JPH04174514A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH04174514A JPH04174514A JP2228723A JP22872390A JPH04174514A JP H04174514 A JPH04174514 A JP H04174514A JP 2228723 A JP2228723 A JP 2228723A JP 22872390 A JP22872390 A JP 22872390A JP H04174514 A JPH04174514 A JP H04174514A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【！集土の利用分野〕
この発明は、半導体の製造などに使用される、マイクロ
波プラズマを利用したＣ Ｖ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による薄膜形成が
可能なマイクロ波プラズマ処理装置に関し、特に、ＲＦ
バイアス電圧を処理基板に印加するものに関する。。
波プラズマを利用したＣ Ｖ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による薄膜形成が
可能なマイクロ波プラズマ処理装置に関し、特に、ＲＦ
バイアス電圧を処理基板に印加するものに関する。。
（従来の技術〕
この種のマイクロ波プラズマ処理装置としてＥＣＲ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏａａｐ
ｃｅ）プラズマを用いたプロセス技術が注目されている
。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波との共鳴効果
を用いて電子を加速し、この電子の運動エネルギーを用
いてガスを電層してプラズマを発生させる原理に基づく
ものである。マイクロ波に励振された電子は磁力線の周
りを円運動し、その際、遠心力とローレンツ力とがバ、
ランスする条件をＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心力をｍ
ｒω８．ローレンツ力を−ｑｒａ＋１３で表すと、これ
らがバランスする条件は、ω／ Ｂ ＝ ｑ ／ ｍで
ある。ここでωはマイクロ波の角周波数、Ｂは磁束書庫
、Ｑ／ｍは電子の比電荷である。マイクロ波周波数は工
業的に認められている２、４５ＧＨｚが一般に用いられ
、その場合の共鳴磁束密度は８７５ガウスである。
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏａａｐ
ｃｅ）プラズマを用いたプロセス技術が注目されている
。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波との共鳴効果
を用いて電子を加速し、この電子の運動エネルギーを用
いてガスを電層してプラズマを発生させる原理に基づく
ものである。マイクロ波に励振された電子は磁力線の周
りを円運動し、その際、遠心力とローレンツ力とがバ、
ランスする条件をＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心力をｍ
ｒω８．ローレンツ力を−ｑｒａ＋１３で表すと、これ
らがバランスする条件は、ω／ Ｂ ＝ ｑ ／ ｍで
ある。ここでωはマイクロ波の角周波数、Ｂは磁束書庫
、Ｑ／ｍは電子の比電荷である。マイクロ波周波数は工
業的に認められている２、４５ＧＨｚが一般に用いられ
、その場合の共鳴磁束密度は８７５ガウスである。
ＥＣＲ型のプラズマＣＶＤ、エツチング装置においては
、プラズマの高密度化をはかり、効率の良い１ＩｌｌＩ
Ｉ形成またはエンチングを行うためには、プラズマ生成
室に導入するマイクロ波を、ピーク電力の大きいパルス
状にして加える必要がある。
、プラズマの高密度化をはかり、効率の良い１ＩｌｌＩ
Ｉ形成またはエンチングを行うためには、プラズマ生成
室に導入するマイクロ波を、ピーク電力の大きいパルス
状にして加える必要がある。
さらに、ＣＶＤにおいて、表面保Ｉｌ！ｌ！Ｉの平坦化
。
。
凹凸表面を有する下地への膜厚の均一な、いわゆるコン
フォーマルな成膜、膜質のｆｆｉ！な成膜等を実現し、
あるいは、エツチングにおいて、異方性の高い加工を行
うためには、被加工基板とプラズマとの間にＲＦバイア
ス電圧を印加することが行われる。なおＲＦとはＲａｄ
ｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙのことであり、この分野では
高周波とも呼ばれ、はぼ５０ＫＨｚないし数＋［ｆの範
囲の周波数である。ＲＦバイアス電圧を印加した場合に
表面保ｇｉｎの平坦化や、凹凸表面を有する下地へのコ
ンフォーマルな成膜や、膜質の緻密な成膜等が可能にな
る理由は周知のように、被処理基板にＲＦバイアス電圧
を印加すると、基板表面に装置内の接地部位に対して負
電位が現れ、この負電位による凹凸表面の電界分布によ
り、プラズマ中のイオンによるエツチング作用を受けや
すい凸部と受けにくい凹部とで成膜速度に差を生じ（こ
れにより表面保ｌＩ服が工坦に形成される）、あるいは
凸部側壁の電界により側壁への成膜が効果的に行われ（
これにより凹凸表面への成膜がコンフォーマルに行われ
る）、また、電界によりイオンが加速されて膜がイオン
衝撃を受ける （これにより膜質が緻密になる）ためで
ある。
フォーマルな成膜、膜質のｆｆｉ！な成膜等を実現し、
あるいは、エツチングにおいて、異方性の高い加工を行
うためには、被加工基板とプラズマとの間にＲＦバイア
ス電圧を印加することが行われる。なおＲＦとはＲａｄ
ｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙのことであり、この分野では
高周波とも呼ばれ、はぼ５０ＫＨｚないし数＋［ｆの範
囲の周波数である。ＲＦバイアス電圧を印加した場合に
表面保ｇｉｎの平坦化や、凹凸表面を有する下地へのコ
ンフォーマルな成膜や、膜質の緻密な成膜等が可能にな
る理由は周知のように、被処理基板にＲＦバイアス電圧
を印加すると、基板表面に装置内の接地部位に対して負
電位が現れ、この負電位による凹凸表面の電界分布によ
り、プラズマ中のイオンによるエツチング作用を受けや
すい凸部と受けにくい凹部とで成膜速度に差を生じ（こ
れにより表面保ｌＩ服が工坦に形成される）、あるいは
凸部側壁の電界により側壁への成膜が効果的に行われ（
これにより凹凸表面への成膜がコンフォーマルに行われ
る）、また、電界によりイオンが加速されて膜がイオン
衝撃を受ける （これにより膜質が緻密になる）ためで
ある。
上記のようなＥＣＲプラズマＣＶＤ、エツチング装置と
して、例えば第６図に示すものが知られている。この装
置の構成および動作の概要を以下に説明する。まず、プ
ラズマ生成室３．処理室９を図示しない排気手段により
真空排気しておき、ガス供給手段４から例えば０！ガス
をプラズマ生成室３に流したところへ、マイクロ波発生
器１７で発生したパルス杖のマイクロ波を、その伝達手
