的に正電荷となる鏡筒５７の方向に移動する。これによ
り、光電子６５が対向する多層膜に衝突することを防ぐ
ことができる。
ら負電圧が印加されると、相対的に鏡筒５７が正、多層
膜５３が負となる電界が形成される。軟Ｘ線６３の照射
によって多層膜５３から放出された光電子６５は、相対
的に正電荷となる鏡筒５７の方向に移動する。これによ
り、光電子６５が対向する多層膜に衝突することを防ぐ
ことができる。
【００３１】例えば、波長１３ｎｍの軟Ｘ線が照射され
たときに放出される光電子のエネルギーは約９０ｅＶで
ある。そして、この反射鏡の反射面から対向する１０ｃ
ｍの距離に、半径が１０ｃｍの反射鏡が配置されている
場合、多層膜から放出された光電子の進行方向を、対向
する反射鏡の方向から逸らすために必要な電位差は約３
６０Ｖである。したがって、多層膜に電源から−３６０
Ｖの電位を印加すればよい。
たときに放出される光電子のエネルギーは約９０ｅＶで
ある。そして、この反射鏡の反射面から対向する１０ｃ
ｍの距離に、半径が１０ｃｍの反射鏡が配置されている
場合、多層膜から放出された光電子の進行方向を、対向
する反射鏡の方向から逸らすために必要な電位差は約３
６０Ｖである。したがって、多層膜に電源から−３６０
Ｖの電位を印加すればよい。
【００３２】図３は、本発明の他の実施の形態に係る多
層膜反射鏡の構造を示す側面断面図である。この多層膜
反射鏡７０は、絶縁性の石英ガラス基板７１の反射面
に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性の多層膜７３が成膜され
ている。同反射鏡７０の側面は、保持部材７５によって
鏡筒７７の内壁に保持されている。多層膜７３の一部に
は導線７９が電気的に接続している。導線７９は、鏡筒
７７の外部に延びて接地されている。
層膜反射鏡の構造を示す側面断面図である。この多層膜
反射鏡７０は、絶縁性の石英ガラス基板７１の反射面
に、Ｍｏ／Ｓｉからなる導電性の多層膜７３が成膜され
ている。同反射鏡７０の側面は、保持部材７５によって
鏡筒７７の内壁に保持されている。多層膜７３の一部に
は導線７９が電気的に接続している。導線７９は、鏡筒
７７の外部に延びて接地されている。
【００３３】多層膜７３が接地されているため、軟Ｘ線
の照射による光電子の放出により発生した多層膜内の正
電荷は、多層膜７３に蓄積されずに導線７９を通ってア
ースへ逃げる。このため多層膜は帯電しない。
の照射による光電子の放出により発生した多層膜内の正
電荷は、多層膜７３に蓄積されずに導線７９を通ってア
ースへ逃げる。このため多層膜は帯電しない。
【００３４】図４は、本発明の他の態様の多層膜反射鏡
の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射鏡８０
は、絶縁性のゼロデュア製の基板８１の反射面に、Ｍｏ
／Ｓｉからなる導電性の多層膜８３が成膜されている。
同反射鏡８０の側面は保持部材８５によって鏡筒８７の
内壁に保持されている。鏡筒８７はインバー等の金属
製、保持部材８５もステンレス等の金属製であり、両者
は電気的に接続している。多層膜８３の一部には導線８
９が電気的に接続している。この導線８９は保持部材８
５に電気的に接続している。鏡筒８７は接地されてい
る。
の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射鏡８０
は、絶縁性のゼロデュア製の基板８１の反射面に、Ｍｏ
／Ｓｉからなる導電性の多層膜８３が成膜されている。
同反射鏡８０の側面は保持部材８５によって鏡筒８７の
内壁に保持されている。鏡筒８７はインバー等の金属
製、保持部材８５もステンレス等の金属製であり、両者
は電気的に接続している。多層膜８３の一部には導線８
９が電気的に接続している。この導線８９は保持部材８
５に電気的に接続している。鏡筒８７は接地されてい
る。
【００３５】軟Ｘ線９１の照射による光電子９３の放出
により発生した多層膜８３内の正電荷９５は、導線８９
を通り、さらに保持部材８５及び鏡筒８７を介してアー
スへ逃げる。したがって、多層膜８３の帯電を防ぐこと
ができる。
