JPH04172012A - Output circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は出力回路に関し、特に出力トランジスタに急激
に電流が流れることのないようにした出力回路に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output circuit, and more particularly to an output circuit that prevents a sudden current from flowing through an output transistor.
従来のこの種の出力回路は、第4図に示すように、カス
ケード接続されたPチャネルとNチャネルの各トランジ
スタ3,4に対応して、入力しきい電位の互いにことな
るインバータ1,2が、前記トランジスタ3,4を別個
に駆動する構成となっている。第5図に示す様に、イン
バータ1よりも、インバータ2.がΔV7だけしきい値
電圧が高いものとする。第5図のタイミング図に示す様
に、インバータ1とインバータ2への入力信号Viが立
ち上がると、始めにインバータ2の出力がNチャネル出
力トランジスタ4に出力されるので、Nチャネル出力ト
ランジスタ4はオフ状態になる。その後、入力信号Vi
がインバータ1の入力しきい電圧Vilに達し、インバ
ータ1の圧力がPチャネル出力トランジスタ3に出力さ
れると、Pチャネル出力トランジスタ3はオン状態にな
る。As shown in FIG. 4, a conventional output circuit of this type has inverters 1 and 2 with different input threshold potentials corresponding to cascade-connected P-channel and N-channel transistors 3 and 4, respectively. , the transistors 3 and 4 are driven separately. As shown in FIG. 5, inverter 2. Assume that the threshold voltage is higher by ΔV7. As shown in the timing diagram of FIG. 5, when the input signal Vi to inverter 1 and inverter 2 rises, the output of inverter 2 is first output to N-channel output transistor 4, so N-channel output transistor 4 is turned off. become a state. After that, the input signal Vi
When V1 reaches the input threshold voltage Vil of the inverter 1 and the pressure of the inverter 1 is output to the P-channel output transistor 3, the P-channel output transistor 3 is turned on.
以上のようにして、Pチャネル出力トランジスタ3とN
チャネル出力トランジスタ4とが、同時にオン状態にな
ることが回避できるため、貫通電流が流れない。As described above, P channel output transistor 3 and N
Since channel output transistor 4 can be prevented from being turned on at the same time, no through current flows.
入力信号Viが立ち下りの場合も同じ動作原理により、
Pチャネル出力トランジスタ3がオフ状態になった後に
、Nチャネル出力トランジスタ4がオン状態になるため
大きな貫通電流が流れない。According to the same operating principle, when the input signal Vi is falling,
Since the N-channel output transistor 4 turns on after the P-channel output transistor 3 turns off, no large through current flows.
前述した従来の出力回路は、貫通電流は減少するが、出
力に接続されているトランジスタは外部のデバイスを動
作させる為、電源供給能力は大きい。この為、Nチャネ
ルトランジスタ4は圧力の電位が■ゎ。レベルの状態で
オンし、Pチャネルトランジスタは出力の電位が接地レ
ベルの状態でオンする為、電源のインダクタンスにかか
る電流変化d i / d tは大きくなり、電源に誘
起されるノイズは大きいという欠点がある。ちなみに、
シミュレーション結果によれば、GNDに300a+V
の電圧が誘起されることが判明した。In the conventional output circuit described above, the through current is reduced, but the transistor connected to the output operates an external device, so the power supply capacity is large. Therefore, the pressure potential of the N-channel transistor 4 is ■ゎ. Since the P-channel transistor turns on when the output potential is at ground level, the current change d i / d t applied to the inductance of the power supply becomes large, and the noise induced in the power supply is large. There is. By the way,
According to the simulation results, 300a+V to GND
It was found that a voltage of .
本発明の目的は、前記欠点を解決し、電源誘起ノイズを
低減した出力回路を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks and provide an output circuit with reduced power supply induced noise.
