JPH04181534A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JPH04181534A JPH04181534A JP31332390A JP31332390A JPH04181534A JP H04181534 A JPH04181534 A JP H04181534A JP 31332390 A JP31332390 A JP 31332390A JP 31332390 A JP31332390 A JP 31332390A JP H04181534 A JPH04181534 A JP H04181534A
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- JP
- Japan
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- film
- layer
- ferromagnetic
- temperature
- magneto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はオーバーライト可能な光磁気記録媒体及び光磁
気記録方法に関する。
気記録方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。
この光磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、オーバーライト
（重ね書き）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への利用
が期待されている。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同
等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とするため
には５いくつかの技術的課題があり、その中の主要なも
のの１つに、オーバーライト技術がある。現在提案され
ているオーバーライト技術は、記録の方法により磁界変
調方式と光変調方式（マルチビーム方式、２層膜方式等
）に大別される。
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、オーバーライト
（重ね書き）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への利用
が期待されている。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同
等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とするため
には５いくつかの技術的課題があり、その中の主要なも
のの１つに、オーバーライト技術がある。現在提案され
ているオーバーライト技術は、記録の方法により磁界変
調方式と光変調方式（マルチビーム方式、２層膜方式等
）に大別される。
磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界の極性を反転
させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の反
転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの磁
気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が困難である。
させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の反
転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの磁
気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が困難である。
一方、光変調方式は記録情報に応じて照射レーザビーム
をオン・オフあるいは強度変調させて記録させて記録を
行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式は、
２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎
に反転させてトランク毎に記録／消去を行う擬似オーバ
ーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コストア
ップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜方式
は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライ
トを達成しようとするもので２例えば特開昭６２−１７
５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載され
ている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層とＴｂ
ＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備えた光
磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界の印
加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオーバー
ライトを実現しようとするものである。すなわち、この
方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補助層
の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射して
