JPH04175767A - 表面が微細に粗面化された有機系感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表面が微細に粗面化されている感光体に関す
る。

従来技術および課題 近年、有機光導電性材料を結着樹脂に配合した電子写真
感光体が広く用いられるにいたっている。

この種の感光体はセレンや硫化カドミウム等を用いた感
光体に比較して衛生上の問題もなく、加工性に優れてい
る点で工業的生産性に優れるという利点がある。

しかし、これらの有機系感光体は硬度に乏しく、繰り返
し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤等と
の摩擦により感光体が削れ、傷付きやすい。

そこでそのような問題を解消するために有機系感光層の
表面に、表面保護層を設ける技術がある。

かかる表面保護層の１種として適当な化合物の真空薄膜
が提案されている。

発明が解決しようとする課題 真空薄膜は、高硬度のものを形成することも可能であり
、そのような真空薄膜を有機系感光層の表面保護層とし
て有する有機系感光体は、表面保護層を有しない有機系
感光体に比べ、耐久性に選れ、常温常湿下で、長期使用
に関しては充分な膜強度を有している。

ところで、塗布法により作製された有機系感光体は、塗
布法特有の所謂レベリング効果により表面が極めて平滑
であり、例えば、Ｊ　Ｉ　Ｓ−Ｂ−０６０１で規定され
る十点平均粗さＲ２で高々０゜０５μ鞘程度の表面粗さ
が観測されるに過ぎない。

感光体作製に使用される基盤表面が平滑な場合は勿論の
事、基盤加工等の影響で基盤表面が０．５〜１μｍ程度
の粗さを有するような場合においても、その上に２０μ
ｍ程度の感光層を塗布すると、感光層表面の粗さは前述
のごとき粗さＪこ収まってしまうのが常である。

しかし、このように平滑な表得面を有ｊる有機系感光層
に直接真空薄膜を設けると、実際の複写プロセスにその
感光体を適応した場合、残留電位の上列、並びに、黒筋
状の画像ノイズの発生という問題が生ずる。

本発明者らの知見によれば、これらの問題は、有機系感
光層と真空薄膜との界面近傍に蓄積される残留電荷の存
在によって引き起こされているものと考えられる。

有機系感光層と真空薄膜とは、材料的にも、製法的にも
、本来、全く異質なものである。有機系感光層中を走行
してきたフォトキャリアは、平滑なＸ空量膜との界面で
は何のトリガも無いため真空薄膜中に７１−人できず、
界面近傍に徐々４ご蓄積されて行く、これが残留電位の
」昇とし°て観測されるものと考えられる。

実際の複写機で１ｉ現像剤、清掃グレー　ド等による機
械的圧力か感光体表面に作用するため、部分的に真空薄
膜を：１７して有機系感光層が圧縮され、界面に微小な
凹凸形状が感光体回転方向に形成される。このような微
小な凹凸形状がトリガとなって、その部分では７オトキ
ヤリγが真空薄膜中を通過し、最表面の帯電電荷と膜結
合し、残留電位が発生しない。微小な凹凸が界面に存在
する部分とそうでない部分との残留電位の差によって、
黒筋状の画像ノイズが発生ずるものと考えられる。

有機系感光層と真空薄膜との異質性につい−Ｃは、本発
明者らの知見をもってしても明解な物理的説明は得られ
ていない。ちなみに、負帯電感光体において、有機系感
光層と真空薄膜の両名のイオン化ボデン、ヤルがほぼ等
しい場合、さらには、真空薄膜のイオン化ポデンンヤル
の方がむしろ小さいような場合においてもこの現象がＩ
ｌ！測されているのが実情である。

本発明は、かかる事情に鑑みなされたものであって、従
来、極めて平滑な有機系感光体の表面に真空薄膜を形成
していたことに代え、予め微細に粗面化した有機系感光
層の表面に真空薄膜を形成するこｔにより、上記問題を
解決しようとするものである。

なお、感光体の表面を粗面化した技術として、特開平２
−１３９５６６号公報あるいは特開昭５９−１４６０５
７号公報等が知られているが、本発明の粗面化された感
光体とは、粗面化の程度、粗面化の対象等が本発明と全
く異なり、また目的、効果も異なるものである。

