JPH04173979A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に半
導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用
ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイス等に
用いる結晶またはアモルファス堆積膜をマイクロ波プラ
ズマにより形成する改善された堆積膜形成方法に関する
。

〔従来の技術の説明〕

従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバ
イス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に
用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例えば
水素又は／及びハロゲン（例えばフッ素、塩素等）で補
償されたアモルファスシリコン等のアモルファス堆積膜
のような非単結晶堆積膜が提案され、その中のいくつか
は実用に付されている。

そして、こうした堆積膜は、プラズマＣＶＤ法、即ち、
原料ガスを直流、高周波またはマイクロ波グロー放電に
よって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム
、ステンレス、アルミニウム等の基体上に薄膜状の堆積
膜を形成する方法により形成されることが知られており
、そのための装置も各種提案されている。

特に近年マイクロ波グロー放電分解を用いたプラズマＣ
ＶＤ法即ちマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的にも注
目されている。

マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法に比べ高い堆
積速度と高い原料ガス利用効率という利点を有している
。こうした利点を生かしたマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の１つの例が、特開昭６０−１８６８４９号公報に記
載されている。該公報に記載の装置は、概要、マイクロ
波エネルギーの導入手段を取り囲むように基体を配置し
て内部チャンバー（即ち放電空間）を形成するようにし
て、原料ガス利用効率を非常に高めるようにしたもので
ある。また、特開昭６１−２８３１１６号公報には、半
導体部材製造用の改良形マイクロ波システムが開示され
ている。即ち、当該公報は、プラズマ空間中にプラズマ
電位制御として電極を設け、この電極に所望の電圧を印
加して堆積膜へのイオン衝撃を制御しなから膜堆積を行
うようにして堆積膜の特性を向上させる方法を開示して
いる。

これらの従来の方法により比較的厚い光導電性材料を、
ある程度の高速の堆積速度と原料ガスの利用効率で製造
することが可能となった。このようにして改良された従
来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法堆積膜形成方法は、第
２（Ａ）図の縦断面図及び第２　（Ｂ）図の横断面図で
示される構成のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって
例えば以下のように実施される。

第２（Ａ）及び２（Ｂ）図において、２０１は成膜室で
あり、真空気密化構造を成している。また、２０２は、
マイクロ波電力を成膜室２０１内に効率よく透過導入し
、かつ真空気密を保持し得るような材料（例えば、石英
ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイク
ロ波導入誘電体窓である。２０３はマイクロ波電力の伝
送部で導波管より成っており、スタブチューナー（図示
せず）、アイソレーター（図示せず）を介してマイクロ
波電源（図示せず）に接続されている。誘電体窓２０２
は成膜室２０１内の雰囲気を保持するために導波管２０
３内壁に気密封止されている。

２０４は一端が成膜室２０１内に開口し、他端が排気装
置（図示せず）に連通している排気管である。２０６は
複数の基体２０５により囲まれた放電空間を示す。

こうした装置を使用して実施される従来のマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法による堆積膜形成
は、以下のようにして行われる。

即ち、まず真空ポンプ（図示せず）により排気管２０４
を介して、成膜室２０１を排気し、成膜室の内圧をＩ　
Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ以下に調整する。ついでヒーター
２０７により、それぞれの基体２０５の温度を膜堆積に
好適な温度に加熱保持する。そこで原料ガスを不図示の
ガス導入手段を介して、例えばアモルファスシリコン堆
積膜を形成する場合であれば、シランガス、水素ガス等
の原料ガスが成膜室２０１内に導入される。それと同時
にマイクロ波電源（図示せず）により周波数５００ＭＨ
ｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発
生させ、導波管２０３を通じ、誘電体窓２０２を介して
成膜室２０１内に導入される。更に放電空間中の電極２
１２を介してそれぞれの基体２０５に対して直流電圧を
印加する。かくして複数の基体２０５により囲まれた放
電空間２０６において、原料ガスはマイクロ波エネルギ
ーにより励起されて解離し、更に電極と基体の間の電界
により定常的に基体上にイオン衝撃を受けながら、それ
ぞれの基体２０５の表面に堆積膜が形成される。この時
、それぞれの基体２０５を基体母線方向中心軸の回りに
回転させることにより、基体２０５の全周に渡うて堆積
膜が形成される。

