JPH04177717A - 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置および露光方法Info
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- JPH04177717A JPH04177717A JP2305727A JP30572790A JPH04177717A JP H04177717 A JPH04177717 A JP H04177717A JP 2305727 A JP2305727 A JP 2305727A JP 30572790 A JP30572790 A JP 30572790A JP H04177717 A JPH04177717 A JP H04177717A
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- mask
- block mask
- block
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
ブロック露光を行なう荷電粒子ビーム露光装置および露
光方法に関し、 実際のブロックマスクの各パターン毎に正確なりロック
補正かでき、キャリブレーションを可能にすることを目
的とし、 荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかまたは
可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロックマス
クを備える荷電粒子ビーム露光装置において、ブロック
マスク上の各パターンに対する基本照射時間に対する、
実測して得た各パターン毎のクロック補正量を格納する
ブロックマスククロックメモリを有する構成とし、また
荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかまたは
可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロックマス
クを備える荷電粒子ビーム露光装置を用いる露光方法に
おいて、該ブロックマスク上の各パターンに対する基準
照射時間を与えておき、実測して得た、該ブロックマス
ク上の各パターンに対するクロック補正量で、該基準照
射時間を補正して、当該パターンに対する露光時間を決
定する構成とする。
光方法に関し、 実際のブロックマスクの各パターン毎に正確なりロック
補正かでき、キャリブレーションを可能にすることを目
的とし、 荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかまたは
可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロックマス
クを備える荷電粒子ビーム露光装置において、ブロック
マスク上の各パターンに対する基本照射時間に対する、
実測して得た各パターン毎のクロック補正量を格納する
ブロックマスククロックメモリを有する構成とし、また
荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかまたは
可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロックマス
クを備える荷電粒子ビーム露光装置を用いる露光方法に
おいて、該ブロックマスク上の各パターンに対する基準
照射時間を与えておき、実測して得た、該ブロックマス
ク上の各パターンに対するクロック補正量で、該基準照
射時間を補正して、当該パターンに対する露光時間を決
定する構成とする。
本発明は、ブロック露光を行なう荷電粒子ビーム露光装
置および露光方法に関する。
置および露光方法に関する。
近年、集積回路の高密度化に伴い、長年にわたり微細パ
ターン形成方法の主流であったフォトリソクラフィに代
わり、電子線を用いて新露光技術か検討され、実用化さ
れるようになってきた。
ターン形成方法の主流であったフォトリソクラフィに代
わり、電子線を用いて新露光技術か検討され、実用化さ
れるようになってきた。
従来の電子線描画装置で実用域のあるものは、可変矩形
ビームにより任意のショットを発生させ、被照射物へパ
ターンを描いてゆく装置である。このような装置は設計
側の最小単位であるパターンデータを、任意の可変矩形
ビームにおいてショット分解するパターンジェネレータ
機能を有する。
ビームにより任意のショットを発生させ、被照射物へパ
ターンを描いてゆく装置である。このような装置は設計
側の最小単位であるパターンデータを、任意の可変矩形
ビームにおいてショット分解するパターンジェネレータ
