JPH0417141A - 光磁気メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、浮上型磁気ヘッドを備えた光磁気記録再生装
置用の光磁気メモリ素子及びその製造方法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

近年、いわゆるコンパクトディスク等の再生専用の光メ
モリ素子に代えて、情報の記録・再生及び消去が可能な
大容量メモリである光磁気メモリ素子の研究開発が活発
に行われ、実用化段階に至っている。最近では、より高
速、高密度での記録を実現するための方式が研究されて
おり、なかでもオーバライドと呼ばれる記録方式が注目
されている。このオーバライド方式は、情報の消去動作
を必要とせず、直接記録済の情報の書換えが行えるため
、記録に要する時間を短縮できる利点があ以下、従来の
記録方式と併せてオーバライド方式について説明する。

説明を簡単にするため、記録媒体である垂直磁化膜の磁
化の向きは所定の方向、例えば、膜面と直交する方向に
おける上向きに揃っているものとする。記録を行う場合
は、記録すべき部位にレーザビームを高出力状態で照射
し、記録部位を記録媒体のキュリー温度又は磁気的補償
温度近傍或いはそれ以上の温度に上昇させる。これによ
り、記録部位の保磁力の値はほぼ０“となるので、外部
から上記膜面と直交する方向における下向きの磁界を印
加することで記録部位の磁化は下向きに反転し、記録が
行われる。

情報の再生時には、昇温による磁化反転が生じない範囲
の低出力のレーザビームを照射し、磁化の向きにより偏
光面の回転方向が相違する現象に基づいて光学的に情報
を検出する。

ところで、既に情報が書き込まれている領域に対し、新
たな情報の書込みを行う場合の書換え方式には、（ｉ）
消去動作により記録媒体の磁化の向きを一定方向に揃え
直すことにより初期化を行った後、新たな情報を記録す
る方式と、（ｉｉ）記録媒体又は外部磁界発生装置に工
夫を加え、消去動作を介さずに直接情報の書換えを行う
オーバライド方式の２方式がある。

その内、（ｉ）の方式では、消去専用ヘッドを別個に設
けるか、又は磁気ヘッドが１個のみであれば、−旦消去
を行った後に記録を行うことになる。ところが、消去専
用ヘッドを設ける場合はコスト高及び装置の大型化を招
き、一方、従来多用されている如く、磁気ヘッドを１個
のみとすると、書換えに長時間を要することになる。

一方、（ｉｉ）の方式の内、外部磁界印加装置に工夫を
加える方式、つまり、レーザビームを高出力状態に保持
し、外部磁界の向きを記録すべき情報に応じて上向きと
下向きに変調する方式は、記録媒体を従来のものから大
きく変更する必要がなく、最も有望であると思われる。

ところで、高密度記録を行うために外部磁化の向きを非
常に高い周波数、例えば、１０ＭＨｚ程度でスイッチン
グする場合、外部磁界発生装置におけるコイル及びコイ
ル芯を充分に小さくする必要がある。従って、発生磁界
強度及び磁界発生領域も小さくなるので、磁気ヘッドと
記録媒体とを充分に、具体的には、数μｍ〜数１０μｍ
程度の距離まで接近させねばならない。その際、記録媒
体表面に面振れ、つまり、円周方向の凹凸が存在するこ
とを考慮すると、磁気ヘッドを固定型としたのでは、上
記のような微小間隔は得られにくい。

従って、板ばね等のサスペンションにより光磁気メモリ
素子の表面側に付勢されるとともに、光磁気メモリ素子
の回転に伴って生じる空気流により光磁気メモリ素子の
表面から浮上する浮上型磁気ヘッドを採用することが考
えられる。なお、このような浮上型磁気ヘッドは既存の
ハードディスクにて採用されており、ハードディスクに
おける浮上量は、通常、サブミクロンオーダである。

ところで、上記の浮上型磁気ヘッドを用いた光磁気記録
において、浮上型磁気ヘッドは光磁気メモリ素子の定速
回転中には光磁気メモリ素子との間に生じる空気流によ
り一定の浮上量を保つが、光磁気メモリ素子の回転開始
及び終了時並びに光磁気メモリ素子の停止中には浮上型
磁気ヘッドを何らかの方法で支持する必要がある。この
支持方法としては、（ｉ）浮上型磁気ヘッドの支持機構
に工夫を加え、光磁気メモリ素子の停止中等に浮上型磁
気ヘッドが光磁気メモリ素子に接触しないように支持す
る方法、（ｉｉ）光磁気メモリ素子の回転の開始、終了
時及び停止中に浮上型磁気ヘッドを光磁気メモリ素子上
で摺動又は接触させる方法がある。

