JPH04167308A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04167308A JPH04167308A JP2292374A JP29237490A JPH04167308A JP H04167308 A JPH04167308 A JP H04167308A JP 2292374 A JP2292374 A JP 2292374A JP 29237490 A JP29237490 A JP 29237490A JP H04167308 A JPH04167308 A JP H04167308A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- gradient
- well
- weight
- rare earth
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、Ｑを
大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
成物に関するものである。
大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
成物に関するものである。
従来の技術
従来から、誘電率、絶縁抵抗が高く、Ｑにすぐれ、静電
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記のよ
うな系が知られている。
容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記のよ
うな系が知られている。
’ ＢａＯ−Ｔｉ１ｔ−Ｎｄ、０．系
・ ＢａＯＴｉ０ｚ Ｓａｇｏｓ 系発明が解
決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯ−０，
５６ＴｉＯ□−０，３５ＮｄＯｓ７ｇの組成比からなる
誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作製する
と、誘電率：６７、静電容量温度係数： Ｎ４０ｐｐｍ
／’ｃ、Ｑ ： ３０００、絶縁抵抗： ８．０Ｘ１
０”Ω、絶縁破壊強度： ３０ｋｖ／閣であり、満足の
できる値ではない。
決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯ−０，
５６ＴｉＯ□−０，３５ＮｄＯｓ７ｇの組成比からなる
誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサを作製する
と、誘電率：６７、静電容量温度係数： Ｎ４０ｐｐｍ
／’ｃ、Ｑ ： ３０００、絶縁抵抗： ８．０Ｘ１
０”Ω、絶縁破壊強度： ３０ｋｖ／閣であり、満足の
できる値ではない。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘ ［
（ＢａＯ） ｎ−に、（ＣａＯ）ｍ ｙ Ｔｉ１ｔ
ｚ （Ｒｅｕ−ｔ＋Ｍｅｔ ） ０ｓｉｘと表した時
、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００．０．０１≦に≦０
．３０．０．０１≦ｔ≦０．２０、ＲｅはＬａ。
（ＢａＯ） ｎ−に、（ＣａＯ）ｍ ｙ Ｔｉ１ｔ
ｚ （Ｒｅｕ−ｔ＋Ｍｅｔ ） ０ｓｉｘと表した時
、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００．０．０１≦に≦０
．３０．０．０１≦ｔ≦０．２０、ＲｅはＬａ。
Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓｓから選ばれる一種以上の希土類元
素。
素。
ＭｅはＬａ、、Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓ−を除（希土類元素
から選ばれる一種以上の希土類元素、）、Ｘ、ｙ、ｚが
以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分１００重量部に対し、副成分と
してニオブ酸化物をＮｂｚＯｓＯ形に換算して０．３〜
５．０重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成
物を提案するものである。
から選ばれる一種以上の希土類元素、）、Ｘ、ｙ、ｚが
以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル
比の範囲からなる主成分１００重量部に対し、副成分と
してニオブ酸化物をＮｂｚＯｓＯ形に換算して０．３〜
５．０重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成
物を提案するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域ではＱが低下し実
用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容量温度
係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でなくなる
。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に
移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域ではＱが低下し実
用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容量温度
係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でなくなる
。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に
移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、ＲｅをＬ ａ ＋ Ｐ ｒ ＋ Ｎ ｄ ＋ Ｓ
ｍから選ぶことにより、Ｌａ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓ
ｓの順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度
係数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ、
Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｓ−の一種あるいはそれらの組合せ
により静電容量温度係数の調節が可能である。
ｍから選ぶことにより、Ｌａ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓ
ｓの順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度
係数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ、
Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｓ−の一種あるいはそれらの組合せ
により静電容量温度係数の調節が可能である。
さらに、Ｌａ、 Ｐｒ＋にｄ、 Ｓ−から選ばれる一種
以上の希土類元素の一部を、Ｌａ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、
Ｓ蒙を除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元
素で置換することにより、Ｑを大幅に改善する効果を有
しているが、その置換率ｔが０．０１未満では置換効果
はなく、一方、０．２０を超えると誘電率が低下し実用
的でなくなる。
以上の希土類元素の一部を、Ｌａ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、
Ｓ蒙を除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元