により発生した多層膜８３内の正電荷９５は、導線８９
を通り、さらに保持部材８５及び鏡筒８７を介してアー
スへ逃げる。したがって、多層膜８３の帯電を防ぐこと
ができる。
【００３６】図５は、本発明の他の態様の多層膜反射鏡
の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射鏡１０
０は、絶縁性の低熱膨張ガラスＵＬＥ製の基板１０１の
反射面に、Ｍｏ製の電極層１０３が成膜されている。そ
して、この電極層１０３の上に、ＭｏＳｉ2／ＳｉＣか
らなる絶縁性の多層膜１０５が成膜されている。同反射
鏡１００の側面は保持部材１０７によって鏡筒１０９の
内壁に保持されている。鏡筒１０９及び保持部材１０７
は金属製であり、両者は電気的に接続している。電極層
１０３は、導線１１１で鏡筒外部に設置された電源１１
３の負極に接続している。鏡筒１０９は電源１１３の正
極に接続されて接地されている。
の構造を示す側面断面図である。この多層膜反射鏡１０
０は、絶縁性の低熱膨張ガラスＵＬＥ製の基板１０１の
反射面に、Ｍｏ製の電極層１０３が成膜されている。そ
して、この電極層１０３の上に、ＭｏＳｉ2／ＳｉＣか
らなる絶縁性の多層膜１０５が成膜されている。同反射
鏡１００の側面は保持部材１０７によって鏡筒１０９の
内壁に保持されている。鏡筒１０９及び保持部材１０７
は金属製であり、両者は電気的に接続している。電極層
１０３は、導線１１１で鏡筒外部に設置された電源１１
３の負極に接続している。鏡筒１０９は電源１１３の正
極に接続されて接地されている。
【００３７】電極層１０３に電源１１３から負電圧を印
加すると多層膜１０５は負に帯電し、軟Ｘ線１１５の照
射によって放出された光電子１１７は、相対的に正とな
る鏡筒１０９の方向に移動する。例えば、波長１３ｎｍ
の軟Ｘ線が照射されたときに放出される光電子のエネル
ギーは約９０ｅＶである。そして、この反射鏡の反射面
から２０ｃｍの距離に、半径が１０ｃｍの反射鏡が対向
して配置されている場合、多層膜から放出された光電子
の進行方向を、対向する反射鏡の方向から逸らすために
必要な電位差は約９０Ｖである。このため、電源から電
極層に−９０Ｖの電位を印加することにより、光電子は
対向する反射鏡に衝突しない。
加すると多層膜１０５は負に帯電し、軟Ｘ線１１５の照
射によって放出された光電子１１７は、相対的に正とな
る鏡筒１０９の方向に移動する。例えば、波長１３ｎｍ
の軟Ｘ線が照射されたときに放出される光電子のエネル
ギーは約９０ｅＶである。そして、この反射鏡の反射面
から２０ｃｍの距離に、半径が１０ｃｍの反射鏡が対向
して配置されている場合、多層膜から放出された光電子
の進行方向を、対向する反射鏡の方向から逸らすために
必要な電位差は約９０Ｖである。このため、電源から電
極層に−９０Ｖの電位を印加することにより、光電子は
対向する反射鏡に衝突しない。
【００３８】上述の、光電子の進行方向をこの光電子が
放出された多層膜反射鏡と対向する多層膜反射鏡への方
向からそらす手段と、多層膜を接地して同膜の帯電を防
ぐ手段とは、一見相容れないものである。しかし、例え
ば多層膜に負電圧を印加して光電子を鏡筒方向へ移動さ
せる場合、多層膜の帯電の原因となる正電荷は、負電圧
印加のための導線を通って外部へ流れ、多層膜には蓄積
しない。このように、実際には多層膜の帯電防止と光電
子の進行方向の制御は、同時に行うことができる。ま
た、多層膜を接地している場合、光電子の方向を鏡筒方
向にそらすには、正電圧を印加した別の導体を鏡筒の付
近に設ければよい。
放出された多層膜反射鏡と対向する多層膜反射鏡への方
向からそらす手段と、多層膜を接地して同膜の帯電を防
ぐ手段とは、一見相容れないものである。しかし、例え
ば多層膜に負電圧を印加して光電子を鏡筒方向へ移動さ
せる場合、多層膜の帯電の原因となる正電荷は、負電圧
印加のための導線を通って外部へ流れ、多層膜には蓄積
しない。このように、実際には多層膜の帯電防止と光電
子の進行方向の制御は、同時に行うことができる。ま
た、多層膜を接地している場合、光電子の方向を鏡筒方
向にそらすには、正電圧を印加した別の導体を鏡筒の付