このような従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆
積膜形成方法によれば、ある程度の堆積速度では実用的
な特性と均一性の堆積膜を得ることが可能である。また
成膜室内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない堆
積膜を得ることば可能である。しかし、こうした従来の
マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法では
、特に堆積速度の速い領域では、例えば電子写真用感光
体のように大面積の比較的厚い堆積膜が要求されるもの
の製造については、均一膜質で光学的及び電気的緒特性
の要求を満足し、かつ画像欠陥等の原因となる欠陥の少
ない堆積膜を定常的に安定して高収率（高歩留まり）で
得るのは難しいという解決すべき問題点が残存している
。

即ち、品質からの要求から電子写真感光ドラムのように
大面積の基体上に高速度で堆積膜を形成する場合放電空
間中に電極を設はプラズマ電位を制御する目的でこの電
極に電圧をかけることは重要なことである。

ところが、このように放電空間中に電界をかけると電圧
に依存し画像欠陥等の原因となる堆積膜の欠陥が急激に
増加することがしばしばある。このため従来のマイクロ
波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法では電気的特
性が良く、かつ大面積においても欠陥の少ない堆積膜を
高速度で形成するにはかなりの熟練が必要とされる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述のごとき従来のマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法による堆積膜形成方法における諸問題を克服
して、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバ
イス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に
用いる素子部材等に用いられる素子部材として特性の良
い堆積膜を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、安価
に安定して歩留まり良く高速形成し得る堆積膜形成方法
を提供することにある。

本発明の他の目的は、堆積膜に要求される緒特性を有し
、欠陥の極めて少ないアモルファスシリコン等の非単結
晶質の機能性堆積膜の効率的形成を可能にするマイクロ
波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法を提供するこ
とにある。

〔発明の構成・効果〕

上記目的を達成する本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成方法は、マイクロ波導入手段を備え
、放電空間を有する実質的に密封された反応容器内に、
前記放電空間を取り囲むように複数の円筒状基体を配置
し、原料ガスに由来する反応ガス物質を含むグロー放電
プラズマを、前記マイクロ波導入手段を介して導入され
るマイクロ波エネルギーの作用により前記放電空間に形
成し、かつ前記プラズマの形成される該放電空間に設け
られた電極（以下、“第１の電極゛という、）を介して
前記円筒状基体に対して電圧を印加し、前記円筒状基体
のそれぞれの表面に堆積膜を形成する方法において、前
記放電空間外に別の電極（以下、“第２の電極゛という
、）を設け、該電極と前記円筒状基体との間に電界が生
じるように該第２の電極を介して前記円筒状基体に対し
て電圧を印加し、前記円筒状基体のそれぞれの表面が前
記放電空間内と放電空間外の該第２の電極の近傍を交互
に通過するように前記円筒状基体を回転させながら前記
円筒状基体のそれぞれの表面に堆積膜の形成を行うよう
にしたことを特徴とするものである。

以上の構成の本発明の改善された堆積膜形成方法は、従
来の堆積膜形成方法における上述の問題点を克服して上
記目的を達成すべく本発明者らが鋭意研究を重ねた結果
、以下に述べるような知見を得、該知見に基づいて完成
に至ったものである。