素で置換することにより、Ｑを大幅に改善する効果を有
しているが、その置換率ｔが０．０１未満では置換効果
はなく、一方、０．２０を超えると誘電率が低下し実用
的でなくなる。
また、ＢａＯをＣａＯで置換することにより、誘電率、
静電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を大きく変えるこ
となく、Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を有し
ているが、その置換率ｋが０，０１未満では置換効果は
な（、一方、０．３０を超えるとＱ、絶縁抵抗が低下し
、静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用
的でなくなる。
静電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を大きく変えるこ
となく、Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を有し
ているが、その置換率ｋが０，０１未満では置換効果は
な（、一方、０．３０を超えるとＱ、絶縁抵抗が低下し
、静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用
的でなくなる。
また、主成分に対し、副成分ＮｂｚＯｓを含有すること
により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、ＮｂｚＯｓの含有量が主成分１００重量部に
対し、０．３重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ、
Ｏ，の含有量が主成分に対し、５．０重量部を超えると
、Ｑおよび絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイ
ナス側に大きくなり実用的でなくなる。
により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、ＮｂｚＯｓの含有量が主成分１００重量部に
対し、０．３重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ、
Ｏ，の含有量が主成分に対し、５．０重量部を超えると
、Ｑおよび絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数がマイ
ナス側に大きくなり実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
まず、出発原料には化学的に高純度のＮｂｚＯｌ。
ＬａｚＯｓ＋ Ｐｒ６Ｏ１１＋ ＮｄｚＯｓ、 ５Ｉｌ
ｆＯ３＋ Ｃｅ０ｚ＋ ＧｄｔＯｓ＋ＤｙＪｓｔ Ｔｉ
Ｏ２，ＣａＣ０ｚおよびＢａＣ０ｘ粉末を下記の第１表
に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツボに入れ、空気中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した
。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥
した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質と
した後、３２メンシユのふるいを通して整粒し、金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ−で直径１５
麟、厚み０．４鵬ムこ成形した０次いで、得られた成形
円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ
、空気中にて下記の第１表に示す温度で２時間焼成し、
第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
ｆＯ３＋ Ｃｅ０ｚ＋ ＧｄｔＯｓ＋ＤｙＪｓｔ Ｔｉ
Ｏ２，ＣａＣ０ｚおよびＢａＣ０ｘ粉末を下記の第１表
に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツボに入れ、空気中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した
。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥
した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質と
した後、３２メンシユのふるいを通して整粒し、金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ−で直径１５
麟、厚み０．４鵬ムこ成形した０次いで、得られた成形
円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ
、空気中にて下記の第１表に示す温度で２時間焼成し、
第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外
周より内側に１閣の幅で銀電極のない部分を設け、銀電
極を焼き付けた。そして、誘電率、Ｑ、静電容量温度係
数は、横河・ヒユーレット・パンカード■製デジタルＬ
ＣＲメータのモデル４２７５ Ａを使用し、測定温度２
０°Ｃ１測定電圧１．０Ｖｒｓｓ、測定周波数ＩＭＨｚ
での測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０
°Ｃと８５°Ｃの静電容量を測定し、次式により求めた
。
を測定し、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数測定用試料は
、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁
抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外
周より内側に１閣の幅で銀電極のない部分を設け、銀電
極を焼き付けた。そして、誘電率、Ｑ、静電容量温度係
数は、横河・ヒユーレット・パンカード■製デジタルＬ
ＣＲメータのモデル４２７５ Ａを使用し、測定温度２
０°Ｃ１測定電圧１．０Ｖｒｓｓ、測定周波数ＩＭＨｚ
での測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０
°Ｃと８５°Ｃの静電容量を測定し、次式により求めた
。
ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ） ／ＣｏＸ １ ／６５Ｘ１０″Ｔ
Ｃ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ ： ２０
℃での静電容量（ｐＦ）Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＰ
） また、誘電率は次式より求めた。
Ｃ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ ： ２０
℃での静電容量（ｐＦ）Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＰ
） また、誘電率は次式より求めた。
’Ｋ ＝ １４３．８ＸＣｏｘ ｔ ／Ｄ”Ｋ ＝誘電
率 Ｃｏ ： ２０°Ｃでの静電容量（ｐＦ）Ｄ ：誘電体
磁器の直径（ｍｎ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（１ｍ） さらに、絶縁抵抗は、横河・ヒユーレット・パラカード
■製ＨＲメータのモデル４３２９ Ａを使用し、測定電
圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求
めた。
率 Ｃｏ ： ２０°Ｃでの静電容量（ｐＦ）Ｄ ：誘電体