段である導波管１を介してプラズマ生成室３へ導入する
。前記導波管１とプラズマ生成室３との間には大気圧下
にある導波管１側と真空排気されたプラズマ生成室３と
を気密シニｗｉ履するための真空窓２を設けである。プ
ラズマ生成室３の下部には中心に大口径の開ロアを有す
る金属板が取りつけられており、この金属板とプラズマ
生成室３とで半開放のマイクロ波共振器を構成している
。この共振器の外部には励磁用ソレノイド６が配置され
、共振器内にＥＣＲ条件を満たす佑場を生ぜしめて共振
器内にプラズマを発生する。このプラズマが値力線に沿
って処理室９内に押し出され、基板台１０に向かう空間
内にガス供給手段１２から例えばモノシランガス（Ｓｉ
Ｌ）を供給して、このガスを前記プラズマにより活性化
すると、活性種が、ＲＦ発生器２０によりＲＦバイアス
電圧を印加された被加工試料である基板１１と反応して
基板表面に薄膜が形成される。なお基板１１にＲＦバイ
アス電圧を印加するための配線は接地電位のシールドで
覆われている。
して、例えば第６図に示すものが知られている。この装
置の構成および動作の概要を以下に説明する。まず、プ
ラズマ生成室３．処理室９を図示しない排気手段により
真空排気しておき、ガス供給手段４から例えば０！ガス
をプラズマ生成室３に流したところへ、マイクロ波発生
器１７で発生したパルス杖のマイクロ波を、その伝達手
段である導波管１を介してプラズマ生成室３へ導入する
。前記導波管１とプラズマ生成室３との間には大気圧下
にある導波管１側と真空排気されたプラズマ生成室３と
を気密シニｗｉ履するための真空窓２を設けである。プ
ラズマ生成室３の下部には中心に大口径の開ロアを有す
る金属板が取りつけられており、この金属板とプラズマ
生成室３とで半開放のマイクロ波共振器を構成している
。この共振器の外部には励磁用ソレノイド６が配置され
、共振器内にＥＣＲ条件を満たす佑場を生ぜしめて共振
器内にプラズマを発生する。このプラズマが値力線に沿
って処理室９内に押し出され、基板台１０に向かう空間
内にガス供給手段１２から例えばモノシランガス（Ｓｉ
Ｌ）を供給して、このガスを前記プラズマにより活性化
すると、活性種が、ＲＦ発生器２０によりＲＦバイアス
電圧を印加された被加工試料である基板１１と反応して
基板表面に薄膜が形成される。なお基板１１にＲＦバイ
アス電圧を印加するための配線は接地電位のシールドで
覆われている。
なおガス供給手段４から０３ガスの代わりにエツチング
用ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチ
ング加工用にも使用可能となる。
用ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチ
ング加工用にも使用可能となる。
〔発明が解決しようとする帽［
従来のこの種のＥＣＲプラズマＣＶＤ、エツチング加工
用では、ＲＦ発生器からみた場合、プラズマは負荷であ
り、この負荷の存在により、基板のプラズマ側とＲＦ発
生器側とのインピーダンスの整合がとれ、基板上に適切
な電圧を印加することが可能になる。しかし、マイクロ
波が発生しておらず、従ってプラズマも発生していない
ときには無負荷状態となり、基板上に高電圧が印加され
、この高電圧は約１ｋＶになる場合もあり、基板表面で
放電が起き、基板表面にタレータが生じ破損する等の問
題が生じる。このため、従来の装置では、例えば特願昭
６３−２７５７８６号にて開示したように、装置に同期
パルス発生回路を設け、この回路から出力される２つの
パルス信号を、その一方はマイクロ波発生器へ、他方は
ＲＦ発生器へ入力して、マイクロ波パルスとＲＦバイア
ス電圧とを常に同期させて装置本体内へ送り込むように
するか、あるいは、装置にＲＦバイアス変調回路を設け
、基板の表面電位が設定値を超過したときに基板へのＲ
Ｆバイアス電圧印加を停止させるようにしている。
用では、ＲＦ発生器からみた場合、プラズマは負荷であ
り、この負荷の存在により、基板のプラズマ側とＲＦ発
生器側とのインピーダンスの整合がとれ、基板上に適切
な電圧を印加することが可能になる。しかし、マイクロ
波が発生しておらず、従ってプラズマも発生していない
ときには無負荷状態となり、基板上に高電圧が印加され
、この高電圧は約１ｋＶになる場合もあり、基板表面で
放電が起き、基板表面にタレータが生じ破損する等の問
題が生じる。このため、従来の装置では、例えば特願昭
６３−２７５７８６号にて開示したように、装置に同期
パルス発生回路を設け、この回路から出力される２つの
パルス信号を、その一方はマイクロ波発生器へ、他方は
ＲＦ発生器へ入力して、マイクロ波パルスとＲＦバイア
ス電圧とを常に同期させて装置本体内へ送り込むように
するか、あるいは、装置にＲＦバイアス変調回路を設け
、基板の表面電位が設定値を超過したときに基板へのＲ
Ｆバイアス電圧印加を停止させるようにしている。
しかし、このような、異常電圧によるトラブル防止装置
は、ＲＦ発生器からみた、プラズマ負荷インピーダンス
の対マイクロ波パルス応答速度が速い場合には十分であ
るが、プラズマの種類によってはインピーダンスのパル
スＯＮ時の同期特性が悪いものやパルスＯＦＦ時の同期
特性が悪いもの、あるいはそのいずれもが悪いものが存
在することが発明者の実験によって明らかとなった。第
５図に示すように、その傾向はプラズマ点火直後および
マイクロ波ＯＦＦの直後に特に発生し、前者は印加電圧
オーバシュート、後者はスパイク状興常電圧の発生とな
って現れる。これらの異常電圧は、配線済のＬＳＩを搭
載した基板の場合、アルミ配線にダメージをもたらすこ
とが発明者らの実験によって判明しており、従来装置で
はこれら異常電圧の発生が避けられない欠点を有してい
た。
は、ＲＦ発生器からみた、プラズマ負荷インピーダンス
の対マイクロ波パルス応答速度が速い場合には十分であ
るが、プラズマの種類によってはインピーダンスのパル
スＯＮ時の同期特性が悪いものやパルスＯＦＦ時の同期
特性が悪いもの、あるいはそのいずれもが悪いものが存
在することが発明者の実験によって明らかとなった。第
５図に示すように、その傾向はプラズマ点火直後および
マイクロ波ＯＦＦの直後に特に発生し、前者は印加電圧
オーバシュート、後者はスパイク状興常電圧の発生とな
って現れる。これらの異常電圧は、配線済のＬＳＩを搭
載した基板の場合、アルミ配線にダメージをもたらすこ
とが発明者らの実験によって判明しており、従来装置で
はこれら異常電圧の発生が避けられない欠点を有してい
た。
例えば第５図１Ｍ＋に示す包絡線を持ったマイクロ波パ
ルスに同期してＲＦパルスを基板に印加するとプロセス
ガスの種類によって、（ｂｌ 、 （ｃｌ 、 （ｄ）
の形状の異常電圧が発生する。これらの各異常電圧に対
応するプラズマガスの種類を第１表に示す。
ルスに同期してＲＦパルスを基板に印加するとプロセス
ガスの種類によって、（ｂｌ 、 （ｃｌ 、 （ｄ）
の形状の異常電圧が発生する。これらの各異常電圧に対
応するプラズマガスの種類を第１表に示す。
第１表
この発明の目的は、ＲＦバイアス電圧をマイクロ波パル
スと同期させて印加する際に、基板に装置内接地部位に