即ち、本発明者らはつぎの知見を得た。（１）マイクロ
波プラズマＣＶＤ法により電子写真感光ドラムの場合の
ように大面積の基体上に高速度で高品質の堆積膜を形成
しようとする場合、放電空間中に電極を設はプラズマ電
位を制御する目的でこの電極に基体に対して電圧を掛け
ることは重要なことである；即ち、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法による成膜では、膜堆積速度が速いために基体
の温度だけでは不足する過剰な水素原子の脱離やシリコ
ン原子の再配置のために必要なエネルギーを補うのは不
十分であることから、電界により放電空間中のイオンを
加速して基体に衝突させ局部的に堆積膜をアニールする
必要がある；そして、この時電極に印加する電圧は基体
に対して正電圧の成分を持つ時だけ形成される堆積膜の
特性向上に寄与する。（２）ところがこのように放電空
間中に直流電界を掛けると電圧に依存して、電子写真感
光ドラムの場合についてみれば、画像欠陥等の原因とな
る欠陥が形成される堆積膜中に生じることがしばしばあ
る；そうした欠陥の断面を顕微鏡で観察したところ数ミ
クロンから数十ミクロンの大きさの異物を核として堆積
膜の途中から球状突起が成長していることが観測された
；そして、堆積膜の電気的特性を向上させるために電極
に印加する直流電圧を上げていくとこの堆積膜の欠陥の
原因である微小な異物の数が急激に増加することが判っ
た；この現象のメカニズムとしては、電極と基体の間の
電界によりイオンが加速され基体に衝突するだけではな
く成膜容器の内壁や基体から剥がれた微小の堆積膜の破
片がプラズマによりチャージアンプし、イオンの場合と
同様電界により加速され基体に付着することが考えられ
る。（３）前記（１１及び（２）の知見を基に、上述し
た放電空間外の位置に新たに別の電極を設けてマイクロ
波プラズマＣＶＤ法による成膜を試みたところ、上述し
た従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
方法における問題点を解決して、電子写真感光ドラムの
ように大面積の基体であっても、欠陥の極めて少ない良
質にして均質の堆積膜を基体の表面全体に亘って均一膜
厚に形成できることが判った。

かくして得られた知見に基づいて完成された、上述の構
成の本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜
形成方法は、堆積膜に要求される緒特性を具備するアモ
ルファスシリコン等の非単結晶質の機能性堆積膜の高速
形成を可能にするものである。本発明の堆積膜形成方法
によれば、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス
、画像人力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力
デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子
等に用いる素子部材等に用いられる素子部材として特性
の良い堆積膜を、安価に安定して歩留まり良く高速形成
することができる。

以下、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成方法について具体的に説明する。

第１　　（Ａ）及び１　（Ｂ）図は、本発明の堆積膜形
成方法を実施するに適した装置の代表例であり、各々該
装置の略縦断面図と略横断面図である。

第１（Ａ）及び１（Ｂ）図において、１０１は成膜室で
あり、該成膜室は真空気密化構造を成している。１０２
は、マイクロ波電力を成膜室１０１内に効率よく導入す
るマイクロ波導入誘電体窓であり、該誘電体窓は、真空
気密を保持し得るような材料（例えば、石英ガラス、ア
ルミナセラミックス等）で形成されたものである。１０
３はマイクロ波電力の伝送部で導波管より成っており、
スタブチューナー（ｖＡ示せず）、アイソレーター（図
示せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接続さ
れている。誘電体窓１０２は成膜室１０１内の雰囲気を
気密保持するように導波管１０３内壁に気密封止されて
いる。１０４は一端が成膜室１０１内に開口し、他端が
排気装置（図示せず）に連通している排気管である。１
０６は複数の円筒状基体１０５，１０５．・・・により
囲まれた放電空間を示す。

以上説明の第１　　（Ａ）及び１　（Ｂ）図に示すマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて本発明の堆積膜形成
方法を実施する場合、以下のような手順で行われる。

まず真空ポンプ（図示せず）により排気管１０４を介し
て成膜室１０１内を排気し、成膜室１０１内の圧力（即
ち、内圧）をＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ以下に調整する
。