その内、（ｉ）の方法は、支持機構がかなり複雑となる
問題がある。一方、（ｉｉ）の方法はハードディスクの
分野では一般的であり、Ｃ３５（：＋ツタクト・スター
ト、アンド・ストッカ方式と呼ばれている。　このＣ３
Ｓ方式では、まず、光磁気メモリ素子の表面の耐摺動性
が極めて重要になる。既存のハードディスクにおいては
、この耐摺動性に優れた潤滑層を記録媒体上に形成して
いる。潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるフッ素系潤
滑油（主にパーフルオロポリエーテル）、固体潤滑剤で
あるＰＴＦＥ（ポリテトラ刀財ロエチレン）等を塗布す
ることで形成される。

又、Ｃ８Ｓ方式においては、回転の開始及び終了時、つ
まり、浮上型磁気ヘッドの摺動時のヘッドクラッシュに
よる情報破壊を防止する必要がある。このため、ハード
ディスクにおいては、通常１．記録領域より内周側に設
定されたＣ８Ｓ専用の領域で浮上型磁気ヘッドの摺動・
接触が行われている。なお、光磁気記録再生装置におい
ても浮上型磁気ヘッドは記録領域以外の領域で慴動させ
るのが好ましいと思われる。

ところで、従来提案されている光磁気メモリ素子は、例
えば、第５図（ａ）　（ｂ）に示すように、透光性基板
１、記録媒体層２、保護樹脂層３及びセンタハブ４を含
む構成である。

透光性基板１としては、射出整形による量産が可能なポ
リカーボネイトが多く用いられ、この透光性基板１には
情報の記録再生に使用する光ビームを所定位置に案内す
るためのトラック及び番地情報が記録されたガイドトラ
ック及びガイド番地溝１ａが形成されている。なお、ガ
イドトラック及びガイド番地溝１ａは射出整形時に、成
形金型（図示せず）内に設けられたスタンパにより透光
性基板１の成形と同時に形成される。この際に、金型内
にスタンバを固定する部材、いわゆる、スタンバ押えに
よってスタンパ押え溝１ｂも副次的に形成される。

記録媒体層２はガイドトラック及びガイド番地溝１ａを
覆う状態で形成され、例えば、透光性基板１側から順次
、第１の透明誘電体膜、光磁気記録媒体である希土類遷
移金属合金薄膜、第２の透明誘電体膜及び反射膜が積層
された多層構造をなしている（図では単に１層として示
す）。

保護樹脂層３は記録媒体層２に損傷及び塵埃等が付くの
を防止するとともに、酸化を防止する役割を果たすもの
である。保護樹脂層３の材料としては、耐水性、耐環境
性に優れており、かつ、作業性、プロセス時間等の点で
も有利な紫外線硬化型樹脂が多用されている。保護樹脂
層３は主にスピンコード法により形成される。その際、
上記紫外線硬化型樹脂は、例えば、スタンパ押え溝１ｂ
の外側エツジ部に滴下させて記録媒体層２を覆う状態で
スピンコード法により塗布した後、紫外線を照射して硬
化させる。

センタハブ４は透光性基板１の中央に設けられた穴１ｃ
の中心と、ガイドトラック及びガイド番地溝１ａとの間
に通常若干の偏心があるので、これを吸収しつつ、光磁
気メモリ素子を記録再生装置の回転スピンドルに装着す
るための治具である。

センタハブ４には記録再生装置の回転スピンドル５（第
６図（ｂ）参照）に装着するためのガイド穴４ａが設け
られる。センタハブ４の材料としては、回転スピンドル
５に対し、マグネット装着が多用されるため、５ＵＳ４
３０等のステンレス鋼が用いられる。

又、センタハブ４の形状としては、第５図（ｂ）のよう
に、上端部に外向きフランジ４ｂが形成されたものが多
用され、外向きフランジ４ｂが透光性基板１における記
録媒体層２の形成された表面に適宜の接着剤、例えば、
エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、紫外線硬化型
樹脂又は両面テープ等により取り付けられている。

上記の光磁気メモリ素子に対し、Ｃ３Ｓ方式で記録再生
を行う記録再生装置を第６図（ａ）　（ｂ）に示す。

回転スピンドル５上に第５図（ａ）（ｂ）の光磁気メモ
リ素子がマグネット装着され、この光磁気メモリ素子の
図中上側に浮上型磁気ヘッド６が配置されている。浮上
型磁気ヘッド６は板ばねからなるサスペンション７の突
出端一部により支持され、サスペンション７の基端部は
支持ベース８に接続されている。浮上型磁気ヘッド６は
、光磁気メモリ素子上で７１動するスライダ６ａと、コ
イル及びコイル芯（具体的に図示せず）からなる磁界発
生部材６ｂとを備えている。

一方、光磁気メモリ素子の図中下側に光学系ユニットを
含む光ヘッド９が配置されている。この光ヘッド９と浮
上型磁気ヘッド６は連動して光磁気メモリ素子の半径方
向に移動する必要があるため、支持ベース８が光ヘッド
９に接続されている。

