JPH04175246A

JPH04175246A - カーボンコート光ファイバの製造方法および製造装置

Info

Publication number: JPH04175246A
Application number: JP2301857A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Nakahara; 中原　繁; Nobusada Nagae; 伸定長江; Toshihiro Zushi; 敏博厨子; Toshiya Suzuki; 俊哉鈴木; Masaaki Morisawa; 森澤　正明; Hideaki Ito; 秀明伊藤; Hiroyuki Tanaka; 田中　紘幸
Original assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date: 1990-11-06
Filing date: 1990-11-06
Publication date: 1992-06-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、カーボンコート光ファイバの製造方法および
製造装置ムこ関する。

〈従来の技術〉石英系光ファイバは、光ファイバ素線を単に樹脂でコー
ティングするだけでは、水素分子Ｈ２が樹脂コートを通
過してファイバの内部に浸入し、浸入したＨ２が光を吸
収するために伝送損失を招く。また、大気中の水蒸気Ｈ
ｚ　Ｏに接触すると、表面に傷が生じ機械的強度の低下
によって脆性破壊を招くおそれがある。

このような不都合を回避する対策として、光ファイバ素
線の表面をカーボンで被覆するハーメチックコートが従
来から知られている。カーボンは、その組成が非常に繊
密であるために、Ｈ２の浸入を阻止するとともに、水蒸
気の接触による表面傷の発生を防止する。

第５図は従来のカーボンコート光ファイバの製造装置の
概略構成を示す。

紡糸炉７０においてプリフォーム（母材）Ｍを加熱軟化
し、その一端より線引きすることにより光ファイバ素Ｘ
Ｆｏ　とする。光ファイバ素線Ｆ０の線径を線径測定器
７１によって測定し、巻き取り速度にフィードバックし
て制御することにより、線径を一定に保つ。ＣＶＤ反応
炉７２では、メタンガスなどの炭化水素系原料ガスを供
給し、これを加熱することにより光ファイバ素線Ｆ０の
表面にカーボンコートを形成する。

カーボンコートが施された光ファイバ素線Ｆ０は、樹脂
被覆装置７３に送られて、カーボンコートの表面に紫外
線硬化樹脂を塗布され、さらに紫外線照射ランプ７４か
らの紫外線照射により硬化されて樹脂コートが形成され
る。そして、ガイドローラ７５を経て、巻取リール７６
に巻き取られていく。

光ファイバ素線Ｆ０は、紡糸炉７ｏを出てがら反応室７
２に入るまでの間に外気によって冷却され、反応室７２
内で再び加熱されるため、ＣＶＤ反応における温度管理
がむずかしい。

ＣＶＤ反応における温度管理を正確に行うようにしたも
のとして、第４図に示すカーボンコート光ファイバの製
造装置が提案されている（特開平２−７４５４２号公報
参照）。

第４図において、八〇は紡糸炉、Ｂｏは温度調整装置、
Ｃ０はＣＶＤ反応炉であり、温度調整装置Ｂ０は紡糸炉
Ａ０とＣＶＤ反応炉Ｃ０との間に介在されている。

紡糸炉Ａ０は、プリフォーム（母材）Ｍをセットし、ヒ
ータ５１によってプリフォームＭを加熱軟化させ、先端
から一定速度で線引きすることにより、光ファイバ素線
Ｆ０とするものである。

温度調整装置Ｂ０は、次段の反応炉Ｃ０においてＣＶＤ
　（化学気相成長）法により光ファイバ素線Ｆ、上にカ
ーボンコートを形成する際の光ファイバ素線Ｆ０の温度
を適正な温度に予め調整しておくためのものである。

温度調整装置Ｂ０は、この例では、温度調整室５２と、
不活性ガス流入管５３と、不活性ガス排気管５４と、ヒ
ータ５５と、温度センサ５６とから構成されている。

光ファイバ素線Ｆ０は、紡糸炉Ａ。から出た段階で一旦
外気に触れて冷却されるが、温度調整装置Ｂ０に入って
所定の温度まで昇温される。光ファイバ素ＸＦｏの温度
は温度センサ５６によって検出され、フィードバック制
ｉＢ４こ基づいたヒータ５５の発熱量調整により、導入
される不活性ガスの温度が制御され、光ファイバ素線Ｆ
　Ｏの温度を所定温度に維持し、反応炉Ｃ０へ送る。