ついでヒーター１０７により、基体１０５の温度を膜堆
積に好適な温度に加熱保持する。そうしたところで、原
料ガスを不図示のガス導入手段を介して、例えばアモル
ファスシリコン堆積膜を形成する場合であれば、シラン
ガス、水素ガス等の原料ガスを成膜室１０１内に導入す
る。それと同時にマイクロ波電源（図示せず）により周
波数５００ＭＨ２以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を発生させ、それを導波管１０３を通じ、誘
電体窓１０２を介して成膜室１０１に導入する。ついで
放電空間１０６内に設けられた第１の電極１１２及び放
電空間外に設けられた第２の電極１１４のそれぞれに基
体１０５に対して電圧を印加する。かくして基体１０５
，１０５．・・・により囲まれた放電空間１０６におい
て、上記原料ガスはマイクロ波エネルギーの作用で励起
されて解離し、更に第１の電極１１２と基体１０５゜１
０５、・・・の間に生ずる電界の作用により定常的にイ
オン衝撃を受けながら、基体１０５，１０５゜・・・の
それぞれの表面に堆積膜の形成をもたらす。

この時、基体１０５，１０５．・・・のそれぞれを基体
の母線方向で中心軸の回りに回転させて基体１０５．１
０５．・・・のそれぞれについて全周に渡って堆積膜が
形成される。本発明では、放電空間１０６内に設けられ
た第１の電極１１２に加えて該放電空間の外側の位置に
設けられた第２の電極１１４を併用するところに最大の
特徴を有している。

本発明では第１の電極に印加する電圧は基体に対して正
電圧の成分を含むならば直流、交流または直流と交流を
重畳したもの等いずれでも良い。

直流の場合、第１の電極に印加する電圧は１５Ｖ以上３
００■以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が通す
る。

交流の成分を含む場合はいずれの周波数及び波形でも問
題はない。電圧としては正電圧の成分を含み基体へのイ
オンの加速が可能ならばいずれの電圧でも良いが、一般
に３０Ｖ以上６００Ｖ以下が好ましい。

第１の電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないならば
いずれのものでも良いが、実用上は直径１ｆｉ以上５０
以下の円筒状の形状が好ましい。この時、第１の電極の
長さも、基体に電界が均一にかかる長さであれば任意に
設定できる。

第１の電極の材質としては、表面が導電性となるものな
らばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス、Ａｊ
！、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｎ、Ｎｂ。

Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの
合金または表面を導電処理したガラス、セラミックス、
プラスチック等により構成される。

第２の電極に印加する電圧は基体に対して負電圧の成分
を含むならば直流、交流または直流と交流を重畳したも
の等いずれでも良い、印加する電圧はあまり低いと欠陥
の低減に効果がなく、あまり高いと第２の電極から基体
への異常放電が発生して堆積膜の膜質の低下と欠陥の増
加の原因となる。

直流の場合、第２の電極に印加する電圧は、好ましくは
一１００Ｖ乃至−３０００Ｖの範囲、より好ましくは一
２００Ｖ乃至−２０００Ｖの範囲である。

交流の場合には周波数及び波形についての制限はないが
、ピーク電圧としては基体へのイオンの加速が可能な負
電圧領域の成分を含み、ピーク電圧が一３００■乃至−
６０００Ｖの範囲であることが好ましい。

第２の電極の大きさは、いずれのものでも良いが、実用
上はチャージアップした異物の除去に効果を上げるため
できる限り大きいことが望ましい。

形状としては放電空間外で円筒状基体を包むように基体
と同心の円筒形の一部となる曲面の形状が好ましい。

第２の電極の材質としては、表面が導電性となるものな
らばいずれのものでも良く、例えば、ステア１／ス、Ａ
Ａ’、Ｃｒ、Ｍｏ、、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ。

Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの
合金または表面を導電処理したガラス、セラミックス、
プラスチック等により構成される。

第２の電極と基体までの距離は、近過ぎると異常放電の
原因となり、速すぎると欠陥の減少の効果が少ない。こ
うしたことから、最も接近した位置の場合で、２ｍｍ以
上４０ｍ以下が好ましい。

本発明の堆積膜形成方法においては、円筒状基体の回転
速度はＱ、ｌｒｐｍ以上で５Ｏｒｐｍ以下に設定する場
合、良好な効果が得られる。

本発明での、成膜室１０１内へマイクロ波エネルギーを
導入するためのマイクロ波導入誘電体窓の材質としては
、アルミナ（Ａｊ！ｔＯｓ）、窒化アルミニウム（Ａｊ
！Ｎ）、窒化ポロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭
化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ□）、酸化ベリリ
ウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波
の損失の少ない材料が好ましい。