本発明の出力回路の構成は、第1のインバータの入力を
入力端子に接続しかつ圧力を遅延バッファである第1の
プリバッファの入力に接続し、前記第1のプリバッファ
の出力がカスケードに接続されたPチャネルトランジス
タとNチャネルトランジスタにより構成され、その出力
を出力端子に接続されている第1の出力バッファの入力
に接続され、前記第1のインバータの出力が一極を入力
端子に接続されたNチャネルトランジスタの他極と一極
を前記第1の出力バッファの出力に接続されたPチャネ
ルトランジスタの他極とを接続して出力とする様に構成
された第1の選択回路のゲートに入力され、同様に一極
を入力端子に接続されたPチャネルトランジスタの他極
と、一極を前記第1の出力バッファの圧力に接続された
Nチャネルトランジスタの他極とを接続して出力とする
様に構成された第2の選択回路のゲートに入力され、前
記第1の選択回路の出力の少なくとも1以上の第2のイ
ンバータの入力に接続し、前記第2の選択回路の出力を
少なくとも1以上の第3のインバータに接続し、カスケ
ード接続された少なくとも1以上のPチャネルトランジ
スタの入力に前記第2のインバータの出力を接続し、か
つNチャネルトランジスタの入力に前記第3のインバー
タの出力を接続して構成される第2の圧力バッファの出
力を出力端子に接続していることを特徴とする。The configuration of the output circuit of the present invention is such that the input of the first inverter is connected to the input terminal, the pressure is connected to the input of the first pre-buffer which is a delay buffer, and the output of the first pre-buffer is cascaded. A first output buffer is configured of a connected P-channel transistor and an N-channel transistor, and its output is connected to the input of a first output buffer that is connected to the output terminal, and one pole of the output of the first inverter is connected to the input terminal. a gate of a first selection circuit configured to connect the other pole of the N-channel transistor connected to the output of the first output buffer and the other pole of the P-channel transistor connected to the output of the first output buffer; , and output by connecting the other pole of the P-channel transistor whose one pole is similarly connected to the input terminal and the other pole of the N-channel transistor whose one pole is connected to the pressure of the first output buffer. is input to the gate of a second selection circuit configured to The output of the second inverter is connected to at least one or more third inverters, the output of the second inverter is connected to the input of at least one P-channel transistor connected in cascade, and the output of the third inverter is connected to the input of the N-channel transistor. It is characterized in that the output of the second pressure buffer configured by connecting the outputs is connected to the output terminal.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実旅例の出力回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to an embodiment of the present invention.
第2図は第1図の各部の電圧波形を示すタイミング図で
ある。第1図、第2図において、本実施例は、第1のイ
ンバータ1と、第1のプリバッファ2と、第1の出力バ
ッファ15と、第1、第2の選択回路21.22と、第
2.第3のインバータ16.17と、第2の出力バッフ
ァ23とを備えている。ここで、第1の出力バッファは
、P、Nチャネルトランジスタ3,4の直列体からなる
。第1の選択回路21は、N、Pチャネルトランジスタ
5,6からなり、第2の選択回路22は、N、Pチャネ
ルトランジスタ7゜8からなり、第2のインバータ16
はP、Nチャネルトランジスタ9.lOの直列体からな
り、第3のインバータ17はP、Nチャネルトランジス
タ11.12からなり、第2の出力バッファ23はP、
Nチャネルトランジスタ13.14からなる。入力■1
が印加され、出力Voutが出力され、これに容量Ct
、が負荷される。FIG. 2 is a timing diagram showing voltage waveforms at various parts in FIG. 1. 1 and 2, the present embodiment includes a first inverter 1, a first pre-buffer 2, a first output buffer 15, first and second selection circuits 21 and 22, Second. It includes a third inverter 16, 17 and a second output buffer 23. Here, the first output buffer consists of P and N channel transistors 3 and 4 connected in series. The first selection circuit 21 consists of N, P channel transistors 5, 6, the second selection circuit 22 consists of N, P channel transistors 7.8, and the second inverter 16.
are P and N channel transistors9. The third inverter 17 consists of P, N channel transistors 11.12, and the second output buffer 23 consists of P, N channel transistors 11.12.
It consists of N-channel transistors 13 and 14. Input■1
is applied, the output Vout is output, and the capacitance Ct
, is loaded.
VlがGNDの電位の時、入力v1は高電位側にあり、
第1.第2の選択回路21.22のNチャネルトランジ
スタ5,7はオン状態にあり、Pチャネルトランジスタ
6.8はオフ状態にある。When Vl is at the GND potential, input v1 is on the high potential side,
1st. N-channel transistors 5, 7 of second selection circuit 21.22 are in an on state, and P-channel transistor 6.8 is in an off state.
■3の電位は、入力■。と同電位であるGNDの電位に
あり、■、の電位はV o u tの電位であるGND
電位となっている。第2のインバータ16の圧力である
■4は、高電位側にあり、電流供給能力の大きなPチャ
ネルトランジスタ13は、オフ状態にある。第3のイン
バータ17の出力であるV6は高電位側にあり、電流供
給能力の大きなNチャネルトランジスタ14はオン状態
にある。電流供給能力の小さいインバータ15はGND
電位となっている。■The potential of 3 is the input ■. is at the potential of GND, which is the same potential as , and the potential of
It has a potential. The pressure (4) of the second inverter 16 is on the high potential side, and the P-channel transistor 13, which has a large current supply capability, is in an off state. V6, which is the output of the third inverter 17, is on the high potential side, and the N-channel transistor 14, which has a large current supply capability, is in an on state. Inverter 15 with low current supply capacity is connected to GND
It has a potential.
