JPH06140309A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH06140309A JPH06140309A JP4284854A JP28485492A JPH06140309A JP H06140309 A JPH06140309 A JP H06140309A JP 4284854 A JP4284854 A JP 4284854A JP 28485492 A JP28485492 A JP 28485492A JP H06140309 A JPH06140309 A JP H06140309A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- resist pattern
- beam exposure
- deflection
- pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子ビーム露光方法に関し，電子ビ
ーム露光時に高精度のパターンを得るための補正手段を
目的とする。 【構成】 電子ビーム露光装置を用いて，基板１上のレ
ジスト膜に電子ビーム２を照射し，レジストパターン３
を形成するに際して，電子ビーム露光装置に補正ユニッ
ト４を備え，レジストパターン３の寸法が正規の幅で露
光されるように,電子ビーム２の偏向フィールド５内の
偏向位置６に応じて, 電子ビーム２のビームサイズを変
化して露光するように構成する。
ーム露光時に高精度のパターンを得るための補正手段を
目的とする。 【構成】 電子ビーム露光装置を用いて，基板１上のレ
ジスト膜に電子ビーム２を照射し，レジストパターン３
を形成するに際して，電子ビーム露光装置に補正ユニッ
ト４を備え，レジストパターン３の寸法が正規の幅で露
光されるように,電子ビーム２の偏向フィールド５内の
偏向位置６に応じて, 電子ビーム２のビームサイズを変
化して露光するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電子ビーム露光装置に
関し，特に高精度のパターン形成のための補正機構に関
する。
関し，特に高精度のパターン形成のための補正機構に関
する。
【０００２】近年，半導体デバイスの高集積化，微細化
にともない電子ビーム露光装置を用いて形成するパター
ンも極微細かつ高精度パターンが要求されており，それ
にともない，電子ビーム露光時のパターン形成における
補正機構も高度なテクニックが必要とされる。
にともない電子ビーム露光装置を用いて形成するパター
ンも極微細かつ高精度パターンが要求されており，それ
にともない，電子ビーム露光時のパターン形成における
補正機構も高度なテクニックが必要とされる。
【０００３】
【従来の技術】従来の電子ビーム露光においては，偏向
フィールド内の寸法分布を平坦化するために，静電磁場
を用いたダイナミック・フォーカス（焦点調節）やダイ
ナミック・スティグ（収差調節）といった機構を用いて
収差を補正して問題を解決してきた。
フィールド内の寸法分布を平坦化するために，静電磁場
を用いたダイナミック・フォーカス（焦点調節）やダイ
ナミック・スティグ（収差調節）といった機構を用いて
収差を補正して問題を解決してきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが，より高精度
なパターン形成を目的とする現在の状況においては，従
来技術のように偏向フィールド内でのパターン寸法の平
坦化を電子光学計の収差の改善のみで補正するだけでは
困難となってきている。
なパターン形成を目的とする現在の状況においては，従
来技術のように偏向フィールド内でのパターン寸法の平
坦化を電子光学計の収差の改善のみで補正するだけでは
困難となってきている。
【０００５】本発明は，上記の問題点に鑑み，電子ビー
ム露光時に高精度のパターンを得るより強力な補正手段
を得ることを目的として提供される。
ム露光時に高精度のパターンを得るより強力な補正手段
を得ることを目的として提供される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図で，図１（ａ）はレジストパターンの説明図，図１
（ｂ）は本発明の電子ビーム露光装置の模式断面図を示
している。
図で，図１（ａ）はレジストパターンの説明図，図１
（ｂ）は本発明の電子ビーム露光装置の模式断面図を示
している。
【０００７】図において，１は基板，２は電子ビーム，
３はレジストパターン，４は補正ユニット，５は偏向フ
ィールド，６は偏向位置，７は電子銃，８は第１スリッ
ト，９はスリットデフレクタ，10は第２スリット，11は
メインデフレクタである。
３はレジストパターン，４は補正ユニット，５は偏向フ
ィールド，６は偏向位置，７は電子銃，８は第１スリッ
ト，９はスリットデフレクタ，10は第２スリット，11は
メインデフレクタである。
【０００８】問題解決の手段として，本発明では，図１
（ｂ）に示すようなレジストパターン３の補正ユニット
４を設ける。即ち，可変矩形成形ビームの電子ビーム露
光装置においては，電子ビーム３のビームサイズをスリ