成膜時の放電空間１０６のガス圧については、好ましく
は１００　ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは５０ｍＴｏ
ｒｒ以下である。

また、本発明においては、成膜時の放電空間外の第２の
電極１１４近傍のガス圧も重要な要因であり、該ガス圧
は電極から基体への異常放電が発生しない程度に低いレ
ベルに維持する必要がある。

具体的には、好ましくは７ＱｍＴｏｒｒ以下、より好ま
しくは３ＱｍＴｏｒｒ以下である。

本発明における基体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付はヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター
等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等
の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換
手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

本発明においては、成膜室１０１とは別に加熱専用の容
器を設け、基体をそこで加熱した後、成膜室１０１内に
真空中で搬送する等の方法も使用することができる。

本発明においては、堆積膜形成用の原料ガスとしては、
例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（ＳｉｚＨ８）
等のアモルファスシリコン形成用原料ガス、ゲルマン（
ＧｅＨ４）、メタン（ＣＨ，）等の他の機能性堆積膜形
成用原料ガスまたはそれらの混合ガス等を適宜使用でき
る。

こうした成膜用原料ガスは、適当な希釈ガスで希釈して
成膜室１０１に導入することができる。

そうした希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（
Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。

また、形成される堆積膜のバンドギャップ幅を変化させ
る等の目的で、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）等
の窒素原子を含むガス：酸素（０２）、酸化窒素（ＮＯ
）、酸化二窒素（Ｎ、Ｏ）等酸素原子を含むガス：メタ
ン（ＣＨ４）、エタン（ＣｚＨｈ）、エチレン（Ｃ２Ｈ
４）　、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ１
）等の炭化水素ガス二四フッ化珪素（ＳｉＦ４）、六フ
ッ化二珪素（ＳｉｚＦＪ、四フッ化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｆａ）等のガス状の弗素化合物二またはこれらの混合ガ
スを使用することができる。

また、形成される堆積膜をドーピングするについて、ジ
ポラン（ＢｚＨ＆）　、フッ化はう素（ＢＦｆｆ）、ホ
スフィン（ＰＨ３）等のドーパントガスを上述した成膜
用原料ガスと共に放電空間１０６に導入することができ
る。

成膜用の基体については、例えば、ステンレス。

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ＋Ｉｎ＋Ｎｂ＋Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ
。

ＰＬ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を
導電処理したポリカーボネート等の合成樹脂、ガラス、
セラミックス、紙等が使用できる。

本発明での堆積膜形成方法においては、堆積膜形成時の
基体温度はいずれの温度でも有効ではあるが、アモルフ
ァスシリコンを堆積する場合には、２０℃以上５００℃
以下の範囲が採用できるが、５０℃以上で４５０℃以下
とする場合より良好な効果がもたらされる。

以上説明の本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成方法は、阻止型アモルファスシリコン感光体
、高抵抗型アモルファスシリコン感光体等複写機、また
はプリンター用感光体を始めとし、良好な電気的特性の
機能性堆積膜が要求される他の各種デバイスの作成に有
効である。

本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
方法は、上述した以外のマイクロ波を利用するいずれの
成膜装置によっても実施することができるが、特に、放
電空間を囲むように基体を設け、少なくとも基体の一端
側から導波管を介して、マイクロ波を導入する構成の装
置に使用する場合顕著な効果が得られる。

本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
方法の効果を以下の実施例及び比較例を介して更に説明
するが、本発明は該実施例により何ら限定されるもので
はない。

〔実施例〕

第１　（Ａ）及び１　（Ｂ）図に示す堆積膜形成装置を
使用し、第１表で示す条件で電荷注入阻止層、感光層及
び表面層を有するアモルファスシリコン感光ドラムを複
数個作成した。基体１０５としてアルミニウムシリンダ
ーを使用した。