ｍ題を解決するための手段 すなわち、本発明は、導電性支持体上に、微細研磨処理
により表面粗面化したを検感光層および該有機系感光層
上に真空薄膜からなる表面保護層を有する感光体におい
て、表面保護層の表面の表面粗さが最大高さ（Ｒｔ）で
０．０５μｍ以上０．４μｍ以下であり、かつ粗れの山
と山の平均間隔（Ｓｍ）が３０μｍ以下であることを特
徴とｊる感光体に関する。

本発明の感光体は、有機系感光層を形成し、その表面を
微細に粗面化しｊユ後、該表面上に真空薄膜が形成され
た構成をしている。感光層は、自体公知の有機系感光層
を導電性基板上に設けたものであり、感光層の内部構造
は、導電性基板上に光導電性材料と電荷輸送材料を結着
剤Ｉコ配合した単層型構成の感光層、導電性支持体上に
電荷発生層と電荷輸送層が順次形成されている機能分離
型構成の感光層、あるいは導電性支持体」二に電荷輸送
層ど電荷発生層が順次形成されている機能分離型構成の
感光層、あるいは導電性支持体上に電荷輸送層と！荷物
土層と樹脂層が順次形成されている機能分離型構成の感
光層のいずれであってもよい。

本発明は、そのような有機系感光層の表面が、微細研磨
処理により表面粗面化されている。

有機系感光層の表面に粗面化処理を施すのに際して重要
なことは、表面保護層を設けた後の感光体の表面粗さが
、 ・最大高さ（Ｒｔ）で、好適には０．０５μｍ以上、０
．４μｍ以下、より好適には０．０６μｍ以上、０．３
μｍ以下であり、かつ平均山間隔（Ｓ　ｍ）が好適には
３０μｍ以下、より好適には２５μｍ以下となるように
粗面化を施すことである。

・十点平均粗さ（Ｒｚ）では、好適には０．０４５μｍ
以上、０．３５μｍ以下、より好適には０．０５μｍ以
上、０．２５μｍ以下であり、かつ平均山間隔（Ｓ　ｍ
）が好適には３０μｍ以下、より好適には２５μｍ以下
となるように粗面化を施すことである。

・中心線平均粗さ（Ｒａ）では、好適には０．００８μ
ＩＩＩ以上、０．０２５ｕｍ以下、より好適には０．０
０９μｍ以上、０．０２μｍ以下であり、かつ平均山間
隔（Ｓ　ｍ）が好適には３０μｍ以下、より好適には２
５μｍ以下となるように粗面化を施すことである。

・自乗平均粗さ（ＲＭＳ）では、好適には０．００９ａ
ｍ以上、０．０３５μｍ以下、より好適Ｉこは０．ＱＩ
ｔｔｍ以上、０．０３μｍ以下であり、かつ平均山間隔
（Ｓ　ｍ）が好適には３０μｍ以下、より好適には２５
μｍ以下となるように粗面化を施すことである。

Ｓｒｎの下限は特に限定はないが１μｍ程度あればよい
。

最大高さ（Ｒｔ）が０．０５μｍより小さいと感度低下
、黒筋状の画像ノイズ、表面保護層の接着不良が生じる
。

最大高さが０，４μｍより大きいと研磨傷による画像ノ
イズ、膜欠損、トナーのフィルミング等の問題が発生す
る。平均山間隔（Ｓ　ｍ）が３０μｍより大きいと感度
低下、黒筋状の画像ノイズ、表面保護層の接着不良が生
じる。

十点平均粗さ（Ｒｚ）、中心線平均粗さ（Ｒａ）、自乗
平均粗さ（ＲＭＳ）の好適範囲外の値に対しても、上記
最大高さ（Ｒｔ）と同様の問題が発生する。

このような微細に粗面化された有機系感光層の表面に真
空薄膜を形成した感光体は、繰り返しコピーに伴う感度
低下、残留電位上昇、複写画像における黒筋状の画像ノ
イズ等の問題が解消されたものとなる。

本発明による粗面化処理を施した感光層表面に真空薄膜
の表面保護層を形成すると、真空薄膜中に内包される膜
ストレスにより、該薄膜中に無数の微細なりラックが膜
厚方向に入る。その結果、真空薄膜と感光層の界面に蓄
積された電荷はそのクラックからリークし、感光体表面
の逆極性の電荷と中和することにより、残留電位の上昇
等が防止され、上記した種々の問題が解消されるものと
考えられている。

