JPH0417348A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0417348A JPH0417348A JP2120621A JP12062190A JPH0417348A JP H0417348 A JPH0417348 A JP H0417348A JP 2120621 A JP2120621 A JP 2120621A JP 12062190 A JP12062190 A JP 12062190A JP H0417348 A JPH0417348 A JP H0417348A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- bonding pad
- main metal
- pad
- check
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に半導体集積回
路装置に内蔵された半導体チップ上の金属配線の構造に
関するものである。
路装置に内蔵された半導体チップ上の金属配線の構造に
関するものである。
従来の半導体集積回路装置に内蔵された半導体チップ上
の金属配線の構造を第５図に示す。図において、半導体
チップ１の表面にはボンディングパッド２か形成され、
ボンティングパッド２より主金属配線３か導出され、さ
らに主金属配線３からは枝金属配線４か多数導出されて
半導体チップ１上の各素子（図示せず）に接続される。
の金属配線の構造を第５図に示す。図において、半導体
チップ１の表面にはボンディングパッド２か形成され、
ボンティングパッド２より主金属配線３か導出され、さ
らに主金属配線３からは枝金属配線４か多数導出されて
半導体チップ１上の各素子（図示せず）に接続される。
枝金属配線４は、一般に電源配線や接地配線として多数
用いられ、従って、これらの端子に用いられるボンディ
ングパッド２に接続された主金属配線３の電流密度は比
較的大きなものとなる。
用いられ、従って、これらの端子に用いられるボンディ
ングパッド２に接続された主金属配線３の電流密度は比
較的大きなものとなる。
半導体チップの製造工程では、金属配線はまず、半導体
チップ全体に金属を１μｍ程度の厚さに蒸着し、蒸着金
属をフォトマスクを用いて選択的にエツチングして製造
される。前述した金属蒸着時に半導体チップ上にゴミ（
通常は１〜１００μｍ程度の直径）か付着した場合には
、ゴミ付着部分には金属が蒸着されないことになる。ま
た、フォトマスクにゴミか付着したり、フォトマスクの
パターンにキズか付いたりした場合にも、本来金属配線
として残らなければいけない部分までエツチングされて
しまう。このような原因で半導体チ・ツブ上の金属配線
には部分的に細りかできたり、ゴミが大きな場合には切
断される場合もある。この様子を第６図に示す。図にお
いて細り部５が生じている。
チップ全体に金属を１μｍ程度の厚さに蒸着し、蒸着金
属をフォトマスクを用いて選択的にエツチングして製造
される。前述した金属蒸着時に半導体チップ上にゴミ（
通常は１〜１００μｍ程度の直径）か付着した場合には
、ゴミ付着部分には金属が蒸着されないことになる。ま
た、フォトマスクにゴミか付着したり、フォトマスクの
パターンにキズか付いたりした場合にも、本来金属配線
として残らなければいけない部分までエツチングされて
しまう。このような原因で半導体チ・ツブ上の金属配線
には部分的に細りかできたり、ゴミが大きな場合には切
断される場合もある。この様子を第６図に示す。図にお
いて細り部５が生じている。
ところで、このような細り部５か生じた半導体チップ１
を半導体集積口酪化した場合、初期的には良品である場
合が多いが、長期間使用すると、細り部５の電流密度が
大きすぎるため、エレクトロマイクレージョンが起きて
故障に至ることがある。特に、電源や接地端子に接続さ
れる主金属配線は＠流値が大きく、前述した故障か発生
し易い。
を半導体集積口酪化した場合、初期的には良品である場
合が多いが、長期間使用すると、細り部５の電流密度が
大きすぎるため、エレクトロマイクレージョンが起きて
故障に至ることがある。特に、電源や接地端子に接続さ
れる主金属配線は＠流値が大きく、前述した故障か発生
し易い。
一方、半導体集積回路装置の応用は広く、特に高信顆度
を要求される場合もある。このような場合には、全数に
渡って金属配線を目視検査しなり、長時間通電エージン
グ試験を行ってスクリーニングする必要があり、コスト
的な損失か大であり、完全に不具合チ・ｌプを除去する
ことは困難である。
を要求される場合もある。このような場合には、全数に
