JPH03152743A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03152743A JPH03152743A JP1291064A JP29106489A JPH03152743A JP H03152743 A JPH03152743 A JP H03152743A JP 1291064 A JP1291064 A JP 1291064A JP 29106489 A JP29106489 A JP 29106489A JP H03152743 A JPH03152743 A JP H03152743A
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
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- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は、熱磁気的記録が可能であり、その記録情報を
磁気カー効果を利用して読み出すことができ、更に重ね
書き可能である光磁気記録媒体に関する。
磁気カー効果を利用して読み出すことができ、更に重ね
書き可能である光磁気記録媒体に関する。
従来より、消去可能な光メモリとして光磁気メモリが知
られている。この光磁気メモリは、磁気ヘッドを使った
磁気記録媒体と比べて、高密度記録、非接触での記録再
生などが可能という利点を有する。しかし、このような
光磁気メモリに情報を記録するには、一般に、既記緑部
分を記録前に消去（一方向に着磁）する必要があった。
られている。この光磁気メモリは、磁気ヘッドを使った
磁気記録媒体と比べて、高密度記録、非接触での記録再
生などが可能という利点を有する。しかし、このような
光磁気メモリに情報を記録するには、一般に、既記緑部
分を記録前に消去（一方向に着磁）する必要があった。
そこで、この記録前の消去の煩雑さを改良すべく、記録
再生用ヘッドを別々に設ける方式、あるいはレーザーの
連続ビームを照射しつつ同時に印加する磁場を変調しな
がら記録する方式などが提案された。しかしながら、こ
れらの記録方式は、装置が大がかりとなりコスト高にな
る、または高速の変調ができない等の欠点が有る。
再生用ヘッドを別々に設ける方式、あるいはレーザーの
連続ビームを照射しつつ同時に印加する磁場を変調しな
がら記録する方式などが提案された。しかしながら、こ
れらの記録方式は、装置が大がかりとなりコスト高にな
る、または高速の変調ができない等の欠点が有る。
そこで本件出願人は、上述の記録方式の欠点を解消でき
る光磁気記録方法やそれに適した光磁気記録媒体を先に
出願した（特開昭６２−１７５９４８号公報等） この記録方法は、二層構造の垂直磁化膜（第１磁性層、
第２磁性層）を有する光磁気記録媒体を使用し、記録ヘ
ッドからの２種類のレーザーパワー付与（同時にバイア
ス磁界Ｈａ印加）と、ヘッド部以外の位置における磁界
（以下、外部磁界ＨＥと称す）の印加とにより２値の記
録を行なう方法である。その２値の記録ビットは、（ｉ
）第２磁性屡の磁化方向に対して安定な向きに第１磁性
層の磁化方向が配向したビットと、（ｉｉ）第２磁性層
の磁化方向に対して安定でない向きに第１磁性層の磁化
方向が配向したビットとから成る。
る光磁気記録方法やそれに適した光磁気記録媒体を先に
出願した（特開昭６２−１７５９４８号公報等） この記録方法は、二層構造の垂直磁化膜（第１磁性層、
第２磁性層）を有する光磁気記録媒体を使用し、記録ヘ
ッドからの２種類のレーザーパワー付与（同時にバイア
ス磁界Ｈａ印加）と、ヘッド部以外の位置における磁界
（以下、外部磁界ＨＥと称す）の印加とにより２値の記
録を行なう方法である。その２値の記録ビットは、（ｉ
）第２磁性屡の磁化方向に対して安定な向きに第１磁性
層の磁化方向が配向したビットと、（ｉｉ）第２磁性層
の磁化方向に対して安定でない向きに第１磁性層の磁化
方向が配向したビットとから成る。
この記録方法は、比較的簡易な構成で且つ比較的小型の
記録再生装置により実施でき、高速の変調も可能であり
、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーライド）が
可能である等の点から有用な技術である。
記録再生装置により実施でき、高速の変調も可能であり
、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーライド）が
可能である等の点から有用な技術である。
〔発明が解決しようとする課題］
このような本願出願人による従来の光磁気記録媒体を使
用する場合には、通常、５ ＫＯｅ程度以上の外部磁界
Ｈｔが必要であった。この比較的大きな外部磁界Ｈｇに
より記録ビットが消失してしまう場合も従来は有った。
用する場合には、通常、５ ＫＯｅ程度以上の外部磁界
Ｈｔが必要であった。この比較的大きな外部磁界Ｈｇに
より記録ビットが消失してしまう場合も従来は有った。
また、その外部磁界ＨＥの発生装置が、記録装置全体を
よりいっそうコンパクト化しようとする場合の妨げにな
っていた。
よりいっそうコンパクト化しようとする場合の妨げにな
っていた。
本発明の目的は、外部磁界ＨＥが比較的小さくても従来
のものと同様の良好な重ね書きが可能であり、その外部
磁界Ｈｔの低減化により記録ビット消失の防止および記
録装置の更なるコンパクト化を可能とする光磁気記録媒
体を提供することにある。
のものと同様の良好な重ね書きが可能であり、その外部
磁界Ｈｔの低減化により記録ビット消失の防止および記
録装置の更なるコンパクト化を可能とする光磁気記録媒
体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者は、上記目的を達成すべく検討を重ねた結果、
光磁気記録媒体の磁性層を特定の３屡構成にすることが
非常に有効であることを見出し本発明を完成した。
