JPH04168743A - ライフタイム測定器 - Google Patents
ライフタイム測定器Info
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- JPH04168743A JPH04168743A JP29614190A JP29614190A JPH04168743A JP H04168743 A JPH04168743 A JP H04168743A JP 29614190 A JP29614190 A JP 29614190A JP 29614190 A JP29614190 A JP 29614190A JP H04168743 A JPH04168743 A JP H04168743A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carriers
- semiconductor substrate
- laser
- laser beam
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims abstract description 4
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はライフタイム測定器に関する。
従来のこの種のライフタイム測定は、第３図に示すよう
にマイクロ波発生器１より発生したマイクロ波をサーキ
ュレータ−２を介して半導体基板上に照射し、又、キャ
リア励起用レーサーをパルス波にして半導体基板６上に
照射し、半導体基板Ｇ中のキャリアの変化を半導体基板
６からの反射波の出力変化として、検出器８で検出し、
計算機１０にライフタイムを算出する機構となっていた
。
にマイクロ波発生器１より発生したマイクロ波をサーキ
ュレータ−２を介して半導体基板上に照射し、又、キャ
リア励起用レーサーをパルス波にして半導体基板６上に
照射し、半導体基板Ｇ中のキャリアの変化を半導体基板
６からの反射波の出力変化として、検出器８で検出し、
計算機１０にライフタイムを算出する機構となっていた
。
上述した従来のライフタイム測定器は、レーザースポッ
ト径が固定で半導体基板支持ステージをコントロールす
るユニットおよび半導体基板上を観察する光学系を有し
ていないので、直接半導体基板製造工程中でライフタイ
ムを測定できなく、代用の素子パターンのない専用の半
導体基板で測定しなければならない為、直接に半導体素
子製造工程中の汚染状態をモニタできないという欠点が
あった。
ト径が固定で半導体基板支持ステージをコントロールす
るユニットおよび半導体基板上を観察する光学系を有し
ていないので、直接半導体基板製造工程中でライフタイ
ムを測定できなく、代用の素子パターンのない専用の半
導体基板で測定しなければならない為、直接に半導体素
子製造工程中の汚染状態をモニタできないという欠点が
あった。
本発明のライフタイム測定器は、半導体基板中のキャリ
アを励起させるレーザーをパルス波としたレーザービー
ムスポットを、移動する支持ステージに裁置された半導
体基板の表面の一部に照射し、前記半導体基板中のキャ
リアを励起させてキャリアの再結合によるキャリア数の
減少に対応するマイクロ波の反射波強度変化を、前記半
導体基板の上面を観察する光学系によってライフタイム
を測定するライフタイム測定器において、前記レーザー
ビームスポットの径を制御するコントロールユニットを
有して構成されている。
アを励起させるレーザーをパルス波としたレーザービー
ムスポットを、移動する支持ステージに裁置された半導
体基板の表面の一部に照射し、前記半導体基板中のキャ
リアを励起させてキャリアの再結合によるキャリア数の
減少に対応するマイクロ波の反射波強度変化を、前記半
導体基板の上面を観察する光学系によってライフタイム
を測定するライフタイム測定器において、前記レーザー
ビームスポットの径を制御するコントロールユニットを
有して構成されている。
本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式図である。
第１図に示すようにマイクロ波をサーキュレータ−２を
介して半導体基板６上に照射し、又、キャリア励起用レ
ーザーをオシレーター５によりパルス波にして、可変倍
率レンズ１３の倍率に対応するレーザースポット径にレ
ーザースポット径コントローラ１５でしぼって半導体基
板上に照射する。
介して半導体基板６上に照射し、又、キャリア励起用レ
ーザーをオシレーター５によりパルス波にして、可変倍
率レンズ１３の倍率に対応するレーザースポット径にレ
ーザースポット径コントローラ１５でしぼって半導体基
板上に照射する。
半導体基板６上のレーザーが照射された箇所のキャリア
が励起され、レーザー出力の０時に、キャリアの再結合
によりキャリア数が減少し、それに伴ない検波器８のマ
イクロ波反射波強度も減少する。
が励起され、レーザー出力の０時に、キャリアの再結合
によりキャリア数が減少し、それに伴ない検波器８のマ
イクロ波反射波強度も減少する。
検波器８の出力とオシレータ５よりパルス波の基準波を
Ｐ ＣＤ （Ｐｈａｓｅ ５ｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ Ｄ
ｅｔｅｃｔｏｒ）１６に入力し、パルス波と同一周波数
のみを増幅し、計算機１０にてライフタイムを測定する
。
Ｐ ＣＤ （Ｐｈａｓｅ ５ｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ Ｄ
ｅｔｅｃｔｏｒ）１６に入力し、パルス波と同一周波数
のみを増幅し、計算機１０にてライフタイムを測定する
。
尚、測定までの一連の動作は、光学系のモニタ１４が第