近に設ければよい。
【００３９】上述の実施例においては、多層膜或いは電
極膜に印加した電圧は負又はゼロボルト（接地）である
が、その他の必要な電気部品との電位の相関関係によっ
て、正電圧を印加してもよい。いずれの場合も、多層膜
が、鏡筒や露光チャンバから絶縁された電気的に浮いた
状態にせず、多層膜の電位を確定することが必要であ
る。また、印加する電圧は直流電圧ではなく交流電圧で
もよい。
極膜に印加した電圧は負又はゼロボルト（接地）である
が、その他の必要な電気部品との電位の相関関係によっ
て、正電圧を印加してもよい。いずれの場合も、多層膜
が、鏡筒や露光チャンバから絶縁された電気的に浮いた
状態にせず、多層膜の電位を確定することが必要であ
る。また、印加する電圧は直流電圧ではなく交流電圧で
もよい。
【００４０】図６は、本発明の他の態様の多層膜反射鏡
の構造を示す側面断面図である。この例においては、基
板を負電位にして光電子を鏡筒に逃がす代わりに、多層
膜を軟Ｘ線照射時に＋１５０Ｖ以上に帯電させ、非照射
時にはゼロ電位としている。すなわち、軟Ｘ線の照射を
表す信号を入力して、その信号が入力されると多層膜に
電圧を印加する。軟Ｘ線の照射時に多層膜を正に帯電さ
せて、負電荷である光電子を多層膜又は電極層に引き付
けておく。そして、非照射時には多層膜又は電極層をゼ
ロ電位にして多層膜の帯電を防ぐ。
の構造を示す側面断面図である。この例においては、基
板を負電位にして光電子を鏡筒に逃がす代わりに、多層
膜を軟Ｘ線照射時に＋１５０Ｖ以上に帯電させ、非照射
時にはゼロ電位としている。すなわち、軟Ｘ線の照射を
表す信号を入力して、その信号が入力されると多層膜に
電圧を印加する。軟Ｘ線の照射時に多層膜を正に帯電さ
せて、負電荷である光電子を多層膜又は電極層に引き付
けておく。そして、非照射時には多層膜又は電極層をゼ
ロ電位にして多層膜の帯電を防ぐ。
【００４１】図６（Ａ）に示す多層膜反射鏡は、リレー
によって電源回路をオンオフする。多層膜反射鏡１３０
は、基板１３１の反射面に多層膜１３３が成膜されてい
る。多層膜１３３には導線１３５が電気的に接続してお
り、導線１３５はリレー１３７を介して電源１４１に接
続している。リレー１３７には、軟Ｘ線の照射・非照射
信号が入力される信号線１３９が接続している。信号線
１３９から軟Ｘ線照射信号が入力されると、リレー１３
７は電源回路をオンとし、電源１４１から＋１５０Ｖ以
上の電圧が導線１３５を介して多層膜１３３に印加され
る。なお、軟Ｘ線非照射の場合は、多層膜１３３は導線
１３５とリレー１３７を介して接地される。
によって電源回路をオンオフする。多層膜反射鏡１３０
は、基板１３１の反射面に多層膜１３３が成膜されてい
る。多層膜１３３には導線１３５が電気的に接続してお
り、導線１３５はリレー１３７を介して電源１４１に接
続している。リレー１３７には、軟Ｘ線の照射・非照射
信号が入力される信号線１３９が接続している。信号線
１３９から軟Ｘ線照射信号が入力されると、リレー１３
７は電源回路をオンとし、電源１４１から＋１５０Ｖ以
上の電圧が導線１３５を介して多層膜１３３に印加され
る。なお、軟Ｘ線非照射の場合は、多層膜１３３は導線
１３５とリレー１３７を介して接地される。
【００４２】図６（Ｂ）に示す多層膜反射鏡は、多層膜
１３３に接続する導線１３５が電源１４３に接続してい
る。電源１４３には、軟Ｘ線の照射・非照射信号が入力
される信号線１４５が接続している。電源１４３は、外
部接点によりオンオフ又は電圧出力可変のものであり、
信号線１４５から軟Ｘ線照射信号が入力されると、電源
１４３は＋１５０Ｖ以上の電圧を導線１３５を介して多
層膜１３３に印加する。なお、軟Ｘ線非照射の場合は、
多層膜１３３は接地される。
１３３に接続する導線１３５が電源１４３に接続してい
る。電源１４３には、軟Ｘ線の照射・非照射信号が入力
される信号線１４５が接続している。電源１４３は、外
部接点によりオンオフ又は電圧出力可変のものであり、
信号線１４５から軟Ｘ線照射信号が入力されると、電源
１４３は＋１５０Ｖ以上の電圧を導線１３５を介して多
層膜１３３に印加する。なお、軟Ｘ線非照射の場合は、