機能を有する。
ところが、集積化か進むにつれてパターンデータか小さ
くなり、かつパターン数か増えるため、パターンジェネ
レータによって分解さたビームショット数か増大し、ス
ループットが低下するという問題かある。そこて、超微
細パターンの発生においても現実的なスループットを得
るために、ブロック露光方法が提案されている。
くなり、かつパターン数か増えるため、パターンジェネ
レータによって分解さたビームショット数か増大し、ス
ループットが低下するという問題かある。そこて、超微
細パターンの発生においても現実的なスループットを得
るために、ブロック露光方法が提案されている。
超微細パターンを必要とされる半導体装置は、例えば６
４メガＤＲＡＭのように、微細ではあるか描画される大
部分の面積は任意の基本パターンの繰り返しである。こ
の基本パターンの繰り返しを１ショットで処理できれば
、スループットが向上する。そこて以上のような基本パ
ターンを透過マスク上に持ち、これを電子線で照射する
ことによりｌショットで基本パターンを発生する方法が
ブロック露光である。
４メガＤＲＡＭのように、微細ではあるか描画される大
部分の面積は任意の基本パターンの繰り返しである。こ
の基本パターンの繰り返しを１ショットで処理できれば
、スループットが向上する。そこて以上のような基本パ
ターンを透過マスク上に持ち、これを電子線で照射する
ことによりｌショットで基本パターンを発生する方法が
ブロック露光である。
第６図にブロック露光方式の一例を示す。要部はブロッ
クマスク１５で、これには」二記基本パターンの複数個
（１５ｂ等）が形成され、中央には可変矩形ビーム用の
矩形パターン１５ａも形成さている。電子銃ＩＩから放
出された電子は、成形アパーチャ１２を通過し、電磁レ
ンズ１３によってできたクロスオーバの像点に置かれた
マスク偏向器１４によりブロックマスク１５の任意のパ
ターン部分を選択し照射する。尚、繰り返しパターンの
存在しない単独パターンについてはブロックマスク１５
内の矩形パターン１５ａを選択し、従来の可変矩形ビー
ム露光方法と同様になる。パターン化された像は、レン
ズの収束作用により光軸に戻され、縮小レンズ１６によ
りパターン像が縮小され、投影レンズ１７や偏向コイル
等により被照射物２０の任意の部分へ照射する。
クマスク１５で、これには」二記基本パターンの複数個
（１５ｂ等）が形成され、中央には可変矩形ビーム用の
矩形パターン１５ａも形成さている。電子銃ＩＩから放
出された電子は、成形アパーチャ１２を通過し、電磁レ
ンズ１３によってできたクロスオーバの像点に置かれた
マスク偏向器１４によりブロックマスク１５の任意のパ
ターン部分を選択し照射する。尚、繰り返しパターンの
存在しない単独パターンについてはブロックマスク１５
内の矩形パターン１５ａを選択し、従来の可変矩形ビー
ム露光方法と同様になる。パターン化された像は、レン
ズの収束作用により光軸に戻され、縮小レンズ１６によ
りパターン像が縮小され、投影レンズ１７や偏向コイル
等により被照射物２０の任意の部分へ照射する。
電子ビームのパターン像か被照射物へ照射し、高精度な
パターンを得るためには、いろいろな要素技術か必要で
あるが、目的のパターンが得られるか否かは被照射物」
−の電子ビーム感光レジストの感光度と電子ビームのパ
ターン像の電流密度によって決められるパターン照射時
間の設定で決まる。可変矩形ビーム露光方法ではこれを
基本照射時間とし、これにパターンの配置や高密度化か
ら起こる近接効果等を考慮すべく、各パターンデータに
クロック補正をしている。クロック補正は露光量（照射
時間）補正を行なうもので、各パターンのショット時間
を基本照射時間に対する比率で決定し、これにより、全
パターンを高精度露光町能にする。
パターンを得るためには、いろいろな要素技術か必要で
あるが、目的のパターンが得られるか否かは被照射物」
−の電子ビーム感光レジストの感光度と電子ビームのパ
ターン像の電流密度によって決められるパターン照射時
間の設定で決まる。可変矩形ビーム露光方法ではこれを
基本照射時間とし、これにパターンの配置や高密度化か
ら起こる近接効果等を考慮すべく、各パターンデータに
クロック補正をしている。クロック補正は露光量（照射
時間）補正を行なうもので、各パターンのショット時間
を基本照射時間に対する比率で決定し、これにより、全
パターンを高精度露光町能にする。
ブロック露光方法では、繰り返しパターンを１シヨツＩ
・て露光するので可変ビーム露光方法で用いている各パ
ターン毎によるクロック補正の絶対数は少なくなるが、
必要ではある。しかし、従来のブロック露光におけるク
ロック補正は設計データに基つくものである。即ちブロ