ットデフレクタ９のの印加電圧で調整できるため，偏向
フィールド５内のレジストパターン３の偏向位置６にも
とずいて補正電圧を与えれば，偏向フィールド５内のレ
ジストパターン３の寸法分布をより平坦化することがで
きる。
（ｂ）に示すようなレジストパターン３の補正ユニット
４を設ける。即ち，可変矩形成形ビームの電子ビーム露
光装置においては，電子ビーム３のビームサイズをスリ
ットデフレクタ９のの印加電圧で調整できるため，偏向
フィールド５内のレジストパターン３の偏向位置６にも
とずいて補正電圧を与えれば，偏向フィールド５内のレ
ジストパターン３の寸法分布をより平坦化することがで
きる。
【０００９】本発明の原理を図１（ａ）に示すと，先
ず，図１（ａ）の左図に示すように，偏向フィールド５
内の右上部のレジストパターン３が，寸法減少傾向を示
して，他の部位のレジストパターン３に比べて，パター
ン幅が設計値より細くなっているとすると，メインデフ
レクタ11が右上部に働いた時，スリットデフレクタ９の
電圧を調整し，電子ビーム２のビームサイズを大きくし
て，大きめにレジストパターン描画の矩形を発生させ
る。そして，大きめの電子ビーム２で右上部のレジスト
パターンのみ露光することにより，図１（ａ）の右図に
示すように，平坦化されて他の部位と同じ寸法のレジス
トパターン３が形成できる。
ず，図１（ａ）の左図に示すように，偏向フィールド５
内の右上部のレジストパターン３が，寸法減少傾向を示
して，他の部位のレジストパターン３に比べて，パター
ン幅が設計値より細くなっているとすると，メインデフ
レクタ11が右上部に働いた時，スリットデフレクタ９の
電圧を調整し，電子ビーム２のビームサイズを大きくし
て，大きめにレジストパターン描画の矩形を発生させ
る。そして，大きめの電子ビーム２で右上部のレジスト
パターンのみ露光することにより，図１（ａ）の右図に
示すように，平坦化されて他の部位と同じ寸法のレジス
トパターン３が形成できる。
【００１０】即ち, 本発明の目的は, 図１に示すよう
に，基板１上のレジスト膜に電子ビーム２を照射し，レ
ジストパターン３を形成するに際して，電子ビーム露光
装置に補正ユニット４を備え，該レジストパターン３の
寸法が正規の幅で露光されるように, 該電子ビーム２の
偏向フィールド５内の偏向位置６に応じて, 該電子ビー
ム２のビームサイズを変化して露光することにより達成
される。
に，基板１上のレジスト膜に電子ビーム２を照射し，レ
ジストパターン３を形成するに際して，電子ビーム露光
装置に補正ユニット４を備え，該レジストパターン３の
寸法が正規の幅で露光されるように, 該電子ビーム２の
偏向フィールド５内の偏向位置６に応じて, 該電子ビー
ム２のビームサイズを変化して露光することにより達成
される。
【００１１】
【作用】本発明によれば, マスク基板やウエハ上のレジ
ストパターンの描画データを検査して，偏向フィールド
内のレジストパターンに正規の設計値よりずれた寸法の
レジストパターンがあれば，そのレジストパターンの偏
向位置（描画位置）やパターン幅を検知し，その数値座
標を補正ユニットに入力して，スリットデフレクタの電
圧を加減して，電子ビーム露光時に自動的にその偏向位
置のパターンの露光ビームの大きさを可変する。
ストパターンの描画データを検査して，偏向フィールド
内のレジストパターンに正規の設計値よりずれた寸法の
レジストパターンがあれば，そのレジストパターンの偏
向位置（描画位置）やパターン幅を検知し，その数値座
標を補正ユニットに入力して，スリットデフレクタの電
圧を加減して，電子ビーム露光時に自動的にその偏向位
置のパターンの露光ビームの大きさを可変する。
【００１２】これにより，全てのレジストパターンの寸
法が正規の幅で形成されることとなる。
法が正規の幅で形成されることとなる。
【００１３】
【実施例】図２は本発明の補正ユニット，図３は演算処
理の説明図である。図１〜図３により本発明の一実施例
について説明する。
理の説明図である。図１〜図３により本発明の一実施例
について説明する。
【００１４】４は補正ユニット，６は偏向位置，12はメ
モリーマップ, 13は演算回路である。問題解決の手段と
して，本発明では，前述の図１（ｂ）に示すようなレジ
ストパターンの補正ユニット４を設けた電子ビーム露光
装置において，電子銃７より発射された電子ビーム２は
第１スリット８を通過後，スリットデフレクタ９での偏
向により第２スリット10を通過する時の電子ビーム２の
ショットサイズが制御されている。
モリーマップ, 13は演算回路である。問題解決の手段と
して，本発明では，前述の図１（ｂ）に示すようなレジ
ストパターンの補正ユニット４を設けた電子ビーム露光
装置において，電子銃７より発射された電子ビーム２は
第１スリット８を通過後，スリットデフレクタ９での偏
向により第２スリット10を通過する時の電子ビーム２の
ショットサイズが制御されている。
【００１５】この電子ビーム２はメインデフレクタ11で
偏向フィールド５内の目的の偏向位置６に入射するよう
に偏向されるので，補正ユニット４に偏向位置６を入力
して電子ビーム２のショットサイズの補正量をスリット