媒体温度Ｔを” ＞ＴＣ２（Ｔ１．２は補助層のキュリ
ー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁
界と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒
体が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させるこ
とにより記録を行い、また、低出力レーザビームを照射
して媒体温度をＴＣ，＜Ｔ＜ＴＣ２（ＴＣｌはメモリ層
のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方
向をメモリ層に転写させることにより消去を行う。その
ため、この方式では、媒体設計が難しい、媒体の保管時
等の外部からの磁界の影響を受けやすい等の問題があっ
た。
をオン・オフあるいは強度変調させて記録させて記録を
行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式は、
２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎
に反転させてトランク毎に記録／消去を行う擬似オーバ
ーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コストア
ップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜方式
は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライ
トを達成しようとするもので２例えば特開昭６２−１７
５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載され
ている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層とＴｂ
ＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備えた光
磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界の印
加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオーバー
ライトを実現しようとするものである。すなわち、この
方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補助層
の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射して
媒体温度Ｔを” ＞ＴＣ２（Ｔ１．２は補助層のキュリ
ー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁
界と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒
体が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させるこ
とにより記録を行い、また、低出力レーザビームを照射
して媒体温度をＴＣ，＜Ｔ＜ＴＣ２（ＴＣｌはメモリ層
のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方
向をメモリ層に転写させることにより消去を行う。その
ため、この方式では、媒体設計が難しい、媒体の保管時
等の外部からの磁界の影響を受けやすい等の問題があっ
た。
本発明は以上のような従来技術の欠点を解消し、信頼性
が高く、媒体構成が簡単な単一レーザビームでオーバー
ライトできる光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供
することを目的とする。
が高く、媒体構成が簡単な単一レーザビームでオーバー
ライトできる光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供
することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、垂直磁気異
方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁
性膜を示し室温より高い温度で磁気相転移を生じて強磁
性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積層した２層
膜からなり、かつ、メモリ層のキュリー温度をＴＣｌ、
補助層のキュリー温度をＴＣ２としたときにＴＣ１〈Ｔ
Ｃ２なる関係を満足する記録層を有することを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁
性膜を示し室温より高い温度で磁気相転移を生じて強磁
性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積層した２層
膜からなり、かつ、メモリ層のキュリー温度をＴＣｌ、
補助層のキュリー温度をＴＣ２としたときにＴＣ１〈Ｔ
Ｃ２なる関係を満足する記録層を有することを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
また、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜
からなるメモリ層と、室温で反強磁性膜を示し室温より
高い温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性
膜からなる補助層と、メモリ層と補助層との間の交換結
合力を調整するために両層間に介在する中間層とからな
り、かつ、メモリ層のキュリー温度をＴＣ１．補助層の
キュリー温度をＴＣ２としたときにＴＣ、＜Ｔ。２なる
