JPH0416933B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416933B2 JPH0416933B2 JP62262411A JP26241187A JPH0416933B2 JP H0416933 B2 JPH0416933 B2 JP H0416933B2 JP 62262411 A JP62262411 A JP 62262411A JP 26241187 A JP26241187 A JP 26241187A JP H0416933 B2 JPH0416933 B2 JP H0416933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- manganese
- silicon
- capacitance
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
産業上の利用分野
この発明は、電解コンデンサ陰極用アルミニウ
ム合金箔に関する。 この明細書において「%」は「重量%」を示す
ものとする。 従来技術とその問題点 電解コンデンサの性能を向上させるためには、
陽極用箔の静電容量だけでなく、陰極用箔の静電
容量も増大させることが必要である。箔の静電容
量を増大させるためには、箔にエツチングを施し
て箔の表面に微細な凹部を均一かつ高密度に形成
することにより、その表面積を増大させることが
有効であるが、エツチングが過度になると、腐食
減量も過度になり、結果的に箔の静電容量は低下
し、また機械的強度も低下する。また、コンデン
サの小型軽量化のために箔の厚さを薄くする必要
があり、そのためには箔の強度を大きくしなけれ
ばならない。したがつて、電解コンデンサ陰極用
アルミニウム合金箔の具備すべき条件は、静電容
量が大きいこと、エツチングのさいの腐食減量が
過度にならず適量であること、および機械的強度
が大きいことである。 従来から電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔は種々存在するが、上記3条件をすべて満た
す箔は存在しなかつたのが実情である。 この発明の目的は、上記条件をすべて満足しう
る電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔を提
供することにある。 問題点を解決するための手段 この発明による電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔は、 ケイ素を0.5%を越えかつ1.0%以下含有し、 マンガンを0.2〜2.0%含有し、 銅0.1〜1.0%およびバナジウム0.003〜0.3%の
うちの少なくともいずれか一方を含有し、さらに 不純物としての鉄を0.3%未満含有し、残部ア
ルミニウムおよび不可避不純物からなることを特
徴とするものである。 ケイ素およびマンガンは、これらをともにアル
ミニウム中に含有せしめることにより、アルミニ
ウム合金箔の静電容量を増大させる性質を有する
が、ケイ素の含有量が0.5%以下、マンガンの含
有量が0.2%未満では上記効果が少なく、ケイ素
の含有量が1.0%を越え、マンガンの含有量が2.0
%を越えると微細なエツチング組織を得られない
ので箔の静電容量は小さくなり、腐食減量も過度
になる。したがつて、ケイ素の含有量を0.5%を
越えかつ1.0%以下、マンガンの含有量を0.2〜2.0
%の範囲内で選ぶべきである。 ケイ素およびマンガンをともに含有せしめるこ
とによりアルミニウム合金箔の静電容量が増大す
るのは、次の理由による。すなわち、周知の如
く、アルミニウム合金箔の静電容量は箔の表面積
と比例し、箔の表面積を増大させるためには、エ
ツチングによつて箔の表面に微細な凹部を均一か
つ高密度に生じさせる必要がある。アルミニウム
中にケイ素を0.5%を越えて含有せしめるととも
に、マンガンを0.2%以上含有せしめると、微細
かつ多数のAl−Si−Mn化合物がアルミニウム・
マトリツクス中に分散した組織を得ることができ
る。Al−Si−Mn化合物は、電位的に貴であつて
アルミニウム・マトリツクスと大きな電極電位差
を有するので、エツチングのさいにアルミニウ
ム・マトリツクスが優先的に腐食されて、箔の表
面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され、そ
の表面積が増大する。しかしながら、ケイ素の含
有量が1.0%越え、マンガンの含有量が2.0%を越
えるとAl−Si−Mn化合物が粗大になり、合金箔
中に均一に分散されなくなるために、微細なエツ
チング組織が得られず、静電容量が低下する。 また、上記において、銅およびバナジウムは、
これらのうち少なくともいずれか一方をアルミニ
ウム合金中に含有せしめると、ケイ素およびマン
ガンの固溶限を低下させてAl−Si−Mn化合物を
より多く析出させるとともに、それ自身アルミニ
ウム・マトリツクス中に固溶し、マトリツクスの
エツチング性を向上させて、上述したようなケイ
素およびマンガンを含有せしめることによる効果
を増進させることができる。しかしながら、銅の
含有量が0.1%未満、バナジウムの含有量が0.003
%未満であれば上記効果は得られず、銅の含有量
が1.0%を越え、バナジウムの含有量が0.3%を越
えると、エツチングが過度になり、かえつて静電
容量が低下する。したがつて、銅の含有量を0.1
〜1.0%の範囲内、バナジウムの含有量を0.003〜
0.3%の範囲内で選ぶべきである。 この発明によるアルミニウム合金箔には、鉄な
どの製造上不可避の不純物が含まれているが、不
純物の中で、とくに鉄の場合は、その含有量が
0.3%以上になると鋳造時に粗大なAl−Si−Mn−
Fe化合物を晶出し、上述したようなケイ素およ
びマンガンを添加することにより得られる効果を
阻害するので、不純物中鉄の含有量は0.3%未満
にすることが好ましい。 実施例 以下、この発明の実施例を対照例とともに説明
する。 下表に示す組成の15種のアルミニウム合金から
通常の製箔法によつて箔を製造した後、これらの
合金箔を液温60℃の3%塩酸および0.5%シユウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度30A/dm2の交流
電流を通じて1分30秒間エツチングを行い、静電
容量を測定した。その結果は下表の通りであつ
た。
ム合金箔に関する。 この明細書において「%」は「重量%」を示す
ものとする。 従来技術とその問題点 電解コンデンサの性能を向上させるためには、
陽極用箔の静電容量だけでなく、陰極用箔の静電
容量も増大させることが必要である。箔の静電容
量を増大させるためには、箔にエツチングを施し
て箔の表面に微細な凹部を均一かつ高密度に形成
することにより、その表面積を増大させることが
有効であるが、エツチングが過度になると、腐食
減量も過度になり、結果的に箔の静電容量は低下
し、また機械的強度も低下する。また、コンデン
サの小型軽量化のために箔の厚さを薄くする必要
があり、そのためには箔の強度を大きくしなけれ
ばならない。したがつて、電解コンデンサ陰極用
アルミニウム合金箔の具備すべき条件は、静電容
量が大きいこと、エツチングのさいの腐食減量が
過度にならず適量であること、および機械的強度
が大きいことである。 従来から電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔は種々存在するが、上記3条件をすべて満た
す箔は存在しなかつたのが実情である。 この発明の目的は、上記条件をすべて満足しう
る電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔を提
供することにある。 問題点を解決するための手段 この発明による電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔は、 ケイ素を0.5%を越えかつ1.0%以下含有し、 マンガンを0.2〜2.0%含有し、 銅0.1〜1.0%およびバナジウム0.003〜0.3%の
うちの少なくともいずれか一方を含有し、さらに 不純物としての鉄を0.3%未満含有し、残部ア
ルミニウムおよび不可避不純物からなることを特
徴とするものである。 ケイ素およびマンガンは、これらをともにアル
ミニウム中に含有せしめることにより、アルミニ
ウム合金箔の静電容量を増大させる性質を有する
が、ケイ素の含有量が0.5%以下、マンガンの含
有量が0.2%未満では上記効果が少なく、ケイ素
の含有量が1.0%を越え、マンガンの含有量が2.0
%を越えると微細なエツチング組織を得られない
ので箔の静電容量は小さくなり、腐食減量も過度
になる。したがつて、ケイ素の含有量を0.5%を
越えかつ1.0%以下、マンガンの含有量を0.2〜2.0
%の範囲内で選ぶべきである。 ケイ素およびマンガンをともに含有せしめるこ
とによりアルミニウム合金箔の静電容量が増大す
るのは、次の理由による。すなわち、周知の如
く、アルミニウム合金箔の静電容量は箔の表面積
と比例し、箔の表面積を増大させるためには、エ
ツチングによつて箔の表面に微細な凹部を均一か
つ高密度に生じさせる必要がある。アルミニウム
中にケイ素を0.5%を越えて含有せしめるととも
に、マンガンを0.2%以上含有せしめると、微細
かつ多数のAl−Si−Mn化合物がアルミニウム・
マトリツクス中に分散した組織を得ることができ
る。Al−Si−Mn化合物は、電位的に貴であつて
アルミニウム・マトリツクスと大きな電極電位差
を有するので、エツチングのさいにアルミニウ
ム・マトリツクスが優先的に腐食されて、箔の表
面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され、そ
の表面積が増大する。しかしながら、ケイ素の含
有量が1.0%越え、マンガンの含有量が2.0%を越
えるとAl−Si−Mn化合物が粗大になり、合金箔
中に均一に分散されなくなるために、微細なエツ
チング組織が得られず、静電容量が低下する。 また、上記において、銅およびバナジウムは、
これらのうち少なくともいずれか一方をアルミニ
ウム合金中に含有せしめると、ケイ素およびマン
ガンの固溶限を低下させてAl−Si−Mn化合物を
より多く析出させるとともに、それ自身アルミニ
ウム・マトリツクス中に固溶し、マトリツクスの
エツチング性を向上させて、上述したようなケイ
素およびマンガンを含有せしめることによる効果
を増進させることができる。しかしながら、銅の
含有量が0.1%未満、バナジウムの含有量が0.003
%未満であれば上記効果は得られず、銅の含有量
が1.0%を越え、バナジウムの含有量が0.3%を越
えると、エツチングが過度になり、かえつて静電
容量が低下する。したがつて、銅の含有量を0.1
〜1.0%の範囲内、バナジウムの含有量を0.003〜
0.3%の範囲内で選ぶべきである。 この発明によるアルミニウム合金箔には、鉄な
どの製造上不可避の不純物が含まれているが、不
純物の中で、とくに鉄の場合は、その含有量が
0.3%以上になると鋳造時に粗大なAl−Si−Mn−
Fe化合物を晶出し、上述したようなケイ素およ
びマンガンを添加することにより得られる効果を
阻害するので、不純物中鉄の含有量は0.3%未満
にすることが好ましい。 実施例 以下、この発明の実施例を対照例とともに説明
する。 下表に示す組成の15種のアルミニウム合金から
通常の製箔法によつて箔を製造した後、これらの
合金箔を液温60℃の3%塩酸および0.5%シユウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度30A/dm2の交流
電流を通じて1分30秒間エツチングを行い、静電
容量を測定した。その結果は下表の通りであつ
た。
【表】
上表から明らかなように、合金L〜Oからなる
箔は、合金A〜Kからなる箔に比べて静電容量が
大きくなつている。 発明の効果 この発明の電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔は、ケイ素を0.5%を越えかつ1.0%以下、
およびマンガンを0.2〜2.0%含有しているので、
微細なAl−Si−Mn化合物がアルミニウム・マト
リツクス中に多数分散した組織を得ることができ
る。そして、Al−Si−Mn化合物は、電位的に貴
であつてアルミニウム・マトリツクスと大きな電
極電位差を有するので、エツチングのさいにアル
ミニウム・マトリツクスが優先的に腐食され、箔
の表面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され
てその表面積が増大し、その結果静電容量が著し
く増大する。しかも、腐食減量も過度にならな
い。また、銅0.1〜1.0%およびバナジウム0.003〜
0.3%のうちの少なくともいずれか一方を含有す
るので、ケイ素およびマンガンの固溶限を低下さ
せてAl−Si−Mn化合物をより多く析出させると
ともに、それ自身アルミニウム・マトリツクス中
に固溶し、マトリツクスのエツチング性を向上さ
せて、上述したようなケイ素およびマンガンを含
有せしめることによる効果を増進させることがで
きる。したがつて、静電容量が一層大きくなる。
さらに、不純物としての鉄の含有量が0.3%未満
であるから、鋳造時に粗大なAl−Si−Mn−Fe化
合物が晶出するのを防止できる。したがつて、ケ
イ素およびマンガンを添加することによる効果を
阻害することはない。
箔は、合金A〜Kからなる箔に比べて静電容量が
大きくなつている。 発明の効果 この発明の電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔は、ケイ素を0.5%を越えかつ1.0%以下、
およびマンガンを0.2〜2.0%含有しているので、
微細なAl−Si−Mn化合物がアルミニウム・マト
リツクス中に多数分散した組織を得ることができ
る。そして、Al−Si−Mn化合物は、電位的に貴
であつてアルミニウム・マトリツクスと大きな電
極電位差を有するので、エツチングのさいにアル
ミニウム・マトリツクスが優先的に腐食され、箔
の表面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され
てその表面積が増大し、その結果静電容量が著し
く増大する。しかも、腐食減量も過度にならな
い。また、銅0.1〜1.0%およびバナジウム0.003〜
0.3%のうちの少なくともいずれか一方を含有す
るので、ケイ素およびマンガンの固溶限を低下さ
せてAl−Si−Mn化合物をより多く析出させると
ともに、それ自身アルミニウム・マトリツクス中
に固溶し、マトリツクスのエツチング性を向上さ
せて、上述したようなケイ素およびマンガンを含
有せしめることによる効果を増進させることがで
きる。したがつて、静電容量が一層大きくなる。
さらに、不純物としての鉄の含有量が0.3%未満
であるから、鋳造時に粗大なAl−Si−Mn−Fe化
合物が晶出するのを防止できる。したがつて、ケ
イ素およびマンガンを添加することによる効果を
阻害することはない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ケイ素を0.5%を越えかつ1.0%以下含有し、 マンガンを0.2〜2.0%含有し、 銅0.1〜1.0%およびバナジウム0.003〜0.3%の
うちの少なくともいずれか一方を含有し、さらに 不純物としての鉄を0.3%未満含有し、 残部アルミニウムおよび不可避不純物からなる
電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262411A JPS63153811A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262411A JPS63153811A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153811A JPS63153811A (ja) | 1988-06-27 |
| JPH0416933B2 true JPH0416933B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=17375410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262411A Granted JPS63153811A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153811A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56494B2 (ja) * | 1975-02-26 | 1981-01-08 | ||
| JPS5611738B2 (ja) * | 1975-02-26 | 1981-03-17 | ||
| JPS56495B2 (ja) * | 1975-02-26 | 1981-01-08 | ||
| JPS5432112A (en) * | 1977-08-16 | 1979-03-09 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum alloy foil for electrolytic capacitor cathode |
| NL7709231A (nl) * | 1977-08-22 | 1979-02-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Kathodefolie voor elektrolytische condensatoren. |
| US4164434A (en) * | 1977-11-02 | 1979-08-14 | Swiss Aluminium Ltd. | Aluminum alloy capacitor foil and method of making |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62262411A patent/JPS63153811A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63153811A (ja) | 1988-06-27 |
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