ックマスク上の各パターンに対するクロック補正量は、
当該パターンのザイズ及び形状（いずれも設計値）など
に基すいて決定されている。近接効果に対する補正も同
様で、ブロックマスクの製造誤差、各パターンのブロッ
クマスク上の位置、各露光装置の特性などは考慮されて
いない。
・て露光するので可変ビーム露光方法で用いている各パ
ターン毎によるクロック補正の絶対数は少なくなるが、
必要ではある。しかし、従来のブロック露光におけるク
ロック補正は設計データに基つくものである。即ちブロ
ックマスク上の各パターンに対するクロック補正量は、
当該パターンのザイズ及び形状（いずれも設計値）など
に基すいて決定されている。近接効果に対する補正も同
様で、ブロックマスクの製造誤差、各パターンのブロッ
クマスク上の位置、各露光装置の特性などは考慮されて
いない。
本発明はか〜る点を改善し、実際のブロックマスクの各
パターン毎に正確なりロック補正ができ、キャリブレー
ションを可能にすることを目的とするものである。
パターン毎に正確なりロック補正ができ、キャリブレー
ションを可能にすることを目的とするものである。
第１図に示すように本発明ではブロック露光を行なう荷
電粒子ビーム露光装置１０の制御部２５に、ブロックマ
スククロックメモリ２８を設ける。
電粒子ビーム露光装置１０の制御部２５に、ブロックマ
スククロックメモリ２８を設ける。
このメモリ２８には第１図（Ｃ）に示すように各マスク
Ｎｏ（プロ、ツクマスク１５］二の各パターン）に対す
る、クロック補正量か人っている。クロック補正量は、
パターン像の持つビーム電流密度と被照射物上のビーム
感光レジス１〜の感光度によって決められるパターンの
基本照射時間に対する補正量で、実測して求める。
Ｎｏ（プロ、ツクマスク１５］二の各パターン）に対す
る、クロック補正量か人っている。クロック補正量は、
パターン像の持つビーム電流密度と被照射物上のビーム
感光レジス１〜の感光度によって決められるパターンの
基本照射時間に対する補正量で、実測して求める。
露光に当っては、当該パターンに対するクロック補正量
をブロックマスククロックメモリ２８を読出して得、こ
れてパターン発生回路部２７の」二記基本照射時間を修
正し、その結果を露光時間とする。
をブロックマスククロックメモリ２８を読出して得、こ
れてパターン発生回路部２７の」二記基本照射時間を修
正し、その結果を露光時間とする。
この露光装置及び方法によれば、各パターンを正確に適
切な露光時間で露光できる。即ちプロセッサ２１が磁気
ドラム２２または磁気テープ２３から読出してデータメ
モリ２６に展開したパターン情報は第１図（ｂ）の如き
ものであり、形状コードｌ、 ２． ０．・・・・・
・そのパターン始点、パターン始点ズ、クロック補正量
は・・・・・・というものであり、従来はこれに基すい
て露光を行なうか、このうちのクロック補正量は設計デ
ータに基すいて決定されたものであり、現実の露光装置
、ブロックマスクに対応するものではない。これに対し
本発明では現実の露光装置、ブロックマスクに基すき試
料電流測定なとを行なってクロック補正量を算出し、こ
れをブロックマスククロックメモリ２８に格納しておき
、露光に当ってこれを読出し、基本照射時間を修正して
露光時間を得るので、正しい露光が行なえる。
切な露光時間で露光できる。即ちプロセッサ２１が磁気
ドラム２２または磁気テープ２３から読出してデータメ
モリ２６に展開したパターン情報は第１図（ｂ）の如き
ものであり、形状コードｌ、 ２． ０．・・・・・
・そのパターン始点、パターン始点ズ、クロック補正量
は・・・・・・というものであり、従来はこれに基すい
て露光を行なうか、このうちのクロック補正量は設計デ
ータに基すいて決定されたものであり、現実の露光装置
、ブロックマスクに対応するものではない。これに対し
本発明では現実の露光装置、ブロックマスクに基すき試
料電流測定なとを行なってクロック補正量を算出し、こ
れをブロックマスククロックメモリ２８に格納しておき
、露光に当ってこれを読出し、基本照射時間を修正して
露光時間を得るので、正しい露光が行なえる。
第１図を詳細に説明すると、露光データは磁気ディスク
２２や磁気テープ２３に格納されており、プロセッサ２
１によりインタフェース２４を介してデータメモリ２６
へ転送される。データメモリ２６には同図（ｂ）に示す
ように、形状コート１゜２（これらは可変ビームパター
ン）、それらのパターン始点（座標ＸＩ、Ｙｌｌ）、パ
ターン始点ス（矩形の２辺の長さＸ２．Ｙ２）、クロッ
ク補正（ＣＬＫ ； １．１１２なとの数値）、及び７
トリクス情報（繰り返されるこの形状１のピッチＰＸ。
２２や磁気テープ２３に格納されており、プロセッサ２