なお、上記の公報には、マイクロ波発振器を利用した温
度調整装置や、レーザ発生器を利用した温度調整装置な
ども開示されているが、その機能は同様である。

ＣＶＤ反応炉Ｃ０は、反応室５７と、反応室５７の上下
に連接された上部隔離室５８と、下部隔離室５９と、反
応室５７に対するヒータ６０とから構成されている。反
応室５７においては、その下部の反応ガス流入口５７ａ
から流入したメタンガス等の炭化水素系原料ガスをヒー
タ６０によって所定温度に加熱することにより、光ファ
イバ素線Ｆ０の表面にカーボンコートを形成する。反応
後のガスは排気口５７ｂより排出される。

上下の隔離室５８．５９においては、それぞれの流入口
５８ａ、５９ａから不活性ガスが導入され、光ファイバ
素線Ｆ０の入口５８ｂおよび出口５９ｂから排出される
。このことにより、反応室５７を外気から隔離し、水蒸
気等の妨害物質が反応室５７内に流入するのを防止して
いる。また、酸素が流入して炭化水素系原料ガスが燃焼
するのを防止している。

上下の隔離室５８．５９のうち、上部隔離室５８の方が
より重要である。それは、反応室５７の上部においては
、線引きされている光ファイバ素［ｏの進入に伴って、
外気中の水蒸気や酸素などの妨害物質が反応室５７内に
引き込まれる傾向があるのに対し、反応室５７の下部に
おいては、光ファイバ素＆１．が排出されるため、その
ような傾向がないからである。

〈発明が解決しようとする課題〉しかしながら、第４図に示した従来例の場合には、次の
ような問題がある。

なるほど確かに、紡糸炉Ａ０から出て外気に触れること
で一旦冷却された光ファイバ素線Ｆ０を温度調整装置Ｂ
０によって所定の温度に維持することができるが、その
温度調整装置Ｂ０を紡糸炉Ａ、とＣＶＤ反応炉Ｃ０との
間に介在させているため、装置全体の大型化、特に、装
置丈の長尺化を招いている。

さらに、この温度調整装置Ｂ０は、その構造が複雑で、
これ自体にかかるイニシャルコストが相当に高いために
、装置全体のコストアップをも招いている。

また、光ファイバ素線Ｆ０の進入に伴って水蒸気や酸素
などの妨害物質が反応室５７内に引き込まれることを上
部隔離室５８において阻止しているが、この上部隔離室
５８の存在が装置丈の長尺化と装置全体のコストアップ
の別の要因となっている。

その上、温度調整装置ｓｏにおける電力消費や上部隔離
室５８に流す不活性ガスの消費のために、ランニングコ
ストも高くついている。

本発明は、このような事情に鑑みて創案されたものであ
って、温度調整装置を用いなくてもカーボンコートに必
要な所要の温度を確保できるようにするとともに、上部
隔離室がなくても外部から水蒸気や酸素などの妨害物質
がＣＶＤ反応室内に流入しないように工夫することによ
って、装置の小型化（特に短尺化）と、イニシャルコス
トおよびランニングコストの低減化とを図ることを目的
とする。

く課題を解決するための手段〉本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。

［１］　本発明に係るカーボンコート光ファイバの製造
方法は、プリフォームを加熱軟化して線引きし光ファイ
バ素線を形成する第１の過程と、この線引き開始の初期
段階で光ファイバ素線自体が保有している熱により光フ
ァイバ素線における線引き開始直後の部分がカーボンコ
ーティングに必要なＣＶＤ反応温度よりも高い温度を保
っている状態で、そのＣＶＤ反応温度よりも高い高温素
線部分に対して炭化水素系原料ガスを吹き付けて、光フ
ァイバ素線の表面にカーボンコートを形成する第２の過
程とを含むことを特徴とするものである。

［１）］本発明に係る第１のカーボンコート光ファイバ
の製造装置は、プリフォームのセント部とセットしたプ
リフォームの先端を加熱軟化させるためのヒータとを備
えた紡糸炉と、前記紡糸炉での線引きによって形成され
た光ファイバ素線を通線するとともに原料ガス導入口か
ら流入した炭化水素系原料ガスを反線引き方向に流動さ
せるＣＶＤ反応器とを備え、前記ＣＶＤ反応器を前記紡
糸炉に直結したことを特徴とするものである。