光磁気記録媒体の磁性層を特定の３屡構成にすることが
非常に有効であることを見出し本発明を完成した。
すなわち本発明は、キュリー点Ｔ、および保磁力Ｈ１を
有する第１磁性層と、キュリー点Ｔ２および保磁力Ｈ２
を有する第２磁性層と、キュリー点Ｔ３および保磁力Ｈ
５を有する第３磁性層とを基体上に有し、該第１磁性層
、該第２磁性層および該第３磁性層が、希土類元素と遷
移金属元素との非晶質合金を主成分とする垂直磁化膜で
あり、且つ下記式を満たす光磁気記録媒体である。
有する第１磁性層と、キュリー点Ｔ２および保磁力Ｈ２
を有する第２磁性層と、キュリー点Ｔ３および保磁力Ｈ
５を有する第３磁性層とを基体上に有し、該第１磁性層
、該第２磁性層および該第３磁性層が、希土類元素と遷
移金属元素との非晶質合金を主成分とする垂直磁化膜で
あり、且つ下記式を満たす光磁気記録媒体である。
Ｈｒ ＞ Ｈ＊ ＞ Ｈｓ
Ｔ ｒ ＜ Ｔ ｚ及びＴ３
特開昭６２−１７５９４８号公報等に記載の従来の光磁
気記録媒体は、先に述べたように第１磁性層と第２磁性
層とを有するものであるが、本発明の光磁気記録媒体は
、第２磁性層よりも保磁力の低い第３磁性層を更に有す
る。主に、この第３磁性層の呈する作用によって、外部
磁界の更なる低減化が可能となる。また同時に第１磁性
層、第２磁性層および第３磁性層の相互の呈する作用に
よって従来と同様の良好な記録再生特性が得られる。す
なわち、本発明においては、各層の呈する作用が相俟っ
て本発明の目的を達成し得るものである。
気記録媒体は、先に述べたように第１磁性層と第２磁性
層とを有するものであるが、本発明の光磁気記録媒体は
、第２磁性層よりも保磁力の低い第３磁性層を更に有す
る。主に、この第３磁性層の呈する作用によって、外部
磁界の更なる低減化が可能となる。また同時に第１磁性
層、第２磁性層および第３磁性層の相互の呈する作用に
よって従来と同様の良好な記録再生特性が得られる。す
なわち、本発明においては、各層の呈する作用が相俟っ
て本発明の目的を達成し得るものである。
本発明における各磁性層のキュリー点および保磁力は前
記式を満たせばよく、最適な値は各種条件により異なる
ので一概にはいえない、ただし、第１磁性層のＴ＋は、
７０℃〜２５０℃程度が望ましく、更には１００℃〜２
００℃程度が好ましい、第１磁性層のＨｏは、５ ＫＯ
ｅ以上が望ましく、更にはｌＯに００以上が好ましい、
第２磁性層のＴ２は、１００℃〜４００℃程度が望まし
く、更には１５０℃〜２５０℃程度が好ましい、第２磁
性層のＨ２は、０、３ＫＯｅ 〜５ ＫＯｅ程度が望ま
しく、更には０．５ＫＯｅ〜２にＯｅ程度が好ましい、
第３磁性層のＴ３は１００℃〜４００℃程度が望ましく
、更には１２０℃〜２００℃程度が好ましい、第３磁性
層のＨ３は、０、１ＫＯｅ〜５ ＫＯｅ程度が望ましく
、更には０．３ＫＯｅ〜ｌ ＫＯｅ程度が好ましい、第
１磁性層の膜厚は２００人〜１０００人程度が望ましく
、更には３００人〜５００人程度が好ましい、第２およ
び第３磁性層の膜厚は２００人〜２０００人程度が望ま
しく、更には３００人〜８００人程度が好ましい。
記式を満たせばよく、最適な値は各種条件により異なる
ので一概にはいえない、ただし、第１磁性層のＴ＋は、
７０℃〜２５０℃程度が望ましく、更には１００℃〜２
００℃程度が好ましい、第１磁性層のＨｏは、５ ＫＯ
ｅ以上が望ましく、更にはｌＯに００以上が好ましい、
第２磁性層のＴ２は、１００℃〜４００℃程度が望まし
く、更には１５０℃〜２５０℃程度が好ましい、第２磁
性層のＨ２は、０、３ＫＯｅ 〜５ ＫＯｅ程度が望ま
しく、更には０．５ＫＯｅ〜２にＯｅ程度が好ましい、
第３磁性層のＴ３は１００℃〜４００℃程度が望ましく
、更には１２０℃〜２００℃程度が好ましい、第３磁性
層のＨ３は、０、１ＫＯｅ〜５ ＫＯｅ程度が望ましく
、更には０．３ＫＯｅ〜ｌ ＫＯｅ程度が好ましい、第
１磁性層の膜厚は２００人〜１０００人程度が望ましく
、更には３００人〜５００人程度が好ましい、第２およ
び第３磁性層の膜厚は２００人〜２０００人程度が望ま
しく、更には３００人〜８００人程度が好ましい。
また、各磁性層は希土類元素と遷移金属元素との非晶質
合金を主成分とするものであるが、例えば５０原子％以
上を含むことが望ましく、更には、７０原子％以上を含
むことが好ましい、このような非晶質合金は、通常、垂
直磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁気光学効果を呈
するので、本発明に適するものである。また、該第２磁
性層に含まれる希土類元素が主としてＴｂおよび／また
はＤｙであり、該第３磁性層に含まれる希土類元素が主
としてＧｄおよび／またはＨＯであることが好ましい。
合金を主成分とするものであるが、例えば５０原子％以
上を含むことが望ましく、更には、７０原子％以上を含
むことが好ましい、このような非晶質合金は、通常、垂
直磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁気光学効果を呈
するので、本発明に適するものである。また、該第２磁
性層に含まれる希土類元素が主としてＴｂおよび／また
はＤｙであり、該第３磁性層に含まれる希土類元素が主
としてＧｄおよび／またはＨＯであることが好ましい。
各磁性層（垂直磁化膜）を構成するための好適な非晶質
磁性合金の具体例を以下に挙げる。
磁性合金の具体例を以下に挙げる。
第１磁性層を構成する材料としては、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ
−Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げら
れる。
−Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げら
れる。
第２磁性層を構成する材料としては、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ
−Ｄｙ−Ｆｅ％Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ％Ｔｂ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ 。
−Ｄｙ−Ｆｅ％Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ％Ｔｂ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ 。
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ％Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ 、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ。
Ｄｙ−Ｆｅ 、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ。
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ％Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
−Ｃｏ％Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
第３磁性層を構成する材料としては、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ％Ｈ
ｏ−Ｇｄ−Ｆｅ％Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ
、 Ｈｏ−Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ ％Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ％Ｈ
ｏ−Ｇｄ−Ｆｅ％Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ
、 Ｈｏ−Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。
なお、本発明においては、第２磁性層および／または第
３磁性層が、室温とキュリー点との間に補償温度を有す
る磁性層であっても良いし、補償温度を有さない磁性層
であってもよい、また、磁性層が補償温度を有する場合
には、その補償温度は５０〜３００℃程度が望ましく、
７０〜２００℃程度が好ましい。
３磁性層が、室温とキュリー点との間に補償温度を有す
る磁性層であっても良いし、補償温度を有さない磁性層
であってもよい、また、磁性層が補償温度を有する場合
には、その補償温度は５０〜３００℃程度が望ましく、
７０〜２００℃程度が好ましい。
本発明の光磁気記録媒体は、上記基体と上記三種類の磁
性層のみを有するものに限定されない。
性層のみを有するものに限定されない。
例えば、基体と磁性層の間や、磁性層の上に所望の層を
設けることもできる。その所望の層とは、例えば、耐久
性の向上、記録や消去の感度等のための磁気光学効果の
向上を目的として設ける適当な誘電体層または反射層な
どである。また、第１磁性層の情報を読み出す側に再生
特性の良い磁性層（磁気カー効果の大きい磁性層）を積
層することもできる。なお、情報を読み出す側とは、通
常、透明性基体側を意味する。また、第１磁性層と第２
磁性層の間に、交換結合の大きさを制御するための適当
な磁性層または非磁性層をはさんでもよい。
設けることもできる。その所望の層とは、例えば、耐久
性の向上、記録や消去の感度等のための磁気光学効果の
向上を目的として設ける適当な誘電体層または反射層な
どである。また、第１磁性層の情報を読み出す側に再生
特性の良い磁性層（磁気カー効果の大きい磁性層）を積
層することもできる。なお、情報を読み出す側とは、通
常、透明性基体側を意味する。また、第１磁性層と第２
磁性層の間に、交換結合の大きさを制御するための適当
な磁性層または非磁性層をはさんでもよい。
以下、本発明を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
第１図（ａ）は、本発明の光磁気記録媒体の層構成の一
例を示す模式的断面図である。この光磁気記録媒体は、
プリグループが設けられた透光性の基体１０の上に、第
１磁性層１と、第２磁性層２と、第３磁性層３とが順次
積層されたものである。
例を示す模式的断面図である。この光磁気記録媒体は、
プリグループが設けられた透光性の基体１０の上に、第
１磁性層１と、第２磁性層２と、第３磁性層３とが順次
積層されたものである。
第１図（ｂ）に示す本発明の光磁気記録媒体は、更に、
再生特性の良い磁性層４、第１磁性層と第２磁性層の間
の交換結合の大きさを制御するための磁性層５、各磁性
層の耐久性の向上または光磁気効果の向上のための保護
屡６及び７、接着層８、貼り合わせ用基体９が積層され
た媒体である。更に、この貼り合わせ用基体９の上に接
着層を介して上記層１〜７と同様の層を設ければ、表裏
で記録再生可能な光磁気記録媒体となる。
再生特性の良い磁性層４、第１磁性層と第２磁性層の間
の交換結合の大きさを制御するための磁性層５、各磁性
層の耐久性の向上または光磁気効果の向上のための保護
屡６及び７、接着層８、貼り合わせ用基体９が積層され
た媒体である。更に、この貼り合わせ用基体９の上に接
着層を介して上記層１〜７と同様の層を設ければ、表裏
で記録再生可能な光磁気記録媒体となる。
次に、本発明の光磁気記録媒体に記録を行なう方法につ
いて、図面を参照しつつ説明する。
いて、図面を参照しつつ説明する。
第２図は、本発明の光磁気記録媒体の記録過程における
磁性層の磁化状態■〜■を例示する模式図である。この