１によりインタフェース２４を介してデータメモリ２６
へ転送される。データメモリ２６には同図（ｂ）に示す
ように、形状コート１゜２（これらは可変ビームパター
ン）、それらのパターン始点（座標ＸＩ、Ｙｌｌ）、パ
ターン始点ス（矩形の２辺の長さＸ２．Ｙ２）、クロッ
ク補正（ＣＬＫ ； １．１１２なとの数値）、及び７
トリクス情報（繰り返されるこの形状１のピッチＰＸ。
ＰＹ、個数ＮＸ、ＮＹ、なと）か格納される。形状コー
ド０（これはブロックパターン）のものはパターン始点
（ＸＩ、Ｙｌ）、マスクＮｏ、クロック補正、及びマト
リクス情報が格納される。
ド０（これはブロックパターン）のものはパターン始点
（ＸＩ、Ｙｌ）、マスクＮｏ、クロック補正、及びマト
リクス情報が格納される。
データメモリ２６に格納されるクロック補正データは設
計段階のもきである。形状コード０即ちブロックパター
ンのクロック補正データはその一般値ＣＬ Ｋかメモリ
２６にあり、個々のパターンに対するその修正値かブロ
ックマスククロツタメモリ２８にある。このメモリ２８
の内容は同図（Ｃ）に示す如くである。即ちメモリ２８
はマスクＮＯ別に当該マスク（ブロックパターン）１５
ｂ、・・・・・・のクロック補正量ＣＬ Ｋ １ 、
ＣＬ Ｋ ２ 。
計段階のもきである。形状コード０即ちブロックパター
ンのクロック補正データはその一般値ＣＬ Ｋかメモリ
２６にあり、個々のパターンに対するその修正値かブロ
ックマスククロツタメモリ２８にある。このメモリ２８
の内容は同図（Ｃ）に示す如くである。即ちメモリ２８
はマスクＮＯ別に当該マスク（ブロックパターン）１５
ｂ、・・・・・・のクロック補正量ＣＬ Ｋ １ 、
ＣＬ Ｋ ２ 。
・・・・・・を格納しており、可変矩形ビーム用の開口
１５ａに対してはこのマスクＮｏはｆ ｆ ｆ ｆ、ク
ロック補正量は０としている。メモリ２６を読出し、形
状コードＯ、マスクＮＯ××××、クロツタ補正量ＣＬ
Ｋか得られたら、メモリ２８を読出してそのマスクＮ
Ｏのクロック補正量ＣＬＫｘを得、これをメモリ２６の
クロック補正量に加算または乗算して使用する。
１５ａに対してはこのマスクＮｏはｆ ｆ ｆ ｆ、ク
ロック補正量は０としている。メモリ２６を読出し、形
状コードＯ、マスクＮＯ××××、クロツタ補正量ＣＬ
Ｋか得られたら、メモリ２８を読出してそのマスクＮ
Ｏのクロック補正量ＣＬＫｘを得、これをメモリ２６の
クロック補正量に加算または乗算して使用する。
こうして得られたクロック補正データ及びパターン情報
は、パターン発生回路部２７を経てブロック露光装置１
０へ導かれ、パターンを形成する。
は、パターン発生回路部２７を経てブロック露光装置１
０へ導かれ、パターンを形成する。
なおパターン発生回路ブロック２７には予めプロセッサ
２１により基本照射時間が設定されており、これを上記
クロック補正データで補正したものか実際の露光時間に
なる。
２１により基本照射時間が設定されており、これを上記
クロック補正データで補正したものか実際の露光時間に
なる。
第２図にデータメモリ、ブロックマスククロックメモリ
、パターン発生回路部の関係を示す。データメモリ２６
から読出されたパターンデータＸ１、Ｙｌなどはパター
ン発生回路部２７へ、クロック補正量ＣＬＫ、は加算／
乗算器３１へ、またマスクＮＯはメモリ２８へ送られ、
このマスクＮＯで該メモリ２８から読出されたクロック
補正量ＣＬＫ２は」１記加算／乗算器３１へ送られる。
、パターン発生回路部の関係を示す。データメモリ２６
から読出されたパターンデータＸ１、Ｙｌなどはパター
ン発生回路部２７へ、クロック補正量ＣＬＫ、は加算／
乗算器３１へ、またマスクＮＯはメモリ２８へ送られ、
このマスクＮＯで該メモリ２８から読出されたクロック
補正量ＣＬＫ２は」１記加算／乗算器３１へ送られる。
パターン発生回路部２７はメモリ２６からのパターンデ
ータに従ってパターン情報を偏向器などのＤ／Ａ変換器
へ送ると共に、前記基本照射時間ＣＬ■（。を第２の加
算／乗算器３２へ送る。加算／乗算器３１の加算／乗算
結果ＣＬ Ｋ３も加算／乗算器３２へ送られ、加算／乗
算器３２はこれらＣＬＫｏとＣＬ Ｋ３の加算／乗算結
果ＣＬ Ｋを露光装置へ出力する。
ータに従ってパターン情報を偏向器などのＤ／Ａ変換器
へ送ると共に、前記基本照射時間ＣＬ■（。を第２の加
算／乗算器３２へ送る。加算／乗算器３１の加算／乗算
結果ＣＬ Ｋ３も加算／乗算器３２へ送られ、加算／乗
算器３２はこれらＣＬＫｏとＣＬ Ｋ３の加算／乗算結
果ＣＬ Ｋを露光装置へ出力する。
ブロックマスククロックメモリ２８への格納データは実
測して得る。具体的にはこれは、ブロックマスクの各パ
ターンをビーム照射したときの試料電流を測定すること