デフレクタ９において加算すれば，メインデフレクタ11
を通過し，基板１に電子ビーム２を照射する時に，電子
ビーム２のショットサイズは補正されている。
偏向フィールド５内の目的の偏向位置６に入射するよう
に偏向されるので，補正ユニット４に偏向位置６を入力
して電子ビーム２のショットサイズの補正量をスリット
デフレクタ９において加算すれば，メインデフレクタ11
を通過し，基板１に電子ビーム２を照射する時に，電子
ビーム２のショットサイズは補正されている。
【００１６】補正ユニット４に関する実施例は図２に示
される。即ち，図２に示すように，２ａの入力値を包含
する４個のグリッド交点に該当する補正値 Ｄ0 〜Ｄ3
がメモリーマップ12から２ｃの演算回路13に入る。
される。即ち，図２に示すように，２ａの入力値を包含
する４個のグリッド交点に該当する補正値 Ｄ0 〜Ｄ3
がメモリーマップ12から２ｃの演算回路13に入る。
【００１７】一方，２ａの入力値も，直接２ｃの演算回
路13に入り，図３に示すように, 演算処理を行い，２ｄ
の出力Ｘ，Ｙとなる。演算処理は，図３に示すようにＤ
0 〜Ｄ3 を（Ｘ0 ，Ｙ0 ）〜（Ｘ1 ，Ｙ1 ）の補正値，
Ｘ1 −Ｘ0 はＸのグリッドサイズ，Ｙ１−Ｙ０はＹのグ
リッドサイズとすると，任意のＸ（Ｘ0 ≦Ｘ＜Ｘ1 ），
Ｙ（Ｙ0 ≦Ｙ＜Ｙ1 ）に対する補正値Ｄは の式により求めることができる。
路13に入り，図３に示すように, 演算処理を行い，２ｄ
の出力Ｘ，Ｙとなる。演算処理は，図３に示すようにＤ
0 〜Ｄ3 を（Ｘ0 ，Ｙ0 ）〜（Ｘ1 ，Ｙ1 ）の補正値，
Ｘ1 −Ｘ0 はＸのグリッドサイズ，Ｙ１−Ｙ０はＹのグ
リッドサイズとすると，任意のＸ（Ｘ0 ≦Ｘ＜Ｘ1 ），
Ｙ（Ｙ0 ≦Ｙ＜Ｙ1 ）に対する補正値Ｄは の式により求めることができる。
【００１８】
【発明の効果】本装置によれば, 偏向フィールド内のレ
ジストパターンの寸法分布の不均一的な傾向を軽減する
ことにより，高精度のマスク基板，或いはウエハ上のレ
ジストパターン形成が可能となり，半導体製造に求めら
れている高集積化の要求に応えていくことができる。
ジストパターンの寸法分布の不均一的な傾向を軽減する
ことにより，高精度のマスク基板，或いはウエハ上のレ
ジストパターン形成が可能となり，半導体製造に求めら
れている高集積化の要求に応えていくことができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の補正ユニット
【図３】 演算処理の説明図
１ 基板 ２ 電子ビーム ３ レジストパターン ４ 補正ユニット ５ 偏向フィールド ６ 偏向位置 ７ 電子銃 ８ 第１スリット ９ スリットデフレクタ 10 第２スリット 11 メインデフレクタ 12 メモリーマップ 13 演算回路
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビーム露光装置を用いて，基板(1)
上のレジスト膜に電子ビーム(2) を照射し，レジストパ
ターン(3) を形成するに際して， 電子ビーム露光装置に補正ユニット(4) を備え，該レジ
ストパターン(3) 寸法が正規の幅で露光されるように,
該電子ビーム(2) の偏向フィールド(5) 内の偏向位置
(6) に応じて, 該電子ビーム(2) のビームサイズを変化
して露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284854A JPH06140309A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284854A JPH06140309A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140309A true JPH06140309A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17683895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4284854A Withdrawn JPH06140309A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
| JP2016082131A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームを用いた描画方法、および荷電粒子ビーム描画でのショット補正方法 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4284854A patent/JPH06140309A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
| JP2016082131A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームを用いた描画方法、および荷電粒子ビーム描画でのショット補正方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |