JPH04170027A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH04170027A JPH04170027A JP29522490A JP29522490A JPH04170027A JP H04170027 A JPH04170027 A JP H04170027A JP 29522490 A JP29522490 A JP 29522490A JP 29522490 A JP29522490 A JP 29522490A JP H04170027 A JPH04170027 A JP H04170027A
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- Japan
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- silicon oxide
- gas
- material layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング方法ｌこ関し、特に酸化シリ
コン系材料層のエッチバックを高速にかつ制御性良く行
う方法に関する。
コン系材料層のエッチバックを高速にかつ制御性良く行
う方法に関する。
本発明は、段差を有する酸化シリコン系材料層を平坦化
するために基体表面をいったん有機高分子膜で略平坦化
してからエッチバックを行うドライエツチング方法にお
いて、前記エッチバックでは実質的に単独組成のエッチ
ング・ガス、特に少なくとも炭素と水素を構成元素とし
て含むガスを使用し、前記有機高分子膜と前記酸化シリ
コン系材料層との等速エツチング条件は被エツチング基
体の温度制御のみで達成することにより、生産性。
するために基体表面をいったん有機高分子膜で略平坦化
してからエッチバックを行うドライエツチング方法にお
いて、前記エッチバックでは実質的に単独組成のエッチ
ング・ガス、特に少なくとも炭素と水素を構成元素とし
て含むガスを使用し、前記有機高分子膜と前記酸化シリ
コン系材料層との等速エツチング条件は被エツチング基
体の温度制御のみで達成することにより、生産性。
制御性、安定性等の大幅な向上を図るものである。
ＶＬＳ １．ＵＬＳ Ｉ等にみられるように半導体装置
の高集積化、高密度化が進行するに伴ってデバイス・チ
ップ上では配線部分の占める割合が増大する傾向にある
が、これによるチップ面積の大型化を防止するために配
線の多層化が進展している。ここで、配線層は抵抗を小
さく維持する必要から過度に薄くすることはできず、配
線層のアスペクト比は増大する傾向にある。一方、各配
線層間の絶縁を行うための眉間絶縁膜も、配線層間の容
量をできるだけ小さく抑える観点から余り薄く形成する
ことはできない。したがって、デバイス・チップ上では
二次元方向の縮小に対して三次元方向の縮小が遅れ、基
体の表面段差が増大する傾向が生ずる。かかる表面段差
の増大は、リソグラフィーにおけるパターン解像度の劣
化につながるため、近年では平坦化技術、特に層間絶縁
膜の平坦化技術の重要性がますます高まっている。
の高集積化、高密度化が進行するに伴ってデバイス・チ
ップ上では配線部分の占める割合が増大する傾向にある
が、これによるチップ面積の大型化を防止するために配
線の多層化が進展している。ここで、配線層は抵抗を小
さく維持する必要から過度に薄くすることはできず、配
線層のアスペクト比は増大する傾向にある。一方、各配
線層間の絶縁を行うための眉間絶縁膜も、配線層間の容
量をできるだけ小さく抑える観点から余り薄く形成する
ことはできない。したがって、デバイス・チップ上では
二次元方向の縮小に対して三次元方向の縮小が遅れ、基
体の表面段差が増大する傾向が生ずる。かかる表面段差
の増大は、リソグラフィーにおけるパターン解像度の劣
化につながるため、近年では平坦化技術、特に層間絶縁
膜の平坦化技術の重要性がますます高まっている。
層間絶縁膜の平坦化方法については種々の方法が知られ
ているが、レジスト材料等を塗布していったん基体表面
を略平坦化した後にエッチバックを行う方法も広く行わ
れているもののひとつである。−例として、酸化シリコ
ンからなる層間絶縁膜の平坦化を行うための従来のエッ
チバックは、一般にバッチ式のＲＩＥ（反応性イオン・
エツチング）装置を使用し、ＣＦ 、１０．系、ＣＨＦ
、１０ｆ系、ＣＦ ＝ ／ ＣＨＦ ｓ ／ Ａ ｒ
系等の混合ガス系を用いて行われている。たとえば、特
開昭６１−２２０３３４号公報には、段差を有する層間
絶縁膜上にノボラック系、フェノール系等のフォトレジ
スト材料を塗布し、紫外線照射によりワーグナーメーヤ
ワイン転移を生起せしめた後、熱処理によりフォトレジ
スト材料層の表面を平坦化し、しかる後にＣＨＦ ｌ
／ Ｏ！系のエッチング・ガスを用いてフォトレジスト
材料層と層間絶縁膜の等速エツチングを行う技術が開示
されている。一般にこのような混合ガス系における等速
エツチング条件の達成は、供給する各成分ガスの流量比
の調節により行われている。
ているが、レジスト材料等を塗布していったん基体表面
を略平坦化した後にエッチバックを行う方法も広く行わ
れているもののひとつである。−例として、酸化シリコ
ンからなる層間絶縁膜の平坦化を行うための従来のエッ
チバックは、一般にバッチ式のＲＩＥ（反応性イオン・
エツチング）装置を使用し、ＣＦ 、１０．系、ＣＨＦ
、１０ｆ系、ＣＦ ＝ ／ ＣＨＦ ｓ ／ Ａ ｒ
系等の混合ガス系を用いて行われている。たとえば、特
開昭６１−２２０３３４号公報には、段差を有する層間
絶縁膜上にノボラック系、フェノール系等のフォトレジ
スト材料を塗布し、紫外線照射によりワーグナーメーヤ
ワイン転移を生起せしめた後、熱処理によりフォトレジ
スト材料層の表面を平坦化し、しかる後にＣＨＦ ｌ
／ Ｏ！系のエッチング・ガスを用いてフォトレジスト
材料層と層間絶縁膜の等速エツチングを行う技術が開示
されている。一般にこのような混合ガス系における等速
エツチング条件の達成は、供給する各成分ガスの流量比
の調節により行われている。
しかしながら、高集積化によりデバイス・チップの面積
が拡大しウェハが大口径化する一方、形成すべきパター
ンは微細化しているので、バッチ式のＲＩＥ装置ではウ
ェハ面内均一性の不足が問題となってきた。そのため、
ドライエツチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉
式に移行しようとしている。ただしこの際、従来と同等
の生産性を維持するためには、大幅なエツチング速度の
向上が必須となる。また、上述のような混合ガス系では
、処理回数を重ねるにつれて条件が不安定化し易いので
、プロセスの安定性や制御性を確保する観点からは単純
なガス系の採用が望まれる。
が拡大しウェハが大口径化する一方、形成すべきパター
ンは微細化しているので、バッチ式のＲＩＥ装置ではウ
ェハ面内均一性の不足が問題となってきた。そのため、
ドライエツチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉
式に移行しようとしている。ただしこの際、従来と同等
の生産性を維持するためには、大幅なエツチング速度の
向上が必須となる。また、上述のような混合ガス系では
、処理回数を重ねるにつれて条件が不安定化し易いので
、プロセスの安定性や制御性を確保する観点からは単純
なガス系の採用が望まれる。
そこで本発明は、上述の問題を解決し、単純なガス系に
より高速に眉間絶縁膜等の酸化シリコン系材料層の平坦
化が行えるドライエツチング方法を提供することを目的
とする。
より高速に眉間絶縁膜等の酸化シリコン系材料層の平坦
化が行えるドライエツチング方法を提供することを目的
とする。
本発明者は、フォトレジスト等の有機高分子材料と酸化
シリコンとの間のエツチング反応機構の相違に着目しな
がら検討を進めた結果、主エツチング種（メイン・エッ
チャント）を生成するガス力ｑ種類であっても、所定の
エツチング条件が揃えばあとは被エツチング基体の温度
を制御するのみで等速エツチング条件を達成し得ること
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
シリコンとの間のエツチング反応機構の相違に着目しな
がら検討を進めた結果、主エツチング種（メイン・エッ
チャント）を生成するガス力ｑ種類であっても、所定の
エツチング条件が揃えばあとは被エツチング基体の温度
を制御するのみで等速エツチング条件を達成し得ること
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
すなわち、本発明の第１の発明にかかるドライエツチン
グ方法は、段差を有する酸化シリコン系材料層を被覆し
て略平坦に有機高分子膜が形成されてなる基体のエッチ
バックを行い該酸化シリコン系材料層を平坦化する方法
であって、前記エッチバックは主エツチング種を生成す
るガスを１種類のみ含むエッチング・ガスを使用し、か
つ被エツチング基体の温度制御を行うことにより前記有
機高分子膜と前記酸化シリコン系材料層のエツチング速
度が等しくなる条件を設定して行われることを特徴とす
るものである。
グ方法は、段差を有する酸化シリコン系材料層を被覆し
て略平坦に有機高分子膜が形成されてなる基体のエッチ
バックを行い該酸化シリコン系材料層を平坦化する方法
であって、前記エッチバックは主エツチング種を生成す
るガスを１種類のみ含むエッチング・ガスを使用し、か
つ被エツチング基体の温度制御を行うことにより前記有
機高分子膜と前記酸化シリコン系材料層のエツチング速
度が等しくなる条件を設定して行われることを特徴とす
るものである。
本発明の第２の発明にかかるドライエツチング方法は、
前記主エツチング種を生成するガスとして少なくとも炭
素とフッ素とを構成元素として含むガスを使用すること
を特徴とするものである。
前記主エツチング種を生成するガスとして少なくとも炭
素とフッ素とを構成元素として含むガスを使用すること
を特徴とするものである。
フォトレジスト等の有機高分子材料のエツチングは、主
としてラジカル・モードで進行する。つまり、この過程
は化学反応であるため、被エツチング基板が冷却され基
板近傍の反応系の温度が低下すれば、ラジカルの運動が
抑制されてエツチング速度は低下する。これに対し、酸
化シリコン系材料のエツチングはイオンによるスパッタ
リングを主体とする物理的過程により進行するので、冷
却によるエツチング速度の低下はレジスト材料やシリコ
ン系材料はど顕著ではない。このように、有機高分子材
料と酸化シリコン系材料とはエツチング速度の温度依存
性に差があるため、所定のエツチング条件が揃えば、実
用的な温度域内で被エツチング基体の温度を最適化する
だけでこれら両者のエツチング速度が等しくなる点を見
出すことができる。本発明の第１の発明はかかる考え方
にもとづくものであって、実質的には単独組成のエッチ
ング・ガスを採用できる点がメリットとなる。
としてラジカル・モードで進行する。つまり、この過程
は化学反応であるため、被エツチング基板が冷却され基
板近傍の反応系の温度が低下すれば、ラジカルの運動が
抑制されてエツチング速度は低下する。これに対し、酸
化シリコン系材料のエツチングはイオンによるスパッタ
リングを主体とする物理的過程により進行するので、冷
却によるエツチング速度の低下はレジスト材料やシリコ
ン系材料はど顕著ではない。このように、有機高分子材
料と酸化シリコン系材料とはエツチング速度の温度依存
性に差があるため、所定のエツチング条件が揃えば、実
用的な温度域内で被エツチング基体の温度を最適化する
だけでこれら両者のエツチング速度が等しくなる点を見
出すことができる。本発明の第１の発明はかかる考え方
にもとづくものであって、実質的には単独組成のエッチ
ング・ガスを採用できる点がメリットとなる。
本発明の第２の発明は、主エツチング種を生成するガス
として少なくとも炭素とフッ素とを構成元素として含む
ガスを使用することにより、第１の発明を実用的なプロ
セスとして提供するものである。かかるガスは、プラズ
マ中で解離するとＦ。
として少なくとも炭素とフッ素とを構成元素として含む
ガスを使用することにより、第１の発明を実用的なプロ
セスとして提供するものである。かかるガスは、プラズ
マ中で解離するとＦ。
（）゛ツ素ラジカル）やＣＦ、”（特にＣＦ、”）イオ
ン等のエツチング種を生成し、前者が主として有機高分
子膜、後者が主として酸化シリコン系材料層のエツチン
グに寄与することになる。
ン等のエツチング種を生成し、前者が主として有機高分
子膜、後者が主として酸化シリコン系材料層のエツチン
グに寄与することになる。
以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
まず、本発明を実際のプロセスに適用するに先立ち、予
備実験として、酸化シリコン層と有機高分子膜のエツチ
ング速度の温度依存性について検討した。
備実験として、酸化シリコン層と有機高分子膜のエツチ
ング速度の温度依存性について検討した。
すなわち、５インチ径のシリコン基板上にＣｖＤにより
酸化シリコン層を形成したサンプル・ウェハと、同じく
ノボラック系ポジ型フォトレジスト材料（商品名 ０Ｆ
ＰＲ−８００，東京応化工業社製）を筒布してレジスト
膜を形成したサンプル・ウェハを用意し、ＲＦバイアス
印加型有磁場マイクロ波プラズマ・エツチング装置を使
用してＣ，Ｆ、ガス（フロン２Ｉ８）によるエツチング
を°行い、ウェハ温度の変化によるエツチング速度の変
化を調べた。ここで、ウェハ温度の制御は上記エツチン
グ装置にエタノール冷媒を使用したチラーを接続してウ
ェハ設置電極を冷却することにより行い、測温はプラズ
マの影響を受けぬよう、サンプル・ウェハの裏面から蛍
光ファイバ温度計を接触させることにより行った。また
、エツチング条件はＣ２Ｆ、流量４６ ＳＣＣＭ、ガス
圧１０ｍＴｏｒｒ （＝ １．３ Ｐ ａ ）。
酸化シリコン層を形成したサンプル・ウェハと、同じく
ノボラック系ポジ型フォトレジスト材料（商品名 ０Ｆ
ＰＲ−８００，東京応化工業社製）を筒布してレジスト
膜を形成したサンプル・ウェハを用意し、ＲＦバイアス
印加型有磁場マイクロ波プラズマ・エツチング装置を使
用してＣ，Ｆ、ガス（フロン２Ｉ８）によるエツチング
を°行い、ウェハ温度の変化によるエツチング速度の変
化を調べた。ここで、ウェハ温度の制御は上記エツチン
グ装置にエタノール冷媒を使用したチラーを接続してウ
ェハ設置電極を冷却することにより行い、測温はプラズ
マの影響を受けぬよう、サンプル・ウェハの裏面から蛍
光ファイバ温度計を接触させることにより行った。また
、エツチング条件はＣ２Ｆ、流量４６ ＳＣＣＭ、ガス
圧１０ｍＴｏｒｒ （＝ １．３ Ｐ ａ ）。
マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー１０
０ Ｗ （２ＭＨｚ）とした。
０ Ｗ （２ＭＨｚ）とした。
結果を第１図に示す。図中、縦軸はエツチング速度（ｎ
ｍ／分）、横軸はウェハ温度（’Ｃ）を表し、黒丸（・
）のプロットはレジスト膜、白丸（０）のプロットは酸
化シリコン層の測定データに対応する。この図より、主
としてラジカル・モードによりエツチング反応が進行す
るレジスト膜は、ウェハ温度の上昇に伴いほぼ直線的に
エツチング速度が増加するのに対し、主としてイオン・
モードによりエツチング反応が進行する酸化シリコン層
では温度の影響がそれほど顕著に現れない傾向が明らか
である。さらに、このような一般的な傾向に加え、本実
験では酸化シリコン層のエツチング速度とレジスト膜の
エツチング速度が一８０°Ｃ〜２０℃の温度域で接近し
た範囲内にある。本来、酸化シリコン層のエツチング速
度は装置の構成材料等の条件が異なればもっと高くなり
得るので、上述の温度域内で両者のエツチング速度が接
近するとは限らない。しかし、ここで使用したエツチン
グ装置はエツチング・チャンバが石英製であるため、酸
化シリコン層のエツチング種が一部チャンバ壁で消費さ
れて全体的にエツチング速度が低下し、その結果、レジ
スト膜に近いエツチング速度が達成されているのである
。
ｍ／分）、横軸はウェハ温度（’Ｃ）を表し、黒丸（・
）のプロットはレジスト膜、白丸（０）のプロットは酸
化シリコン層の測定データに対応する。この図より、主
としてラジカル・モードによりエツチング反応が進行す
るレジスト膜は、ウェハ温度の上昇に伴いほぼ直線的に
エツチング速度が増加するのに対し、主としてイオン・
モードによりエツチング反応が進行する酸化シリコン層
では温度の影響がそれほど顕著に現れない傾向が明らか
である。さらに、このような一般的な傾向に加え、本実
験では酸化シリコン層のエツチング速度とレジスト膜の
エツチング速度が一８０°Ｃ〜２０℃の温度域で接近し
た範囲内にある。本来、酸化シリコン層のエツチング速
度は装置の構成材料等の条件が異なればもっと高くなり
得るので、上述の温度域内で両者のエツチング速度が接
近するとは限らない。しかし、ここで使用したエツチン
グ装置はエツチング・チャンバが石英製であるため、酸
化シリコン層のエツチング種が一部チャンバ壁で消費さ
れて全体的にエツチング速度が低下し、その結果、レジ
スト膜に近いエツチング速度が達成されているのである
。
このように、酸化シリコン層とレジスト膜のエツチング
速度が等しくなる温度域は、装置その他の条件に依存し
、一般的に論することはできない。
速度が等しくなる温度域は、装置その他の条件に依存し
、一般的に論することはできない。
しかし、これらの条件が適当に選択されれば、あとは被
エツチング基板の温度を制御するのみで等速エツチング
条件を設定することができる。ここで、フォトレジスト
層のエツチング速度に対する酸化シリコン層のエツチン
グ速度の比を選択比と定義すると、第１図に示される例
では２０℃において０．７５、−４５℃において１．０
、−８０℃において１．１の値が得られた。つまり、−
４５℃で等速エツチング条件が成立しているわけである
。
エツチング基板の温度を制御するのみで等速エツチング
条件を設定することができる。ここで、フォトレジスト
層のエツチング速度に対する酸化シリコン層のエツチン
グ速度の比を選択比と定義すると、第１図に示される例
では２０℃において０．７５、−４５℃において１．０
、−８０℃において１．１の値が得られた。つまり、−
４５℃で等速エツチング条件が成立しているわけである
。
次に、本発明を実際に半導体装置の製造ブロスに適用し
た例について、第２図（Ａ）ないし第２図（Ｃ）を参照
しながら説明する。
た例について、第２図（Ａ）ないし第２図（Ｃ）を参照
しながら説明する。
まず、第２図（Ａ）に示されるように、シリコン等から
なる半導体基板（１）上に絶縁酸化膜（２）を介して多
結晶シリコン等からなる配線層（３）を形成し、基体の
全面にＣＶＤ等の手法により酸化シリコンからなる層間
絶縁膜（４）を形成した。このとき、上記層間絶縁膜（
４）の表面には、上記配線層（３）の形成パターンを反
映して段差が形成された。
なる半導体基板（１）上に絶縁酸化膜（２）を介して多
結晶シリコン等からなる配線層（３）を形成し、基体の
全面にＣＶＤ等の手法により酸化シリコンからなる層間
絶縁膜（４）を形成した。このとき、上記層間絶縁膜（
４）の表面には、上記配線層（３）の形成パターンを反
映して段差が形成された。
さらに、基体の全面にたとえば上述のノボラック系ポジ
型フォトレジスト材料を塗布し、第２図（Ｂ）に示され
るように、レジスト膜（５）をほぼ平坦に形成した。
型フォトレジスト材料を塗布し、第２図（Ｂ）に示され
るように、レジスト膜（５）をほぼ平坦に形成した。
次に、上述の予備実験と同様に、Ｃ，Ｆ、ガスを用いて
上記レジスト膜（５）と上記層間絶縁膜（４）の等速エ
ツチングを行ったところ、第２図（Ｃ）に示されるよう
に、層間絶縁膜（４）はほぼ平坦化された。
上記レジスト膜（５）と上記層間絶縁膜（４）の等速エ
ツチングを行ったところ、第２図（Ｃ）に示されるよう
に、層間絶縁膜（４）はほぼ平坦化された。
なお、上述の例では、少なくともＣとＦとを構成元素と
するガスとしてＣ，Ｆ、を使用したが、本発明ではこの
他にもＣＦ、、Ｃ，Ｆｌ、Ｃ，Ｆｌ。等の飽和フルオロ
カーボン系化合物、ＣｌＦ３．ＣｔＦｔ。
するガスとしてＣ，Ｆ、を使用したが、本発明ではこの
他にもＣＦ、、Ｃ，Ｆｌ、Ｃ，Ｆｌ。等の飽和フルオロ
カーボン系化合物、ＣｌＦ３．ＣｔＦｔ。
Ｃ５Ｆｓ、Ｃ５Ｆｓ、Ｃ４Ｆ＠、ＣａＦｓ、ＣａＦａ等
の不飽和フルオロカーボン系化合物、あるいはＣとＦの
他にＨを構成元素として含むＣＨＦ、等の化合物を使用
しても良い。中でも、Ｃ原子数が２以上で、１分子から
２個以上のＣＦｒイオンを生成することが可能で、かつ
Ｆ／Ｃ比が２以上で比較的多数のＦ９を効率良く生成す
ることが可能な高次フルオロカーボン系ガスを使用する
ことが、エツチング速度を高める観点からは特に好まし
い。
の不飽和フルオロカーボン系化合物、あるいはＣとＦの
他にＨを構成元素として含むＣＨＦ、等の化合物を使用
しても良い。中でも、Ｃ原子数が２以上で、１分子から
２個以上のＣＦｒイオンを生成することが可能で、かつ
Ｆ／Ｃ比が２以上で比較的多数のＦ９を効率良く生成す
ることが可能な高次フルオロカーボン系ガスを使用する
ことが、エツチング速度を高める観点からは特に好まし
い。
さらに上述のガス系にエツチング速度を制御するために
Ｏ，ガス、Ｎ、ガス等を添加しても良く、またスパッタ
リング効果、希釈効果、冷却効果等を期待する意味でＨ
ｅ、Ａｒ等の希ガスを適宜添加しても良い。
Ｏ，ガス、Ｎ、ガス等を添加しても良く、またスパッタ
リング効果、希釈効果、冷却効果等を期待する意味でＨ
ｅ、Ａｒ等の希ガスを適宜添加しても良い。
本発明で平坦化される酸化シリコン系材料層は上述の酸
化シリコンに限られるものではなく、ＰＳＧ、ＢＳＧ、
ＢＰＳＧ、Ａｓ５Ｇ、ＡｓＰＳＧ。
化シリコンに限られるものではなく、ＰＳＧ、ＢＳＧ、
ＢＰＳＧ、Ａｓ５Ｇ、ＡｓＰＳＧ。
ＡｓＢＳＧ等であっても良い。
さらに、本発明は層間絶縁膜の平坦化のみならず、たと
えばトレンチ・アイソレーション技術においてシリコン
基板に形成された素子分離用のトレンチを酸化シリコン
堆積膜により平坦に埋め込むためのエッチバックにも適
用することができる。
えばトレンチ・アイソレーション技術においてシリコン
基板に形成された素子分離用のトレンチを酸化シリコン
堆積膜により平坦に埋め込むためのエッチバックにも適
用することができる。
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、実
質的に単独組成のエッチング・ガスを使用しても、被エ
ツチング基体の温度制御により有機高分子膜と酸化シリ
コン系材料層との等速エツチング条件を達成することが
可能となる。したがって、今後の主流になるものと予想
される枚葉式ドライエツチング装置を用いて多数回のプ
ロセスを繰り返しても、優れた安定性と制御性が得られ
る。したがって本発明は、微細なデザイン・ルールにも
とづき高性能、高集積度を有する半導体装置の製造に極
めて有効である。
質的に単独組成のエッチング・ガスを使用しても、被エ
ツチング基体の温度制御により有機高分子膜と酸化シリ
コン系材料層との等速エツチング条件を達成することが
可能となる。したがって、今後の主流になるものと予想
される枚葉式ドライエツチング装置を用いて多数回のプ
ロセスを繰り返しても、優れた安定性と制御性が得られ
る。したがって本発明は、微細なデザイン・ルールにも
とづき高性能、高集積度を有する半導体装置の製造に極
めて有効である。
第１図は酸化シリコン層とレジスト膜のエッチ。
ング速度の温度依存性を示す特性図である。
第２図（Ａ）ないし第２図（Ｃ）は本発明を層間絶縁膜
の平坦化に適用した一例をその工程順にしたがって説明
する概略断面図であり、第２図（Ａ）は段差を有する層
間絶縁膜の形成工程、第２図（Ｂ）はレジスト膜による
基体の平坦化工程、第２図（Ｃ）はレジスト膜と層間絶
縁膜の等速エッチバックによる層間絶縁膜の平坦化工程
をそれぞれ表す。 ｌ ・・・半導体基板 ２ ・・・絶縁酸化膜 ３ ・・・配線層 ４ ・・・層間絶縁膜 ５ ・・・レジスト膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 間 田村榮− 同 佐原 勝 第１図
の平坦化に適用した一例をその工程順にしたがって説明
する概略断面図であり、第２図（Ａ）は段差を有する層
間絶縁膜の形成工程、第２図（Ｂ）はレジスト膜による
基体の平坦化工程、第２図（Ｃ）はレジスト膜と層間絶
縁膜の等速エッチバックによる層間絶縁膜の平坦化工程
をそれぞれ表す。 ｌ ・・・半導体基板 ２ ・・・絶縁酸化膜 ３ ・・・配線層 ４ ・・・層間絶縁膜 ５ ・・・レジスト膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 間 田村榮− 同 佐原 勝 第１図
Claims (2)
- （１）段差を有する酸化シリコン系材料層を被覆して略
