JPH041728A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH041728A JPH041728A JP2103483A JP10348390A JPH041728A JP H041728 A JPH041728 A JP H041728A JP 2103483 A JP2103483 A JP 2103483A JP 10348390 A JP10348390 A JP 10348390A JP H041728 A JPH041728 A JP H041728A
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- Japan
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- light
- liquid crystal
- film
- display device
- substrate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置に関するものである。
従来の技術
近年、液晶表示装置はＣＲＴに代わるディスブレイとし
て注目され、より高画質化に向けて改良が進められてい
る。
て注目され、より高画質化に向けて改良が進められてい
る。
以下図面を参照しながら、上述した従来の液晶表示装置
の一例について説明する。第４図は、従来の液晶表示装
置の断面図を示すものである。第４図において、■は第
１の基板、２は透明基板、３は透明電極、６は第２の基
板、７は絵素スインチ素子、８は走査線、９は絵素電極
、１０は液晶層、１１は遮光膜である。特に遮光膜１１
は絵素スイッチ素子７．８の走査線の上に被いかふす様
に配置される。（たとえば、映像情報（１）、１９８９
年９月号２３〜３１ページ）、この遮光膜は従来、例え
ばクロム等の金属が多用されている。この遮光膜の主な
役割は大きく分けて３つある。１つは第１の基板１を透
過して第２の基板６に到達する光が絵素スイッチ素子７
には当たらないように遮光する役目がある。絵素スイッ
チ素子には、例えばアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタが多用されておりこの素子は光の影響を受は易い。
の一例について説明する。第４図は、従来の液晶表示装
置の断面図を示すものである。第４図において、■は第
１の基板、２は透明基板、３は透明電極、６は第２の基
板、７は絵素スインチ素子、８は走査線、９は絵素電極
、１０は液晶層、１１は遮光膜である。特に遮光膜１１
は絵素スイッチ素子７．８の走査線の上に被いかふす様
に配置される。（たとえば、映像情報（１）、１９８９
年９月号２３〜３１ページ）、この遮光膜は従来、例え
ばクロム等の金属が多用されている。この遮光膜の主な
役割は大きく分けて３つある。１つは第１の基板１を透
過して第２の基板６に到達する光が絵素スイッチ素子７
には当たらないように遮光する役目がある。絵素スイッ
チ素子には、例えばアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタが多用されておりこの素子は光の影響を受は易い。
そのため必ず遮光する必要があり遮光膜は必要である。
２つ目の役割は、走査線８と第１の基板１との間に生じ
る電界によって液晶層ｌＯが変化するがこの影響を隠す
役割である。３つ目の役割は、隣合う絵素の境界をはっ
きりとさせる役割である。
る電界によって液晶層ｌＯが変化するがこの影響を隠す
役割である。３つ目の役割は、隣合う絵素の境界をはっ
きりとさせる役割である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、遮光膜に達した光
の多くが反射されて、その反射光が画像として現われた
り、また別の反射光が絵素スイッチ素子に当たったりし
て十分な黒レベルを創出できなくなるという問題点を有
していた。
の多くが反射されて、その反射光が画像として現われた
り、また別の反射光が絵素スイッチ素子に当たったりし
て十分な黒レベルを創出できなくなるという問題点を有
していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、遮光膜からの反射光をな
くし、十分な黒レベルを創出できる液晶表示装置を提供
するものである。
くし、十分な黒レベルを創出できる液晶表示装置を提供
するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の液晶表示装置は、
金属薄膜と光吸収膜との２層、または金属薄膜の両側を
光吸収膜でサンドインチした３層で構成された遮光膜を
備えたものである。
金属薄膜と光吸収膜との２層、または金属薄膜の両側を
光吸収膜でサンドインチした３層で構成された遮光膜を
備えたものである。
作用
本発明は上記した構成によって、遮光膜に当たった光は
光吸収膜によって吸収され反射光を軽減できる。そのた
め反射光によって画像や絵素スイッチ素子が影響を受け
ることが無い。また光吸収膜だけで遮光膜を構成すると
十分に光吸収膜を透過する光を軽減する事ができない。
光吸収膜によって吸収され反射光を軽減できる。そのた
め反射光によって画像や絵素スイッチ素子が影響を受け
ることが無い。また光吸収膜だけで遮光膜を構成すると
十分に光吸収膜を透過する光を軽減する事ができない。
そこで金属薄膜と光吸収膜を併用することで反射光も少
なく透過光もない遮光膜を作ることができる。また金属
薄膜は薄い膜厚で十分な遮光効果が得られるため凹凸の
少ない基板が作れ液晶層の配向性に及ぼす影響も小さく
できる。
なく透過光もない遮光膜を作ることができる。また金属
薄膜は薄い膜厚で十分な遮光効果が得られるため凹凸の
少ない基板が作れ液晶層の配向性に及ぼす影響も小さく
できる。
実施例
以下本発明の一実施例の液晶表示装置について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図（ａ）、第１図（ｂ）は本発明に第１の実施例に
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
第１図において、１は第１の基板、２は透明基板、３は
透明電極、４は光吸収膜、５は金属薄膜、６は第２の基
板、７は絵素スイッチ素子、８は走査線、９は絵素電極
、１０は液晶層である。第１図（ａ）と第１図（ｂ）で
は３の透明電極と４の光吸収膜、５の金属薄膜との位置
関係が違うが同じ効果が得られる。本実施例では、２の
透明基板を透過して４の光吸収膜に当たった光を吸収す
る。第４関で示したような構造を持つ従来例では、クロ
ム製の遮光膜に当たった光のうち６０〜７０％の光が反
射されて画像の黒レベルに影響を及ぼしていたが、第１
図に示した構成にし、たとえば４の光吸収膜にプラセオ
ジム・マンガン・酸素薄膜、５の金属薄膜にクロムを用
いた場合、反射光を２０％以下にすることができる。本
実施例は、１の透明基板を透過して４の光吸収膜に強い
光が当たる場合に有効である。
透明電極、４は光吸収膜、５は金属薄膜、６は第２の基
板、７は絵素スイッチ素子、８は走査線、９は絵素電極
、１０は液晶層である。第１図（ａ）と第１図（ｂ）で
は３の透明電極と４の光吸収膜、５の金属薄膜との位置
関係が違うが同じ効果が得られる。本実施例では、２の
透明基板を透過して４の光吸収膜に当たった光を吸収す
る。第４関で示したような構造を持つ従来例では、クロ
ム製の遮光膜に当たった光のうち６０〜７０％の光が反
射されて画像の黒レベルに影響を及ぼしていたが、第１
図に示した構成にし、たとえば４の光吸収膜にプラセオ
ジム・マンガン・酸素薄膜、５の金属薄膜にクロムを用
いた場合、反射光を２０％以下にすることができる。本
実施例は、１の透明基板を透過して４の光吸収膜に強い
光が当たる場合に有効である。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第２図（ａ）、第２図ら）は本発明に第２の実施例にお
ける液晶表示装置の断面図を示すものである。
ける液晶表示装置の断面図を示すものである。
第２図において、１は第１の基板、２は透明基板、３は
透明電極、６は第２の基板、７は絵素スイッチ素子、８
は走査線、９は絵素電極、１ｏは液晶層であり以上は第
１図の構成と同様なものである。
透明電極、６は第２の基板、７は絵素スイッチ素子、８
は走査線、９は絵素電極、１ｏは液晶層であり以上は第
１図の構成と同様なものである。
第１図の構成と異なるのは４の光吸収膜と５の金属薄膜
の位置関係が逆である点である。本実施例では、１０の
液晶層を透過して４の光吸収膜に当たった光を吸収する
。第２図（ａ）と第２図（ｂ）では３の透明電極と４の
光吸収膜、５の金属薄膜との位置関係が違うが同し効果
が得られる。本実施例は、１０の液晶層を透過して４の
光吸収膜に強い光が当たる場合に有効である。
の位置関係が逆である点である。本実施例では、１０の
液晶層を透過して４の光吸収膜に当たった光を吸収する
。第２図（ａ）と第２図（ｂ）では３の透明電極と４の
光吸収膜、５の金属薄膜との位置関係が違うが同し効果
が得られる。本実施例は、１０の液晶層を透過して４の
光吸収膜に強い光が当たる場合に有効である。
以下本発明の第３の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第３図（ａ）、第３図（ｂ）は本発明に第３の実施例に
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
第３図において、１は第１の基板、２は透明基板、３は
透明電極、６は第２の基板、７は絵素スイッチ素子、８
は走査線、９は絵素電極、１０は液晶層であり以上は第
１図の構成と同様なものである。
透明電極、６は第２の基板、７は絵素スイッチ素子、８
は走査線、９は絵素電極、１０は液晶層であり以上は第
１図の構成と同様なものである。
第１図の構成と異なるのは５の金属薄膜の両側を４の光
吸収膜でサンドインチした３層で構成されている点であ
る。本実施例では、２の透明基板を透過して４の光吸収
膜に当たった光と１０の液晶層を透過して４の光吸収膜
に当たった光との両方を吸収する。第３図（ａ）と第３
図（′ｂ）では３の透明電極と４の光吸収膜、５の金属
薄膜との位置関係が違うが同し効果が得られる。本実施
例は、１の透明基板を透過して４の光吸収膜に強い光が
当たりかつ１０の液晶層を透過して４の光吸収膜に強い
光が当たる場合にを効である。
吸収膜でサンドインチした３層で構成されている点であ
る。本実施例では、２の透明基板を透過して４の光吸収
膜に当たった光と１０の液晶層を透過して４の光吸収膜
に当たった光との両方を吸収する。第３図（ａ）と第３
図（′ｂ）では３の透明電極と４の光吸収膜、５の金属
薄膜との位置関係が違うが同し効果が得られる。本実施
例は、１の透明基板を透過して４の光吸収膜に強い光が
当たりかつ１０の液晶層を透過して４の光吸収膜に強い
光が当たる場合にを効である。
なお、第１の実施例、第２の実施例、第３の実施例のい
ずれの場合でも同じであるが、４の光吸収膜の光吸収係
数が大きいことが望ましい。ここで言う光吸収係数は、
以下のように定義される。
ずれの場合でも同じであるが、４の光吸収膜の光吸収係
数が大きいことが望ましい。ここで言う光吸収係数は、
以下のように定義される。
光吸収係数をα、光吸収膜の厚みをｄ、この膜に入射す
る光の強度を■。、この膜を透過して出てきた光の強度
を１とすると、αは、 α＝ （１ｎ （Ｉ０／ Ｉ） ） ／ｄである。
る光の強度を■。、この膜を透過して出てきた光の強度
を１とすると、αは、 α＝ （１ｎ （Ｉ０／ Ｉ） ） ／ｄである。
いま吸収したい光の波長領域が可視光全部であれば、４
００ ｎ ｍから７００ ｎ ｍの波長領域において高
い光吸収係数であることが望ましい。また吸収したい光
の波長領域が限られていれば、そ限られた波長範囲でだ
け高い光吸収係数であればよい。
００ ｎ ｍから７００ ｎ ｍの波長領域において高
い光吸収係数であることが望ましい。また吸収したい光
の波長領域が限られていれば、そ限られた波長範囲でだ
け高い光吸収係数であればよい。
たとえばプラセオジム・マンガン・酸素薄膜は４００ｎ
ｍから７００ｎｍの波長領域において１０’ｃｍ−’以
上の光吸収係数があり可視光全部において有効である。
ｍから７００ｎｍの波長領域において１０’ｃｍ−’以
上の光吸収係数があり可視光全部において有効である。
ほかに炭化アモルファスシリコン薄膜も可視光全部にお
いて有効である。またたとえばアモルファスシリコン薄
膜は、５００ｎｍより短波長側で大きな光吸収係数を示
し、この波長範囲の光、たとえば青色光に有効である。
いて有効である。またたとえばアモルファスシリコン薄
膜は、５００ｎｍより短波長側で大きな光吸収係数を示
し、この波長範囲の光、たとえば青色光に有効である。
また第１図、第２図、第３図中に示す９の絵素電極は透
明電極でも不透明電極でもかまわない。
明電極でも不透明電極でもかまわない。
たとえば透明電極としては、ＩＴＯｌまた不透明電極と
してアルミニウムやクロムでもよい。
してアルミニウムやクロムでもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、金属薄膜と光吸収膜との２層、
または金属薄膜の両側を光吸収膜でサンドインチした３
層で構成された遮光膜を備えることにより十分な黒レベ
ルを創出できる液晶表示装置を提供することができる。
または金属薄膜の両側を光吸収膜でサンドインチした３
層で構成された遮光膜を備えることにより十分な黒レベ
ルを創出できる液晶表示装置を提供することができる。
第１図は本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
断面図、第２図は本発明の第２の実施例における液晶表
示装置の断面図、第３図は本発明の第３の実施例におけ
る液晶表示装置の断面図、第４図は従来の液晶表示装置
の断面図である。 ■・・・・・・第１の基板、２・・・・・・透明基板、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・・光吸収膜、５
・・・・・・金属薄膜、６・・・・・・第２の基板、７
・・・・・・絵素スイッチ素子、８・・・・・・走査線
、９・・・・・・絵素電極、１ｏ・・・・・・液晶層、
１１・・・・・・遮光膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１の４叛 通 ｆｉｌｌ 暮 犠 迩 明 電 １ メ乙叩啼７ｗ＃ ２ 胤 漬 繰 １１２の番報 乾豫スイッ子稟子 走電緯 秘賽電伽 液晶層 ＩＩＡ＋ の基仮 透明ａＬ伽 遣ａ１１電ｉ ｖ ２ の ４！ 籾 秘第ス１ツテ本子 走ｆ［１Ｉｌ ｋ’ｌ Ｅｌｋ 滑晶層 第２図 蔦 ； Φ 暮 棲 曖 Ｂ８ 暮 仮 逗 明ｇ１％１ 光 明 啄 曖 命 ａＬ ＋Ｉ １％！Ｉ ｗＡ ２ の １！ 緩 に零スインテ零子 走電 − 縮 素’ＩＦ伽 潰品眉 （α］ □−／Ｑ ｖｌのに悟 燻 ８８ 蔓 惟 ｔＳ Ｓ電極 顎 ２ の １ ＠ 絵 像 ｔ 慟 液晶層 鵡 ｆｉｌｌ 一一−ＩＯ
断面図、第２図は本発明の第２の実施例における液晶表
示装置の断面図、第３図は本発明の第３の実施例におけ
る液晶表示装置の断面図、第４図は従来の液晶表示装置
の断面図である。 ■・・・・・・第１の基板、２・・・・・・透明基板、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・・光吸収膜、５
・・・・・・金属薄膜、６・・・・・・第２の基板、７
・・・・・・絵素スイッチ素子、８・・・・・・走査線
、９・・・・・・絵素電極、１ｏ・・・・・・液晶層、
１１・・・・・・遮光膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１の４叛 通 ｆｉｌｌ 暮 犠 迩 明 電 １ メ乙叩啼７ｗ＃ ２ 胤 漬 繰 １１２の番報 乾豫スイッ子稟子 走電緯 秘賽電伽 液晶層 ＩＩＡ＋ の基仮 透明ａＬ伽 遣ａ１１電ｉ ｖ ２ の ４！ 籾 秘第ス１ツテ本子 走ｆ［１Ｉｌ ｋ’ｌ Ｅｌｋ 滑晶層 第２図 蔦 ； Φ 暮 棲 曖 Ｂ８ 暮 仮 逗 明ｇ１％１ 光 明 啄 曖 命 ａＬ ＋Ｉ １％！Ｉ ｗＡ ２ の １！ 緩 に零スインテ零子 走電 − 縮 素’ＩＦ伽 潰品眉 （α］ □−／Ｑ ｖｌのに悟 燻 ８８ 蔓 惟 ｔＳ Ｓ電極 顎 ２ の １ ＠ 絵 像 ｔ 慟 液晶層 鵡 ｆｉｌｌ 一一−ＩＯ
Claims (6)
- （１）可視光を透過する透明基板と透明電極と遮光膜と
を含む第１の基板と、絵素スイッチ素子と走査線と前記
絵素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され
た絵素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成
された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板
との対向間隙に封入された液晶層と、を具備して成る液
晶表示装置であって、前記遮光膜は金属薄膜と光吸収膜
との２層で構成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - （２）可視光を透過する透明基板と透明電極と遮光膜と
を含む第１の基板と、絵素スイッチ素子と走査線と前記
絵素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され
た絵素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成
された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板
との対向間隙に封入された液晶層と、を具備して成る液
晶表示装置であって、前記遮光膜は金属薄膜と光吸収膜
から成り、前記金属薄膜の両側を前記光吸収膜でサンド
イッチした３層で構成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - （３）金属薄膜がクロムあるいはニッケル、タングステ
ン、タンタルおよびそれらの合金を用いることを特徴と
する請求項（１）記載の液晶表示装置。 - （４）金属薄膜がクロムあるいはニッケル、タングステ
ン、タンタルおよびそれらの合金を用いることを特徴と
する請求項（２）記載の液晶表示装置。 - （５）光吸収膜の光吸収係数が１０＾９ｃｍ＾−＾１以
上であることを特徴とする請求項（１）記載の液晶表示
装置。 - （６）光吸収膜の光吸収係数が１０＾３ｃｍ＾−＾１以
上であることを特徴とする請求項（２）記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103483A JPH041728A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103483A JPH041728A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041728A true JPH041728A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14355257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103483A Pending JPH041728A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041728A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0777684A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-20 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| EP0709715A2 (en) | 1994-10-28 | 1996-05-01 | Nec Corporation | Color liquid crystal display |
| US6366332B1 (en) | 1996-03-08 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and process for production thereof |
| US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
| US6912020B2 (en) * | 2000-08-07 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, electronic device, substrate for use in an electro-optical apparatus, method of producing a substrate for use in an electro-optical apparatus, and light shielding film |
| US7245330B2 (en) | 2001-12-12 | 2007-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, liquid crystal device, and projection display device with line defects |
| JP2009047822A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| WO2024142835A1 (ja) | 2022-12-26 | 2024-07-04 | 株式会社クラベ | 線状体を備えた面状ユニット、ステアリングホイール及び面状ユニットの製造方法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2103483A patent/JPH041728A/ja active Pending
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| WO2024142835A1 (ja) | 2022-12-26 | 2024-07-04 | 株式会社クラベ | 線状体を備えた面状ユニット、ステアリングホイール及び面状ユニットの製造方法 |
| EP4646027A1 (en) | 2022-12-26 | 2025-11-05 | Kurabe Industrial Co., Ltd. | Planar unit equipped with linear body, steering wheel, and planar unit manufacturing method |
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