関係を満足する記録層を有することを特徴とする光磁気
記録媒体が提供される。
からなるメモリ層と、室温で反強磁性膜を示し室温より
高い温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性
膜からなる補助層と、メモリ層と補助層との間の交換結
合力を調整するために両層間に介在する中間層とからな
り、かつ、メモリ層のキュリー温度をＴＣ１．補助層の
キュリー温度をＴＣ２としたときにＴＣ、＜Ｔ。２なる
関係を満足する記録層を有することを特徴とする光磁気
記録媒体が提供される。
さらに、本発明によれば、上記の光磁気記録媒体を用い
、記録時には媒体温度が補助層のキュリー温度ＴＣ２付
近迄昇温するような高いパワーのレーザビームを照射す
るとともに外部磁界Ｈｅｒを印加し、消去時には媒体温
度がメモリ層のキュリー温度ＴＣｌ付近迄昇温するよう
な低いパワーのレーザビームを照射するとともに記録時
と同じ外部磁界Ｈｅｒを印加し、かつ、補助層の磁化を
一方向に揃える初期化を、記録あるいは消去後の媒体温
度降下時に初期化用磁界Ｈｉｎ ｉを用いて行うことを
特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が提供
される。
、記録時には媒体温度が補助層のキュリー温度ＴＣ２付
近迄昇温するような高いパワーのレーザビームを照射す
るとともに外部磁界Ｈｅｒを印加し、消去時には媒体温
度がメモリ層のキュリー温度ＴＣｌ付近迄昇温するよう
な低いパワーのレーザビームを照射するとともに記録時
と同じ外部磁界Ｈｅｒを印加し、かつ、補助層の磁化を
一方向に揃える初期化を、記録あるいは消去後の媒体温
度降下時に初期化用磁界Ｈｉｎ ｉを用いて行うことを
特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が提供
される。
以下本発明を図面に基づき詳述する。
本発明の光磁気記録媒体（請求項１の記録媒体）は記録
層が垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と
、室温で反強磁性膜を示し室温より高い温度で磁気相転
移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜とを積層してなる
。第１図にこのような光磁気記録媒体の一構成例を示す
。この記録媒体は、ガラス、プラスチック、セラミック
スなどからなる透明支持体ｌ上にＳｉ３Ｎ４、Ｓｉｎ、
ＳｉＯ□などからなる保護膜２（膜厚１００Ａ〜５０
０ＯＡ）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁性
膜３（膜厚１００Ａ〜５０００Ａ）を設け、その上に室
温で反強磁性膜を示し室温より温度を高くすると磁気相
転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４（膜厚１００
Ａ−１０００ＯＡ）を設け、さらにその上にＳｉ３Ｎ４
、Ｓｉｎ、 ５ｉ０２などからなる保護膜５（膜厚１０
０Ａ−５００ＯＡ）を設けて構成される。各膜はスパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法等により形成す
ることができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ
−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｄｙ−Ｆ ｅ−Ｃｏ
、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｇｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、ある
いはＭｎ−Ｂ ｉ 、 Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂ ｉ 、 Ｃｏ
スピネルフェライトＢａフェライトなどの多結晶膜によ
り構成することができる。反強磁性膜４は例えばＭｎ２
Ｓｂ、Ｍｎ□−，５ｂＹｘ（Ｙ＝Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ等）を
用いて構成することができる。
層が垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と
、室温で反強磁性膜を示し室温より高い温度で磁気相転
移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜とを積層してなる
。第１図にこのような光磁気記録媒体の一構成例を示す
。この記録媒体は、ガラス、プラスチック、セラミック
スなどからなる透明支持体ｌ上にＳｉ３Ｎ４、Ｓｉｎ、
ＳｉＯ□などからなる保護膜２（膜厚１００Ａ〜５０
０ＯＡ）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁性
膜３（膜厚１００Ａ〜５０００Ａ）を設け、その上に室
温で反強磁性膜を示し室温より温度を高くすると磁気相
転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４（膜厚１００
Ａ−１０００ＯＡ）を設け、さらにその上にＳｉ３Ｎ４
、Ｓｉｎ、 ５ｉ０２などからなる保護膜５（膜厚１０
０Ａ−５００ＯＡ）を設けて構成される。各膜はスパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法等により形成す
ることができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ
−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｄｙ−Ｆ ｅ−Ｃｏ