この製造装置は、次のようなＬｉ様のものを含んでいる
ものとする。

■　ＣＶＤ反応器を紡糸炉に直結するに当たり、ＣＶＤ
反応器の上端部を紡糸炉の出口よりも紡糸炉の内部まで
挿入した構成。

■　線引き速度が一定以上の高速である場合に、ＣＶＤ
反応器の上端部と紡糸炉の出口との間に微小間隙をあけ
た状態でＣＶＤ反応器を紡糸炉に直結した構成。

ｒｌ［［］本発明に係る第２のカーボンコート光ファイ
バの製造装置は、上記［１］の第１の製造装置の構成に
加えて、ＣＶＤ反応器における原料ガス導入口よりも線
引き方向の下手側位置においてＣＶＤ反応器に不活性ガ
ス導入口を設け、この不活性ガス導入口から流入した不
活性ガスをＣＶＤ反応器内で線引き方向の上手側に向け
て流動させるように構成したことを特徴とするものであ
る。

〈作用〉［１］本発明に係るカーボンコート光ファイバの製造方
法は、光ファイバ素線上での炭化水素系原料ガスのＣＶ
Ｄ反応に基づくカーボンコーティングにとって必要なＣ
ＶＤ反応温度を光ファイバ素線において確保するに当た
り、加熱軟化したプリフォームの線引きによって光ファ
イバ素線を形成していく過程において、線引き開始直後
の光ファイバ素線自体が保有している熱そのものを利用
するという全く新しい考え方に基づいたものである。

すなわち、光ファイバ素線自体が保有している熱によっ
てＣＶＤ反応温度よりも高い温度、状態にある高温素線
部分に炭化水素系原料ガスを吹き付けると、原料ガスは
、高温素線部分から熱を奪ってその高温素線部分をＣＶ
Ｄ反応温度に向けて温度膝下させ、ＣＶＤ反応温度にな
ったところで適正なＣＶＤ反応を起こして、ＣＶＤ反応
温度になっている光ファイバ素線部分の表面に対してカ
ーボンコートを形成していく。

［１）］本発明に係る第１のカーボンコート光ファイバ
の製造装置は、上記の製造方法を実施するためのもので
、原料ガス導入口から反締引き方向に向けて炭化水素系
原料ガスを流動させるＣＶＤ反応器を紡糸炉に直結する
ことにより、それ自体の保有熱によってＣＶＤ反応温度
よりも高温となっている高温素線部分に対して原料ガス
を吹き付けるようにしたものである。

従来例において紡糸炉と反応炉との間に介在されていた
温度調整装置は用いない。線引き開始直後の光ファイバ
素線の保有熱そのものを利用してＣＶＤ反応温度を確保
するように構成したので、温度調整装置は不要となるか
らである。また、温度調整装置を用いないがゆえに、Ｃ
ＶＤ反応器を紡糸炉に対して直結することができるので
ある。

ＣＶＤ反応器の上端部を紡糸炉の出口よりも紡糸炉の内
部まで挿入した構成とすると、線引き速度が比較的遅く
ても、高温素線部分に対して原料ガスを吹き付けること
が可能となる。また、外気から水蒸気や酸素などの妨害
物質がＣＶＤ反応箇所に対して流入するおそれがない。

紡糸炉の出口を出た直後位置で光ファイバ素線の温度が
ＣＶＤ反応温度以上となる程度に線引き速度を高速にし
た場合には、ＣＶＤ反応器の上端部と紡糸炉出口との間
に微小間隙を設けてもよい９Ｅ　ｉｉ　］本発明に係る
第１のカーボンコート光ファイバの製造装置は、上記の
製造方法を実施するためのもので、原料ガス導入口から
線引き方向の上手側に向けて炭化水素系原料ガスを流動
させるＣＶＤ反応器を紡糸炉に直結することにより、そ
れ自体の保有熱によってＣＶＤ反応温度よりも高温とな
っている高温素線部分に対して原料ガスを吹き付けるよ
うにしたものである。