で行なう。ブロックマスク１５は第３図にも示すように
、光軸部に設けたパターン１５ａは可変矩形ビーム露光
で使用する矩形パターンとなっている。この先軸部に設
けた矩形パターン１５ａを用いて求めた電流密度（試料
電流−矩形パターン１５ａの面積）は、基本照射時間の
設定に使用する。
測して得る。具体的にはこれは、ブロックマスクの各パ
ターンをビーム照射したときの試料電流を測定すること
で行なう。ブロックマスク１５は第３図にも示すように
、光軸部に設けたパターン１５ａは可変矩形ビーム露光
で使用する矩形パターンとなっている。この先軸部に設
けた矩形パターン１５ａを用いて求めた電流密度（試料
電流−矩形パターン１５ａの面積）は、基本照射時間の
設定に使用する。
基本パターン１５ｂ、１５ｃ、・・・・・に対する補正
データは次のようにして得る。即ち、第４図（ａ）に示
す、第３図の運用マスク（ブロックマスク）の全面に該
運用マスクの光軸部に設けた矩形パターン１５ａを持つ
測定マスク１５Ａを用意し、これを露光装置に、該運用
マスクに代えてセットし、各パターンＯ，Ｉ、 ２．
・・・・・・を照射したときの試料電流を測定し、光軸
部のマスクパターン１５ａの電流密度に対する比率を算
出する。この結果、第４図（ｂ）の如きデータか得られ
る。
データは次のようにして得る。即ち、第４図（ａ）に示
す、第３図の運用マスク（ブロックマスク）の全面に該
運用マスクの光軸部に設けた矩形パターン１５ａを持つ
測定マスク１５Ａを用意し、これを露光装置に、該運用
マスクに代えてセットし、各パターンＯ，Ｉ、 ２．
・・・・・・を照射したときの試料電流を測定し、光軸
部のマスクパターン１５ａの電流密度に対する比率を算
出する。この結果、第４図（ｂ）の如きデータか得られ
る。
パターンＮ０１０に対する補正率は１．０００であるか
、これは基準であることに依る。測定マスクのパターン
］、＋ ２． ３． ・・・・・・に対する補正率は
１．０００より大きいが、これはマスク周辺の方かマス
ク中央よりビームの電流密度が低いことによる。この測
定要領を第５図（ａ）に示す。図示のようにパターンを
選択して試料電流を測定し■、パターン０に対する電流
密度補正値を得る■。これをマスク上の全パターンにつ
き行なう（Ｎはパターン数）。これてマスク上のパター
ンの位置に対する補正データか得られる。なお測定マス
クと運用マスクによる差、共存できない場合の交換に伴
なう露光装置の状態変化、などが考えられるか、これは
僅少として無視する。
、これは基準であることに依る。測定マスクのパターン
］、＋ ２． ３． ・・・・・・に対する補正率は
１．０００より大きいが、これはマスク周辺の方かマス
ク中央よりビームの電流密度が低いことによる。この測
定要領を第５図（ａ）に示す。図示のようにパターンを
選択して試料電流を測定し■、パターン０に対する電流
密度補正値を得る■。これをマスク上の全パターンにつ
き行なう（Ｎはパターン数）。これてマスク上のパター
ンの位置に対する補正データか得られる。なお測定マス
クと運用マスクによる差、共存できない場合の交換に伴
なう露光装置の状態変化、などが考えられるか、これは
僅少として無視する。
次に第５図（ｂ）に示すように運用マスクの各パターン
の試料電流を測定する■。光軸部の矩形パターン１５ａ
における電流密度も算出し、マスク製造時に定められた
各パターンの開口度（ビーム照射面積）により各試料電
流を見積る■。この見積り試料電流の算出の際に用いる
電流密度は、測定マスクで求められたパターン選択によ
る電流密度マツプにより補正する。そして各パターンの
測定試料電流値と見積り試料電流値との比較により、最
終補正を行なう■。この最終補正では、マスク製造精度
やパターン開口度による補正か混在するが、検査処理で
判別できる。例えば開口度か同じまたはそれに近いパタ
ーンの試料電流を比較したときなどはマスク製造精度が
関係してくるので、マスク自身の評価が可能である。最
終クロッり補正量はブロックマスククロックメモリへ格
納する■。
の試料電流を測定する■。光軸部の矩形パターン１５ａ
における電流密度も算出し、マスク製造時に定められた
各パターンの開口度（ビーム照射面積）により各試料電
流を見積る■。この見積り試料電流の算出の際に用いる
電流密度は、測定マスクで求められたパターン選択によ
る電流密度マツプにより補正する。そして各パターンの
測定試料電流値と見積り試料電流値との比較により、最
終補正を行なう■。この最終補正では、マスク製造精度
やパターン開口度による補正か混在するが、検査処理で
判別できる。例えば開口度か同じまたはそれに近いパタ
ーンの試料電流を比較したときなどはマスク製造精度が