対して異常電圧を発生することのないＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ、エツチング装置を提供することである。
スと同期させて印加する際に、基板に装置内接地部位に
対して異常電圧を発生することのないＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ、エツチング装置を提供することである。
上記課題を解決するために、この発明においては、パル
ス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の伝達手段
と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波
が導入されるとともに、ガス供給手段を介して供給され
たガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化
して活性な原子１分子またはイオンを生ぜしめるための
磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、かつ軸線が
該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致する開口
を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有するプラズ
マ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介して結合
され該開口から前記磁力線に沿って流出する前記活性な
原子１分子またはイオンにより表面にエツチングが施さ
れまたはｉ＊＊が形成される基板が配される処理室と、
該基板にＲＦバイアス電圧を印加するためのＲＦ発生手
段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排
気手段とを僑えたプラズマ処理装置を、前記ＲＦバイア
ス電圧を、発生時期が前記パルス状のマイクロ波と同期
するパルスとして発生させるとともに、プラズマ生成室
に供給するガスの種類に応し、ＲＦパルスの立ち上がり
開始時刻をマイクロ波パルスの立ち上がり時刻より有意
な時間遅らせるための手段を備えた装置とするか、ＲＦ
パルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち
上がり時刻より有意な時間遅らせるとともにＲＦパルス
の立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり
時刻より有意な時間早めるための手段を備えた装置とす
るか、あるいはＲＦパルスの、立ち上がり開始時刻をマ
イクロ波パルスの立ち上がり時刻と同時刻とし、かつＲ
Ｆパルスの立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立
ち下がり時刻より有意な時間早めるための手段を備えた
装置とするものとする。
ス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の伝達手段
と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波
が導入されるとともに、ガス供給手段を介して供給され
たガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化
して活性な原子１分子またはイオンを生ぜしめるための
磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、かつ軸線が
該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致する開口
を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有するプラズ
マ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介して結合
され該開口から前記磁力線に沿って流出する前記活性な
原子１分子またはイオンにより表面にエツチングが施さ
れまたはｉ＊＊が形成される基板が配される処理室と、
該基板にＲＦバイアス電圧を印加するためのＲＦ発生手
段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排
気手段とを僑えたプラズマ処理装置を、前記ＲＦバイア
ス電圧を、発生時期が前記パルス状のマイクロ波と同期
するパルスとして発生させるとともに、プラズマ生成室
に供給するガスの種類に応し、ＲＦパルスの立ち上がり
開始時刻をマイクロ波パルスの立ち上がり時刻より有意
な時間遅らせるための手段を備えた装置とするか、ＲＦ
パルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち
上がり時刻より有意な時間遅らせるとともにＲＦパルス
の立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり
時刻より有意な時間早めるための手段を備えた装置とす
るか、あるいはＲＦパルスの、立ち上がり開始時刻をマ
イクロ波パルスの立ち上がり時刻と同時刻とし、かつＲ
Ｆパルスの立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立
ち下がり時刻より有意な時間早めるための手段を備えた
装置とするものとする。
マイクロ波プラズマは無極性プラズマであり、この中に
ＲＦパワーが供給される電極（以下ＲＦ電極と記す）を
置き、チ中ンバ璧をアース電極として両電極間にＲＦパ
ワーを印加した場合、ＲＦ・電極における電圧電流特性
はラングミニアブローブの電圧電流特性に等しく第７Ｗ
ｊのごとくなる。
ＲＦパワーが供給される電極（以下ＲＦ電極と記す）を
置き、チ中ンバ璧をアース電極として両電極間にＲＦパ
ワーを印加した場合、ＲＦ・電極における電圧電流特性
はラングミニアブローブの電圧電流特性に等しく第７Ｗ
ｊのごとくなる。
図において、横軸はＲＦ電極の装置内接地部位に対する
電位を示し、縦軸はＲＦ電極に流れる電流を示す、ここ
で、縦軸の正の値は電子電流がイオン電流より優勢であ
ることを示し、負の値は電子電流よりイオン電流が優勢
であることを示す。
電位を示し、縦軸はＲＦ電極に流れる電流を示す、ここ
で、縦軸の正の値は電子電流がイオン電流より優勢であ
ることを示し、負の値は電子電流よりイオン電流が優勢
であることを示す。
よく知られているように、このようなプローブに交番電
界を印加した場合、プラズマ中の電子とイオンとの移動
度の差により、プローブには中心電位が負にバイアスさ
れた交番電位が現れ、この電位はほぼ０とＶ、との間を
往復し、この電位■。
界を印加した場合、プラズマ中の電子とイオンとの移動
度の差により、プローブには中心電位が負にバイアスさ
れた交番電位が現れ、この電位はほぼ０とＶ、との間を
往復し、この電位■。
と、電位■、における電＊ ｌｐとの比がＲＦ発生器か