Ｃｉｉｉ　］本発明に係る第２のカーボンコート光ファ
イバの製造装置の作用は次のとおりである。

紡糸炉において光ファイバ素線をプリフォームから線引
きするときに光ファイバ素線の外径制御を行うために、
通常、プリフォームの側面箇所から線引き方向に沿って
不活性ガスを噴射することが行われる。この外径制御用
の不活性ガスはＣＶＤ反応器内に流入する傾向があり、
ＣＶＤ反応器内を反線引き方向に流動する炭化水素系原
料ガスが高温素線部分に確実に到達するのを妨げる。

ＣＶＤ反応器においてその原料ガス導入口よりも線引き
方向の下手側に設けた不活性ガス導入口から流入させた
不活性ガスをＣＶＤ反応器内で反線引き方向に流動させ
ることにより、原料ガスの同方向への流動を補助し、原
料ガスが高温素線部分に確実に到達するようになる。

〈実施例〉以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第土夫施± 第１図はカーボンコート光ファイバの製造装置の概略構
成を示す。

紡糸炉２は、プリフォームＭのセント部４、プリフォー
ムＭの先端を加熱軟化させるためのヒータ６、プリフォ
ームＭから線引きされて形成される光ファイバ素線Ｆ０
の表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスを下向きに噴
き出して光ファイバ素線Ｆ０の外径制御を行うための不
活性ガス噴射口８、紡糸炉２内でアルゴンなどの不活性
ガスのカーテンを形成することにより加熱時のヒータ６
が酸化するのを防止する上向きの不活性ガス噴射口１０
などから構成されている。

ＣＶＤ反応器１２は、原料ガス導入口１２ａを有する石
英直管で構成されており、光ファイバ素線Ｆ０を直線状
に通線させるとともに、原料ガス導入口１２ａから導入
したメタンガスやプロパンガスなどの炭化水素系原料ガ
スを光ファイバ素線Ｆ０の線引き方向とは反対の向きに
流動させるもので、その上端部１２ｂは、紡糸炉２の出
口２ａから紡糸炉２の内部に挿入されている。

この実施例では、ＣＶＤ反応器１２の上端部１２ｂを紡
糸炉２の内部に挿入したことで、ＣＶＤ反応器１２と紡
糸炉２との直結構造が構成されている。

なお、２０は線径測定器、２２は樹脂被覆装置、２４は
紫外線照射ランプ、２６はガイドローラ、２８は巻取り
リールである。

紡糸炉２においてプリフォームセント部４にプリフォー
ムＭをセットし、ヒータ６を通電によって発熱させるこ
とにより、プリフォームＭの先端を約２３００℃に加熱
して軟化させ、３０〜ｌ５０ｍ／分の範囲の一定速度で
線引きする。プリフォームＭから線引きされた光ファイ
バ素ＨＦｏは、ＣＶＤ反応器１２に入るが、線引き開始
直後の光ファイバ素線Ｆ０は、加熱軟化時の熱を保有し
ており、ＣＶＤ反応器１２の上端部！２ｂ付近では、８
００〜１９００℃の温度となっており、ＣＶＤ反応器１
２に入った直後の出口２ａの前後に相当する位置では、
カーボンコーティングに必要なＣＶＤ反応温度８００〜
１８００℃となっている。

原料ガス導入口１２ａよりメタンガスが導入され、ＣＶ
Ｄ反応器１２内を反線引き方向に流動し、上端部１２ｂ
から紡糸炉２内に入り、さらに出口２ａから外部に排出
される。出口２ａからは、メタンガスとともに不活性ガ
ス噴射口８．１０から噴射されたアルゴンガスも排出さ
れる。このため、ＣＶＤ反応器１２の上端に隔離室を設
けなくても、外気中の水蒸気や酸素などの妨害物質がＣ
ＶＤ反応器１２の内部に流入することはない、水蒸気の
流入防止により光ファイバ素線Ｆ０の機械的強度の低下
が免れ、酸素の流入防止によりメタンガスの燃焼が免れ
る。

さて、プリフォームＭから線引きされた光ファイバ素線
Ｆ０がメタンガスと最初に出会うのは、ＣＶＤ反応器１
２の上端部１２ｂであるが、この箇所においては、光フ
ァイバ素線Ｆ、の温度は、それ自体の保有熱によりＣＶ
Ｄ反応温度よりも高い温度となっている。この高温素線
部分Ｆ、に対してメタンガスが吹き付けるられて高温素
線部分Ｆ、の温度が陣下し、ＣＶＤ反応器１２に入った
直後の出口２ａの前後相当値！ではＣＶＤ反応温度とな
っている。