図においては、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性
層３の中の矢印（↑、または↓）は各磁性層の磁化方向
を模式的に表わすものである。また、図中の各磁化状態
■〜■の間の矢印（４−４）は温度に対して可逆的な過
程であることを示し、矢印（−１または−）は非可逆的
な過程であることを示す。
磁性層の磁化状態■〜■を例示する模式図である。この
図においては、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性
層３の中の矢印（↑、または↓）は各磁性層の磁化方向
を模式的に表わすものである。また、図中の各磁化状態
■〜■の間の矢印（４−４）は温度に対して可逆的な過
程であることを示し、矢印（−１または−）は非可逆的
な過程であることを示す。
この第２図に示す例は、第１磁性屡が鉄族副格子磁化優
勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第２および第
３磁性層が希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質
合金薄膜の場合を示している。この場合においては、層
間の交換相互作用によって、第１磁性層と第２磁性層と
の磁化は反平行な状態が安定であり、一方、第２磁性層
と第３磁性層の磁化は平行な状態が安定である。すなわ
ち、■の磁化状態が最も安定な状態である。
勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第２および第
３磁性層が希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質
合金薄膜の場合を示している。この場合においては、層
間の交換相互作用によって、第１磁性層と第２磁性層と
の磁化は反平行な状態が安定であり、一方、第２磁性層
と第３磁性層の磁化は平行な状態が安定である。すなわ
ち、■の磁化状態が最も安定な状態である。
方、■の状態は、■の状態に比べ不安定であり、図示す
るように界面磁壁２０が存在する。
るように界面磁壁２０が存在する。
第３図に、この場合における各磁性層の保磁力と温度と
の関係を例示する。なお、第２図は、第３図の温度軸に
そろえて示したものである。すなわち、第２図に示す■
および■は室温における磁化状態であり、■、■、■と
右側に移行するほど昇温した状態である。
の関係を例示する。なお、第２図は、第３図の温度軸に
そろえて示したものである。すなわち、第２図に示す■
および■は室温における磁化状態であり、■、■、■と
右側に移行するほど昇温した状態である。
この光磁気記録媒体を、第３図に示すＴ＋付近に昇温さ
せると、媒体中■の磁化状態部分は■の状態になる。こ
れは、第１磁性層の保磁力Ｈ３が温度上昇に伴ない低下
して、且つ第２及び第３磁性層による交換力の影響で、
上向きに反転するからである。この状態から温度を下げ
ると磁化状態が変化しないまま冷えて■の状態に移る。
せると、媒体中■の磁化状態部分は■の状態になる。こ
れは、第１磁性層の保磁力Ｈ３が温度上昇に伴ない低下
して、且つ第２及び第３磁性層による交換力の影響で、
上向きに反転するからである。この状態から温度を下げ
ると磁化状態が変化しないまま冷えて■の状態に移る。
また、■の状態から温度を上げ、■の状態になった後温
度を下げてもやはり■の状態に戻る。
度を下げてもやはり■の状態に戻る。
すなわち、磁性層をＴＩ付近に昇温させるレーザーパワ
ーの印加によって、媒体中の■および■の状態の双方と
もに■の状態に変えることができる。
ーの印加によって、媒体中の■および■の状態の双方と
もに■の状態に変えることができる。
一方、■の状態から更に磁性層を昇温させ、第２磁性層
の補償温度Ｔ ｅａｍｐを越えた◎の状態にすると、第
２磁性層の磁化が可逆的に反転する。更に温度を上げる
と第２磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈａ
により第２磁性層の磁化が再び反転して■の状態になる
。また、これらの温度において、第１および第３磁性層
はキュリー点を超えているので磁化が消失している。
の補償温度Ｔ ｅａｍｐを越えた◎の状態にすると、第
２磁性層の磁化が可逆的に反転する。更に温度を上げる
と第２磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈａ
により第２磁性層の磁化が再び反転して■の状態になる
。また、これらの温度において、第１および第３磁性層
はキュリー点を超えているので磁化が消失している。
この状態から温度を下げると磁化状態が変化しないまま
冷えて＠の状態になる。そして更に温度を下げていくと
Ｔ ｃｏ＋ｍｐ付近で第２磁性層の磁化が可逆的に反転
し、その第２磁性層の交換相互作用により、第１磁性層
の磁化が下向きに、第３磁性層の磁化が上向きに生じ、
その結果■の状態になる。更に室温にまで温度を下げて
いくと、第２磁性層の保磁力が小さくなり、第１磁性層
の保磁力は大きくなる。ここで外部磁界Ｈ６を印加すれ
ば、第２および第３磁性層の磁化は下向きに反転し、■
の状態になる。
冷えて＠の状態になる。そして更に温度を下げていくと
Ｔ ｃｏ＋ｍｐ付近で第２磁性層の磁化が可逆的に反転
し、その第２磁性層の交換相互作用により、第１磁性層
の磁化が下向きに、第３磁性層の磁化が上向きに生じ、
その結果■の状態になる。更に室温にまで温度を下げて
いくと、第２磁性層の保磁力が小さくなり、第１磁性層
の保磁力は大きくなる。ここで外部磁界Ｈ６を印加すれ
ば、第２および第３磁性層の磁化は下向きに反転し、■
の状態になる。
すなわち、磁性層をＴ２付近に昇温させるレーザーパワ
ーの印加（および外部磁界Ｈ８の印加）によって、■の
状態および■の状態の双方ともに■の状態に移る。
ーの印加（および外部磁界Ｈ８の印加）によって、■の