らみたプラズマ負荷インピーダンスの指標となる。電流
！、はイオンを流によって決定されるため次の値をとる
と考えて差し支えない。
らみたプラズマ負荷インピーダンスの指標となる。電流
！、はイオンを流によって決定されるため次の値をとる
と考えて差し支えない。
ここに、 ｅ：電子１個のクーロン量ｎ、：プラズマ
密度 に：ボルッマン定数 Ｔ、：電子温度 ｅ゛ ：自然対数の底 Ｍ：イオンの質量 これらの物理量のうちプラズマの点滅により時間的に変
化するのはｎ、とＴ、である、ゆえにパルス立ち上がり
応答性の悪いプラズマはプラズマが平衡状態に達するま
での時間が長く、この時間内で大きい負荷インピーダン
スを示し、基板と装置内接地部位との間に大きい異常電
圧が発生する。
密度 に：ボルッマン定数 Ｔ、：電子温度 ｅ゛ ：自然対数の底 Ｍ：イオンの質量 これらの物理量のうちプラズマの点滅により時間的に変
化するのはｎ、とＴ、である、ゆえにパルス立ち上がり
応答性の悪いプラズマはプラズマが平衡状態に達するま
での時間が長く、この時間内で大きい負荷インピーダン
スを示し、基板と装置内接地部位との間に大きい異常電
圧が発生する。
また、パルス立ち下がり応答性の悪いプラズマは、定常
プラズマと比べて負荷インピーダンスが不連続的に大き
くなるアフターグローの存在する時間が長く、かつＲＦ
Ｊ’１ｌｌｌ波数がマイクロ波の周波数と比べて著しく
低いためにＲＦパワーをマイクロ波と同時に遮断しても
ＲＦバイアス電圧が零値に到達するまでの時間がマイク
ロ波より大きく遅れるためにＲＦバイアス電圧がアフタ
ーグローにかかり、基板と装置内接地部位との間に大き
い異常電圧が発生する。そして、これらの異常電圧が発
生する時間区間である。マイクロ波パルス印加後にプラ
ズマが平衡状態に達するまでの時間や、アフターグロー
の存在する時間は、いずれも原料ガスと電子との衝突断
面積で決まる特性であり、衝突断面積はガスの種類や電
子温度によって大きく異なるからパルス応答性がさまざ
まな様相を呈するものと解釈される。
プラズマと比べて負荷インピーダンスが不連続的に大き
くなるアフターグローの存在する時間が長く、かつＲＦ
Ｊ’１ｌｌｌ波数がマイクロ波の周波数と比べて著しく
低いためにＲＦパワーをマイクロ波と同時に遮断しても
ＲＦバイアス電圧が零値に到達するまでの時間がマイク
ロ波より大きく遅れるためにＲＦバイアス電圧がアフタ
ーグローにかかり、基板と装置内接地部位との間に大き
い異常電圧が発生する。そして、これらの異常電圧が発
生する時間区間である。マイクロ波パルス印加後にプラ
ズマが平衡状態に達するまでの時間や、アフターグロー
の存在する時間は、いずれも原料ガスと電子との衝突断
面積で決まる特性であり、衝突断面積はガスの種類や電
子温度によって大きく異なるからパルス応答性がさまざ
まな様相を呈するものと解釈される。
以上のような理由から、プラズマガスの種類に応じ、
（１）パルス立ち上がり応答性の悪いプラズマガスの場
合には、プラズマ処理装置を、マイクロ波パルスの立ち
上がり時刻より有意な時間遅らせてＲＦパルスを基板に
印加する手段を備えた装置とし、■パルス立ち下がり応
答性の悪いプラズマガスの場合には、プラズマ処理装置
を、マイクロ波パルスの立ち下がり時刻より有意な時間
早めてＲＦパルスを遮断する手段を備えた装置とする。
合には、プラズマ処理装置を、マイクロ波パルスの立ち
上がり時刻より有意な時間遅らせてＲＦパルスを基板に
印加する手段を備えた装置とし、■パルス立ち下がり応
答性の悪いプラズマガスの場合には、プラズマ処理装置
を、マイクロ波パルスの立ち下がり時刻より有意な時間
早めてＲＦパルスを遮断する手段を備えた装置とする。
ことにより、プラズマ処理装置を、基板と装置内接地部
位との間に異常電圧が発生しない装置とすることができ
る。
位との間に異常電圧が発生しない装置とすることができ
る。
Ｃ実施例〕
第１図は発明の実施例を示すものであって、１ｍ＋はパ
ルス的に発生させたマイクロ波の包路線を模擬的に示し
たもの、（ｂｌはＲＦパルスの立ち上がりのタイミング
をマイクロ波の立ち上がりより時間τ１だけ遅らせて立
ち上がり時の異常電圧の発生を抑えたときのＲＦの包路
線を示したもの、ｌｃ）はＲＦパルスの立ち下がりのタ
イミングをマイクロ波の立ち下がりより時間で８だけ早
めて立ち下がり特の異常電圧の発生を抑えたときのＲＦ
の包路線を示したもの、（ｄ）は（ｂｌ、ｌｅｔの対策
を併用したものである。ここで、時間τ１は、マイクロ
波パルス印加後プラズマが平衡状態に達するまでの時間
より十分長い時間とし、時間τ寞は、ＲＦパルスを遮断
する時刻がマイクロ波パルスの遮断時刻より十分早めと
なるように設定している。具体的なプラズマガスの種類
と、それぞれのプラズマガスにおける異常電圧防止対策
の例とを第２表に示す。
ルス的に発生させたマイクロ波の包路線を模擬的に示し
たもの、（ｂｌはＲＦパルスの立ち上がりのタイミング
をマイクロ波の立ち上がりより時間τ１だけ遅らせて立
ち上がり時の異常電圧の発生を抑えたときのＲＦの包路
線を示したもの、ｌｃ）はＲＦパルスの立ち下がりのタ
イミングをマイクロ波の立ち下がりより時間で８だけ早
めて立ち下がり特の異常電圧の発生を抑えたときのＲＦ
の包路線を示したもの、（ｄ）は（ｂｌ、ｌｅｔの対策
を併用したものである。ここで、時間τ１は、マイクロ
波パルス印加後プラズマが平衡状態に達するまでの時間
より十分長い時間とし、時間τ寞は、ＲＦパルスを遮断
する時刻がマイクロ波パルスの遮断時刻より十分早めと
なるように設定している。具体的なプラズマガスの種類
と、それぞれのプラズマガスにおける異常電圧防止対策
の例とを第２表に示す。
第２表
このような対策を実施するための具体的な回路の例を第
２図に示す、マイクロ波源により発生した１幅がａｓオ
ーダの矩形の包絡線を有するマイクロ波は導波管を通っ
てプラズマ生成室を構成する真空チャンバに導かれプラ
ズマ発生のために用いられるが、この包絡線の時間変化
を忠実にモニタする信号をマイクロ波源から取り出し、
これをパルス発生器に送儒する。パルス発生器には可変
抵抗器ＶＲＩ、ＶＲ２が取りつけられ、これらの抵抗値
を調整することにより、第４図に示すように、マイクロ
波モニタ信号の立ち上がり時刻より時間τ。
２図に示す、マイクロ波源により発生した１幅がａｓオ
ーダの矩形の包絡線を有するマイクロ波は導波管を通っ
てプラズマ生成室を構成する真空チャンバに導かれプラ
ズマ発生のために用いられるが、この包絡線の時間変化
を忠実にモニタする信号をマイクロ波源から取り出し、
これをパルス発生器に送儒する。パルス発生器には可変
抵抗器ＶＲＩ、ＶＲ２が取りつけられ、これらの抵抗値
を調整することにより、第４図に示すように、マイクロ
波モニタ信号の立ち上がり時刻より時間τ。
たけ遅れて立ち上がり、τ、だけ連れて立ち下がるパル
スを発生する。このパルス信号を、ＲＦ発生器が備えて
いる。入力信号によりＲＦ発生器の出力を操作する遠隔
操作端子に入力してＲＦ発生器を駆動すれば希望のＲＦ
パルスを発生させることができる。なお、図において、
マンチングボックスは、被処理基板のプラズマ側とＲＦ