一方、メタンガスは高温素線部分Ｆ、からの熱によって
分解し、ＣＶＤ反応により高温素線部分Ｆ１の表面にカ
ーボンコートを良好に形成していくことになる。

カーボンコートが施された光ファイバ素線Ｆ・は線径測
定器２０によって線径が測定され、線径が一定になるよ
うに引取速度を制御する０次に、樹脂被覆装置２２にお
いて紫外線硬化樹脂が塗布され、紫外線照射ランプ２４
によって硬化され、ガイドローラ２６を経て巻取りリー
ル２８に巻き取られていく。

この実施例のカーボンコート光ファイバの製造装置によ
れば、従来例のような温度調整装置が紡糸炉２とＣＶＤ
反応器１２との間に存在せず、ＣＶＤ反応器１２と紡糸
炉２とが直結されていること、および、ＣＶＤ反応器１
２の上端に隔離室を必要としないことから、装置全体の
小型化、特に短尺化を達成でき、しかも、妨害物質の流
入のない良好なカーボンコーティングが行える。この直
結化と隔離室省略とは、光ファイバ素４１　Ｆ　Ｏ自体
の保有熱によってＣＶＤ反応温度を確保していることか
ら可能となっているのである。

そして、温度調整装置および隔離室の省略により、イニ
シャルコストおよびランニングコストを低減することが
できる。

また、ＣＶＤ反応器１２においてヒータを設ける必要も
ない。

第１皇施■ 第２図は主要部のみを示す。

第１実施例と異なっている点は、ＣＶＤ反応器１２の上
端部１２ｂと紡糸炉２の出口２ａとの間に微小間隙３０
をあけて、紡糸炉２とＣＶＤ反応器１２とを配置したこ
とである。この微小間隙３０は数ｍｍ程度のものであり
、紡糸炉２とＣＶＤ反応器１２とは実質的に直結された
構造となっている。その他の構成は第１実施例と同様で
あるので、対応する部分に同一符号を付すにとどめ、説
明を省略する。

紡糸炉２の出口２ａからアルゴンガスが流出することと
、ＣＶＤ反応器１２の上端部１２ｂからメタンガスの反
応ガスが流出することから、微小間隙３０がおいていて
も、外気中の水蒸気や酸素などの妨害物質がＣＶＤ反応
器１２内に流入することは防止される。

この場合、微小間隙３０において高温素線部分Ｆ１から
の放熱が速まるが、線引き速度を１００〜２５０ｍ／分
と高速化することで、高温素線部分Ｆ１がＣＶＤ反応器
１２に入った直後位置でその温度がＣＶＤ反応温度とな
るようにすることができる。光ファイバ素線Ｆ０自体の
保有熱によって高温素線部分Ｆ、でＣＶＤ反応温度を確
保している点は第１実施例と同様である。

策主裏族班第３図に示すように、ＣＶＤ反応器１２において、その
原料ガス導入口１２ａよりも線引き方向の下手側位置に
アルゴンガスなどを導入する不活性ガス導入口１２Ｃを
設け、この不活性ガス導入口１２Ｃから導入されて反線
引き方向に流動する不活性ガスの圧力により、原料ガス
導入口１２ａからの原料ガスを上方に押し上げるように
している。

これは、外径制御のための不活性ガス噴射口８から下向
きに噴射されたアルゴンガスがＣＶＤ反応器１２にその
上端部１２ｂから流入することによる原料ガスの押し下
げに拮抗して、原料ガスの供給を良好に行わせるためで
ある。

〈発明の効果〉 ■　本発明に係るカーボンコート光ファイバの製造方法
によれば、カーボンコーティングに必要なＣＶＤ反応温
度を光ファイバ素線において得るのに、線引き開始直後
の光ファイバ素線自体が保有している熱そのものを利用
しているから、紡糸炉から出た後の光ファイバ素線に対
する温度調整を行わなくても適正なカーボンコートを形
成することができ、温度調整の省略によって処理を簡素
化できるとともにランニングコストを低減することがで
きる。