多層膜１３３は接地される。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、多層膜反射鏡の多層膜に負電圧を印加するこ
とによって、軟Ｘ線照射により発生した光電子が、同反
射鏡と対向する多層膜反射鏡への衝突を防ぐことができ
る。また、多層膜を接地（ゼロボルトを印加）すること
によって、光電子の放出により発生した多層膜内の正電
荷を逃がすことができ、多層膜の帯電を防ぐことができ
る。
によれば、多層膜反射鏡の多層膜に負電圧を印加するこ
とによって、軟Ｘ線照射により発生した光電子が、同反
射鏡と対向する多層膜反射鏡への衝突を防ぐことができ
る。また、多層膜を接地（ゼロボルトを印加）すること
によって、光電子の放出により発生した多層膜内の正電
荷を逃がすことができ、多層膜の帯電を防ぐことができ
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る多層膜反射鏡の構造
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図２】図１の多層膜反射鏡を搭載したＸ線露光装置の
全体構成を示す図である。
全体構成を示す図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る多層膜反射鏡の
構造を示す側面断面図である。
構造を示す側面断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る多層膜反射鏡の
構造を示す側面断面図である。
構造を示す側面断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る多層膜反射鏡の
構造を示す側面断面図である。
構造を示す側面断面図である。
【図６】本発明の他の態様の多層膜反射鏡の構造を示す
側面断面図である。
側面断面図である。
【図７】従来の多層膜反射鏡の構造を示す側面断面図で
ある。
ある。
１ Ｘ線露光装置 ３ レーザ光源
５ 集光光学系 ７ レーザプラ
ズマ光源 ９ チャンバ １１ 回転放物面
反射鏡 １３ Ｘ線透過フィルター １５ チャンバ １７ 照明光学系 １９ Ｘ線反射
鏡 ２１ 光路折り曲げ反射鏡 ２３ 反射型マ
スク ２５ マスクステージ ２７ 投影光学
系 ２９ ウェハ ３１ ウェハス
テージ ３３ 露光チャンバ ３５ ゲートバ
ルブ ３７ 予備排気室（ロードロック室） ３９ 真空ポン
プ ５０、７０、８０、１００ 多層膜反射鏡 ５１、７１、８１、１０１ 基板 ５３、７３、８３、１０５ 多層膜 ５５、７５、８５、１０７ 保持部材 ５７、７７、８７、１０９ 鏡筒 ５９、７９、８９、１１１ 導線 ６１、１１３ 電源 ６３、９１、１
１５ 軟Ｘ線 ６５、９３、１１７ 光電子 １０３ 電極層 １３０ 多層膜反射鏡 １３１ 基板 １３３ 多層膜 １３５ 導線 １３７ リレー １３９ 信号線 １４１ 電源 １４３ 電源 １４５ 信号線
ズマ光源 ９ チャンバ １１ 回転放物面
反射鏡 １３ Ｘ線透過フィルター １５ チャンバ １７ 照明光学系 １９ Ｘ線反射
鏡 ２１ 光路折り曲げ反射鏡 ２３ 反射型マ
スク ２５ マスクステージ ２７ 投影光学
系 ２９ ウェハ ３１ ウェハス
テージ ３３ 露光チャンバ ３５ ゲートバ
ルブ ３７ 予備排気室（ロードロック室） ３９ 真空ポン
プ ５０、７０、８０、１００ 多層膜反射鏡 ５１、７１、８１、１０１ 基板 ５３、７３、８３、１０５ 多層膜 ５５、７５、８５、１０７ 保持部材 ５７、７７、８７、１０９ 鏡筒 ５９、７９、８９、１１１ 導線 ６１、１１３ 電源 ６３、９１、１
１５ 軟Ｘ線 ６５、９３、１１７ 光電子 １０３ 電極層 １３０ 多層膜反射鏡 １３１ 基板 １３３ 多層膜 １３５ 導線 １３７ リレー １３９ 信号線 １４１ 電源 １４３ 電源 １４５ 信号線
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ２１Ｋ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線