発生器側とのインピーダンスを整合させるための回路を
内蔵する箱体である。
スを発生する。このパルス信号を、ＲＦ発生器が備えて
いる。入力信号によりＲＦ発生器の出力を操作する遠隔
操作端子に入力してＲＦ発生器を駆動すれば希望のＲＦ
パルスを発生させることができる。なお、図において、
マンチングボックスは、被処理基板のプラズマ側とＲＦ
発生器側とのインピーダンスを整合させるための回路を
内蔵する箱体である。
具体的な回路の別の例を第３図に示す、この例では可変
抵抗器を用いず、マイクロコンピュータのキーボードか
らτ１．τ８−を入力してτ３を算出し、τ１．τ、を
デジタル化してＤ／Ａコンバータに送信する。希望の精
度のアナログ値に変換したτ１．τ３をパルス発生器に
入力し、希望のパルス信号を得る。その後は上の例と同
じ経過で希望のＲＦパルスが出力される。なお、このパ
ルス発生器として通常のＣＲ発振型のものを用いる場合
には、例えば、Ｄ／Ａコンバータからの出力アナログ信
号をＣＲ発振器のコンデンサにバイアスとして印加する
ことにより、パルス発生時点を規定の時点から前後させ
ることができる。
抵抗器を用いず、マイクロコンピュータのキーボードか
らτ１．τ８−を入力してτ３を算出し、τ１．τ、を
デジタル化してＤ／Ａコンバータに送信する。希望の精
度のアナログ値に変換したτ１．τ３をパルス発生器に
入力し、希望のパルス信号を得る。その後は上の例と同
じ経過で希望のＲＦパルスが出力される。なお、このパ
ルス発生器として通常のＣＲ発振型のものを用いる場合
には、例えば、Ｄ／Ａコンバータからの出力アナログ信
号をＣＲ発振器のコンデンサにバイアスとして印加する
ことにより、パルス発生時点を規定の時点から前後させ
ることができる。
以上に述べたように、本発明においては、パルス状のマ
イクロ波発生手段と、該マイクロ波の伝達手段と、該マ
イクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波が導入さ
れるとともに、ガス供給手段を介して供給されたガスを
前記マイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活性
な原子１分子またはイオンを生ぜしめるための磁力線を
発生する励磁用ソレノイドを備え、かつ軸線が該ソレノ
イドが生じる磁力線束の中心軸と一致する開口を前記マ
イクロ波伝達手段と対向する側に有するプラズマ生成室
と、該プラズマ生成室と前記開口を介して結合され該開
口から前記磁力線に沿って流出する前記活性な原子１分
子またはイオンにより表面にエツチングが施されまたは
薄膜が形成される基板が配される処理室と、該基板にＲ
Ｆバイアス電圧を印加するためのＲＦ発生手段と、前記
プラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排気手段とを
備えたプラズマ処理装置を、前記ＲＦバイアス電圧を、
発生時期が前記パルス状のマイクロ波と同期するパルス
として発生させるとともに、プラズマ生成室に供給する
ガスのＩｉ［に応し、ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻
をマイクロ波パルスの立ち上がり時刻より有意な時間遅
らせるための手段を備えた装置とするか、ＲＦパルスの
立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち上がり時
刻より有意な時間遅らせるとともにＲＦパルスの立ち下
がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり時刻より
有意な時間率めるための手段を備えた装置とするか、あ
るいは、ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波
パルスの立ち上がり時刻と同特則とし、かつＲＦパルス
の立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり
時刻より有意な時間率めるための手段を備えた装置とし
たので、ＲＦパルスは平衡状態のプラズマ期間中にのみ
基板に印加され、基板と装置内接地部位との藺の異常電
圧の発生が防止される。これにより、異常電圧に基づく
基板と接地部位との間の放電発生が防止され、被処理基
板のダメージを防止することができる。
イクロ波発生手段と、該マイクロ波の伝達手段と、該マ
イクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波が導入さ
れるとともに、ガス供給手段を介して供給されたガスを
前記マイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活性
な原子１分子またはイオンを生ぜしめるための磁力線を
発生する励磁用ソレノイドを備え、かつ軸線が該ソレノ
イドが生じる磁力線束の中心軸と一致する開口を前記マ
イクロ波伝達手段と対向する側に有するプラズマ生成室
と、該プラズマ生成室と前記開口を介して結合され該開
口から前記磁力線に沿って流出する前記活性な原子１分
子またはイオンにより表面にエツチングが施されまたは
薄膜が形成される基板が配される処理室と、該基板にＲ
Ｆバイアス電圧を印加するためのＲＦ発生手段と、前記
プラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排気手段とを
備えたプラズマ処理装置を、前記ＲＦバイアス電圧を、
発生時期が前記パルス状のマイクロ波と同期するパルス
として発生させるとともに、プラズマ生成室に供給する
ガスのＩｉ［に応し、ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻
をマイクロ波パルスの立ち上がり時刻より有意な時間遅
らせるための手段を備えた装置とするか、ＲＦパルスの
立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち上がり時
刻より有意な時間遅らせるとともにＲＦパルスの立ち下
がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり時刻より
有意な時間率めるための手段を備えた装置とするか、あ
るいは、ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波
パルスの立ち上がり時刻と同特則とし、かつＲＦパルス
の立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり
時刻より有意な時間率めるための手段を備えた装置とし
たので、ＲＦパルスは平衡状態のプラズマ期間中にのみ
基板に印加され、基板と装置内接地部位との藺の異常電
圧の発生が防止される。これにより、異常電圧に基づく
基板と接地部位との間の放電発生が防止され、被処理基
板のダメージを防止することができる。
なお、ＲＦバイアス電圧を平衡状態のプラズマ期間中に
のみ出力させるための制御はマイクロ波パルスの波形を
基準として行われるから、特に手動制御では困難な、Ｒ