状態および■の状態の双方ともに■の状態に移る。
以上例示したような２種のレーザーパワーな印加する記
録方法により、■および■の２値の記録の重ね書き（オ
ーバーライド）を実施できる。
録方法により、■および■の２値の記録の重ね書き（オ
ーバーライド）を実施できる。
この記録方法においては、記録用ヘッド部分（レーザー
パワー印加部位）においてバイアス磁界Ｈａを印加して
おり、記録用ヘッドとは異なる位置で、保磁力Ｈ２の第
２磁性層、保磁力Ｈ５の第３磁性層を一方向に磁化する
のに十分で保磁力Ｈ１の第１磁性層の磁化の向きを反転
させることのない大きさの外部磁界ＨＥを印加している
。ここでＨ，はＨＥよりも小さい。
パワー印加部位）においてバイアス磁界Ｈａを印加して
おり、記録用ヘッドとは異なる位置で、保磁力Ｈ２の第
２磁性層、保磁力Ｈ５の第３磁性層を一方向に磁化する
のに十分で保磁力Ｈ１の第１磁性層の磁化の向きを反転
させることのない大きさの外部磁界ＨＥを印加している
。ここでＨ，はＨＥよりも小さい。
このような記録方法において、記録したビット情報（■
及び■）に比較的大きな外部磁界ＨＥを与えると、再生
時にノイズが増大し、エラーを生じやすい傾向にある。
及び■）に比較的大きな外部磁界ＨＥを与えると、再生
時にノイズが増大し、エラーを生じやすい傾向にある。
しかし、本発明においては、外部磁界ＨＥが３ ｋＯｅ
以下、場合によっては０、５ｋＯｅ以下の外部磁界Ｈ９
でもの一■の良好な反転が可能なので、そのような傾向
が低減する。
以下、場合によっては０、５ｋＯｅ以下の外部磁界Ｈ９
でもの一■の良好な反転が可能なので、そのような傾向
が低減する。
また、例えば、媒体の基体より数ミリ離れた位置の電磁
石から３ ｋｏｅ以上の外部磁界ＨＥを付与するには、
タバコの外箱程度の大きさの電磁石装置が必要となって
しまうのであるが、本発明においては、上記のような低
い外部磁界ＨＥで良いので、装置の更なるコンパクト化
や消費電力の低減化が可能となる。
石から３ ｋｏｅ以上の外部磁界ＨＥを付与するには、
タバコの外箱程度の大きさの電磁石装置が必要となって
しまうのであるが、本発明においては、上記のような低
い外部磁界ＨＥで良いので、装置の更なるコンパクト化
や消費電力の低減化が可能となる。
また、第２図に示した記録過程では、外部磁界Ｈ６とバ
イアス磁界ＨＢが同方向である。したがって、不安定状
態の記録ビット（■）における第２および第３磁性層の
磁化が反転しない様にしつる方向のバイアス磁界Ｈａを
加えながら記録を行なえるので、バイアス磁界Ｈ１１の
大きさや媒体の磁性層の保磁力や厚さの設計に際してマ
ージンが見込める。
イアス磁界ＨＢが同方向である。したがって、不安定状
態の記録ビット（■）における第２および第３磁性層の
磁化が反転しない様にしつる方向のバイアス磁界Ｈａを
加えながら記録を行なえるので、バイアス磁界Ｈ１１の
大きさや媒体の磁性層の保磁力や厚さの設計に際してマ
ージンが見込める。
次に、本発明の完成に至るまでに本発明者が参照した各
種データ例を概説することによって、本発明の作用を明
示する。
種データ例を概説することによって、本発明の作用を明
示する。
光磁気記録媒体において、室温とキュリー点の間に補償
温度Ｔ ｃｏａｔをもつ第２磁性層は、希土類副格子磁
化優勢な組成であることが望ましいが、得られる補償温
度Ｔ ｃｏｏｐは、希土類元素と鉄族元素の組成比によ
っても、用いる希土類元素（Ｔｂ、ａｙ、 Ｇｄ、 ）
ｔｏ、 Ｎｄ）の種類によっても大きく変化する。
温度Ｔ ｃｏａｔをもつ第２磁性層は、希土類副格子磁
化優勢な組成であることが望ましいが、得られる補償温
度Ｔ ｃｏｏｐは、希土類元素と鉄族元素の組成比によ
っても、用いる希土類元素（Ｔｂ、ａｙ、 Ｇｄ、 ）
ｔｏ、 Ｎｄ）の種類によっても大きく変化する。
例えば、希土類副格子磁化が優位な組成域において、希
土類元素および鉄族元素の種類と、それぞれが２種以上
の合金の場合はそれぞれの族の元素の割合を変えずに、
希土類元素と鉄族元素の組成比のみを変化させるとする
。そのようにして、希土類元素の比率を増して保磁力を
低下させていくと、それに伴い合金膜の補償温度が上昇
する。そして、ある保磁力以下になると補償温度がキュ
リー点を超えてしまい現れなくなる。このときの保磁力
は、希土類元素の種類により大きく変化する。
土類元素および鉄族元素の種類と、それぞれが２種以上
の合金の場合はそれぞれの族の元素の割合を変えずに、
希土類元素と鉄族元素の組成比のみを変化させるとする
。そのようにして、希土類元素の比率を増して保磁力を
低下させていくと、それに伴い合金膜の補償温度が上昇
する。そして、ある保磁力以下になると補償温度がキュ
リー点を超えてしまい現れなくなる。このときの保磁力
は、希土類元素の種類により大きく変化する。
例えば、希土類元素の種類を変え、かつキュリー点をＦ
ｅ−Ｃｏの組成比によって約２００〜２５０℃に調整し
た合金膜を比較すると、下記表−１に示すように、垂直
磁気異方性が大きい希土類元素の合金はど、合金の限界
保持力も大きくなる。
ｅ−Ｃｏの組成比によって約２００〜２５０℃に調整し
た合金膜を比較すると、下記表−１に示すように、垂直
磁気異方性が大きい希土類元素の合金はど、合金の限界
保持力も大きくなる。
表−１
この表−１の合金膜の希土類元素の組成比を保磁力がほ
ぼ４ ｋＯｅになるように調整し、ディスク基体上に、
５ｉｓＮ４膜を６００人、上記合金膜を８００人、更に
３１３Ｎ４膜を６００人積人種た構成でスパッタ成膜し
て得た媒体について、Ｃ／Ｎ比および記録ノイズを下記
表−２に示す。
ぼ４ ｋＯｅになるように調整し、ディスク基体上に、
５ｉｓＮ４膜を６００人、上記合金膜を８００人、更に
３１３Ｎ４膜を６００人積人種た構成でスパッタ成膜し
て得た媒体について、Ｃ／Ｎ比および記録ノイズを下記
表−２に示す。
表−２
なお、下記表−２におけるＣ／Ｎ比および記録ノイズは
