JPH04171817A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04171817A JPH04171817A JP29933090A JP29933090A JPH04171817A JP H04171817 A JPH04171817 A JP H04171817A JP 29933090 A JP29933090 A JP 29933090A JP 29933090 A JP29933090 A JP 29933090A JP H04171817 A JPH04171817 A JP H04171817A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- mask
- etching
- substrate
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にレーザービ
ームを用いる光アシストエツチングに関するものである
。
ームを用いる光アシストエツチングに関するものである
。
ガスプラズマによる反応性イオンエツチングにおいては
、反応室のラジカル（熱分子、電子、イオンなど）が本
質的に幅広いエネルギー分布を持つので、反応式を限定
することが難しく素過程の把握は容易ではない。外部パ
ラメータ（放電圧力、ガス圧力、印加バイアスなど）を
変化させると、場合によってはシステム内の反応過程を
そっくり変えてしまうことがあり、経験的に最適条件を
求めざるを得ない。
、反応室のラジカル（熱分子、電子、イオンなど）が本
質的に幅広いエネルギー分布を持つので、反応式を限定
することが難しく素過程の把握は容易ではない。外部パ
ラメータ（放電圧力、ガス圧力、印加バイアスなど）を
変化させると、場合によってはシステム内の反応過程を
そっくり変えてしまうことがあり、経験的に最適条件を
求めざるを得ない。
ターゲットが負の自己バイアス電位および接地電位のい
ずれであっても、プラズマポテンシャル（接地電位に対
してつねに正）のために正イオンによる衝突が避けられ
ない。入射イオンのエネルギー分布のために、高エネル
ギー粒子による照射損傷が避けられない。
ずれであっても、プラズマポテンシャル（接地電位に対
してつねに正）のために正イオンによる衝突が避けられ
ない。入射イオンのエネルギー分布のために、高エネル
ギー粒子による照射損傷が避けられない。
一方、レーザーアシストエツチング、光励起エツチング
あるいは光増速エツチングと称する「光化学反応」にお
いては励起波長を選択することにより、反応ガス中の特
定の分子のみを励起したり、分子の種類によって励起度
を制御することができるので化学反応に対する選択性を
実現することができる。
あるいは光増速エツチングと称する「光化学反応」にお
いては励起波長を選択することにより、反応ガス中の特
定の分子のみを励起したり、分子の種類によって励起度
を制御することができるので化学反応に対する選択性を
実現することができる。
分子の光解離過程はその光吸収スペクトルに支配される
ので、光源の単色性が良い場合は化学反応の種類があま
り増えない。プラズマ反応よりも反応過程の制御性が高
くなる。
ので、光源の単色性が良い場合は化学反応の種類があま
り増えない。プラズマ反応よりも反応過程の制御性が高
くなる。
また１光子または多光子吸収によって反応性分子がイオ
ン化されるので、光生成イオン種のエネルギーを外部電
界で制御することにより、損傷の少ない反応性イオンエ
ツチングが実現する可能性もある。
ン化されるので、光生成イオン種のエネルギーを外部電
界で制御することにより、損傷の少ない反応性イオンエ
ツチングが実現する可能性もある。
従来技術によるレーザーアノストエツチングについて、
第３図を参照して説明する。
第３図を参照して説明する。
Ｃ１２ガス中においたシリコン基板４にレーザービーム
６を照射する。
６を照射する。
レーザービーム６を走査してＮ Ｓｉ＋２Ｃ１２→Ｓ
ｉＣｉ ４の反応によってレーザーの当っている部分を
エツチングする。
ｉＣｉ ４の反応によってレーザーの当っている部分を
エツチングする。
従来技術におけるレーザーアシストエツチングでは、ス
ポットサイズ５〜２０ＯＡ１ｍφのレーザービームをシ
リコン基板（ウェーハ）全面に走査するため、ウェーハ
１枚当りに要する工程が長いという問題があった。
ポットサイズ５〜２０ＯＡ１ｍφのレーザービームをシ
リコン基板（ウェーハ）全面に走査するため、ウェーハ
１枚当りに要する工程が長いという問題があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、ガス雰囲気で大口径
のレーザービームを部分的に遮断するマスクを通して半
導体基板に照射することにより、該半導体基板の表面を
選択エツチングするものである。
のレーザービームを部分的に遮断するマスクを通して半
導体基板に照射することにより、該半導体基板の表面を
選択エツチングするものである。
本発明の第１の実施例について、第１図を参照して説明
する。
する。
コリメートされた大口径のアルゴンレーザービーム１の
途中にマスク２がある。
途中にマスク２がある。
マスク２を通過したアルゴンレーザービーム３がＣ７２
ガス中に置かれたシリコン基板４に入射する。
ガス中に置かれたシリコン基板４に入射する。
こうしてシリコン基板４上にマスク２に描かれたパター
ンと同一のエツチングパターンを形成することができる
。
ンと同一のエツチングパターンを形成することができる
。
つぎに本発明の第２の実施例について、第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１の実施例と同様に４にコリメートされた大口径のア
ルゴンレーザービーム１の途中にマスク２がある。
ルゴンレーザービーム１の途中にマスク２がある。
マスク２を通過したアルゴンレーザービーム３がＳｉＨ
４ガス中の二酸化シリコン膜５で覆われたシリコン基板
４に入射する。
４ガス中の二酸化シリコン膜５で覆われたシリコン基板
４に入射する。
こうしてシリコン基板４上にマスク２のパターンと通り
に二酸化シリコン膜５をエツチングすることができる。
に二酸化シリコン膜５をエツチングすることができる。
大口径のレーザービームとそれを遮断するマスクとを組
み合わせることによって、エツチング時間を短縮するこ
とができる。
み合わせることによって、エツチング時間を短縮するこ
とができる。
さらに複雑な走査機構が不要になって、装置を簡略化す
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
によるレーザーアシストエツチングを示す断面図である
。 １・・・大口径のアルゴンレーザービーム、２・・・マ
スク、３・・・入射アルゴンレーザービーム、４・・・
シリコン基板、５・・・二酸化シリコン膜、６・・・ア
ルゴンレーザービーム。
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
によるレーザーアシストエツチングを示す断面図である
。 １・・・大口径のアルゴンレーザービーム、２・・・マ
スク、３・・・入射アルゴンレーザービーム、４・・・
シリコン基板、５・・・二酸化シリコン膜、６・・・ア
ルゴンレーザービーム。
Claims (1)
- ガス雰囲気で大口径のレーザービームをマスクを通し
て半導体基板に照射することにより、該半導体基板の表
面を選択エッチングすることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29933090A JPH04171817A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29933090A JPH04171817A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171817A true JPH04171817A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17871154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29933090A Pending JPH04171817A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023089111A (ja) * | 2017-03-31 | 2023-06-27 | ニールソン サイエンティフィック，エルエルシー | ３次元半導体加工 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP29933090A patent/JPH04171817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023089111A (ja) * | 2017-03-31 | 2023-06-27 | ニールソン サイエンティフィック，エルエルシー | ３次元半導体加工 |
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