Ｆパルスの立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立
ち下がり時刻より一定時間早めるための高精度の制御も
、制御手段をマイクロコンピュータを用いて構成するこ
とにより寥易に可能となり、本発明における時間の１１
ｍを高精度で行うことができる。これにより、異常電圧
による基板のダメージを確実に防止することができる。
のみ出力させるための制御はマイクロ波パルスの波形を
基準として行われるから、特に手動制御では困難な、Ｒ
Ｆパルスの立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立
ち下がり時刻より一定時間早めるための高精度の制御も
、制御手段をマイクロコンピュータを用いて構成するこ
とにより寥易に可能となり、本発明における時間の１１
ｍを高精度で行うことができる。これにより、異常電圧
による基板のダメージを確実に防止することができる。
第１図は本発明によるプラズマ処理装置において基板に
印加されるＲＦパルス波形の立ち上がり開始時刻および
立ち下がり開始時刻それぞれの、マイクロ波パルス波形
の立ち上がり時刻および立ち下がり時刻からのずらせ方
の一実施例を示す波形図であって、同図（ａｌはマイク
ロ波パルスの波形図、同図（ｂ）はパルス立ち上がり応
答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとした場合に基板
に印加されるＲＦパルスの波形図、同図（Ｃ１はパルス
立ち下がり応答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとし
た場合に基板に印加されるＲＦパルスの波形図、同図１
ｄｌはパルス立ち上がり、立ち下がりともに応答性の悪
いガスをプラズマ化対象ガスとした場合に基板に印加さ
れるＲＦパルスの波形図、第２図および第３図はＲＦパ
ルス波形の立ち上がり、立ち下がり開始時刻それぞれの
、マイクロ波パルス波形における立ち上がり、立ち下が
り時刻からのずれを制御する制御手段の互いに興なる構
成を示すブロック図、第４図は第２図および第３図に示
す制御手段におけるパルス発生器から出力される。 所ＷのＲＦパルス発生のためのパルス信号波形をマイク
ロ波パルス波形を示すモニタ信号波形と対比させて示す
波形図、第５図は従来のプラズマ処理装置においてプラ
ズマ生成時に基板に現れる対接地部位電圧波形の例を示
す波形図であって同図１ａ）はマイクロ波パルスの波形
図、同図（ｂｉはパルス立ち上がり応答性の悪いガスを
プラズマ化対象ガスとした場合に基板に現れる電圧の波
形図、同図（Ｃ１はパルス立ち下がり応答性の悪いガス
をプラズマ化対象ガスとした場合に基板に現れる電圧の
波形図、同図＋ｄ）はパルス立ち上がり、立ち下がりと
もに応答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとした場合
に基板に現れる電圧の波形図、第６図は本発明が対象と
するプラズマ処理装置例の基本構成を示す断面図、第７
図はＲＦバイアス電圧を印加された基板の対接地部位電
位と、プラズマから基板に流入する電流との関係からプ
ラズマインピーダンスを求める方法を示す線図である。 １’ｓ波管 （マイクロ波伝達手段）、３：プラズマ生
成室、４：ガス供給手段、６：励磁用ソレノイド、７：
開口、９：処理室、ｌ工：基板、１７：マイクロ波発生
器（マイクロ波発住手段）、２０：ＲＦ発生器（ＲＦ発
生手段）。 代理人Ｇ理士 山 口 ｉ−′− 一を 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ４ノ１−シζイＦ＃＃９ ／１２≦１１李；第６
肥
印加されるＲＦパルス波形の立ち上がり開始時刻および
立ち下がり開始時刻それぞれの、マイクロ波パルス波形
の立ち上がり時刻および立ち下がり時刻からのずらせ方
の一実施例を示す波形図であって、同図（ａｌはマイク
ロ波パルスの波形図、同図（ｂ）はパルス立ち上がり応
答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとした場合に基板
に印加されるＲＦパルスの波形図、同図（Ｃ１はパルス
立ち下がり応答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとし
た場合に基板に印加されるＲＦパルスの波形図、同図１
ｄｌはパルス立ち上がり、立ち下がりともに応答性の悪
いガスをプラズマ化対象ガスとした場合に基板に印加さ
れるＲＦパルスの波形図、第２図および第３図はＲＦパ
ルス波形の立ち上がり、立ち下がり開始時刻それぞれの
、マイクロ波パルス波形における立ち上がり、立ち下が
り時刻からのずれを制御する制御手段の互いに興なる構
成を示すブロック図、第４図は第２図および第３図に示
す制御手段におけるパルス発生器から出力される。 所ＷのＲＦパルス発生のためのパルス信号波形をマイク
ロ波パルス波形を示すモニタ信号波形と対比させて示す
波形図、第５図は従来のプラズマ処理装置においてプラ
ズマ生成時に基板に現れる対接地部位電圧波形の例を示
す波形図であって同図１ａ）はマイクロ波パルスの波形
図、同図（ｂｉはパルス立ち上がり応答性の悪いガスを
プラズマ化対象ガスとした場合に基板に現れる電圧の波
形図、同図（Ｃ１はパルス立ち下がり応答性の悪いガス
をプラズマ化対象ガスとした場合に基板に現れる電圧の
波形図、同図＋ｄ）はパルス立ち上がり、立ち下がりと
もに応答性の悪いガスをプラズマ化対象ガスとした場合
に基板に現れる電圧の波形図、第６図は本発明が対象と
するプラズマ処理装置例の基本構成を示す断面図、第７
図はＲＦバイアス電圧を印加された基板の対接地部位電
位と、プラズマから基板に流入する電流との関係からプ
ラズマインピーダンスを求める方法を示す線図である。 １’ｓ波管 （マイクロ波伝達手段）、３：プラズマ生
成室、４：ガス供給手段、６：励磁用ソレノイド、７：
開口、９：処理室、ｌ工：基板、１７：マイクロ波発生
器（マイクロ波発住手段）、２０：ＲＦ発生器（ＲＦ発
生手段）。 代理人Ｇ理士 山 口 ｉ−′− 一を 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ４ノ１−シζイＦ＃＃９ ／１２≦１１李；第６
肥
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）パルス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の
伝達手段と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マ
イクロ波が導入されるとともに、ガス供給手段を介して
供給されたガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプ
ラズマ化して活性な原子、分子またはイオンを生ぜしめ
るための磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、か
つ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致
する開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有す
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介
して結合され該開口から前記磁力線に沿って流出する前
記活性な原子、分子またはイオンにより表面にエッチン
グが施されまたは薄膜が形成される基板が配される処理
室と、該基板にＲＦバイアス電圧を印加するためのＲＦ
発生手段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う
真空排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、前
記ＲＦバイアス電圧を、発生時期が前記パルス状のマイ
クロ波と同期するパルスとして発生させるとともにこの
ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの
立ち上がり時刻より有意な時間遅らせるための手段を備
えることを特徴とするプラズマ処理装置。 ２）パルス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の
伝達手段と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マ
イクロ波が導入されるとともに、ガス供給手段を介して
供給されたガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプ
ラズマ化して活性な原子、分子またはイオンを生ぜしめ
るための磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、か
つ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致
する開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有す
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介
して結合され該開口から前記磁力線に沿って流出する前
記活性な原子、分子またはイオンにより表面にエッチン
グが施されまたは薄膜が形成される基板が配される処理
室と、該基板にＲＦバイアス電圧を印加するためのＲＦ
発生手段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う
真空排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、前
記ＲＦバイアス電圧を、発生時期が前記パルス状のマイ
クロ波と同期するパルスとして発生させるとともにこの
ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの
立ち上がり時刻より有意な時間遅らせるとともにＲＦパ
ルスの立ち下がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下
がり時刻より有意な時間早めるための手段を備えること
を特徴とするプラズマ処理装置。 ３）パルス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の
伝達手段と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マ
イクロ波が導入されるとともに、ガス供給手段を介して
供給されたガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプ
ラズマ化して活性な原子、分子またはイオンを生ぜしめ
るための磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、か
つ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致
する開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有す
るプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介
して結合され該開口から前記磁力線に沿って流出する前
記活性な原子、分子またはイオンにより表面にエッチン
グが施されまたは薄膜が形成される基板が配される処理
室と、該基板にＲＦバイアス電圧を印加するためのＲＦ
発生手段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う
真空排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、前
記ＲＦバイアス電圧を、発生時期が前記パルス状のマイ
クロ波と同期するパルスとして発生させるとともにこの
ＲＦパルスの立ち上がり開始時刻をマイクロ波パルスの
立ち上がり時刻と同時刻とし、かつＲＦパルスの立ち下
がり開始時刻をマイクロ波パルスの立ち下がり時刻より
有意な時間早めるための手段を備えることを特徴とする
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2228723A JP2737377B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-08-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16628790 | 1990-06-25 | ||
| JP2-166287 | 1990-06-25 | ||
| JP2228723A JP2737377B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-08-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174514A true JPH04174514A (ja) | 1992-06-22 |
| JP2737377B2 JP2737377B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=26490722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2228723A Expired - Lifetime JP2737377B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-08-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737377B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661182A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置 |