、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｇｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、ある
いはＭｎ−Ｂ ｉ 、 Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂ ｉ 、 Ｃｏ
スピネルフェライトＢａフェライトなどの多結晶膜によ
り構成することができる。反強磁性膜４は例えばＭｎ２
Ｓｂ、Ｍｎ□−，５ｂＹｘ（Ｙ＝Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ等）を
用いて構成することができる。
これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は第２図に示す如き
熱磁気特性を有している必要がある。また、強磁性膜３
のキュリー温度をＴＣｌ、反強磁性膜４のキュリー温度
をＴＣ２とするとＴＣｒ＜ＴＣ２という関係を満足する
必要がある。
熱磁気特性を有している必要がある。また、強磁性膜３
のキュリー温度をＴＣｌ、反強磁性膜４のキュリー温度
をＴＣ２とするとＴＣｒ＜ＴＣ２という関係を満足する
必要がある。
次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気記録方法につ
いて説明する。
いて説明する。
記録は、高いパワーのレーザビームを記録すべき部分に
照射して媒体温度を反強磁性膜４のキュリー温度ＴＣ２
付近迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｗを印加して行う
。当該記録すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態にお
いて強磁性膜３が上向き（または下向き）で反強磁性膜
４が見かけ上ゼロであったものが、高いパワーのレーザ
ビーム照射によりＴＣＺ付近迄昇温するため強磁性膜３
では磁化が消失し、反強磁性膜４では上向きの大きさが
小さい磁化となる。そしてこの時、外部磁界Ｈｅｘが下
向きに印加されていることからその磁化は反転され、下
向きとなり、この下向きの磁化は、冷却の過程でＴＣＩ
付近になったとき強磁性膜３の方へ転写され、そのまま
保持される。このとき反強磁性膜４の磁化は室温に戻る
と反強磁性膜になるため見かけ上の磁化はゼロとなるが
、アンチフェロ的な結合が存在しているため、外部から
大きな磁界が加わっても反転することはなく安定であり
、また室温においては反強磁性膜４の磁化が強磁性膜３
の磁化に影響を与えることがないので、信頼性が向上す
る。
照射して媒体温度を反強磁性膜４のキュリー温度ＴＣ２
付近迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｗを印加して行う
。当該記録すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態にお
いて強磁性膜３が上向き（または下向き）で反強磁性膜
４が見かけ上ゼロであったものが、高いパワーのレーザ
ビーム照射によりＴＣＺ付近迄昇温するため強磁性膜３
では磁化が消失し、反強磁性膜４では上向きの大きさが
小さい磁化となる。そしてこの時、外部磁界Ｈｅｘが下
向きに印加されていることからその磁化は反転され、下
向きとなり、この下向きの磁化は、冷却の過程でＴＣＩ
付近になったとき強磁性膜３の方へ転写され、そのまま
保持される。このとき反強磁性膜４の磁化は室温に戻る
と反強磁性膜になるため見かけ上の磁化はゼロとなるが
、アンチフェロ的な結合が存在しているため、外部から
大きな磁界が加わっても反転することはなく安定であり
、また室温においては反強磁性膜４の磁化が強磁性膜３
の磁化に影響を与えることがないので、信頼性が向上す
る。
なお、第３図（りには記録後の降温時における磁化状態
が示しである。
が示しである。
消去は、低いパワーのレーザビームを消去すべき部分に
照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー温度ＴＣｌ付
近進上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加して行う（
第３図（ｂ））。媒体温度がＴＣ、付近になるとあらか
じめ初期化されて上向きになっている反強磁性膜４の磁
化の大きさは下向きになっている強磁性膜３の磁化の大
きさより大きくなる（反強磁性膜４の保磁力ＨＣＺの大
きさは外部磁界Ｈｅｘの大きさより大）ため、反強磁性
膜４の磁化が強磁性膜４に転写され、強磁性膜３の磁化
が上向きとなり、消去がなされる。
照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー温度ＴＣｌ付
近進上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加して行う（
第３図（ｂ））。媒体温度がＴＣ、付近になるとあらか
じめ初期化されて上向きになっている反強磁性膜４の磁
化の大きさは下向きになっている強磁性膜３の磁化の大
きさより大きくなる（反強磁性膜４の保磁力ＨＣＺの大
きさは外部磁界Ｈｅｘの大きさより大）ため、反強磁性
膜４の磁化が強磁性膜４に転写され、強磁性膜３の磁化
が上向きとなり、消去がなされる。
反強磁性膜４の磁化の初期化は、記録／消去後の媒体温
度降下時に、すなわち媒体温度がＴＣ１以下（相転移温
度よりは上）の時に、第３図（ａ）に示すように、初期
化用磁界Ｈｉｎｉ（印加方向は外部磁界Ｎｅｗとは反対
の方向）を用いて反強磁性膜４の磁化を上向きに揃える
ことにより行う。
度降下時に、すなわち媒体温度がＴＣ１以下（相転移温
度よりは上）の時に、第３図（ａ）に示すように、初期
化用磁界Ｈｉｎｉ（印加方向は外部磁界Ｎｅｗとは反対