次に■1がGND電位から高電位側への立ち上がり波形
が入力されると、入力■。は高電位からGNDtE位へ
ト変わる。Nチャネルトランジスタ5.7はオフ状態と
なり、Pチャネルトランジスタ8はオン状態となり、P
チャネルトランジスタ6はVoutがV3より、トラン
ジスタ6のしきい値電圧v1.高くなるまでオフ状態で
ある。v3の電位は遅延時間の大きなバッファ2が出力
インバータ15をスイッチングさせるまで、GND側電
位のままである。■、も同様に高電位側にあり、Pチャ
ネルトランジスタ13もオフ状態のままである。■5の
電位は、入力v1の電位である高電位側に変動し、v6
はGND電位へと変動し、Nチャネルトランジスタ14
はオフ状態になる。ここで、バッファ2の出力が高電位
側からGND電位側にスイッチングし、インバータ15
をスイッチングさせるまで、電流供給能力の大きな13
のPチャネルトランジスタ13、Nチャネルトランジス
タ14共にオフ状態となっている。インバータ2の8力
がスイッチングし、高電位側からGND電位へと変動す
ると、インバータ15のスイッチングが起こる。Nチャ
ネルトランジスタ4がオン状態からオフ状態へと変動し
、Pチャネルトランジスタ3がオフ状態からオン状態と
なり、出力V o u tはGND電位から高電位側へ
と変動していく。この時Pチャネルトランジスタ3及び
Nチャネルトランジスタ4の電流供給能力が小さいため
、貫通電流も少なく電源のノイズは小さい。Next, when ■1 is input with a rising waveform from the GND potential to the high potential side, input ■. changes from high potential to GNDtE level. N-channel transistor 5.7 is turned off, P-channel transistor 8 is turned on, and P
The channel transistor 6 has Vout higher than V3, and the threshold voltage of the transistor 6 v1. It remains off until it goes high. The potential of v3 remains at the GND side potential until the buffer 2 with a large delay time switches the output inverter 15. (2) is also on the high potential side, and the P-channel transistor 13 also remains in the off state. ■The potential of 5 changes to the high potential side, which is the potential of input v1, and
changes to GND potential, and the N-channel transistor 14
is turned off. Here, the output of the buffer 2 switches from the high potential side to the GND potential side, and the inverter 15
13 with large current supply capacity until switching
Both the P-channel transistor 13 and the N-channel transistor 14 are in an off state. When the 8 power of the inverter 2 switches and changes from the high potential side to the GND potential, switching of the inverter 15 occurs. The N-channel transistor 4 changes from the on state to the off state, the P channel transistor 3 changes from the off state to the on state, and the output V out changes from the GND potential to the high potential side. At this time, since the current supply capability of the P-channel transistor 3 and the N-channel transistor 4 is small, the through current is also small and the noise of the power supply is small.
Nチャネルトランジスタ4がオフ状態、Pチャネルトラ
ンジスタ3がオン状態となり1、外部負荷容量CLに電
流供給を行い、Voutの電位がV3より、トランジス
タ6のしきい値電圧V??より高くなるとPチャネルト
ランジスタ6はオンし、■、の電位がインバータ16の
しきい電位であるvT、に達すると、インバータエ6の
出力は高電位側からGND側へと変化し、Pチャネルト
ランジスタ13はオン状態となる。Pチャネルトランジ
スタ13の電流供給能力は大きいが、高電位側であるソ
ースと出力Voutと同電位であるドレイン間の電位差
は、VT3分だけ低い為、急激な電流供給は行われない
。v3の電位はやがて高電位側の電位と同電位となる。The N-channel transistor 4 is in the off state, the P-channel transistor 3 is in the on state, and current is supplied to the external load capacitor CL. ? When the potential becomes higher, the P-channel transistor 6 turns on, and when the potential of 13 is turned on. Although the current supply capability of the P-channel transistor 13 is large, the potential difference between the source, which is on the high potential side, and the drain, which is at the same potential as the output Vout, is lower by VT3, so that no sudden current supply is performed. The potential of v3 eventually becomes the same potential as the potential on the high potential side.