光ヘッド９の対物レンズ９ａは浮上型磁気ヘッド６の磁
界発生部材６ｂに対応する位置に配置されている。

上記の構成において、浮上型磁気ヘッド６がＣ８Ｓ方式
による摺動を行い得る範囲がどの程度であるか、仮に求
めてみると以下のようになる。

まず、透光性基板１が民生用としての需要が最も期待さ
れる直径３．５インチ（８，６ｍｍ）のものであるとす
ると、ガイドトラック及びガイド番地溝１ａが設けられ
る記録領域は半径２２〜４０ｍｍ程度の範囲となる。こ
の記録領域での光磁気記録特性を確保するには、記録媒
体層２を半径ｒ＋’（第５図（ａ））　−２０，５ｍｍ
　〜半径ｒ２＋−４１，５ｍｍ程度の範囲に形成するこ
とが望ましい。

又、浮上型磁気ヘッド６におけるスライダ６ａのサイズ
は浮上特性等から決定されるが、上記の光磁気メモリ素
子に対しては半径方向に４ｍｍ、円周方向に５ｍｍ程度
の摺動面が必要となる。

上記の各サイズに基づいて考慮すると、光磁気メモリ素
子の記録領域より外周側で浮上型磁気ヘッド６の摺動を
行わせることは困難であり、摺動領域（ＣＳＳ領域）は
必然的に記録領域より内周側となる。ここで、記録領域
の情報の破壊を避けるためには、記録領域が半径ｒｌ”
−２０，５ｍｍより外側に設けられるのであれば、ＣＳ
　Ｓ　ｊｉｌ域は半径２０ｍｍより内側に設けるのが好
ましい。

次に、ＣＳＳ領域が内周側にどの程度の半径位置まで取
り得るかを考慮すると、内周側での制限は回転スピンド
ル５の外周面と光ヘッド９の内周端との接触が生じない
ようにという点から決定される。

回転スピンドル５の外径は、モータトルク及び、光磁気
メモリ素子を装着する際の基準面となるクランピングゾ
ーンの面積等により決定され、ここでは、はぼ２１ｍｍ
（半径１０．５ｍｍ）となる。一方、光ヘッド９は対物
レンズ９ａを中心として光ビームのサーボを安定して行
うためのアクチュエータ（図示せず）が設けられ、又、
塵埃等から光学部品を保護するための筐体で覆われるた
め、ビーム中心から光ヘッド９の内周端までの距離は最
小でも８．５ｍｍ程度必要である。これらの寸法から回
転スピンドル５と光ヘッド９が接触しない光ビーム中心
位置（つまり、磁界発生部材６ｂの位置）は半径１９ｍ
ｍより外側となる。

従って、Ｃ３Ｓ動作時における磁界発生部材６ｂの半径
位置は半径２０〜１９ｍｍの範囲となり、浮上型磁気ヘ
ッド６がＣ３Ｓ動作を行う領域は極めて限られた範囲に
限定される。

更に、透光性基板１上のスタンパ押え溝１ｂは、前述の
如く、スタンパを金型に固定するためのスタンパ押え部
材が透光性基板１に転写されることにより、単に副次的
に形成されるものであるから、スタンバ押え溝１ｂの形
成位置はあまり内周側にずらすことはできず、最も内周
側にずらしたとしてもその外周端は半径１５ｍｍ前後の
位置となる（なお、スタンパ押え溝１ｂは溝幅は約１ｍ
ｍ）。

又、センタハブ４は透光性基板１に対する接着強度、平
面度の点からある程度の接着面積を確保する必要がある
ので、その直径が、例えば、２８ｍｍ程度とされる。以
上のように、スタンパ押え溝１ｂの位置及びセンタハブ
４の接着面積等の点からもＣＳ　Ｓ　Ｗ４域が制限を受
ける。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上の点からＣ８Ｓ動作を行い得る領域は、半径１５〜
２０ｍｍの極めて狭い範囲となる。この結果、磁界発生
部材６ｂを含めた浮上型磁気へ・ンド６の形状に制約が
加えられることになり、浮上特性に関する自由度が小さ
くなる。

更に、記録媒体層２を保護する保護樹脂層３は、スタン
パ押え溝１ｂの外周エツジを基準として同心円状に形成
されるものである。ところで、浮上型磁気ヘッド６は保
護樹脂層３の表面との間で生じる空気流により浮上刃を
得るため、Ｃ８Ｓ動作時に浮上型磁気ヘッド６のスライ
ダ６ａ全面に対向して保護樹脂層３が存在する必要があ
る。その場合、スライダ６ａの一部が保護樹脂層３より
内周側にずれ込むと、空気流の乱れにより浮上特性に悪
影響が生じる。

なお、スライダ６ａが保護樹脂層３より内周側にずれ込
まないとしても、保護樹脂層３のエツジとスライダ６ａ
のエツジが極めて近接している第６図（ａ）（ｂ）の構
成においても、空気流の乱れの心配があり、理想的な状
態であるとは言えない。

又、保護樹脂層３は極めて酸化されやすい希土類遷移金
属合金薄膜を保護するための耐水、耐湿性等の耐環境性
に主眼が置かれているために、ＣＳＳ動作に対する耐慴
動性、耐磨耗性の点で充分な特性が得られず、スライダ
６ａが保護樹脂層３に粘着したり、摩耗粉が生じる等の
問題がある。

耐ｔａ動性、耐磨耗性と耐環境性を兼ね備えた保護樹脂
は未だ開発途上である。一方、耐慴動性、耐磨耗性に優
れたフッ素系高分子材料では、充分な耐環境性が得られ
ないことが確認されている。

そこで、保護樹脂層３上に更にフッ素系高分子樹脂を形
成することは容易に考えられるが、これは工数の増加、
コスト高に結び付くとともに、２種類の樹脂間の親和性
も不充分であることが懸念され、有効な方法とは言えな
い。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光磁気メモリ素子は、上記の課題を解決す
るために、基板と、基板上に形成された光磁気記録媒体
と、光磁気記録媒体を覆う保護樹脂層と、光磁気記録媒
体より内周側で基板に取り付けられたセンタハブとを有
し、浮上型磁気ヘッドを用いて情報の記録を行う光磁気
メモリ素子において、上記基板の光磁気記録媒体の形成
位置より内周側に凹状段差部が設けられ、この凹状段差
部にセンタハブが上記保護樹脂層とほぼ同一面をなすよ
うに取り付けられるとともに、センタハブ上に浮上型磁
気ヘッドの慴動・接触領域が設けられていることを特徴
とするものである。

又、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法は、上記
の光磁気メモリ素子を製造するに際して、センタハブを
基板の凹状段差部に取り付けた後に、センタハブの外周
端に密着させて保護樹脂層をセンタハブとほぼ同一面を
なすように形成するようにしたことを特徴としている。

〔作　用〕

本発明の光磁気メモリ素子によれば、浮上型磁気ヘッド
の摺動・接触がセンタハブ上で行われるので、保護樹脂
層上でｔａ動・接触が行われる場合に比して摩耗粉の発
生及びスクラッチ等の傷の発生が少なくなり、安定した
Ｃ３Ｓ動作を行うことができるようになる。更に、従来
のセンタハブの外径を必要に応じて若干大きくするのみ
で本発明の構成を実現できるので、コスト及び工数の点
で不利益は生じない。

又、センタハブ上には充分広いスペースが存在するので
、浮上型磁気ヘッドの形状の自由度が増し、それに伴っ
て浮上特性の設定の自由度も増すとともに、摺動中に浮
上型磁気ヘッドがセンタハブ上からはみ出る恐れはない
ので、浮上特性の安定化をも図ることができる。

更に、基板上に凹状段差部を設けて、この凹状段差部に
センタハブを取り付けるようにしたので、センタハブと
保護樹脂層とがほぼ同一面をなすようにすることができ
、これにより、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹
脂層との境界部を通過する際にも、ヘッドクラッシュが
生じる恐れはなくなる。

一方、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法によれ
ば、基板上にセンタハブを取り付けた後、保護樹脂層を
形成するようにしたので、センタハブの外周端に密着さ
せて保護樹脂層が形成された光磁気メモリ素子を再現性
良（製造することができる。この光磁気メモリ素子では
、センタハブの外周端と保護樹脂層との間に間隙が生じ
ないので、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹脂層
との境界部を通過する際にも浮上特性に変化は生じず、
ヘッドクラッシュは更に生じにくくなる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。

本実施例に係る光磁気メモリ素子は、第２図（ａ）（ｂ
）及び第３図（ａ）に示すように、透光性基板１１と、
透光性基板１１上に形成された光磁気記録媒体としての
記録媒体層１２（図の簡略化のため第２図（ｂ）には不
図示）と、透光性基板１１を覆う保護樹脂層１３と、透
光性基板１１の中央に取り付けられたセンタハブ１４と
を備えている。

透光性基板１１はポリカーボネイト等の透光性を有する
樹脂を射出成形することで得られたもので、光ヘッド２
０（第１図（ｂ）参照）から出射されるレーザビームを
所望の記録・再生部位に案内するためのトラック及び番
地情報が記録されているガイドトラック及びガイド番地
溝１１ａ（第２図（ｂ）には図示せず）が射出成形時に
同時に形成されている。

更に、透光性基板１１上の記録媒体層１２より内周側の
センタハブ１４を接着する範囲には、センタハブ１４の
外向きフランジ１４ｂの外径より若干大きい内径を有す
る凹状段差部１１ｂが設けられている。この凹状段差部
１１ｂは、透光性基板１１を射出成形により製造する際
に、スタンパ及びスタンパ押え部材（図示せず）の形状
を工夫することにより形成される。

記録媒体層１２は透光性基板１１上のガイドトラック及
びガイド番地溝１１ａを覆う状態で形成されている。記
録媒体層１２は、透光性基板１１側から、例えば、順次
第１の透明誘電体膜、光磁気記録媒体である希土類遷移
金属合金薄膜、第２の透明誘電体膜及び順次金属反射膜
が積層された多層構造となっている（第３図（ａ）には
、簡単のため単に１層として示す）。

保護樹脂層１３は記録媒体層１２を覆う状態で、記録媒
体層１２よりやや広い半径範囲に渡って形成され、記録
媒体層１２の酸化及び損傷を防止するようになっている
。保護樹脂層１３の材料としては、例えば、紫外線硬化
型樹脂が使用される。

センタハブ１４は、透光性基板１１の中央の穴１１ｃの
中心とガイドトラック及びガイド番地溝１１ａとの間の
偏心を吸収しつつ光磁気メモリ素子を第１図（ａ）（ｂ
）に示す記録再生装置の回転スピンドル２１に装着する
ためのものである。センタハブ１４上で浮上型磁気ヘッ
ド１６の摺動・接触を行わせるために、センタハブ１４
の外径は従来のものより大きくされている。

センタハブ１４の材料としては、中心のガイド穴１４ａ
を利用し、上記回転スピンドル２１にマグネット装着さ
せる必要上、及び加工性の点からステンレス鋼（ＳＵＳ
４３０等）が使用される。

センタハブ１４は、上端部に設けた外向きフランジ１４
ｂの部位で透光性基板１１の凹状段差部１１ｂ内に接着
剤層１５により接着されている。

接着剤層１５としては、接着強度、作業性等を考慮して
速乾性エポキシ系接着剤或いは紫外線硬化型樹脂等が使
用される。

上記光磁気メモリ素子の各部の寸法は、例えば、透光性
基板１１として外径が８６ｍｍ、中央の穴１１ｃの内径
が１５ｍｍ、厚みが１．２ｍｍのポリカーボネイト製基
板を使用する場合、ガイドトラック及びガイド番地溝１
１ａを設ける領域は半径２２〜４０ｍｍの範囲とする。

又、記録媒体層１２を形成する領域は、半径ｒ＋　　（
第２図（ａ））−２０，５ｍｍ〜半径ｒｚ　＝４１．５
ｍｍの範囲とする。

浮上型磁気ヘッド１６が摺動・接触（ＣＳＳ）を行う領
域を半径２０ｍｍの位置より内周側とすると、センタハ
ブ１４の外径は４０ｍｍとするのが好ましい。又、セン
タハブ１４の板厚はマグネットによる吸着性及び機械特
性（剛性、平面特性等）等を考慮して０．３ｍｍ程度と
される。

上記の光磁気メモリ素子においては、センタハブ１４と
保護樹脂層１３の表面高さを同一とするか又は浮上型磁
気ヘッド１６の浮上特性に悪影響を及ぼさない程度の僅
かな高さずれに留めることが重要である。

すなわち、浮上型磁気ヘッド１６は、光磁気メモリ素子
の回転の開始に伴ってセンタハブ１４上の摺動・接触領
域（ＣＳＳ領域）で摺動して浮上した後、光ヘッド２０
から出射されるレーザビームと連動して光磁気メモリ素
子上を半径方向にアクセス動作するものであるが、セン
タハブ１４と保護樹脂層１３の境界部で大きな高さずれ
があると、ヘッドクラッシュが生じる恐れがある。

従って、上記のように、センタハブ１４の板厚が０．３
ｍｍであり、かつ、接着剤層１５の厚みが０．０５ｍｍ
前後、保護樹脂層１３の厚みがＯ００１ｍｍ（１０μｍ
）前後であれば、凹状段差部１１ｂの深さを０．３４ｍ
ｍ前後として置くことにより、センタハブ１４の外向き
フランジ１４ｂと保護樹脂層１３の表面高さをほぼ一致
させることができる。

凹状段差部１１ｂの内径は、センタハブ１４がガイドト
ラック及びガイド番地溝１１ａの偏心を吸収する役割を
有していることを考慮し、前述の如く、センタハブ１４
の外径より若干大きくする必要がある。具体的には凹状
段差部１１ｂの内径はセンタハブ１４の外径より０．３
ｍｍ程度大きくして、４０．３ｍｍ程度とすれば良い。

第１図（ａ）（ｂ）に示すように、本実施例の光磁気メ
モリ素子を使用する記録再生装置は、光磁気メモリ素子
の回転の開始及び終了時並びに停止時にセンタハブ１４
の外向きフランジ１４ｂ上で摺動・接触するスライダ１
６ａと、スライダ１６ａに取り付けられた磁界発生部材
１６ｂからなる浮上型磁気ヘッド１６を備え、浮上型磁
気ヘッド１６は、その基端部が支持ベース１８に固定さ
れたサスペンション１７により光磁気メモリ素子側に付
勢されている。

光磁気メモリ素子の下方には、磁界発生部材１６ｂに対
応する位置に対物レンズ２０ａを有する光ヘッド２０が
配置されている。支持ベースＩ８は光ヘッド２０に接続
され、光ヘッド２０と浮上型磁気ヘッド１６が一体的に
光磁気メモリ素子の半径方向に移動するようになってい
る。

又、光磁気メモリ素子は、センタハブＩ４のガイド穴１
４ａの部位で回転スピンドル２１により、例えば、マグ
ネット装着され、図示しないスピンドルモータにより回
転されるようになっている。

上記の構成において、浮上型磁気ヘッド１６のスライダ
１６ａは光磁気メモリ素子の回転の停止時にはセンタハ
ブ１４の外向きフランジ１４ｂ上に接触している。

記録時には光磁気メモリ素子の回転に伴って外向きフラ
ンジ１４ｂとスライダ１６ａとの間で生じる空気流によ
り浮上型磁気ヘッド１６が浮上する。その後、浮上型磁
気ヘッド１６及び光ヘッド２０を外向きフランジ１４ｂ
上から記録媒体層１２上に移動させ、レーザビームの照
射及び磁界の印加により、オーバライド方式で所望の情
報を記録する。

記録が終了すると、再度浮上型磁気ヘッド１６を外向き
フランジ１４ｂ上に移動させた後、光磁気メモリ素子の
回転速度を次第に低下させると、浮上型磁気ヘッド１６
が外向きフランジ１６ａ上で摺動した後、光磁気メモリ
素子の回転の停止に伴って外向きフランジ１４ｂ上で静
止する。

上記の構成では、浮上型磁気ヘッド１６の摺動・接触動
作が５ＵＳ４３０等のステンレス鋼からなるセンタハブ
１４上で行われるため、磨耗・摺動性の点で何ら問題は
生じず、安定したＣ３Ｓ動作を行うことができる。

又、センタハブ１４の取付けに用いられる凹状段差部１
１ｂは、透光性基板１１の射出成形時に、スクンパ押え
部材の形状に工夫を加えるのみで形成することができる
ので、製造コスト、工数の点で従来より不利になること
はない。

更に、センタハブ１４の材質を従来のものから変更する
必要はなく、外径のみを大きくすれば良いので、Ｃ３Ｓ
動作のために、別の部材又は潤滑層等を設ける場合に比
して、コスト、工数の点で有利である。

又、第１図（ａ）（ｂ）及び従来例を示す第６図（ａ）
（ｂ）を比較すれば明らかなように、本実施例では、従
来より外径が大きくされた外向きフランジ１４ｂ上で浮
上型磁気ヘッド１６の（１動を行うようにしているので
、摺動・接触領域を従来より大幅に広く取ることができ
る。その結果、浮上型磁気ヘッド１６のスライダ１６ａ
の形状の自由度が増すので、浮上特性（浮上量等）の設
定の自由度が増し、かつ、慴動時に浮上型磁気ヘッド１
６が、慴動領域である外向きフランジ１４ｂからはみ出
す恐れもないので、浮上特性の安定化も図ることができ
る。

ところで、本実施例の光磁気メモリ素子では、センタハ
ブ１４の外径より凹状段差部１１ｂの内径を若干大きく
している。例えば、上記の如く、センタハブ１４の外径
より凹状段差部１１ｂの内径を０．３ｍｍ程度大きくす
ると、外向きフランジ１４ｂの外周面と凹状段差部１１
ｂの内側面との間に０．１５ｍｍ程度の間隙が生じる。

光磁気メモリ素子の完成時にこの間隙がそのまま残って
いると、光磁気メモリ素子表面の空気流に乱れが生じ、
浮上型磁気ヘッド１６の浮上特性に悪影響を及ぼす恐れ
がある。従って、光磁気メモリ素子の完成時には、上記
の間隙は存在しないことが好、ましい。

ところが、本実施例の光磁気メモリ素子の製造に際して
、従来と同様に透光性基板１１に記録媒体層１２及び保
護樹脂層１３を形成した後、センタハブ１４を取り付け
るようにすると、第３図（ｂ）に示すように、外向きフ
ランジ１４ｂの外周面と凹状段差部１１ｂの内側面との
間の間隙２４が残る不具合がある。

