JPH0777684A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0777684A JPH0777684A JP22431993A JP22431993A JPH0777684A JP H0777684 A JPH0777684 A JP H0777684A JP 22431993 A JP22431993 A JP 22431993A JP 22431993 A JP22431993 A JP 22431993A JP H0777684 A JPH0777684 A JP H0777684A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶表示画面上からの反射光により視認される
画面上の鏡像の視認性を低下する。 【構成】液晶表示画面から金属の遮光膜に反射して視野
内に侵入する周辺光によって、画面上に液晶表示装置周
囲の像が鏡像として視認される。液晶表示装置の透明基
板上に形成される金属遮光膜の表面に故意に凹凸を形成
すると、遮光膜からの反射光が散乱される。その結果、
視野内に侵入する反射光が低減し、画面上の外部の鏡像
が視認されにくくなる。このように直視部に凹凸を形成
した金属膜を使用することにより、薄膜で低反射の遮光
膜を有した液晶表示装置が得られる。
画面上の鏡像の視認性を低下する。 【構成】液晶表示画面から金属の遮光膜に反射して視野
内に侵入する周辺光によって、画面上に液晶表示装置周
囲の像が鏡像として視認される。液晶表示装置の透明基
板上に形成される金属遮光膜の表面に故意に凹凸を形成
すると、遮光膜からの反射光が散乱される。その結果、
視野内に侵入する反射光が低減し、画面上の外部の鏡像
が視認されにくくなる。このように直視部に凹凸を形成
した金属膜を使用することにより、薄膜で低反射の遮光
膜を有した液晶表示装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に表示の際に直視する表示面の反射を低減した液晶表
示装置に関する。
特に表示の際に直視する表示面の反射を低減した液晶表
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置は、２枚の透明基板
の間に液晶を封入する構造を有する。そして一方の透明
基板上には、図３（ａ）に示すように画素電極９をアレ
イ状に配置し、個々の画素電極は独立して電圧を印加で
きるように配線１０を設ける。このように２枚の透明電
極間には液晶を容量としたコンデンサが形成されてい
る。画素電極上には配向膜を設けて液晶の光軸が一定の
方向を持つようにする。液晶の光軸方向は、画素電極間
に印加される電圧の大きさの変化に伴って変化し、それ
に従って画素電極間の光透過率も変化する。すなわち、
この画素部に光を透過させ、電圧変化により画素部の光
透過率を変化させることで表示装置の機能をもたせてい
る。
の間に液晶を封入する構造を有する。そして一方の透明
基板上には、図３（ａ）に示すように画素電極９をアレ
イ状に配置し、個々の画素電極は独立して電圧を印加で
きるように配線１０を設ける。このように２枚の透明電
極間には液晶を容量としたコンデンサが形成されてい
る。画素電極上には配向膜を設けて液晶の光軸が一定の
方向を持つようにする。液晶の光軸方向は、画素電極間
に印加される電圧の大きさの変化に伴って変化し、それ
に従って画素電極間の光透過率も変化する。すなわち、
この画素部に光を透過させ、電圧変化により画素部の光
透過率を変化させることで表示装置の機能をもたせてい
る。
【０００３】通常、画素電極間には遮光部を設ける。こ
れは画素部以外から透過する光を遮蔽し表示のコントラ
ストを向上させるためである。また、配線部の電界によ
り、配線近傍では画素電極電圧と異なる電圧がかかるた
め、配線近傍は画素中央部と異る光透過率となり、それ
が表示異常として視認されるのでこれを遮蔽するためで
ある。また、各画素電極に独立して電圧を印加するため
にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下ＴＦ
Ｔと略す）を使用したアクティブマトリクス液晶表示装
置（以下ＡＭ−ＬＣＤと略す）では、ＴＦＴチャネル部
に光が入射すると、光電流により画素電極コンデンサに
蓄積した電荷が漏洩し、画素電極の電圧を変化させこれ
が表示異常として視認される。これを防止するためにＴ
ＦＴ部を遮光する目的にも利用される。
れは画素部以外から透過する光を遮蔽し表示のコントラ
ストを向上させるためである。また、配線部の電界によ
り、配線近傍では画素電極電圧と異なる電圧がかかるた
め、配線近傍は画素中央部と異る光透過率となり、それ
が表示異常として視認されるのでこれを遮蔽するためで
ある。また、各画素電極に独立して電圧を印加するため
にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下ＴＦ
Ｔと略す）を使用したアクティブマトリクス液晶表示装
置（以下ＡＭ−ＬＣＤと略す）では、ＴＦＴチャネル部
に光が入射すると、光電流により画素電極コンデンサに
蓄積した電荷が漏洩し、画素電極の電圧を変化させこれ
が表示異常として視認される。これを防止するためにＴ
ＦＴ部を遮光する目的にも利用される。