本発明において最大高さ（Ｒｔ）、十点平均粗さ（Ｒｚ
）、 中心線平均粗さ（Ｒａ）、自乗平均粗さ（ＲＭＳ）およ
び、粗れの平均山間隔（Ｓ　ｍ）とは、ＪＩＳ−Ｂ１２
Ｏ３−１９８２に記載の方法に準じて測定したものをい
う。なお、本発明の表面粗さに関する値（Ｒｔ　、Ｒｚ
％Ｒａ　ｓ　ＲＭＳＳＳ　ｍ）は全て感光体表面からラ
ンダムに抜き取った部分（抜き取り数は３力所以上とし
た）における値の算術平均値である。

第１図、第２図および第１１図を参照しながら具体的に
示すと、最大高さ（Ｒｔ）は、粗さ曲線から基準長さだ
け抜き取った部分の平行線に平行な２直線で抜き取り部
分を挟んだ時、この２直線の間隔を断面曲線の縦倍率の
方向に測定して、この値をマイクロメートル（μｍ）で
表したものをいう。

最大高さの求め方の例を第２図に示す。

１０点平均粗さ（Ｒｚ）とは粗さ曲線から基準長さだけ
抜き取った部分において、平均線に平行、かつ、粗さ曲
線を横切らない直線から縦倍率の方向に測定した最高か
ら５番目までの山頂の標高の平均値と最深から５番目ま
での谷底の標高の平均値との差をマイクロメートル（μ
ｍ）で表わしてものをいう。

なお、ここでいうところの「粗さ曲線」は、基準長さの
断面曲線（測定物を切断したときに、その切り口に現れ
る輪郭）から０．０２５市の波長より長い表面うねり成
分をカットオフした曲線を示す。

「基準長さ」は、断面曲線の一定長さを抜き取った部分
の長さである。本発明においては、２．５＋ｎｍを基準
長さとして用いている。

「平均線コとは、粗さ曲線の抜き取り部分において、被
測定面の幾何学的形状をもつ直線で、かつ、その線から
粗さ曲線までの偏差の二乗和が最小となるように設定し
た線をいう。

「山頂」とは、相さ曲線の山における最も高い標高の所
をいう。

［谷底、ｊとは、粗さ曲線の谷における最も低い標高の
所をいう。

十点平均粗さ（Ｒ２）は第１）図を参照に下記式によっ
て求められる。

Ｌ・基準長さ（２，５ｍｍ） Ｒ１−Ｒ３＋Ｒ５＋Ｒ＋ＪＳ　：基準長さＬ、に対応す
る抜き取り部分ＯＩＩ高から５ 番目までの山頂の標高 Ｒ２，Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，。：基準長さしに対応す
る抜き取り部分の最深から５ 番目までの谷底の標高 粗れの平均山間隔（Ｓ　ｍ）は、粗さ曲線のとなり合う
山と谷の部分の長さ（Ｓ＋、Ｓ２・・第１図参照）の和
の平均値をμｍで表わしたものをいう。Ｓｍは、粗れの
細かさ密度に対応する。

最大高さ（Ｒｔ） 最大高さは、粗さ曲線から基準長さだけ抜き取った部分
の平行線に平行な２直線で抜き取り部分を挟んだ時、こ
の２直線の間隔を断面曲線の縦倍率の方向に測定して、
この値をマイクロメ〜　トル（μｍ）で表わしたものを
いう。

最大高さの求め方の例を第１１図に示す。

中心線平均粗さ（Ｒａ、） 中心線平均粗さ（Ｒａ）は、粗さ曲線からその中心線の
方向に測定長さＱの部分を抜き取り、この抜き取り部分
の中心線をＹ軸、縦倍率の方向をＹ軸とし、粗さ曲線を
ｙ＝ｆ（ｘ）で表わした時、次の式によって求められる
値をマイクロメートル（μｍ）で表わしたものをいう。

なお、［中心線Ｊとは粗さ曲線の平均線に平行な直線を
引いた時、この直線と粗さ曲線で囲まれる面積がこの直
線の両側で等しくなる直線をいう。

ｐ！±仰−１仄Ｒ−ｙ、ＳＱ 粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さＱの部分を抜
き取り、この抜き取り部分の中心線をＹ軸、縦倍率の方
向をＹ軸とし、粗さ曲線をｙ−ｆ（ｘ）で表わした時、
次の式によって求められる値をマイクロメートル（μｍ
）で表わしｔ二ものをいう。