、それぞれの媒体を線速度９ｍ／秒で回転させ、５０％
ｄｕｔｙ、 ２ ＭＨｚで変調した８ｍＷの光ビームで
記録、１ｍＷの連続ビームで再生を行なった結果による
ものである。
、それぞれの媒体を線速度９ｍ／秒で回転させ、５０％
ｄｕｔｙ、 ２ ＭＨｚで変調した８ｍＷの光ビームで
記録、１ｍＷの連続ビームで再生を行なった結果による
ものである。
表−２に示す結果から明らかなように、同じ保磁力に調
整した合金膜であっても、Ｔｂ５ＤＹ等の垂直磁気異方
性の大きい希土類元素を用いた方が、記録ノイズを低減
でき、良好な再生Ｃ／Ｎ比を得ることができる。したが
って、その記録特性の点からは、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ系の合金膜を磁性層として用いるのが
望ましいのであるが、これら合金膜の保磁力を小さくす
ることは難しく、それ故に比較的大きな外部磁界Ｈｇが
必要である。
整した合金膜であっても、Ｔｂ５ＤＹ等の垂直磁気異方
性の大きい希土類元素を用いた方が、記録ノイズを低減
でき、良好な再生Ｃ／Ｎ比を得ることができる。したが
って、その記録特性の点からは、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ系の合金膜を磁性層として用いるのが
望ましいのであるが、これら合金膜の保磁力を小さくす
ることは難しく、それ故に比較的大きな外部磁界Ｈｇが
必要である。
更に、同じ希土類元素−鉄族合金系の薄膜を用いた媒体
でも、その合金の保磁力が異なる場合は、その再生Ｃ／
Ｎ比や記録ノイズが変化する。
でも、その合金の保磁力が異なる場合は、その再生Ｃ／
Ｎ比や記録ノイズが変化する。
この例を下記表−３に示す、なお、ここに示す媒体の構
成、記録再生の条件などは表−２と同じである。
成、記録再生の条件などは表−２と同じである。
表−３
すなわち本発明者は、これらのデータを考慮にしつつ検
討および実験を重ねた結果、良好な記録特性を呈しつる
程度の保持力を有する第２磁性層と、より保磁力の小さ
い第３層とを積層して用いることによって、実質上、記
録特性が良く、しかも保磁力が小さい（すなわち小さな
外部磁界ＨＥであっても第２及び第３１ｉｆｌ性層を着
磁可能）磁性層となることを見出し、本発明を完成する
に至ったのである。
討および実験を重ねた結果、良好な記録特性を呈しつる
程度の保持力を有する第２磁性層と、より保磁力の小さ
い第３層とを積層して用いることによって、実質上、記
録特性が良く、しかも保磁力が小さい（すなわち小さな
外部磁界ＨＥであっても第２及び第３１ｉｆｌ性層を着
磁可能）磁性層となることを見出し、本発明を完成する
に至ったのである。
次に、本発明において、各層が補償点を有していない態
様の光磁気記録媒体における記録方法を第４図および第
５図を参照しつつ説明する。
様の光磁気記録媒体における記録方法を第４図および第
５図を参照しつつ説明する。
この第４図に示す例は、第１〜３磁性層の全てが鉄族副
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜の場合を示
している。この場合においては、層間の交換相互作用に
よって、第１〜３磁性層の磁化は全て平行な状態が安定
である。すなわち、■の磁化状態が最も安定な状態であ
る。一方、■の状態は、■の状態に比べ不安定であり、
図示するように界面磁壁２０が存在する。
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜の場合を示
している。この場合においては、層間の交換相互作用に
よって、第１〜３磁性層の磁化は全て平行な状態が安定
である。すなわち、■の磁化状態が最も安定な状態であ
る。一方、■の状態は、■の状態に比べ不安定であり、
図示するように界面磁壁２０が存在する。
第５図に、この場合における各磁性層の保磁力と温度と
の関係を例示する。
の関係を例示する。
この光磁気記録媒体を、第５図に示すＴ１付近に昇温さ
せると、媒体中■の磁化状態部分は■の状態になる。こ
れは、第１磁性層の保磁力Ｈ１が温度上昇に伴ない低下
して、且つ第２及び第３磁性層による交換力の影響で、
上向きに反転するからである。この状態から温度を下げ
ると磁化状態が変化しないまま冷えて■の状態に移る。
せると、媒体中■の磁化状態部分は■の状態になる。こ
れは、第１磁性層の保磁力Ｈ１が温度上昇に伴ない低下
して、且つ第２及び第３磁性層による交換力の影響で、
上向きに反転するからである。この状態から温度を下げ
ると磁化状態が変化しないまま冷えて■の状態に移る。
また、■の状態から温度を上げ、■の状態になった後温
度を下げてもやはり■の状態に戻る。
度を下げてもやはり■の状態に戻る。
すなわち、磁性層をＴ、付近に昇温させるレーザーパワ
ーの印加によって、媒体中の■および■の状態の双方と
もに■の状態に変えることができる。
ーの印加によって、媒体中の■および■の状態の双方と
もに■の状態に変えることができる。
一方、■の状態から更に磁性Ｍを昇温させ、第１磁性層
のキュリー点Ｔ、付近にすると、第１磁性層磁化が消え
て◎の状態になる。更に温度を上げると第２及び第３磁
性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈ，によって
第２及び第３磁性層の磁化が反転して＠の状態になる。
のキュリー点Ｔ、付近にすると、第１磁性層磁化が消え
て◎の状態になる。更に温度を上げると第２及び第３磁
性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈ，によって
第２及び第３磁性層の磁化が反転して＠の状態になる。
この状態から温度を下げると磁化状態が変化しないまま
冷えて■の状態になる。そして更に温度を下げていくと
Ｔ、付近で交換相互作用により第１磁性層の磁化が下向
きに生じ■の状態になる。更に室温にまで温度を下げて
いくと、第１磁性層の保磁力が第２及び第３磁性層に比