渡って金属配線を目視検査しなり、長時間通電エージン
グ試験を行ってスクリーニングする必要があり、コスト
的な損失か大であり、完全に不具合チ・ｌプを除去する
ことは困難である。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体集積回路装置
を提供することにある。
を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路
装置においては、ボンティングパッドと、主金属配線と
、チェックパッドとを有する半導体集積回路装置であっ
て、 ボンディングパッドは、半導体チップの表面に形成され
たものであり、 主金属配線は、ボンディングパッドより導出して形成さ
れ、かつ分岐した複数の枝金属配線を備えたものであり
、 チェックパッドは、ボンティングパッドと反対側の主金
属配線の末端部に設けられたものであり、ボンディング
パッドとチェックパッドとを給電端として主金属配線に
通電可能としたものである。
装置においては、ボンティングパッドと、主金属配線と
、チェックパッドとを有する半導体集積回路装置であっ
て、 ボンディングパッドは、半導体チップの表面に形成され
たものであり、 主金属配線は、ボンディングパッドより導出して形成さ
れ、かつ分岐した複数の枝金属配線を備えたものであり
、 チェックパッドは、ボンティングパッドと反対側の主金
属配線の末端部に設けられたものであり、ボンディング
パッドとチェックパッドとを給電端として主金属配線に
通電可能としたものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図て゛ある。
図において、半導体チップ１の表面にはボンディングバ
・ソド２が形成され、ボンディングパッド２より主金属
配線３か導出され、主金属配線３には複数の枝金属配線
４か分岐して設けられている。
・ソド２が形成され、ボンディングパッド２より主金属
配線３か導出され、主金属配線３には複数の枝金属配線
４か分岐して設けられている。
この構造は従来のものと同じである。
本発明はボンディングパッド２と反対側の主金属配線３
の末端部にチェックパッド６を設け、ボンディングパッ
ド２とチェックパッド６とを給電端として主金属配線３
に通電可能としたものである。
の末端部にチェックパッド６を設け、ボンディングパッ
ド２とチェックパッド６とを給電端として主金属配線３
に通電可能としたものである。
第２図は本発明による半導体チップｌをスクリニングす
る方式を説明するための図である。ボンディングパッド
２とチェックパッド６にはそれぞれ第１と第２の探針７
を立て、第１と第２の探針７には電源８とスイッチ手段
９とを直列にして接続する。ここで、電源８には定電流
源を用いているか、これは電流制ｒ＠機能を有した定電
圧源でも良い、スイッチ手段９をＯＮにすると、ボンテ
ィングパッド２からチェックパッド６に向かって電流か
流れる。この電流値を適正に設定することにより、細り
部５の金属配線の電流密度か大きくなり過ぎて、細り部
５の金属配線が短時間に溶断する。金属配線か断線すれ
ば、回路が動作しなくなり、容易に特性検査で除去でき
る。電源８の電流値は、運営この半導体チップか動作し
ている時の電流値よりも大きく設定する必要かあり、１
０〜１００倍程度が良好である。チェックパッド６を主
金属配線３のボンディングパッド２から見た末端部に設
けたのは、電流密度の大きな主金属配線の全域に渡って
スクリーニングできるからである。
る方式を説明するための図である。ボンディングパッド
２とチェックパッド６にはそれぞれ第１と第２の探針７
を立て、第１と第２の探針７には電源８とスイッチ手段
９とを直列にして接続する。ここで、電源８には定電流
源を用いているか、これは電流制ｒ＠機能を有した定電
圧源でも良い、スイッチ手段９をＯＮにすると、ボンテ
ィングパッド２からチェックパッド６に向かって電流か
流れる。この電流値を適正に設定することにより、細り
部５の金属配線の電流密度か大きくなり過ぎて、細り部
５の金属配線が短時間に溶断する。金属配線か断線すれ
ば、回路が動作しなくなり、容易に特性検査で除去でき
る。電源８の電流値は、運営この半導体チップか動作し
ている時の電流値よりも大きく設定する必要かあり、１
０〜１００倍程度が良好である。チェックパッド６を主
金属配線３のボンディングパッド２から見た末端部に設
けたのは、電流密度の大きな主金属配線の全域に渡って
スクリーニングできるからである。
なお、第２図における電源８の電流方向は正負どちらで
も良いことは言うまでもない。また、チェックパッド６