平坦に有機高分子膜が形成されてなる基体のエッチバッ
クを行い該酸化シリコン系材料層を平坦化するドライエ
ッチング方法において、 前記エッチバックは主エッチング種を生成するガスを１
種類のみ含むエッチング・ガスを使用し、かつ被エッチ
ング基体の温度制御を行うことにより前記有機高分子膜
と前記酸化シリコン系材料層のエッチング速度が等しく
なる条件を設定して行われることを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - （２）前記主エッチング種を生成するガスは少なくとも
炭素とフッ素とを構成元素として含むガスであることを
特徴とする請求項（１）記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29522490A JPH04170027A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29522490A JPH04170027A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170027A true JPH04170027A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17817821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29522490A Pending JPH04170027A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170027A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015488A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Hoya Corp | ドライエッチング用ガスおよび半導体デバイスの加工方法 |
| WO2001027987A1 (fr) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz de gravure a sec |
| KR100731331B1 (ko) * | 1997-01-08 | 2007-10-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 에칭방법 |
| JP2012114445A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属ゲート電極を有する半導体素子の製造方法 |
| JP2019179889A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29522490A patent/JPH04170027A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731331B1 (ko) * | 1997-01-08 | 2007-10-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 에칭방법 |
| JP2001015488A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Hoya Corp | ドライエッチング用ガスおよび半導体デバイスの加工方法 |
| WO2001027987A1 (fr) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz de gravure a sec |
| JP2012114445A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属ゲート電極を有する半導体素子の製造方法 |
| JP2019179889A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
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