べて大きくなる。ここで外部磁界ＨＥを印加すれば、第
２及び第３磁性層の磁化は上向きに反転し、■の状態に
なる。
冷えて■の状態になる。そして更に温度を下げていくと
Ｔ、付近で交換相互作用により第１磁性層の磁化が下向
きに生じ■の状態になる。更に室温にまで温度を下げて
いくと、第１磁性層の保磁力が第２及び第３磁性層に比
べて大きくなる。ここで外部磁界ＨＥを印加すれば、第
２及び第３磁性層の磁化は上向きに反転し、■の状態に
なる。
すなわち、磁性層をＴ２付近に昇温させるレーザーパワ
ーの印加（および外部磁界ＨＥの印加）によって、■の
状態および■の状態の双方ともに■の状態に移る。この
ような記録方法により、第２図及び第３図を用いて先に
説明した記録方法と同様に、所望の重ね書き（オーバー
ライド）を行なうことができる。また、この記録方法に
おいても、記録用ヘッド部分において記録補助の目的の
下向きのバイアス磁界Ｈ８を印加しており、記録用ヘッ
ドとは異なる位置で、第２及び第３磁性層を一方向に磁
化するのに十分で第１磁性層の磁化の向きを反転させる
ことのない大きさの上向きの外部磁界ＨＥを印加してい
る。ここでＨ６はＨ５よりも小さい。
ーの印加（および外部磁界ＨＥの印加）によって、■の
状態および■の状態の双方ともに■の状態に移る。この
ような記録方法により、第２図及び第３図を用いて先に
説明した記録方法と同様に、所望の重ね書き（オーバー
ライド）を行なうことができる。また、この記録方法に
おいても、記録用ヘッド部分において記録補助の目的の
下向きのバイアス磁界Ｈ８を印加しており、記録用ヘッ
ドとは異なる位置で、第２及び第３磁性層を一方向に磁
化するのに十分で第１磁性層の磁化の向きを反転させる
ことのない大きさの上向きの外部磁界ＨＥを印加してい
る。ここでＨ６はＨ５よりも小さい。
［実施例１
以下、本発明を実施例により、更に詳細に説明する。
実施例１
８元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループおよびプリフォーマット信号の刻まれたポリカー
ボネート製のディスク状基板をターゲットとの間の距離
２０ｃｍの間隔にセットして回転させた。アルゴン中で
、Ｓｉ３Ｎ４のターゲットを用いて、スパッタ速度的４
０人／分、スパッタ圧０、ｌ５Ｐａで５ｆａＮ４を保護
層として６００人の厚さに設けた。
ループおよびプリフォーマット信号の刻まれたポリカー
ボネート製のディスク状基板をターゲットとの間の距離
２０ｃｍの間隔にセットして回転させた。アルゴン中で
、Ｓｉ３Ｎ４のターゲットを用いて、スパッタ速度的４
０人／分、スパッタ圧０、ｌ５Ｐａで５ｆａＮ４を保護
層として６００人の厚さに設けた。
次に、アルゴン中で、Ｔｂ％Ｆｅ％Ｃｏの３個のターゲ
ットを用いて、スパッタ速度的１００人／分、スパッタ
圧０．１５Ｐａで膜厚３６０人、保持力Ｈ１が約２０
ｋＯｅ、キュリー点Ｔ＋が約１６０℃、飽和磁化が４０
ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢のＴｂ−（
Ｆｅｏ、 ｏｓＣｏｏ、 ０４）第１磁性層を形成した
。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整はＴｂ、 Ｆｅ、 Ｃ
ｏのそれぞれのターゲットに加える電力を変化させて行
なった。
ットを用いて、スパッタ速度的１００人／分、スパッタ
圧０．１５Ｐａで膜厚３６０人、保持力Ｈ１が約２０
ｋＯｅ、キュリー点Ｔ＋が約１６０℃、飽和磁化が４０
ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢のＴｂ−（
Ｆｅｏ、 ｏｓＣｏｏ、 ０４）第１磁性層を形成した
。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整はＴｂ、 Ｆｅ、 Ｃ
ｏのそれぞれのターゲットに加える電力を変化させて行
なった。
次に、アルゴン中で、Ｇｄｏ、 ６Ｄｙｏ、 ６、Ｆｅ
ｏ、 ６ＣＯ０，４の２個のターゲットを用いて、スパ
ッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで、
膜厚５００人、保磁力Ｈ２が約４ｋＯｅ、キュリー点Ｔ
２が約２８０℃、補償温度Ｔ ｃｏｍｐが約１４０℃、
飽和磁化が約１０１００ｅ／ｃｃのＧｄ−Ｄｙ副格子磁
化優勢（ＧｄＯ，５Ｄｙｏ、 ｓ）−（Ｆｅｏ、 ａ
Ｃｏｏ、 ａ）の第２磁性層を形成した。
ｏ、 ６ＣＯ０，４の２個のターゲットを用いて、スパ
ッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで、
膜厚５００人、保磁力Ｈ２が約４ｋＯｅ、キュリー点Ｔ
２が約２８０℃、補償温度Ｔ ｃｏｍｐが約１４０℃、
飽和磁化が約１０１００ｅ／ｃｃのＧｄ−Ｄｙ副格子磁
化優勢（ＧｄＯ，５Ｄｙｏ、 ｓ）−（Ｆｅｏ、 ａ
Ｃｏｏ、 ａ）の第２磁性層を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｇｄａ、ｓ ）ｔｏ。Ｓ ％ Ｆ
ｅｏ、５Ｃｏｏ、 ４の２個のターゲットを用いて、ス
パッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．ｌ５Ｐａで
、膜厚１５００人、キュリー点Ｔツが約１８０℃、保磁
力Ｈ３が約０．５ｋＯｅ、飽和磁化が１５０ｅｍｕ／ｃ
ｃのＧｄ−）ｔｏ副格子磁化優勢の（Ｇｄｏ、 ５ＨＯ
ｏ、 ｓ） −（Ｆｅｏ、 ｓ Ｃｏ。４）第３磁性層
を形成した。なお、第３磁性層では補償温度は観測され
なかった。
ｅｏ、５Ｃｏｏ、 ４の２個のターゲットを用いて、ス
パッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．ｌ５Ｐａで
、膜厚１５００人、キュリー点Ｔツが約１８０℃、保磁
力Ｈ３が約０．５ｋＯｅ、飽和磁化が１５０ｅｍｕ／ｃ