有機系感光層を本発明の最大高さおよび平均山間隔を有
するように処理する方法どしては、特に限定されるもの
ではないが、例えば、天然繊維（羊毛、鹿毛、束毛など
の獣毛、綿、麻等）、化学繊維（レーヨン、アセデート
、ナイロン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエステル
、テフロン等）、ガラス繊維またはステンレススチール
繊維等を樹脂で固めたり、あるいは湿気、熱、圧力の作
用で３次元的に絡めて、ンート状にしたフェルト、また
はそれらの繊維からなる布、ブランを圧接して摺擦させ
る機械的研摩手段（パフ研摩、ブラシ研摩等）を挙げる
ことができる。

このような機械的研摩手段を使用する場合、研磨剤（樹
脂あるいは無機物からなる粒子）および水、表面活性剤
、切削油等を摺擦部材と感光層の間に介在させてもさせ
なくてもよい。研磨剤を用いる場合は、研磨粒子を埋め
込んだり結合さゼたフェルト・、布、ブラシを用いても
よい。

表面粗さは、繊維の種類、大きさ、太さあるいは密度、
または、研磨粒子を用いる場合は、研磨粒子の種類、粒
子の形状、粒径、粒径分布、量、さらに研磨機の圧接力
、摺擦力により制御することができる。

特に、有機系感光層をディッピング法により形成し、表
面が極めて平滑である場合、純水等の溶媒中に研磨粒子
を分散させた液を吐出させながら、パフ研磨、プラン研
磨等を行い表面を粗面化することは有効である。

例えば、ウール製フェルトの円盤状パフ（直径２０ｃｍ
）で直径８０闘×長さ３３０ｍｍの樹脂分散型の感光体
ドラムをパフ研磨により粗面化する場合、研磨材：ＷＡ
＃６０００ （商品名：不二見研磨材工業（株）） 研磨材量　　：　２．５ｇ／Ｑ 吐液　　　　：　ＩＱＺ分 ドラム回転数：　１００〜５００　ｒｐｍバフ回転数　
＝５０〜１．　ＯＯＯｒｐｍパフ送り　　＝０．３〜５
　ａｍ／秒 パフセンターずれ：４，５〜５ｃｍ パフ荷重　　二０．５〜７ｋｇ の研磨条件下で、本発明に適した表面粗度とすることが
できる。もちろん上記条件は例示的なものであって、本
発明の表面粗度を達成する条件を何ら限定するものでな
い。

パフ研磨を行なう場合、第５図または第６図に示したよ
うに複数のパフを用いて処理してもよい。

第７図に示しｔ；ようにドラムを非平行の状態にセット
しバフ研磨を行なってもよい。また第８図に示したよう
にバフを片当てした状態で研磨処理を行なってもよい。

さらに別の方法として、研磨粒子を感光層表面にぶつけ
るサンドブラスト法等も使用することができる。さらに
、有機感光層を、予めシリカ等の粉体粒子を添加した塗
布液を塗布して形成することにより、感光層表面を微細
に粗すことも可能である。

以上のような表面粗さを有する有機系感光層の表面に、
真空薄膜を形成し、表面保護層とする。

このような表面保護層層としてはプラズマ重合法で形成
した非晶質炭化水素膜、または、Ａ　ｌ　２０　ｓ、Ｂ
ｉ２０３ｘ　Ｃｆ３ｚＯ３％ＣｒｚＯｓ、　　Ｉｎｚ○
、、ＭｇＯ。

Ｓｉｎ％Ｓｉｎ、、Ｓ　ｎ　Ｏ２、Ｔａ２Ｏ３、Ｔｉｅ
、Ｔｉｅ３、Ｚｒ０ｚ、Ｙ！０３等の金属酸化物、Ｓｉ
、Ｎ、、Ｔａ。

Ｎなどの金属窒化物、ＭｇＦ、、Ｌ　ＩＦ　、　ＮｄＦ
　ｓ、ＬａＦ、、Ｃ，Ｆ、、ＣｅＦ、等の金属弗化物、
ＳｉＣ。

ＴｉＣなどの金属炭化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＰｂＳなど
の金属硫化物等の金属化合物を蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法などのいわゆる真空薄膜形
成技術を用いて形成した金属化合物膜が挙げられる。