２図に示すように位置合わせした後、ステージコントロ
ーラ１１により半導体基板６上を観察する光学系とレー
ザー元系の間隔だけ、半導体基板６支持ステージ７を（
１／１００）μｍの精度で移動させ、測定開始する。
２図に示すように位置合わせした後、ステージコントロ
ーラ１１により半導体基板６上を観察する光学系とレー
ザー元系の間隔だけ、半導体基板６支持ステージ７を（
１／１００）μｍの精度で移動させ、測定開始する。
以上説明したように本発明は、レーザービームスポット
径をコン１〜ロールするユニットと半導体基板支持ステ
ージをコントロールするユニットおよび半導体基板上を
観察する光学系を有することにより、半導体素子製造工
程中に測定する半導体素子パターンに合わせてレーザー
ビームスポット径をしぼり、その箇所のキャリアのみを
励起する事ができ半導体基板上の任意の半導体素子パタ
ーンでライフタイムが測定できるという効果がある。
径をコン１〜ロールするユニットと半導体基板支持ステ
ージをコントロールするユニットおよび半導体基板上を
観察する光学系を有することにより、半導体素子製造工
程中に測定する半導体素子パターンに合わせてレーザー
ビームスポット径をしぼり、その箇所のキャリアのみを
励起する事ができ半導体基板上の任意の半導体素子パタ
ーンでライフタイムが測定できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の模式図、第２図は半導体基
板上を観察するモニタの画面図、第３図は従来のライフ
タイム測定器の一例の模式図である。 １・・・マイクロ波発生器、２・・・サーキュレータ、
３・・・導波管、４・・・レーザ発生器、５・・・オシ
レータ、６・・・半導体基板、７・・・半導体基板支持
ステージ、１０・・・計算機、１１・・・ステージコン
トローラ、１２・・・対物レンズ、１３・・・可変倍率
レンズ、１４・・・モニタ、１５・・・レーザービーム
スポット径コントローラ、１６・・・ＰＳＤ、１７・・
・モニタ画面、１８・・・半導体素子パターン、１つ・
・・レーザービームスポット。
板上を観察するモニタの画面図、第３図は従来のライフ
タイム測定器の一例の模式図である。 １・・・マイクロ波発生器、２・・・サーキュレータ、
３・・・導波管、４・・・レーザ発生器、５・・・オシ
レータ、６・・・半導体基板、７・・・半導体基板支持
ステージ、１０・・・計算機、１１・・・ステージコン
トローラ、１２・・・対物レンズ、１３・・・可変倍率
レンズ、１４・・・モニタ、１５・・・レーザービーム
スポット径コントローラ、１６・・・ＰＳＤ、１７・・
・モニタ画面、１８・・・半導体素子パターン、１つ・
・・レーザービームスポット。
Claims (1)
- 半導体基板中のキャリアを励起させるレーザーをパルス
波としたレーザービームスポットを、移動する支持ステ
ージに裁置された半導体基板の表面の一部に照射し、前
記半導体基板中のキャリアを励起させてキャリアの再結
合によるキャリア数の減少に対応するマイクロ波の反射
波強度変化を、前記半導体基板の上面を観察する光学系
によってライフタイムを測定するライフタイム測定器に
おいて、前記レーザービームスポットの径を制御するコ
ントロールユニットを有することを特徴とするライフタ
イム測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614190A JPH04168743A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | ライフタイム測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614190A JPH04168743A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | ライフタイム測定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168743A true JPH04168743A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17829682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29614190A Pending JPH04168743A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | ライフタイム測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04168743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2484551C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии |
| RU2486629C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29614190A patent/JPH04168743A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2484551C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии |
| RU2486629C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния |
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