この時、電流供給能力は、Pチャネルトランジスタ3と
Pチャネルトランジスタ13とを加算した値となる。At this time, the current supply capability is the sum of P channel transistor 3 and P channel transistor 13.
同様に、Vlが高電位側からGND電位側への立ち下が
り波形が入力された時の出力トランジスタ13とPチャ
ネルトランジスタ14と、Nチャネルトランジスタ3等
の動作についてのみ説明する。Similarly, only the operations of the output transistor 13, the P-channel transistor 14, the N-channel transistor 3, etc. when a falling waveform of Vl from the high potential side to the GND potential side is input will be described.
入力Vrが高電位側の時、Pチャネルトランジスタ13
とPチャネルトランジスタ3はオン状態にあり、Nチャ
ネルトランジスタ14とNチャネルトランジスタ4はオ
フ状態にある。Voutは13と3のPチャネルトラン
ジスタ3,13により高電位側にある。入力V1がGN
D電位へと変動する事により、Pチャネルトランジスタ
13がオフ状態となる。インバータ15がスイッチング
すると、出力Voutの電位はNチャネルトランジスタ
4により、高電位側からGND側へと変位する。出力V
outの電位がインバータ17の入力しきい電圧である
V7.に達した時に、Nチャネルトランジスタ14がオ
ン状態となり、電流供給を行う。When the input Vr is on the high potential side, the P channel transistor 13
and P-channel transistor 3 are in the on state, and N-channel transistor 14 and N-channel transistor 4 are in the off state. Vout is on the high potential side due to P channel transistors 13 and 3. Input V1 is GN
By changing to the D potential, the P channel transistor 13 is turned off. When the inverter 15 switches, the potential of the output Vout is shifted from the high potential side to the GND side by the N-channel transistor 4. Output V
The potential of V7.out is the input threshold voltage of the inverter 17. When the current is reached, the N-channel transistor 14 turns on and supplies current.
この時、従来の技術にて説明した回路では、GNDのノ
イズは300mVであり第4図にノイズ波形を示す。本
実施例では100mVであり第2図にノイズ波形を示す
。従来の技術に比べ本実施例では1/3のノイズしか発
生しない。これは、シミュレーションによる結果による
もので、外部負荷L 00pF、 GNDインダクタン
ス70nH,電源電圧5v時である。At this time, in the circuit described in the conventional technique, the GND noise is 300 mV, and the noise waveform is shown in FIG. In this embodiment, the voltage is 100 mV, and the noise waveform is shown in FIG. Compared to the conventional technology, this embodiment generates only 1/3 the noise. This is based on the results of a simulation, when the external load L is 00 pF, the GND inductance is 70 nH, and the power supply voltage is 5 V.
第3図に本発明の別の実施例の回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram of another embodiment of the invention.
第3図において、本実施例は、第1図の実施例とは選択
回路の構成に違いがある。In FIG. 3, this embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 in the configuration of the selection circuit.
本実施例の選択回路30,31はトランスファーゲート
35,36,37,38の構成とし、トランスファーゲ
ート35,36,37,38の入力を入力vrとvlの
信号としている。The selection circuits 30 and 31 of this embodiment are configured with transfer gates 35, 36, 37, and 38, and the inputs of the transfer gates 35, 36, 37, and 38 are input signals vr and vl.
この為、第3図に示す実施例では、トランスファーゲー
ト35,36,37.38は、入力vrとVlの電位に
より、オン状態となり、第1図の実施例では、Vout
とV、との電位差がPチャネルトランジスタ6のしきい
電圧まで達しないと、Pチャネルトランジスタ6はオン
状態とならないという問題点が改善されている。Therefore, in the embodiment shown in FIG. 3, the transfer gates 35, 36, 37, and 38 are turned on by the potentials of the inputs vr and Vl, and in the embodiment shown in FIG.
The problem that P-channel transistor 6 does not turn on unless the potential difference between P-channel transistor 6 and V reaches the threshold voltage of P-channel transistor 6 has been improved.
以上説明したように、本発明は、出力レベルが中間電位
になった事を感知し、ドライブ能力の大きな出力トラン
ジスタにより中間電位から電流供給を行う為、電源のイ
ンダクタンスLによる誘起電圧V (=Ld i/d
t)の−を小さくすることt
により、電源のノイズを小さくする事ができるという効
果がある。As explained above, the present invention senses that the output level has become an intermediate potential, and supplies current from the intermediate potential using an output transistor with a large drive capacity. Therefore, the induced voltage V (=Ld i/d
Reducing - of t) has the effect of reducing power supply noise.