の方向）を用いて反強磁性膜４の磁化を上向きに揃える
ことにより行う。
また、再生は媒体温度がＴＣｌ以下となるパワーレベル
のレーザビームを照射することにより行われる。
のレーザビームを照射することにより行われる。
次に本発明による別のタイプ光磁気記録媒体（請求項２
の記録媒体）について説明する。この光磁気記録媒体は
、記録層が垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモ
リ層と、室温で反強磁性膜を示し室温より高い温度で磁
気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜と、その間
に両層の交換結合力を調整する中間層を設けてなる。第
４図にこのような光磁気記録媒体の一構成例を示す。こ
の記録媒体は、第１図と同様の透明支持体ｌ上に保護膜
２を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３を
設け、その上に強磁性膜３と反強磁性膜４との間の交換
結合力を調整するための中間層６を設け、その上に室温
で反強磁性膜を示し室温より温度を高くすると磁気相転
移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４を設け、さらに
その上に保護膜５を設けて構成される。中間層６以外の
各膜は第１図のものと同様に構成することができる。中
間層６は強磁性膜３及び反強磁性膜４との間の交換結合
力を調整するために設けられるもので、その材料として
は、これら磁性膜３，４を劣化させないもので、非磁性
材料か面内磁気異方性をもつ磁性材料が好ましい。具体
的には、このような材料としては、Ｓｉ、Ａｎ、＾ｇ、
＾ｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、５ｉ−Ｎ、ＡＱ
−Ｎ、 Ｆｅ−Ｎ等を挙げることができる。中間層６の
膜厚は、薄すぎると両磁性層３，４間に作用する交換結
合力が大きくなって大きな初期化用磁界ＨＩｎ＋が必要
となるので好ましくなく、厚すぎると両磁性層３．４間
の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に支障をきた
すので、数Ａ−１００Ａ程度が適当である。
の記録媒体）について説明する。この光磁気記録媒体は
、記録層が垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモ
リ層と、室温で反強磁性膜を示し室温より高い温度で磁
気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜と、その間
に両層の交換結合力を調整する中間層を設けてなる。第
４図にこのような光磁気記録媒体の一構成例を示す。こ
の記録媒体は、第１図と同様の透明支持体ｌ上に保護膜
２を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３を
設け、その上に強磁性膜３と反強磁性膜４との間の交換
結合力を調整するための中間層６を設け、その上に室温
で反強磁性膜を示し室温より温度を高くすると磁気相転
移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４を設け、さらに
その上に保護膜５を設けて構成される。中間層６以外の
各膜は第１図のものと同様に構成することができる。中
間層６は強磁性膜３及び反強磁性膜４との間の交換結合
力を調整するために設けられるもので、その材料として
は、これら磁性膜３，４を劣化させないもので、非磁性
材料か面内磁気異方性をもつ磁性材料が好ましい。具体
的には、このような材料としては、Ｓｉ、Ａｎ、＾ｇ、
＾ｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、５ｉ−Ｎ、ＡＱ
−Ｎ、 Ｆｅ−Ｎ等を挙げることができる。中間層６の
膜厚は、薄すぎると両磁性層３，４間に作用する交換結
合力が大きくなって大きな初期化用磁界ＨＩｎ＋が必要
となるので好ましくなく、厚すぎると両磁性層３．４間
の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に支障をきた
すので、数Ａ−１００Ａ程度が適当である。
この光磁気記録媒体の記録、消去、再生及び初期化の各
動作は第１図の記録媒体と同様にして行われる（第５図
に第３図に相当する動作説明図を示す）ｅ なお、この光磁気記録媒体では初期化温度Ｔｉｎ１で初
期化するときには、強磁性膜（メモリ層）３と反強磁性
膜（補助層）４の磁気特性が次のような条件を満たして
いる必要があり、その条件を満足するように中間層６の
膜厚を制御する。
動作は第１図の記録媒体と同様にして行われる（第５図
に第３図に相当する動作説明図を示す）ｅ なお、この光磁気記録媒体では初期化温度Ｔｉｎ１で初
期化するときには、強磁性膜（メモリ層）３と反強磁性
膜（補助層）４の磁気特性が次のような条件を満たして
いる必要があり、その条件を満足するように中間層６の
膜厚を制御する。
δＷ
）（ｃｌ ＞ ＨＯ２＞ −
Ｍｓ−ｈ
ここで、ＨＣＩは強磁性膜３の保磁力、 ＨＣｌは反強
磁性膜４の保磁力、δＷは両膜３．４間の磁壁エネルギ
ー、Ｍｓは反強磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはい
ずれもＴｉ旧での値であり、ｂは反強磁性膜４の膜厚で
ある。
磁性膜４の保磁力、δＷは両膜３．４間の磁壁エネルギ
ー、Ｍｓは反強磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはい
ずれもＴｉ旧での値であり、ｂは反強磁性膜４の膜厚で
ある。
また、再生は媒体温度がＴＣｌ以下となるパワーレベル
のレーザビームを照射することにより行われる。
のレーザビームを照射することにより行われる。
以上、本発明の光磁気記録媒体の構成例を説明してきた
が、本発明はこれらのみに限定されるものではなく種々
の変形、変更が可能であり１例えば保護膜５の上に反射
膜を設けても良いし、保護膜２．５を適当に除いても良
い。
が、本発明はこれらのみに限定されるものではなく種々
の変形、変更が可能であり１例えば保護膜５の上に反射
膜を設けても良いし、保護膜２．５を適当に除いても良
い。
次に本発明を実施例により更に詳細に説明するが２本発
明は二こに例示の実施例に限定されるものではない。
明は二こに例示の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
グループ付きポリカーボネート基板（直径１３０ｍｍ）
の上に百２元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を
真空中で順次積層し、第１図の構成の記録媒体を得た。
の上に百２元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を
真空中で順次積層し、第１図の構成の記録媒体を得た。
１
保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１００ＯＡ）
強磁性膜：Ｔｂｏ−ｚ＋（Ｆｅｏ、＊ｚＣｏｏ、ｏｓ）
ｏ、ｙｓ膜（８００Ａ）反強磁性膜：Ｍｎ１．６ＳｂＣ
ｒｏ、４膜（１００ＯＡ）保護膜：３ ｉ ３Ｎ４膜（
１００ＯＡ）強磁性膜のキュリー温度ＴＣｌ及び反強磁
性膜のキュリー温度ＴＣ２は次の通りであった。
ｏ、ｙｓ膜（８００Ａ）反強磁性膜：Ｍｎ１．６ＳｂＣ
ｒｏ、４膜（１００ＯＡ）保護膜：３ ｉ ３Ｎ４膜（
１００ＯＡ）強磁性膜のキュリー温度ＴＣｌ及び反強磁
性膜のキュリー温度ＴＣ２は次の通りであった。
ＴＣ１＝］６０℃
ＴＣ２＝２４０℃
また１反強磁性膜の反強磁性膜から強磁性相へ磁気相転
移する温度は５０℃であった。
移する温度は５０℃であった。
以上のようにして得た記録媒体を線速１０ｍ／秒で駆動
させ、初期化用磁界Ｈｉ ｎ ｉ ＝２ＫＯｅ、外部磁
界Ｈｅｒ＝４０００ｅ（記録時と消去時ともに同一方向
）を印加するとともに、記録時、消去時及び再生時で以
下のように照射レーザパワーを変化させてＩＭＨｚの信
号を記録再生し、記録／再生特性の評価を行った。
させ、初期化用磁界Ｈｉ ｎ ｉ ＝２ＫＯｅ、外部磁
界Ｈｅｒ＝４０００ｅ（記録時と消去時ともに同一方向
）を印加するとともに、記録時、消去時及び再生時で以
下のように照射レーザパワーを変化させてＩＭＨｚの信
号を記録再生し、記録／再生特性の評価を行った。
記録時のレーザパワー＋ ７ 、５ｔａＷ消去時のレー
ザパワー：５．５ｍＷ 再生時のレーザバクー： ２ｒｎＷ その結果、 Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、該
記録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバ
ーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な
値を示した。
ザパワー：５．５ｍＷ 再生時のレーザバクー： ２ｒｎＷ その結果、 Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、該
記録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバ
ーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な
値を示した。
（実施例２）
グループ付きポリカーボネート基板（直径１３０＋＋ｏ
ｎ）の上に百２元マグネトロンスパッタ法により下記の
膜を真空中で順次積層し、第４図の構成の記録媒体を得
た。
ｎ）の上に百２元マグネトロンスパッタ法により下記の
膜を真空中で順次積層し、第４図の構成の記録媒体を得
た。
保護膜：Ｓｉ３Ｎ４膜（１０００人）
強磁性膜’Ｔｂ０−２１（Ｆｌ！０−９２Ｃ００−０１
１）Ｏ−７９膜（６００Ａ）中間膜：５ｉ３Ｎ４（ＩＯ
Ａ） 反強磁性Ｍ：Ｍｎ１．６ＳｂＣｒｏ、４膜（１５０ＯＡ
）保護膜＋５ｉ３Ｎ４膜（１００ＯＡ） 強磁性膜のキュリー温度ＴＣｌ、反強磁性膜のキュリー
温１１：、ＴＣ２及び反強磁性膜の磁気相転移温度Ｔｐ
ｅは次の通りであった。
１）Ｏ−７９膜（６００Ａ）中間膜：５ｉ３Ｎ４（ＩＯ
Ａ） 反強磁性Ｍ：Ｍｎ１．６ＳｂＣｒｏ、４膜（１５０ＯＡ
）保護膜＋５ｉ３Ｎ４膜（１００ＯＡ） 強磁性膜のキュリー温度ＴＣｌ、反強磁性膜のキュリー
温１１：、ＴＣ２及び反強磁性膜の磁気相転移温度Ｔｐ
ｅは次の通りであった。
ＴＣ＋＝１６（１℃
ＴＣ２＝２４０℃
Ｔｐｃ−５０℃
以上のようにして得た記録媒体を線速１０ｍ１秒で駆動
させ、初期化用磁界Ｈｉｎｉ−２ＫＯｅ、外部磁界Ｈｅ
ｘ＝４０００ｅ（記録時と消去時ともに同一方向）を印
加するとともに、記録時、消去時及び再生時で以下のよ
うに照射レーザパワーを変化させて１Ｍｔｂの信号を記
録再生し、記録／再生特性の評価を行った１゜記録時の
レーザパワー８ｃＷ 消去時のレーザパワー： ５ｍＷ 再生時のレーザパワー：ＩｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、該記
録媒体上に同一条件で２Ｍ）Ｉｔの記録周波数でオーバ
ーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な
値を示した。
させ、初期化用磁界Ｈｉｎｉ−２ＫＯｅ、外部磁界Ｈｅ
ｘ＝４０００ｅ（記録時と消去時ともに同一方向）を印
加するとともに、記録時、消去時及び再生時で以下のよ
うに照射レーザパワーを変化させて１Ｍｔｂの信号を記
録再生し、記録／再生特性の評価を行った１゜記録時の
