JPH0496343A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0496343A
JPH0496343A JP2213851A JP21385190A JPH0496343A JP H0496343 A JPH0496343 A JP H0496343A JP 2213851 A JP2213851 A JP 2213851A JP 21385190 A JP21385190 A JP 21385190A JP H0496343 A JPH0496343 A JP H0496343A
Authority
JP
Japan
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pad
pads
bonding
wafer
measurement
Prior art date
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Pending
Application number
JP2213851A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuaki Hotta
堀田　信昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2213851A priority Critical patent/JPH0496343A/ja
Publication of JPH0496343A publication Critical patent/JPH0496343A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にリダンダンシィ回路ブ
ロックを含む半導体ウェーハのパッドレイアウト構造に
関する。
従来、半導体装置のパッドレイアウト構造は、第３図に
示すようなものとなっていた。
即ち、半導体チップ２０の四辺にワイヤボンディングに
都合のいいようなある間隔を有してパッド３１が並んで
おり、それらは又、ウェーハ状態でのチップの電気的測
定をも兼ねるものであった。
これは、リダンダンシィ回路ブロックを有するような半
導体装置でも例外ではなかった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装！では、リダンダンシィ回路ブ
ロックのりダンダンシイ測定による良品半導体チップを
選択する第１の電気的測定と、レーザーによるヒユーズ
カット法によりリダンダンシィ良品チップの良品チップ
への復活後に、最終的な良品又は不良品チップの判定を
行う為の第２の電気的測定がウェーハ状の同一の電気的
測定用パッド上でプローブを用いて行なわれた後、良品
の半導体チップは上記パッド上にワイヤボンディングさ
れて各種ケースに組立てられる。
従ってポンディングパッドはプローブで２度アタックさ
れた後に使用される為、組立時のボンディング不良にな
ったり、時にはワイヤがら伝わって侵入する水分の為に
パッドコロ−ジョンを発生させたりするという欠点があ
った。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、リダンダンシィ回路ブロックを
有し半導体チップ表面にワイヤーボンディング用パッド
を有する半導体装置において、前記ワイヤーボンディン
グ用パッドに電気的に接続する電気的測定用パッドをウ
ェーハ表面に有して構成されている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のポンディングパッドの
レイアウトを示す平面図である。
半導体チップ１０上のボンディング用パッド１１の大き
さは一辺が約１００μｍであり、ウェーハ上での電気的
測定用パット１２の大きさは一辺が約５０μｍである。
ポンディングパッド１１と測定用パッド１２を接続する
為のパッド間配線１３は巾約１０μｍである。これら導
電層１１，１２．１３はいずれもアルミニウムで形成さ
れている。
以上のような半導体チップ構成においてウェーハ上での
電気的測定は、リダンダンシィ回の測定も含めて測定用
パッド１２を用いて行ない、ワイヤボンディングはボン
ディング用パッド１１を用いて行なう。従って各パッド
のアタックは、各−度となる。
第２図は本発明の第２の実施例のポンディングパッドの
レイアウトを示す平面図である。
半導体チップ２０上のボンディング用パッド２１の大き
さは一辺が約１００μｍであり、ウェーハ上での電気的
測定用パッド２２の大きさは一辺が約５０μｍである。
ボンディング用パッド３１と測定用パッド３２を接続す
る為の配線２３の巾は約１０μｍである。３１，３２．
３３はいずれもアルミニウムで構成されており、その動
作は実施例１と同様である。
本実施例では、測定用パッド２２がクスライブライン上
に形成されている為、パッド数の増加による半導体チッ
プ面積の増加を招がないという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リダンダンシィ回路ブロ
ックなどを有する半導体装置において、ワイヤボンディ
ング用パッドとは別に、リダンダンシィを含むウェーハ
上での電気的測定用パッドを有することにより、電気的
測定時にリダンダンシィ用も含めてプローブで少なくと
も２度アタックされたパッドをボンディング用としては
使わないで済む為、組立時のボンディング歩留が向上し
たり、ワイヤから伝わって侵入する水分によるバードコ
ロ−ジョンに対して耐性を大きくできるという効果があ
る。
例のパッドレイアウト示す平面図、第３図は従来の半導
体装置の一例のパッドレイアウトを示す平面図である。
１０．２０．３０・・・半導体チップ、１１．２１・・
・ボンディング用パッド、１２．２２・・・ウェーハ上
での電気的測定用パッド、１３．２３・・・パッド間配
線、２１・・・ボンディング測定用パッド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リダンダンシィ回路ブロックを有し半導体チップ表面
    にワイヤーボンディング用パッドを有する半導体装置に
    おいて、前記ワイヤーボンディング用パッドに電気的に
    接続する電気的測定用パッドをウェーハ表面に有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP2213851A 1990-08-13 1990-08-13 半導体装置 Pending JPH0496343A (ja)

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