【０００４】遮光部は、金属膜や黒色樹脂、または特開
昭６３−１７３０３に見られるように黒色インクなどを
用いて画素部を開口させたパターンで透明基板上に形成
する。図３（ｂ）にＴＦＴをスイッチング素子としたカ
ラーＡＭ−ＬＣＤを示す。透明基板１上にゲート電極１
１，絶縁膜１２，ａ−Ｓｉ膜１３，ソース電極１４，ド
レイン電極１５，表示画素透明電極１６，カバー絶縁膜
１７を形成しＴＦＴ素子を形成する。また、これに対向
する透明基板１上にはクロムを蒸着させて形成した遮光
膜２と着色層３と透明電極４を形成する。各々の透明基
板には液晶５を配向させるための配向膜６を形成し、一
定の間隔を保ち対向させて液晶５を封入する。この時、
遮光膜２は図３（ｂ）のようにＴＦＴ素子上部に位置し
ＴＦＴ素子への光入射を阻止する。表示画素透明電極１
６には２枚の透明基板を通して、一方の透明電極外に置
いた光源１８から照射した光７が透過し、表示画素を形
成する。
昭６３−１７３０３に見られるように黒色インクなどを
用いて画素部を開口させたパターンで透明基板上に形成
する。図３（ｂ）にＴＦＴをスイッチング素子としたカ
ラーＡＭ−ＬＣＤを示す。透明基板１上にゲート電極１
１，絶縁膜１２，ａ−Ｓｉ膜１３，ソース電極１４，ド
レイン電極１５，表示画素透明電極１６，カバー絶縁膜
１７を形成しＴＦＴ素子を形成する。また、これに対向
する透明基板１上にはクロムを蒸着させて形成した遮光
膜２と着色層３と透明電極４を形成する。各々の透明基
板には液晶５を配向させるための配向膜６を形成し、一
定の間隔を保ち対向させて液晶５を封入する。この時、
遮光膜２は図３（ｂ）のようにＴＦＴ素子上部に位置し
ＴＦＴ素子への光入射を阻止する。表示画素透明電極１
６には２枚の透明基板を通して、一方の透明電極外に置
いた光源１８から照射した光７が透過し、表示画素を形
成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶表示装
置では、遮光膜に金属膜を使用し、かつ透明基板に接触
する形で形成されている。このため、この透明基板側を
表示面として直視した場合、図３（ｂ）に示すように外
部光８が金属の遮光膜表面で反射し、視認位置１９に到
達するため、表示画素に外部の像が鏡のように写り視認
されるという現象が生じる。従って、液晶表示装置内部
を透過してきた光７によって表示される画像が見にくく
なるという問題が生じる。
置では、遮光膜に金属膜を使用し、かつ透明基板に接触
する形で形成されている。このため、この透明基板側を
表示面として直視した場合、図３（ｂ）に示すように外
部光８が金属の遮光膜表面で反射し、視認位置１９に到
達するため、表示画素に外部の像が鏡のように写り視認
されるという現象が生じる。従って、液晶表示装置内部
を透過してきた光７によって表示される画像が見にくく
なるという問題が生じる。
【０００６】一方、反射光を小さくするために黒色樹脂
や黒色インクを遮光膜に使用する場合、十分な遮光効果
を得るためには膜厚を厚くしなければならない。膜厚を
厚くすると遮光膜と表示画素部の段差により液晶の配向
異常が生じ、表示異常を呈するという問題が生じる。薄
膜で遮光膜を形成する場合は、金属膜が適当である。
や黒色インクを遮光膜に使用する場合、十分な遮光効果
を得るためには膜厚を厚くしなければならない。膜厚を
厚くすると遮光膜と表示画素部の段差により液晶の配向
異常が生じ、表示異常を呈するという問題が生じる。薄
膜で遮光膜を形成する場合は、金属膜が適当である。
【０００７】また、遮光膜を形成した透明基板を光照射
面においた場合、遮光膜からの反射光は画像表示には影
響しない。しかし、特にＴＦＴ素子を使用したＡＭ−Ｌ
ＣＤでは、ＴＦＴチャネル内に液晶装置内を透過する光
が斜め入射する確率が大きくなり、光電流による電圧変
化が起こり表示不良を生じさせる。したがって、ＴＦＴ
素子を使用したＡＭ−ＬＣＤではＴＦＴ素子を形成した
面を表示面にすることは避けた方が良い。
面においた場合、遮光膜からの反射光は画像表示には影
響しない。しかし、特にＴＦＴ素子を使用したＡＭ−Ｌ
ＣＤでは、ＴＦＴチャネル内に液晶装置内を透過する光
が斜め入射する確率が大きくなり、光電流による電圧変
化が起こり表示不良を生じさせる。したがって、ＴＦＴ
素子を使用したＡＭ−ＬＣＤではＴＦＴ素子を形成した
面を表示面にすることは避けた方が良い。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、金属遮光膜と透明基板が接する面に故意に設けた凹
凸を有する透明基板を表示面に有する。ただしＴＦＴを
使用したＡＭ−ＬＣＤでは表示面すなわち故意に凹凸を
形成した面はＴＦＴ素子を形成した透明基板ではない。
は、金属遮光膜と透明基板が接する面に故意に設けた凹
凸を有する透明基板を表示面に有する。ただしＴＦＴを
使用したＡＭ−ＬＣＤでは表示面すなわち故意に凹凸を
形成した面はＴＦＴ素子を形成した透明基板ではない。
【０００９】
【作用】金属遮光膜の反射面上の凹凸が反射光を散乱す
るので、視野内に侵入する反射光が低減し、画像が見や
すくなる。
るので、視野内に侵入する反射光が低減し、画像が見や
すくなる。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明のカラー液晶表示装置の第１の実施例
の表示面部分の断面図である。透明基板１にはガラス基
板を用いる。透明基板１表面にはフォトレジスト工程を
利用し画素部を保護してから、遮光部形成領域にエッチ
ングにより１〜２０μｍの凹凸を形成する。この後、フ
ォトレジストを除去し凹凸形成部を被覆するように遮光
膜２を、クロムを蒸着した後フォトレジスト工程を経て
パターンニングして形成する。遮光膜２上には、カラー
表示を持たせるための着色層３と透明電極４と液晶５を
配向させるための配向膜６を形成する。液晶表示装置で
は遮光膜２等を形成した透明基板が、もう一方の透明基
板と対向して配設されており、遮光膜２の開口部を図１
に示すように光７が透過する。
る。図１は本発明のカラー液晶表示装置の第１の実施例
の表示面部分の断面図である。透明基板１にはガラス基
板を用いる。透明基板１表面にはフォトレジスト工程を
利用し画素部を保護してから、遮光部形成領域にエッチ
ングにより１〜２０μｍの凹凸を形成する。この後、フ
ォトレジストを除去し凹凸形成部を被覆するように遮光
膜２を、クロムを蒸着した後フォトレジスト工程を経て
パターンニングして形成する。遮光膜２上には、カラー
表示を持たせるための着色層３と透明電極４と液晶５を
配向させるための配向膜６を形成する。液晶表示装置で
は遮光膜２等を形成した透明基板が、もう一方の透明基
板と対向して配設されており、遮光膜２の開口部を図１
に示すように光７が透過する。
【００１１】外部光８の遮光膜２による反射は図１に示
す通りである。すなわち、遮光膜２で反射される外部光
は、遮光膜２上の透明基板１表面の凹凸によって散乱，
減衰する。そのため視認位置１９の特定視野内に侵入す
る反射光が低減されるので、表示画面への外部の像の写
り込みが視認されにくくなり、表示画像の視認性が向上
する。
す通りである。すなわち、遮光膜２で反射される外部光
は、遮光膜２上の透明基板１表面の凹凸によって散乱，
減衰する。そのため視認位置１９の特定視野内に侵入す
る反射光が低減されるので、表示画面への外部の像の写
り込みが視認されにくくなり、表示画像の視認性が向上
する。
【００１２】図３（ｂ）に示す従来の液晶表示装置で
は、視認位置１９の特定視野における外部光の反射率は
約６０％であった。これに対し図１に示す本発明の実施
例では視認位置１９の特定視野における外部光の反射率
は約１０％で、本発明の適用により表示画面上での反射
が低減できた。
は、視認位置１９の特定視野における外部光の反射率は
約６０％であった。これに対し図１に示す本発明の実施
例では視認位置１９の特定視野における外部光の反射率
は約１０％で、本発明の適用により表示画面上での反射
が低減できた。
【００１３】透明基板がガラス基板であるので、表面の
凹凸形成はエッチングにより行った。エッチングはガラ
スを侵蝕するアルカリ溶剤によるウェットエッチング、
または励起イオン等を利用するドライエッチングのどち
らでも可能である。研磨剤の吹きつけによるブラスト法
も利用できる。透明基板上の凹凸は、粗さが１μｍ以上
あれば反射光の散乱効果が得られる。また、凹凸形成に
よるガラス基板の反りやクラックの発生頻度を考慮する
と２０μｍ以下が望ましい。
凹凸形成はエッチングにより行った。エッチングはガラ
スを侵蝕するアルカリ溶剤によるウェットエッチング、
または励起イオン等を利用するドライエッチングのどち
らでも可能である。研磨剤の吹きつけによるブラスト法
も利用できる。透明基板上の凹凸は、粗さが１μｍ以上
あれば反射光の散乱効果が得られる。また、凹凸形成に
よるガラス基板の反りやクラックの発生頻度を考慮する
と２０μｍ以下が望ましい。
【００１４】図２は本発明の第２の実施例の白黒液晶表
示装置の表示面部分の断面図である。透明基板１にはプ
ラスチック基板を用いる。遮光膜２はあらかじめ遮光パ
ターンに凹凸を形成しておいた版上に接着剤を置き、そ
の上にアルミニウム膜を蒸着しフォトレジスト工程によ
り開口部を形成する。アルミニウム膜の版との接触面に
は凹凸が形成されている。このアルミニウムを一旦印刷
ローラに転写させた後、透明基板１上に印刷すると図２
のように遮光膜２が、透明基板１との接触面に凹凸をも
って形成できる。さらに、透明電極４，配向膜６を形成
し、もう一方の透明基板と対向させ液晶５を封入すれば
白黒液晶表示装置が得られる。
示装置の表示面部分の断面図である。透明基板１にはプ
ラスチック基板を用いる。遮光膜２はあらかじめ遮光パ
ターンに凹凸を形成しておいた版上に接着剤を置き、そ
の上にアルミニウム膜を蒸着しフォトレジスト工程によ
り開口部を形成する。アルミニウム膜の版との接触面に
は凹凸が形成されている。このアルミニウムを一旦印刷
ローラに転写させた後、透明基板１上に印刷すると図２
のように遮光膜２が、透明基板１との接触面に凹凸をも
って形成できる。さらに、透明電極４，配向膜６を形成
し、もう一方の透明基板と対向させ液晶５を封入すれば
白黒液晶表示装置が得られる。
【００１５】本発明の液晶表示装置では、視認位置１９
における遮光膜２による外部光８の反射は、図２に示す
ように遮光膜２の表面凹凸の散乱により低減する。凹凸
のない遮光膜を使用した場合、視認位置１９における外
部光の反射率が約５０％であったのに対し、この第２の
実施例の液晶表示装置では約７％まで低減できた。
における遮光膜２による外部光８の反射は、図２に示す