すなわち、センタハブ１４の取付は前に、透光性基板１
１にスピンコード法で保護樹脂層１３を形成する場合、
保護樹脂層１３の材料である液状の紫外線硬化型樹脂は
凹状段差部１１ｂの内側面上端の角部Ａを基準に滴下さ
れ、スピンナの回転により透光性基板１１及び記録媒体
層１２上に同心円状に拡がるが、凹状段差部１１ｂ内に
は若干の回り込みが生じる程度である。従って、上記紫
外線硬化型樹脂を硬化させて保護樹脂層１３を形成した
後、センタハブ１４を取り付けると、凹状段差部１１ｂ
の内側面とセンタハブ１４との間に間隙２４が生じるこ
とになる。

逆に言えば、上記の紫外線硬化型樹脂が凹状段差部１１
ｂ内に流入して凹状段差部１１ｂ内まで保護樹脂層１３
が形成されると、センタハブ１４の取付けの障害となる
ので、センタハブ１４の取付は前に保護樹脂層１３を形
成するのであれば、間隙２４は不可欠である。以上のよ
うに、本実施例において、従来と同様にセンタハブ１４
の取付けを保護樹脂層１３の形成後に行うと、間隙２４
はなくすことができない。

そこで、本実施例では、センタハブ１４を取り付けた後
、保護樹脂層１３を形成することにより、両者間の間隙
をなくすようにしている。

すなわち、本実施例においては、光磁気メモリ素子の製
造に際し、まず、ガイドトラック及びガイド番地溝１１
ａ及び凹状段差部１１ｂが設けられた透光性基板１１を
射出成形により得る。

そして、必要に応じて、洗浄、ベイク（脱ガスのため）
等の成形前処理を行った後、スパッタリングにより、多
層膜からなる記録媒体層１２を形成する。

次に、記録媒体層１２の形成された透光性基板１１の凹
状段差部１１ｂにセンタハブ１４の外向きフランジ１４
ｂを、ガイドトラック及びガイド番地溝１１ａに対して
ガイド穴１４ａが同心となるように接着剤層１５により
接着する。この状態で、外向きフランジ１４ｂの表面は
透光性基板１１に形成された記録媒体層１２の表面より
若干高くなっている。

続いて、保護樹脂層１３の形成工程に移る。まず、第４
図（ａ）に示すように、記録媒体層１２（同図には図示
せず）の形成及びセンタハブ１４の取付けの行われた透
光性基板１１をスピンナーの回転テーブル２２上に装着
する。装着は回転テーブル２２に設置されたマグネット
２３により行われ、必要であれば、真空チャックも同時
に行えば良い。

上記の装着状態で、まず、外向きフランジ１４ｂの外周
面と凹状段差部１１ｂの内側面との間の間隙を埋めるた
め、紫外線硬化型樹脂１３゛をセンタハブ１４の外向き
フランジ１４ｂの外周端よりやや外側の透光性基板１１
上に滴下させる。紫外線硬化型樹脂１３”の滴下は滴下
口を固定して置いて、回転テーブル２２を緩やかに回転
させながら行っても良く、或いは、滴下口を透光性基板
１１の円周方向に移動させながら滴下しても良い。

上記のようにして滴下された紫外線硬化型樹脂１３”は
透光性基板１１の外周側及び内周側に拡がるが、内周側
は第４図（ａ）に示すように、外向きフランジ１４ｂの
外周面に密着し、更に、第３図（ａ）に示すように、硬
化後の保護樹脂層１３が凹状段差部１１ｂの内側面と外
向きフランジ１４ｂの外周面との間の間隙にも形成され
るように、上記間隙にも流れ込む。

次に、回転テーブル２２を所定の速度で回転させながら
紫外線硬化型樹脂１３’　の滴下を続けると、紫外線硬
化型樹脂１３”は外向きフランジ１４ｂより外周側の透
光性基板１１の全面を覆う（第４図（ｂ））。

その後、第４図（Ｃ）に示すように、上方から紫外線を
照射することにより、紫外線硬化型樹脂１３”が硬化し
、保護樹脂層１３が形成される。

以上のように、本実施例の製造方法によれば、外向きフ
ランジ１４ｂの外周面と凹状段差部ＩＩｂの内側面との
間に間隙の存在しない光磁気メモリ素子が提供できる。

なお、上記の実施例において、センタハブ１４は５ＵＳ
４３０等のステンレス網からなるものとしたが、これは
他の金属であっても良い。但し、マグネット吸着可能な
ものが望ましい。

又、凹状段差部１１ｂの内側面の上端の角部Ａ（第３図
（ａ））は直角形状としたが、この角部Ａは、例えば、
円弧形状等、凹状段差部１１ｂの内側面と外向きフラン
ジ１４ｂとの間の間隙に紫外線硬化型樹脂１３”が流入
しやすい他の形状としても良い。

更に、上記した光磁気メモリ素子の製造方法においては
、透光性基板１１上に記録媒体層１２を形成した後、セ
ンタハブ１４の取付けを行うようにしたが、透光性基板
１１にセンタハブ１４を取り付けた後、記録媒体層１２
及び保護樹脂層１３の形成を行うようにしても良い。