| US6156152A (en) * | 1997-06-05 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US6471821B2 (en) | 1996-11-20 | 2002-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reactor and method |
| JP2011525682A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｒｆ電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置 |
| JP2014022482A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014051715A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nagoya Univ | 成膜装置、成膜方法および成膜プログラム |
| JP2016027667A (ja) * | 2015-10-01 | 2016-02-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| CN111081559A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 细美事有限公司 | 裸芯接合装置和方法以及基板接合装置和方法 |
| JP2023142284A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 株式会社ダイヘン | パルス出力モニタ装置 |
| WO2024241390A1 (en) * | 2023-05-19 | 2024-11-28 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI450308B (zh) | 2011-07-27 | 2014-08-21 | 日立全球先端科技股份有限公司 | Plasma processing method |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02129375A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-17 | Fujitsu Ltd | プラズマ化学気相成長法 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2228723A patent/JP2737377B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129375A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-17 | Fujitsu Ltd | プラズマ化学気相成長法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0661182A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置 |
| US6471821B2 (en) | 1996-11-20 | 2002-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reactor and method |
| US6656849B2 (en) | 1996-11-20 | 2003-12-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reactor |
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| KR101528528B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2015-06-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Ｒｆ 전력 전달을 위한 시간 분해된 조정 방식을 이용하는 펄스화된 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치 |
| TWI586224B (zh) * | 2008-05-14 | 2017-06-01 | 應用材料股份有限公司 | 對操作電漿製程之系統進行調諧的設備 |
| US10522331B2 (en) | 2012-07-17 | 2019-12-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| JP2014022482A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| US9514967B2 (en) | 2012-07-17 | 2016-12-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| JP2014051715A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nagoya Univ | 成膜装置、成膜方法および成膜プログラム |
| JP2016027667A (ja) * | 2015-10-01 | 2016-02-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| CN111081559A (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-28 | 细美事有限公司 | 裸芯接合装置和方法以及基板接合装置和方法 |
| CN111081559B (zh) * | 2018-10-19 | 2024-01-16 | 细美事有限公司 | 裸芯接合装置和方法以及基板接合装置和方法 |
| JP2023142284A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 株式会社ダイヘン | パルス出力モニタ装置 |
| WO2024241390A1 (en) * | 2023-05-19 | 2024-11-28 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| TWI894798B (zh) * | 2023-05-19 | 2025-08-21 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理設備與電漿處理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737377B2 (ja) | 1998-04-08 |
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