第1図は本発明の一実施例の出力回路の回路図、第2図
は第1図のタイミング図、第3図は本発明の別の実施例
の回路図、第4図は従来例の回路図、第5図は第4図の
タイミング図である。
■・・・・・・第1のインバータ、2・・・・・・第1
のプリバッファ、3,6.8.9,11,13・・・・
・・Pチャネルトランジスタ、4,5,7,10,12
,14・・・・・・Nチャネルトランジスタ、15・・
・・・・第1の出力バッファ、16・・・・・・第2の
インバータ、17・・・・・・第3のインバータ、21
・・・・・・第1の選択回路、22・・・・・・第2の
選択回路、23・・・・・・第2の出力バッファ、30
.31・・・・・・選択回路、35,36゜37.38
・・・・・・トランスファゲート。
代理人 弁理士 内 原 晋
第2図FIG. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing diagram of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional example. The circuit diagram, FIG. 5, is a timing diagram of FIG. ■...First inverter, 2...First
Pre-buffer, 3, 6. 8. 9, 11, 13...
・・P channel transistor, 4, 5, 7, 10, 12
, 14... N-channel transistor, 15...
...First output buffer, 16...Second inverter, 17...Third inverter, 21
...First selection circuit, 22...Second selection circuit, 23...Second output buffer, 30
.. 31... Selection circuit, 35, 36° 37.38
...Transfer gate. Agent: Susumu Uchihara, patent attorney Figure 2
Claims (1)
を遅延バッファである第1のプリバッファの入力に接続
し、前記第1のプリバッファの出力がカスケードに接続
されたPチャネルトランジスタとNチャネルトランジス
タとにより構成され、その出力を出力端子に接続されて
いる第1の出力バッファの入力に接続され、前記第1の
インバータの出力が一極を入力端子に接続されたNチャ
ネルトランジスタの他極と一極を前記第1の出力バッフ
ァの出力に接続されたPチャネルトランジスタの他極を
接続して出力とする様に構成された第1の選択回路のゲ
ートに入力され、同様に一極を入力端子に接続されたP
チャネルトランジスタの他極と、一極を前記第1の出力
バッファの出力に接続されたNチャネルトランジスタの
他極とを接続して出力とする様に構成された第2の選択
回路のゲートに入力され、前記第1の選択回路の出力の
少なくとも1以上の第2のインバータの入力に接続し、
前記第2の選択回路の出力を少なくとも1以上の第3の
インバータに接続し、カスケード接続された少なくとも
1以上のPチャネルトランジスタの入力に前記第2のイ
ンバータの出力を接続し、かつNチャネルトランジスタ
の入力に前記第3のインバータの出力を接続して構成さ
れる第2の出力バッファの出力を出力端子に接続してい
る事を特徴とする出力回路。An input of a first inverter is connected to an input terminal, an output thereof is connected to an input of a first pre-buffer which is a delay buffer, and an output of the first inverter is connected to a P-channel transistor connected in cascade. A channel transistor is connected to the input of a first output buffer whose output is connected to the output terminal, and an N-channel transistor whose output is connected to the input terminal and whose output is connected to the input terminal. and one pole are input to the gate of a first selection circuit configured to output by connecting the other pole of a P-channel transistor connected to the output of the first output buffer; P connected to the input terminal
input to the gate of a second selection circuit configured to connect the other pole of the channel transistor and the other pole of the N-channel transistor whose one pole is connected to the output of the first output buffer to provide an output; connected to the input of at least one second inverter of the output of the first selection circuit,
The output of the second selection circuit is connected to at least one or more third inverters, the output of the second inverter is connected to the input of at least one or more cascade-connected P-channel transistors, and the output of the second inverter is connected to an N-channel transistor. An output circuit characterized in that the output of a second output buffer configured by connecting the output of the third inverter to the input of the output circuit is connected to the output terminal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300107A JPH04172012A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Output circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300107A JPH04172012A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Output circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172012A true JPH04172012A (en) | 1992-06-19 |
Family
ID=17880804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300107A Pending JPH04172012A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Output circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172012A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225844B1 (en) | 1998-04-20 | 2001-05-01 | Nec Corporation | Output buffer circuit that can be stably operated at low slew rate |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP2300107A patent/JPH04172012A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6225844B1 (en) | 1998-04-20 | 2001-05-01 | Nec Corporation | Output buffer circuit that can be stably operated at low slew rate |
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