また、プラズマ重合法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法等で表面保護層を設ける場合、その保護層
の下の感光層がプラズマ中における電子あるいはイオン
の衝撃、熱等で劣化しないように感光層の上に一旦、檎
脂層を設ける構成の感光体が提案されているが（例えば
特開平０１１３３０６３号公報等）、そのような構成の
感光体の場合、感光層がいかなる種類のものであれ、本
発明を適用することにより耐久性、感度低下（黒筋発生
）が改善される。

表面保護層の厚さは、微細な凹凸のない鏡面状の表面に
形成したとした場合に換算して、０．０１〜５μｍ１好
ましくは０．０４〜１μｍである。

この程度の膜厚であると、感光層表面の凹凸の形態は、
表面保護層上に、はとんどそのままの形状で現れる。５
μｍより厚いと、形成した真空薄膜に内部応力に基づく
と考えられるクラックが形成されず、前記した問題が依
然解消されない。膜厚が０．ＯＩＩｔｍより薄いと膜強
度が低下し、傷、膜削れ等の問題が生じ表面保護層とし
ては不十分なものとなる。

以下、本発明を実施例を用いて説明する。

感光体の作製は、以下に記載の有機系感光層、該感光層
粗面化、表面保護層を表１に示したような組み合わせで
行なった。得られた感光体の表面粗さ（Ｒｔ、Ｒｚ、Ｒ
ａ、ＲＭＳ、Ｓｍ）と各評価（接着性、膜欠損、感度低
下）を同時に表１に示した。なお、第１２図に実施例２
で得られた感光体の、第１３図に実施例３で得られた感
光体の、第１５図に実施例５で得られた感光体の、第１
４図に比較例１で得られた感光体の表面粗さ曲線を示し
た。（測定器：サーフコム５５０Ａ（商品名）東京精密
社製） 次に感光層の調製法、表面粗面化法、真空薄膜の調製法
および評価法について具体的に述べる。

有機系感光層（ａ）の作製（負帯電用機能分離型）ビス
アゾ顔料クロロジアンブルー（ｃ　Ｄ　Ｂ）　１重量部
、ポリエステル樹脂（東洋紡績社製：Ｖ−２００）１重
量部、及びシクロヘキサ２２１００重量部の混合液をサ
ンドグラインダーにて１３時間分散した。この分散液を
直径８０ＩＩＩＩ１１×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミ
ニウム基板上にディッピングにて塗布し、乾燥して膜厚
０．３μｍの電荷発生層を形成した。

別に、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェニ
ルヒドラゾン（ＤＥ８月重量部、及びポリカーボネート
（量大化成社製；に−１３００）１重量部をテトラヒド
ロフラン（Ｔ　ＨＦ　）６　重量部ｔ：溶解し、この溶
液を前記電荷発生層上に塗布、乾燥し、乾燥後の膜厚が
１５μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層（ａ）を
得た。

有機系感光層（ｂ）の作製（正帯電用バインダー型）特
殊σ型　フタロシアニン（東洋インキ社製）２５重量部
、アクリルメラミン熱硬化型樹脂（大日本インキ社製、
Ａ　−ｔｏ　５とスーパーベッカミンＪ８２０の混合物
）５０重量部、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
ジフェニルヒドラゾン２５重量部および有機溶剤（キン
レン７重量部とブタノール３重量部の混合物）５００重
量部の混合液をボールミルで１０時間粉砕分散した。こ
の分散液を直径３ＱｍｍＸ長さ３３０ｍｍの円筒状アル
ミニウム基板上にディッピングにて塗布し、乾燥焼き付
け（１５０°Ｃで１時間）を行い、膜厚１５μｍの有機
系感光層（ｂ）を得た。

有機系感光層の粗面化 実施例１−１０ 上記で得られた有機系感光層の表面を第３図に示したバ
フ研磨機により表２に示した条件で粗面化した。

有機系感光体をチャッキング（３０１）により固定し、
ウール製フェルトの円盤状パフ（直径２０ｃｍ）（３０
３）全所定のパフズレの位置にセットした。

バフズレとは、第４図に示したように、感光体（３０４
）の長手方向の中心線と円盤状パフ（３０３）の中心点
との間の距離である。

次に、感光体（３０４）を矢印ｄ方向に回転（ワーク回
転）させ、円盤状パフを矢印Ｃ方向に回転させながら、
円盤状パフ（３０３）に矢印ａの方向から荷重（パフ荷
重）をかけ、円盤状パフ（３０３）を感光体（３０４）
に押圧し、矢印す方向に往復運動（）（７送り）させた
。パフの動きに合わせて感光体と円盤状パフの接触面に
向けて液吐出ノズル（３０２）より、純水又は、研磨剤
を分散させた純水を１（１／ｍｉｎの割合で吐出させた
。

実施例＋１−１４ 直径５ｃｍの円筒状ブラシ（ブラシの材質は（ナイロン
（１１，１２）、レーヨン（１３）、束毛（１４）、毛
の太さは約１０〜２０μｍ１長さは約１０ｍｍのもの）
を回転数３０　Ｏｒｐｍで感光層に圧接、回転させてブ
ラシ研磨を行ない、有機系感光体の表面を粗面化した。

実施例１５および１６ 約０．７μｍ径のＳｉＣ粒子を研摩材とし、有機系感光
層へぶつけるサンドブラスト法によりを機系感光層表面
を粗面化した。その後、純水中にてウェスを軽く圧接し
感光体を回転させながら超音波洗浄を行ない、感光層表
面に残留、付着したＳｉＣ粒子を除去し、最後に６０℃
の純水中に約１分間浸漬後、乾燥空気雰囲気中に約１ａ
Ｉｌ／秒の速度で感光ドラムを引き上げ乾燥させた。

比較例１および２ 有機系感光体の粗面化を行なわなかった。

比較例３．４および５ パフの回転数を１２０Ｏｒｐｍの高速回転とし、パフ荷
重を太きく（１５ｋｇ（比較例３）、８ｋｇ（比較例４
）、ｌｏｋｇ（比較例５）し、粒径の大きな研磨剤を用
いた以外、実施例１〜１０と同様にして、表２に示した
条件で感光層表面を粗面化した。

比較例６ 約２μｍ径のＳｉＣ粒子を用いてサンドブラスト法を適
用した以外、実施例１５および１６と同様に感光層表面
を粗面化した。

表面粗面化の程度については、十点平均粗さ（Ｒｚ）、
最大高さ（Ｒｔ）、中心線平均粗さ（Ｒａ）、自乗平均
粗さ（ＲＭＳ）および、粗れの平均山間隔（Ｓ　ｍ）を
もちいて表わした。

最後に以上のようにして作製した有機系感光層（ａ）お
よび（ｂ）の上に、以下に記載の方法を用いて表面保護
層を形成した。

プラズマ非晶質炭化水素膜（ＩＸＰＡＣ（１）という）
の作製 第９図に示すグロー放電分解装置にて、まず、反応槽（
７３３）の内部を１０−’Ｔｏｒｒ程度の高真空にした
後、第１１第２調節弁（７０７，７０８）を關放し、第
１タンク（７０’ｌ）より水素ガス、第２タンク（７０
２）よりブタジェンガスを各々出力圧！、　、　５　Ｋ
　ｇ／　ａｍ２の下で第１．第２流量制御器（７１３，
７１４）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を
調整して、水素ガスの流量を３００ｓｃｃｍ、ブタジェ
ンガスの流量をｉ５ｓｅｃｍどなるように設定して、途
中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応
室（７３３）内へ流入させた。

各々の流量が安定した後に反応室（７３３）内の圧力が
Ｉ　、　ＯＴｏｒｒとなるように圧力調整弁（７４５）
を調整した。一方、基板（７５２）としては、前述の有
機系感光層を用いた。

次にその基板（７５２）を反応室（７３３）内の接地電
極（７３５）に固定した。基板（７５２）はガス導入前
に約１５分間かけて常温より５０°Ｃまで昇温した。ガ
ス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４
１，）を投入し、電力投入電極（７３，６）に１５０Ｗ
の電力を周波数８０ＫＨｚの下で印加して３．５分間プ
ラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚さ０．
１μｍの非晶質炭化水素膜を形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、水素ガス以外の調節弁を閉じ反応室
（７３３）内に水素ガスだけを１００　ｓｅｃｍの流量
で流入し、圧力をｌ　Ｔｏｒｒに保持し約３０℃まで降
温した。その後、水素ガスの調節弁（７０７）を閉じ、
反応室（７３３）内を充分に排気し、反応室（７３３）
内の真空を破り、本発明による感光体を取り出した。

プラズマ非晶質炭化水素膜（２０ＰＡＣ（２）という）
の作製 第９図に示すグロー放電分解装置にて、反応種（７３３
）の内部を１０−″Ｔｏｒｒ程度の高真空にした後、第
１、第２および第３調節弁（７０７，７０８，７０９）
を開放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、第２タ
ンク（７０２）よりブタジェンガスおよび第３タンク（
７０３）より四ツ・ン化メタンガスを各々出力圧１　、
５　Ｋｇ／ｃｍ’の下で第１１第２および第３流量制御
器（７１３，７１４，７１５）内へ流入させた。そして
各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を３０
０　ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を１５ｓｃｃｍお
よび四ツ・ノ化メタンガスの流量を９　Ｑ　ｓｃｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入させた。

各々の流量が安定した後に反応室（７３３）内の圧力が
０．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調整弁（７４５）を調
整した。

一方、基板（７５２）としては、前述の有機感光層を用
いた。

次にその基板（７５２）を反応室（７３３）内の接地電
極（７３５）に固定した。基板（７５２）はガス導入前
に約１５分間かけて常温より５０°Ｃまで昇温した。ガ
ス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４
１，）を投入し、電力投入電極（７３６）に１．５０Ｗ
の電力を周波数３ＱＫＨｚの下で印加して約２分間プラ
ズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚さ０．１
μｍの非晶質炭化水素膜を形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、水素ガス以外の調節
弁を閉じ反応室（７３３）内に水素ガスだけをｌ　Ｑ　
Ｑ　ｓｃｃｍの流量で流入し、圧力を１Ｔｏｒｒに保持
し約３０℃まで降温した。その後、水素ガスの調節弁（
７０７）を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、
反応室（７３３）内の真空を破り、本発明による感光体
を取り出した。

酸化アルミニウムーｐｃＡｃ、ｏ３膜という）の作製Ｘ
Ｍ波（１３、５６Ｍ　Ｈｚ）スパッタリングにより、有
機系感光層基板上に表面保護層を形成した。

前述の有機感光層を高周波スパッタリング蒸着装置（図
示せず）の真空槽内の接地電極に固定した。

対向する高周波印加電極は厚さ約５ｍｍの酸化アルミニ
ウムＡ（１，０３の板で覆いそれをターゲットとしｔこ
。

真空槽の内部を排気ポンプを用いて１０−’Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、スパッタ用のアルゴンガスを真空
槽内に導入し圧力を５　Ｘ　ｌ　Ｏ”Ｔｏｒｒに設定し
た。次に、電極に２００Ｗの電力を周波数１３−５６Ｍ
Ｈｚの下で印加して約１０分間スパッタリングを行ない
、基板上に厚さ０．１μｍのＡＱ２０、膜からなる表面
保護層を形成した。成膜完了後は電力印加を停止し真空
層内を排気し、真空層内の真空を破り、本発明による表
面保護層を有する感光体を取り出した。

次に、第１０図に示す蒸着装置にて、表面保護層を形成
した。基板（５０３）としては前述の有機系感光層を用
いた。その基板（５０３）を、基板支持部材（５０２）
を取り付けた。ポート（５０４）には−酸化珪素ＳｉＯ
の粉末を載置した。

次いで、真空層（５０１）の内部を排気ポンプ（５１１
）を用いて１０−’Ｔｏｒｒ程度の高真空にした後、電
極（５０６）に電力を印加し、ポート（５０４）を１０
８０°Ｃに昇温した。ポート（５０４）の温度が安定し
たところで、モーター（５１２）を起動させ約ｌＯ回転
／分で基板（５０３）を回転させつつ、予め閉状態にし
ておいてシャッター（５０８）を回転導入端子（５１０
）の操作により、約３分間開状態にして、Ｉ　Ｏ”Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度の下で蒸着を行ない基板（５０３）上
に約ｏ、ｉｓｐｍのＳｉＯからなる表面保護層を形成し
た。

表面保護層形成後は電極（５０６）への通電を停止する
と共に、真空槽（５０１）内を充分に排気し、真空槽（
５０１）の真空を破り、本発明による表面保護層を有す
る感光体を取り出した。

実施例および比較例で得られた感光体について、感度低
下、膜欠損、接着性について評価を行なつｔこ。

感度低下の評価 試作された感光体を実機に搭載し、露光量を調整し、画
像濃度０．５０のハーフトーン画像を得Ｉこ。

その後、Ａ４紙１万枚のコピーをとった後、同一の露光
量にてノ・−フトーン画像を得、その画像濃度を求め、
初期の画像濃度０．５０との差を求めｔこ。

例えば一方杖コピー後の画像濃度が０．５５であれば、
その差０．０５を感度低下分とした。

実機の表面電位設定は６００　［Ｖ］、現像バイアス設
定はｌ　５０　［Ｖ］とした。

実施例の一覧表には下記の評価基準にて感度低下の良否
を示した。

尚、画像濃度の測定はコニカ社製濃度計サクラデンシト
メータＰＤＡ６５（商品名）を用いた。

膜欠損評価 一方杖コピー後の感光体表面を３００倍の光学顕微鏡（
視野面積０．０８關っで観察し、その映像をニレコ社製
画像解析装置ルーゼックス５０００（商品名）で解析し
、表面保護層の欠損部分の面積比率を算出した。観察は
ドラム上任意の２０点で行ない、その中で最大の値のも
のを採用した。

膜欠損比率を以下のごとくランク付した。

接着性評価 ＪＩＳ−に５４００規格の基盤目試験を行ない表面保護
層の有機系感光層への接着性を評価し、以下のごとくラ
ンク付を行なった。

総合評価 実施例１〜６およびｌＯで得られた感光体は、接着性良
好、膜欠損、感度低下は認められず、また、黒筋、白筋
状の画像ノイズも問題とならなかった。

感光層表面を・軽い条件で粗面化して調製した実施例７
の感光体、強い条件で粗面化しで調製した実施例８．９
．１５および１６の感光体は、粗面化の程度は最適とは
言えないが、いずれも実用」−は問題なかった。

実施例１１〜１５の感光体もいずれも実用上問題はなか
った。

比較例Ｉおよび２の感光体１ゴ、感度低下が著しく、黒
筋状画像ノイズが認められ、また接着性もχ；干乏しく
なった。

比較例３．４および５の感光体は、感度低下はほとんど
認められ４″、黒筋状画像ノイズは認められなかったが
、研摩傷による白スジ状の画像ノイズとトナーのフィル
ミングが若干認められ、膜接薯性面での問題か認められ
た。

比較例６の感光体は、感度低下はほとんど認められず、
黒スジ状の画像ノイズは認められなか−）たが、トナー
のフィルミングが若千認められまた、膜接着性面での問
題が発生し２、本発明の優位性が理解できた。

泣肌９−勿−± 本発明に従い微細粗面化処理した有機系感光層表面上に
真空薄膜を形成した構成の感光体は、繰り返し使用して
も、残留電位の上昇、感度低トおよび黒筋、ボケ、画像
流れ等の画像ノイズ発生がない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、感光層表面の部分的な断面曲線を表わした図
である。 第２図は、最大高さを説明するだめの図である。 第３図は、パフ研磨方法を模式的に示した図である。 第４図は、パフ研磨方法において、パフと感光体の位置
関係を説明するための図である。 第５因〜第８図は、パフ研磨方法の種々の態様を示す図
である。。 第９図および第１Ｏ図は、真空薄膜を形成φ′るため模
式的装置図である。 第１！図は、を点乎均粗さを説明するための図である。 第１２図〜第１５図は、感光体の表面粗さ曲線を示す図
である。 特訂出願人　ミノルタカメラ株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導電性支持体上に、微細研磨処理により表面粗面化
   した有機感光層および該有機系感光層上に真空薄膜から
   なる表面保護層を有する感光体において、表面保護層の
   表面の表面粗さが最大高さ（Ｒｔ）で０．０５μｍ以上
   ０．４μｍ以下であり、かつ粗れの山と山の平均間隔（
   Ｓｍ）が３０μｍ以下であることを特徴とする感光体。