磁器の直径（ｍｎ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（１ｍ） さらに、絶縁抵抗は、横河・ヒユーレット・パラカード
■製ＨＲメータのモデル４３２９ Ａを使用し、測定電
圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求
めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、】鵬当りの絶縁破壊強度と
した。
ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、】鵬当りの絶縁破壊強度と
した。
これらの試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下
記の第２表に示す。
記の第２表に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、 Ｎ
ｂ２（１５，Ｌａ２Ｏ３，ＰｒｈＯｘ＋ Ｎｄｚ０３
＋ Ｓ＋＋、０３． Ｃｅｎｔ。
ｂ２（１５，Ｌａ２Ｏ３，ＰｒｈＯｘ＋ Ｎｄｚ０３
＋ Ｓ＋＋、０３． Ｃｅｎｔ。
ＧｄｚＯｚ＋ ＤｙｚＯｓ、Ｔｉ０ｚ＋ ＣａＣＯ５お
よびＢａＣ０，を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴｉＯ３
などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中で
の加熱により、Ｎｂ２ｏｓｌ ＬａｔＯｓ＋ ＰｒＪ１
１＋ Ｎｄ２Ｏ５，ＳｍｚＯ３，Ｃｅ０ｚ＋ｃｄ、ｏ、
、 ＤＶｔＯｓ＋ Ｔｒｏｚ、 ＣａＯおよびＢａＯと
なる化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得るこ
とができる。
よびＢａＣ０，を使用したが、この方法に限定されるも
のではなく、所望の組成比になるように、ＢａＴｉＯ３
などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中で
の加熱により、Ｎｂ２ｏｓｌ ＬａｔＯｓ＋ ＰｒＪ１
１＋ Ｎｄ２Ｏ５，ＳｍｚＯ３，Ｃｅ０ｚ＋ｃｄ、ｏ、
、 ＤＶｔＯｓ＋ Ｔｒｏｚ、 ＣａＯおよびＢａＯと
なる化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得るこ
とができる。
また、主成分をあらかしめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業■製二酸化チタンＫ
Ａ−１０、古河鉱業■製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗには
最大０．４５重量％のＮｂ１ｏｓが含まれるが、これら
の二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製し
ても主成分１００重量部に対して、Ｎｂ２Ｏ５の含有量
は最大で０．２３重量部であり、この発明の範囲外であ
るが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ！０．量を考
慮し二不足分のＮｂｚＯｓを含有させることにより、実
施例と同程度の特性を得ることができる。
の二酸化チタン、例えばチタン工業■製二酸化チタンＫ
Ａ−１０、古河鉱業■製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗには
最大０．４５重量％のＮｂ１ｏｓが含まれるが、これら
の二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製し
ても主成分１００重量部に対して、Ｎｂ２Ｏ５の含有量
は最大で０．２３重量部であり、この発明の範囲外であ
るが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ！０．量を考
慮し二不足分のＮｂｚＯｓを含有させることにより、実
施例と同程度の特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、”ｉｏｔ＋ ＭｎＯ２
＋ＦｅｔＯｓ＋ ＺｎＯなど一般にフラックスと考えら
れている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
＋ＦｅｔＯｓ＋ ＺｎＯなど一般にフラックスと考えら
れている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
（以下余白）
〈第２表〉
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。
破壊電圧が高く、Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図である。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名手続補正
書 平成 ３年／７月２２日 ２発明の名称 誘電体磁器組成物 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市太字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 第１図
明する三元図である。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名手続補正
書 平成 ３年／７月２２日 ２発明の名称 誘電体磁器組成物 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市太字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘ［（ＢａＯ）＿（＿ｌ＿−＿ｋ＿）（ＣａＯ）＿ｋ−
ｙＴｉＯ＿２−ｚ（Ｒｅ＿（＿ｌ＿−＿ｔ＿）Ｍｅ＿ｔ
）Ｏ＿３＿／＿２と表した時、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．００、０．０１≦ｋ≦０．３０、０．０１≦ｔ≦０
．２０、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一
種以上の希土類元素。 ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選
ばれる一種以上の希土類元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に
表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範
囲からなる主成分１００重量部に対し、副成分としてニ
オブ酸化物をＮｂ＿２Ｏ＿５の形に換算して０．３〜５
．０重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292374A JPH04167308A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292374A JPH04167308A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167308A true JPH04167308A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17780976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292374A Pending JPH04167308A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167308A (ja) |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2292374A patent/JPH04167308A/ja active Pending
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