レーザパワー８ｃＷ 消去時のレーザパワー： ５ｍＷ 再生時のレーザパワー：ＩｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、該記
録媒体上に同一条件で２Ｍ）Ｉｔの記録周波数でオーバ
ーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な
値を示した。
本発明によれば、前記構成としたことにより、保存安定
性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバーラ
イトのできる光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供
できる。
性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバーラ
イトのできる光磁気記録媒体及び光磁気記録方法を提供
できる。
また、メモリ層と補助層との間に中間層を設けると、メ
モリ層と補助層との間に作用する交換結合力が適当に調
整されるため初期化用磁界Ｈｉｎｉを小さくすることが
でき、媒体設計をより容易に行えるようになる。
モリ層と補助層との間に作用する交換結合力が適当に調
整されるため初期化用磁界Ｈｉｎｉを小さくすることが
でき、媒体設計をより容易に行えるようになる。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す断
面図、第２図は本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び
反強磁性膜の飽和磁化Ｍｙの温度特性を示す図、第３図
は第１図の記録媒体の初期化時、記録時及び消去時にお
ける磁化状態を示す図、第４図は本発明により別のタイ
プの光磁気記録媒体の層構成を示す断面図、第５図は第
４図の記録媒体の初期化時、記録時及び消去時における
磁化状態を示す図である。 ｌ・・・支持体 ２．５・・・保護膜 ３・・・強磁性膜（メモリ層） ４・・・反強磁性膜（補助層） ６・・・中間層
面図、第２図は本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び
反強磁性膜の飽和磁化Ｍｙの温度特性を示す図、第３図
は第１図の記録媒体の初期化時、記録時及び消去時にお
ける磁化状態を示す図、第４図は本発明により別のタイ
プの光磁気記録媒体の層構成を示す断面図、第５図は第
４図の記録媒体の初期化時、記録時及び消去時における
磁化状態を示す図である。 ｌ・・・支持体 ２．５・・・保護膜 ３・・・強磁性膜（メモリ層） ４・・・反強磁性膜（補助層） ６・・・中間層
Claims (3)
- （１）垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層
と、室温で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相
転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層
とを積層した２層膜からなり、かつ、メモリ層のキュリ
ー温度をＴ＿Ｃ＿１、補助層のキュリー温度をＴ＿Ｃ＿
２としたときにＴ＿Ｃ＿１＜Ｔ＿Ｃ＿２なる関係を満足
する記録層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層
と、室温で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相
転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層
と、メモリ層と補助層との間の交換結合力を調整するた
めに両層間に介在する中間層とからなり、かつ、メモリ
層のキュリー温度をＴ＿Ｃ＿１、補助層のキュリー温度
をＴ＿Ｃ＿２としたときにＴ＿Ｃ＿１＜Ｔ＿Ｃ＿２なる
関係を満足する記録層を有することを特徴とする光磁気
記録媒体。 - （３）請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体を用い、
記録時には媒体温度が補助層のキュリー温度Ｔ＿Ｃ＿２
付近迄昇温するような高いパワーのレーザビームを照射
するとともに外部磁界Ｈｅｘを印加し、消去時には媒体
温度がメモリ層のキュリー温度Ｔ＿Ｃ＿１付近迄昇温す
るような低いパワーのレーザビームを照射するとともに
記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印加し、 かつ、補助層の磁化を一方向に揃える初期化を、記録あ
るいは消去後の媒体温度降下時に初期化用磁界Ｈｉｎｉ
を用いて行うことを特徴とするオーバーライト可能な光
磁気記録方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5938390 | 1990-03-09 | ||
| JP2-59383 | 1990-03-09 | ||
| JP7408590 | 1990-03-24 | ||
| JP2-74085 | 1990-03-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181534A true JPH04181534A (ja) | 1992-06-29 |
| JP3000385B2 JP3000385B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0698881A1 (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0698881A1 (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium |
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