関係してくるので、マスク自身の評価が可能である。最
終クロッり補正量はブロックマスククロックメモリへ格
納する■。
このキャブレーションは適当期間毎に行ない、ブロック
マスククロックメモリを更新する。こうしてクロック補
正量を常に最適値に保持することかできる。
マスククロックメモリを更新する。こうしてクロック補
正量を常に最適値に保持することかできる。
〔発明の効果〕 ′
以上説明したように本発明によれば、ブロックマスク上
の選択パターンによるビーム照射の不均一性をなくすこ
とかでき、これにより高精度露光を行なうことができる
。またブロックマスク上の各パターンの製造精度、露光
装置の特性なとにも対応することかでき、前者はブロッ
クマスクの製造のスループット向上にもつなかる。
の選択パターンによるビーム照射の不均一性をなくすこ
とかでき、これにより高精度露光を行なうことができる
。またブロックマスク上の各パターンの製造精度、露光
装置の特性なとにも対応することかでき、前者はブロッ
クマスクの製造のスループット向上にもつなかる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は制御部の構成を示すブロック図、第３図は運用
マスクの説明図、 第４図は測定マスクと修正データの説明図、第５図は補
正要領を示す流れ図、 第６図はブロックマスクを備える露光装置の説明図であ
る。 第１図で２８はブロックマスククロツタメモリ、第４図
の１４Ａは測定マスク、第６図の１５はブロックマスク
である。
マスクの説明図、 第４図は測定マスクと修正データの説明図、第５図は補
正要領を示す流れ図、 第６図はブロックマスクを備える露光装置の説明図であ
る。 第１図で２８はブロックマスククロツタメモリ、第４図
の１４Ａは測定マスク、第６図の１５はブロックマスク
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかま
たは可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロック
マスク（１５）を備える荷電粒子ビーム露光装置におい
て、 ブロックマスク上の各パターンに対する基本照射時間に
対する、実測して得た各パターン毎のクロック補正量を
格納するブロックマスククロックメモリ（２８）を有す
ることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。 ２、ブロックマスククロックメモリへ格納するクロック
補正量は、 ブロックマスクと同じ開口配列を持ち、各開口は全てブ
ロックマスクの中央の可変矩形パターン用矩形開口と同
じである測定マスク（１５Ａ）を用いて試料電流を測定
し、この結果から前記矩形開口に対する各開口の電流密
度補正を得、 次いでブロックマスクを用いて各パターンにつき試料電
流を測定し、前記電流密度補正値を使用して各パターン
の見積り試料電流を算出し、これと測定した各パターン
の試料電流値より算出することを特徴とする請求項１記
載の荷電粒子ビーム露光装置。 ３、荷電粒子ビームを複数の基本パターンのいずれかま
たは可変矩形パターンに整形する開口群を持つブロック
マスクを備える荷電粒子ビーム露光装置を用いる露光方
法において、 該ブロックマスク上の各パターンに対する基準照射時間
を与えておき、 実測して得た、該ブロックマスク上の各パターンに対す
るクロック補正量で、該基準照射時間を補正して、当該
パターンに対する露光時間を決定することを特徴とする
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305727A JP2907527B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305727A JP2907527B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04177717A true JPH04177717A (ja) | 1992-06-24 |
| JP2907527B2 JP2907527B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17948621
Family Applications (1)
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1990
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Cited By (4)
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