■　本発明に係る第１のカーボンコート光ファイバの製
造装置によれば、反線引き方向に炭化水素系原料ガスを
流動させるＣＶＤ反応器を紡糸炉に対して直結すること
で上記■の製造方法を実現しているので、温度調整装置
を省略できるとともに、ＣＶＤ反応箇所に対して外気中
の水蒸気や酸素などの妨害物質が流入するのを防止する
ためにＣＶＤ反応器の上部に特別な隔離室を設けなくて
もよいから、装置全体の小型化（特に短尺化）と、イニ
シャル・ランニング両コストの低減化とを達成すること
ができる。

■　本発明に係る第２のカーボンコート光ファイバの製
造装置によれば、外径制御のために線引き方向に噴射さ
れる不活性ガスに拮抗するように、ＣＶＤ反応器内で炭
化水素系原料ガスの背後から不活性ガスを反線引き方向
（原料ガスと同方向）に流動させるので、原料ガスをＣ
ＶＤ反応箇所である高温素線部分に対して確実に到達さ
せることができ、カーボンコーティングを良好に行うこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例に係るカーボンコート光フ
ァイバの製造装置の全体の概略構成図、第２図は第２実
施例の要部の構成図、第３図は第３実施例の要部の構成
図である。第４図は従来例の要部の構成図、第５図は別
の従来例の全体の概略構成図である。Ｍ・・・プリフォーム、Ｆｏ・・・光ファイバ素線、Ｆ
。・・・高温素線部分、２・・・紡糸炉、２ａ・・・紡糸
炉の出口、４・・・プリフォームセント部、６・・・ヒ
ータ、１２・・・ＣＶＤ反応器、１２ａ・・・原料ガス
導入口、１２ｂ・・・上端部、１２ｃ・・・不活性ガス
導入口、３０・・・微小間隙出願人　　三菱を線工業株式会社代理人　　弁理士　岡　１）和　秀第２図第３図第４図第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）プリフォーム（Ｍ）を加熱軟化して線引きし光フ
ァイバ素線（Ｆ＿０）を形成する第１の過程と、この線
引き開始の初期段階で光ファイバ素線（Ｆ＿０）自体が
保有している熱により光ファイバ素線（Ｆ＿０）におけ
る線引き開始直後の部分がカーボンコーティングに必要
なＣＶＤ反応温度よりも高い温度を保っている状態で、
そのＣＶＤ反応温度よりも高い高温素線部分（Ｆ＿１）
に対して炭化水素系原料ガスを吹き付けて、光ファイバ
素線（Ｆ＿０）の表面にカーボンコートを形成する第２
の過程とを含むことを特徴とするカーボンコート光ファ
イバの製造方法。
（２）プリフォーム（Ｍ）のセット部（４）とセットし
たプリフォーム（Ｍ）の先端を加熱軟化させるためのヒ
ータ（６）とを備えた紡糸炉（２）と、前記紡糸炉（２
）での線引きによって形成された光ファイバ素線（Ｆ＿
０）を通線するとともに原料ガス導入口（１２ａ）から
流入した炭化水素系原料ガスを反線引き方向に流動させ
るＣＶＤ反応器（１２）とを備え、前記ＣＶＤ反応器（
１２）を前記紡糸炉（２）に直結したことを特徴とする
カーボンコート光ファイバの製造装置。
（３）請求項（２）において、ＣＶＤ反応器（１２）の
上端部（１２ｂ）を紡糸炉（２）の出口（２ｂ）よりも
紡糸炉（２）の内部まで挿入した状態で、ＣＶＤ反応器
（１２）を紡糸炉（２）に直結したカーボンコート光フ
ァイバの製造装置。
（４）請求項（２）において、ＣＶＤ反応器（１２）の
上端部（１２ｂ）と紡糸炉（２）の出口（２ａ）との間
に微小間隙（３０）をあけた状態で、ＣＶＤ反応器（１
２）を紡糸炉（２）に直結したことを特徴とするカーボ
ンコート光ファイバの製造装置。
（５）請求項（２）の構成に加えて、ＣＶＤ反応器（１
２）における原料ガス導入口（１２ａ）よりも線引き方
向の下手側位置においてＣＶＤ反応器（１２）に不活性
ガス導入口（１２ｃ）を設け、この不活性ガス導入口（
１２ｃ）から流入した不活性ガスをＣＶＤ反応器（１２
）内で線引き方向の上手側に向けて流動させるように構
成したことを特徴とするカーボンコート光ファイバの製
造装置。