ように遮光膜２の表面凹凸の散乱により低減する。凹凸
のない遮光膜を使用した場合、視認位置１９における外
部光の反射率が約５０％であったのに対し、この第２の
実施例の液晶表示装置では約７％まで低減できた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、液晶表示
装置の表示面側に形成した遮光膜によって反射し視野内
に到達する反射光を、遮光膜の表面で散乱させることに
よって低減した。その結果、表示画面に写り込む外部の
像が見えにくくなり、液晶表示装置からの透過光により
視認される表示画像が見えやすくなるという効果を有す
る。
装置の表示面側に形成した遮光膜によって反射し視野内
に到達する反射光を、遮光膜の表面で散乱させることに
よって低減した。その結果、表示画面に写り込む外部の
像が見えにくくなり、液晶表示装置からの透過光により
視認される表示画像が見えやすくなるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例のカラー液晶表示装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の白黒液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図３】（ａ）は液晶表示装置の画素電極配置を示す平
面図、（ｂ）は従来のカラー液晶表示装置の断面図であ
る。
面図、（ｂ）は従来のカラー液晶表示装置の断面図であ
る。
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３ 着色層 ４ 透明電極 ５ 液晶 ６ 配向膜 ７ 光 ８ 外部光 ９ 画素電極 １０ 配線 １１ ゲート電極 １２ 絶縁膜 １３ ａ−Ｓｉ膜 １４ ソース電極 １５ ドレイン電極 １６ 表示画素透明電極 １７ カバー絶縁膜 １８ 光源 １９ 視認位置 ２０ 接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】 対向する２枚の透明基板間に液晶を封入
した液晶表示装置において、表示時直視する一方の透明
基板の内表面に、所望の形状の部分にのみ故意に形成し
た凹凸を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 表示時直視する透明基板上の故意に形成
した凹凸部が金属膜で被覆されていることを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 対向する２枚の透明基板間に液晶を封入
した液晶表示装置において、表示時直視する一方の透明
基板の内表面上に所望の形状の部分にのみ形成する金属
膜の表面が、前記透明基板と接する表面に故意に形成し
た凹凸を有することを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22431993A JPH0777684A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
| KR1019960701009A KR960704605A (ko) | 1993-09-09 | 1994-08-22 | 유기매체 불출기(play medium dispenser) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22431993A JPH0777684A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777684A true JPH0777684A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16811893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22431993A Pending JPH0777684A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777684A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105317A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPH03209223A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH041728A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP22431993A patent/JPH0777684A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105317A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPH03209223A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH041728A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960910 |