なお、第１表中の電圧と電流は第１の電極１１２に印加
した電圧と電流を示す。また、第２の電極１１４に負の
直流電圧を印加していき、成膜中の異常放電の発生と第
２の電極に印加した電圧の関係を調べ、かつ得られた感
光ドラムについて電子写真複写機を使用して画像出しを
行い、得られた画像について画像欠陥の数を調べた。得
られた結果を第２表に示した。

第２表の結果から、第２の電極を介して負の直流電圧を
１００乃至３０００Ｖの範囲で印加して成膜する場合、
異常放電の発生はみられず良好な感光ドラムが歩留りよ
く得られることが判った。

更に、第２の電極を介して負の直流電圧を２００乃至２
０００Ｖの範囲で印加する場合、電子写真特性に優れた
感光ドラムが高歩留りで得られることが判った。

なお、実施例ではすべて基体をアースに落とし電極（第
１の電極及び第２の電極も含む）に電圧を印加した場合
を述べているが、成膜室内の基体と電極の電気的な関係
が同じであればいずれをアースに落としても、また、基
体及びすべての電極がアースから分離されていても全く
同様の結果が得られることが確認された。

〔比較例〕

第２（Ａ）及び２（Ｂ）図に示す堆積膜形成装置を使用
し、第１表に示す条件でアルミニウムシリンダーを基体
に使用して実施例の場合と同様の構成のアモルファスシ
リコン感光ドラムを複数個作成した。実施例の場合と同
様、成膜中の異常放電の発生状況を調べ、かつ得られた
感光ドラムについて電子写真特性を調べた。その結果、
成膜中の異常放電については、実施例において第２の電
極を介して−１００乃至３０００Ｖ印加した場合とは異
なって発生し、感光ドラムの電子写真特性については得
られた感光ドラム間に差があり、歩留りの点で問題があ
ることが判った。

第　　　　１　　　　表 〔発明の効果の概略〕 上述したように、放電空間に第１の電極を設け、放電空
間外に第２の電極を設けて実施する本発明のマイクロ波
プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法によれば、半導
体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラ
インセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイス、その
他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用いる素子
部材等に用いられる素子部材として特性の良い堆積膜を
、安価に安定して歩留まり良く高速形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１　（Ａ）及び１　（Ｂ）図は、本発明のマイクロ波
プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法を実施するに適
した代表的なマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の略縦断面
及び略横断面である。第２（Ａ）及び２　（Ｂ）図は、
従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方
法を実施するに適した代表的なマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置の略縦断面及び略横断面である。 図において、 １０１．２０１・・・成膜室、 １０２．２０２・・・マイクロ波導入窓、１０３．２０
３・・・導波管、 １０４．２０４・・・排気管、 １０５．２０５・・・基体、 １０６．２０６・・・放電空間、 １０７．２０７・・・ヒーター、 １０９．２０９・・・回転軸、 １１０．２１０・・・モーター、 ２１１・・・電源、２１２・・・電極、１１１・・・第
１の電源、１１２・・・第１の電極、１１３・・・第２
の電源、１１４・・・第２の電極。 第１（Ａ）図 第１（Ｂ）図 １１４　　　　１１ＪＯ 第２（Ａ）図 第２（Ｂ）図 ２カ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　マイクロ波導入手段を備えていて、実質的に密封され
   た成膜室に、放電空間を取り囲むように複数の円筒状基
   体を配置し、原料ガスに由来する反応ガス物質を含むグ
   ロー放電プラズマを前記放電空間内に形成するようにし
   、その際前記放電空間内に設けられた電極を介して前記
   円筒状基体に対して電圧を印加し前記円筒状基体上に堆
   積膜を形成する方法において、前記放電空間外の位置に
   別の電極を設け、これと前記円筒状基体との間に電界が
   できるように前記円筒状基体に対して電圧を印加し、前
   記円筒状基体表面が前記放電空間内と放電空間外の前記
   電極の近傍を交互に通過するように前記円筒状基体を回
   転させることを特徴とするマイクロ波プラズマＣＶＤ法
   による堆積膜形成方法。