又、透光性基板１１は、センタハブ１４の取付は用の凹
状段差部１１ｂが設けられている限り、ポリカーボネイ
ト以外にアクリル、エポキシ等の透光性樹脂から形成さ
れていても良い。更に、センタハブ１４の接着は、所定
の接着強度、信頼性が満足される限り、両面テープ等で
行われていても良い。

〔発明の効果〕

本発明に係る光磁気メモリ素子は、以上のように、基板
の光磁気記録媒体の形成位置より内周側に凹状段差部が
設けられ、この凹状段差部にセンタハブが保護樹脂層と
ほぼ同一面をなすように取り付けられるとともに、セン
タハブ上に浮上型磁気ヘッドの慴動・接触領域が設けら
れている構成である。

これにより、浮上型磁気ヘッドの摺動・接触がセンタハ
ブ上で行われるので、保護樹脂層上で摺動・接触が行わ
れる場合に比して摩耗粉の発生及びスクラッチ等の傷の
発生が少なくなり、安定したＣ３Ｓ動作を行うことがで
きるようになる。又、従来のセンタハブの外径を必要に
応じて若干大きくするのみで本発明の構成を実現できる
ので、コスト及び工数の点で不利益は生しない。

又、センタハブ上には充分広いスペースが存在するので
、浮上型磁気ヘッドの形状の自由度が増し、それに伴っ
て浮上特性の設定の自由度も増すとともに、１２動中に
浮上型磁気ヘッドが、摺動領域であるセンタハブ上から
はみ出る恐れはないので、浮上特性の安定化をも図るこ
とができる。

更に、基板上に凹状段差部を設けて、この凹状段差部に
センタハブを取り付けるようにしたので、センタハブと
保護樹脂層とがほぼ同一面をなすようにすることができ
、これにより、浮上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹
脂層との境界部を通過する際にも、ヘッドクラッシュが
生じる恐れはなくなる。

又、本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法は、上記
の光磁気メモリ素子を製造するに際して、センタハブを
基板の凹状段差部に取り付けた後に、センタハブの外周
端に密着させて保護樹脂層をセンタハブとほぼ同一面を
なすように形成するようにした構成である。

これにより、センタハブの外周端に密着させて保護樹脂
層が形成された光磁気メモリ素子を再現性良く製造する
ことができる。この光磁気メモリ素子では、センタハブ
の外周端と保護樹脂層との間に間隙が生じないので、浮
上型磁気ヘッドがセンタハブと保護樹脂層との境界部を
通過する際にも浮上特性に変化は生じず、ヘッドクラッ
シュが更に生しにくくなるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すものである
。 第１図（ａ）は光磁気メモリ素子及び記録再生装置を示
す概略平面図である。 同図ら）は同概略縦断面図である。 第２図（ａ）は光磁気メモリ素子を示す概略平面図であ
る。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 第３図（ａ）は第２図（ａ）の部分拡大図である。 同図（ｂ）は本発明の光磁気メモリ素子を従来の製造手
順で製造した場合の同部分拡大図である。 第４図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ保護樹脂層の形成手順
を示す概略縦断面図である。 第５図及び第６図は従来例を示すものである。 第５図（ａ）は光磁気メモリ素子を示す概略平面図であ
る。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 第６図（ａ）は光磁気メモリ素子及び記録再生装置を示
す概略平面図である。 同図（ｂ）は同概略縦断面図である。 １１は透光性基板、ｌｌｂは凹状段差部、１２は記録媒
体層（光磁気記録媒体）、１３は保護樹脂層、１４はセ
ンタハブ、１６は浮上型磁気ヘッドである。 特許出願人　　　　　シャープ　株式会社２【 第 図（ａ） 第 図（ｂ） 第 図（ａ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板と、基板上に形成された光磁気記録媒体と、光
   磁気記録媒体を覆う保護樹脂層と、光磁気記録媒体より
   内周側で基板に取り付けられたセンタハブとを有し、浮
   上型磁気ヘッドを用いて情報の記録を行う光磁気メモリ
   素子において、上記基板における光磁気記録媒体の形成
   位置より内周側に凹状段差部が設けられ、この凹状段差
   部にセンタハブが上記保護樹脂層とほぼ同一面をなすよ
   うに取り付けられるとともに、センタハブ上に浮上型磁
   気ヘッドの摺動・接触領域が設けられていることを特徴
   とする光磁気メモリ素子。 ２、請求項第１項に記載の光磁気メモリ素子の製造方法
   において、 センタハブを基板の凹状段差部に取り付けた後に、セン
   タハブの外周端に密着させてセンタハブとほぼ同一面を
   なすように保護樹脂層を形成するようにしたことを特徴
   とする光磁気メモリ素子の製造方法。