は探針を立てるだけなので、ボンディングパッド２より
も小さなものにすることが可能である。
も良いことは言うまでもない。また、チェックパッド６
は探針を立てるだけなので、ボンディングパッド２より
も小さなものにすることが可能である。
（実施例２）
第３図は本発明の実施例２を示す構成図である。
第３図においては一ボンディングパッド２から導出され
る主金属配線３が途中で２本に分岐していて末端部か２
ケ所存在する。このような場合にはそれぞれの末端部に
チェックパッド６を設けることになる。
る主金属配線３が途中で２本に分岐していて末端部か２
ケ所存在する。このような場合にはそれぞれの末端部に
チェックパッド６を設けることになる。
第４図は第３図の実施例をスクリーニングする方法であ
り、電源８及びスイッチ手段９をそれぞれ２台用いてい
る。スイッチ手段９を組合せれば、電源８は１台で実現
できる。
り、電源８及びスイッチ手段９をそれぞれ２台用いてい
る。スイッチ手段９を組合せれば、電源８は１台で実現
できる。
以上説明したように本発明は、主金属配線に大きな電流
を流すことができ、主金属配線に細り部が生じた場合に
は、かかる細り部が溶断して確実にスクリーニングが短
時間で行なえるという効果を有する。
を流すことができ、主金属配線に細り部が生じた場合に
は、かかる細り部が溶断して確実にスクリーニングが短
時間で行なえるという効果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は第１
図の実施例１に係る半導体チップのスクリーニング方法
を説明する図、第３図は本発明の実施例２を示す構成図
、第４図は第３図の実施例２に係る半導体チ・ｌプのス
クリーニング方法を説明する図、第５図及び第す図は従
来の半導体チップを示す構成図である。 １・・・半導体チップ ２・・・ホンティンクパ・ソド ３．４・・・金属配線 ６・・・チェックパ・ソド
７・・・探針 ８・・電源９・・・スイッ
チ手段 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中 二第１図
図の実施例１に係る半導体チップのスクリーニング方法
を説明する図、第３図は本発明の実施例２を示す構成図
、第４図は第３図の実施例２に係る半導体チ・ｌプのス
クリーニング方法を説明する図、第５図及び第す図は従
来の半導体チップを示す構成図である。 １・・・半導体チップ ２・・・ホンティンクパ・ソド ３．４・・・金属配線 ６・・・チェックパ・ソド
７・・・探針 ８・・電源９・・・スイッ
チ手段 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中 二第１図
Claims (1)
- （１）ボンディングパッドと、主金属配線と、チェック
パッドとを有する半導体集積回路装置であって、 ボンディングパッドは、半導体チップの表面に形成され
たものであり、 主金属配線は、ボンディングパッドより導出して形成さ
れ、かつ分岐した複数の枝金属配線を備えたものであり
、 チェックパッドは、ボンディングパッドと反対側の主金
属配線の末端部に設けられたものであり、ボンディング
パッドとチェックパッドとを給電端として主金属配線に
通電可能としたものであることを特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120621A JPH0417348A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120621A JPH0417348A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417348A true JPH0417348A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14790768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120621A Pending JPH0417348A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417348A (ja) |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2120621A patent/JPH0417348A/ja active Pending
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