光源からのＸ線をマスクに導く照明光学系と、前記マス
クからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、
前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露
光装置において、 基板上に多層膜が形成され、この多層膜によって軟Ｘ線
を反射させる多層膜反射鏡を複数枚有し、 前記多層膜反射鏡のうち少なくとも１枚以上には、多層
膜に電圧を印加して該多層膜の電位を制御する手段を具
備することを特徴とする軟Ｘ線露光装置。 - 【請求項２】 前記手段は、多層膜に負電圧又はゼロボ
ルト電圧を印加して電位を制御するものであることを特
徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線露光装置。 - 【請求項３】 前記手段は、軟Ｘ線の照射時に多層膜に
正電圧を印加し、軟Ｘ線の非照射時には多層膜にゼロボ
ルト電圧を印加して電位を制御するものであることを特
徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線露光装置。 - 【請求項４】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線
光源からのＸ線をマスクに導く照明光学系と、前記マス
クからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、
前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露
光装置において、 基板上に多層膜が形成され、この多層膜によって軟Ｘ線
を反射させる多層膜反射鏡を複数枚有し、 前記多層膜反射鏡のうち少なくとも１枚以上には、多層
膜の上又は下に電極層が形成され、この電極層に電圧を
印加して該電極層の電位を制御する手段を具備すること
を特徴とする軟Ｘ線露光装置。 - 【請求項５】 前記手段は、電極層に負電圧又はゼロボ
ルト電圧を印加して電位を制御するものであることを特
徴とする請求項４に記載の軟Ｘ線露光装置。 - 【請求項６】 前記手段は、軟Ｘ線の照射時に電極層に
正電圧を印加し、軟Ｘ線の非照射時には電極層にゼロボ
ルト電圧を印加して電位を制御するものであることを特
徴とする請求項４に記載の軟Ｘ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002228809A JP2003124111A (ja) | 2001-08-07 | 2002-08-06 | 軟ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-239019 | 2001-08-07 | ||
| JP2001239019 | 2001-08-07 | ||
| JP2002228809A JP2003124111A (ja) | 2001-08-07 | 2002-08-06 | 軟ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124111A true JP2003124111A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=26620085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002228809A Pending JP2003124111A (ja) | 2001-08-07 | 2002-08-06 | 軟ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124111A (ja) |
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- 2002-08-06 JP JP2002228809A patent/JP2003124111A/ja active Pending
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