ｃのＧｄ−）ｔｏ副格子磁化優勢の（Ｇｄｏ、 ５ＨＯ
ｏ、 ｓ） −（Ｆｅｏ、 ｓ Ｃｏ。４）第３磁性層
を形成した。なお、第３磁性層では補償温度は観測され
なかった。
最後に、アルゴン中で、５ｉｓｌＬのターゲットを用い
て、スパッタ速度的４０人／分、スバ・ンタ圧０．１５
Ｐａで、Ｓｉ３Ｎ４を保護層として６００人の厚さを設
けた。
て、スパッタ速度的４０人／分、スバ・ンタ圧０．１５
Ｐａで、Ｓｉ３Ｎ４を保護層として６００人の厚さを設
けた。
次に、上記の膜形成を終えた基板を、ホットメルト接着
剤を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合せ、光磁気記録媒体を作製した。なお、第２磁性層、
第３磁性層を積層した状態で、両層を同時に磁化反転さ
せるに必要な磁界（つまりＨ工）は２ ｋｏｅであった
。
剤を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合せ、光磁気記録媒体を作製した。なお、第２磁性層、
第３磁性層を積層した状態で、両層を同時に磁化反転さ
せるに必要な磁界（つまりＨ工）は２ ｋｏｅであった
。
この光磁気記録媒体を、記録再生用装置にセットし、４
０００ｅのバイアス磁界Ｈ，と２ ｋＯｅの外部磁界Ｈ
ｔを印加しつつ、線速度約８．５ｍ ７秒で、約１．５
μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレーザービームな５
０％のデユーティでＩ ＭＨｚで変調させながら、５ｍ
Ｗと１２ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を行なった
。
０００ｅのバイアス磁界Ｈ，と２ ｋＯｅの外部磁界Ｈ
ｔを印加しつつ、線速度約８．５ｍ ７秒で、約１．５
μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレーザービームな５
０％のデユーティでＩ ＭＨｚで変調させながら、５ｍ
Ｗと１２ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を行なった
。
次に、上記の記録を行なった後、同一トラック上に、３
ＭＨｚで同一パワーでの記録を行なった。
ＭＨｚで同一パワーでの記録を行なった。
なお、記録信号の再生は、１ｍＷの連続ビームを照射し
て行なった。
て行なった。
比較例１
第２磁性層（Ｇｄｏ、 ｓ Ｄｙｏ、 ｓ） −（Ｆｅ
ｏ、 ａ Ｃｏｏ、 ４）の厚さを、２０００人とし、
第３磁性層を設けない以外は、実施例１と同様な光磁気
記録媒体を作製し、４ ｋＯｅの外部磁界Ｈ，を印加す
る以外は実施例１と同様な記録再生を行なった。なお、
第２磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界（つまりＨ
ｔ）は、約４ ｋＯｅであった。
ｏ、 ａ Ｃｏｏ、 ４）の厚さを、２０００人とし、
第３磁性層を設けない以外は、実施例１と同様な光磁気
記録媒体を作製し、４ ｋＯｅの外部磁界Ｈ，を印加す
る以外は実施例１と同様な記録再生を行なった。なお、
第２磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界（つまりＨ
ｔ）は、約４ ｋＯｅであった。
実施例１および比較例１の記録の結果を表−４に示す。
なお、表−４における消去比は、Ｉ ＭＨｚで記録後３
ＭＨｚでオーバーライドしたときのＩＭＨｚの再生信
号の消去比を示す。
ＭＨｚでオーバーライドしたときのＩＭＨｚの再生信
号の消去比を示す。
表−４
界（４ｋｏｅ）が必要な比較例１の光磁気記録媒体に比
べて、実施例１の光磁気記録媒体は低い外部磁界（２ｋ
Ｏｅ）によっても同等の記録特性を呈することができる
。
べて、実施例１の光磁気記録媒体は低い外部磁界（２ｋ
Ｏｅ）によっても同等の記録特性を呈することができる
。
実施例２および比較例２
第２磁性層、第３磁性層の材料組成、膜厚を表−５に示
すように変えた以外は、実施例１と同様にして光磁気記
録媒体を作製し、同様の記録を行なった。ただし、第２
磁性層および第３磁性層はともに、希土類元素の副格子
磁化優勢であった。
すように変えた以外は、実施例１と同様にして光磁気記
録媒体を作製し、同様の記録を行なった。ただし、第２
磁性層および第３磁性層はともに、希土類元素の副格子
磁化優勢であった。
表−４の結果から明らかなように、高い外部磁表−５の
結果より明らかなように、比較例２の光磁気記録媒体に
比べて、各実施例の光磁気記録媒体は、必要な外部磁界
Ｈｔの値は低い。
結果より明らかなように、比較例２の光磁気記録媒体に
比べて、各実施例の光磁気記録媒体は、必要な外部磁界
Ｈｔの値は低い。
また、第２磁性層の好ましい組成および膜厚条件につい
ては、 Ｔｂ−（ＦｅＣｏ） 〔実施例２−１〜２−５、実施例２−１６〜２−２９］
Ｄｙ−（ＦｅＣｏ） ［実施例２−６〜２−８、実施例２−３０〜２−３２］
（Ｔｂ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ） 〔実施例２−９〕 等を１５０〜２００人より大きな膜厚で設けることによ
り良好なＣ／Ｎ比が得られるので好ましいことが分る。
ては、 Ｔｂ−（ＦｅＣｏ） 〔実施例２−１〜２−５、実施例２−１６〜２−２９］
Ｄｙ−（ＦｅＣｏ） ［実施例２−６〜２−８、実施例２−３０〜２−３２］
（Ｔｂ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ） 〔実施例２−９〕 等を１５０〜２００人より大きな膜厚で設けることによ
り良好なＣ／Ｎ比が得られるので好ましいことが分る。
また、実施例２−１０〜２−１５の結果から、Ｇｄ、
）ｔｏ等の垂直磁気異方性を低下させる元素の添加は、
記録ノイズを増大させないためにも希土類元素中の５０
％程度までにすることが好ましいことが分かる。
）ｔｏ等の垂直磁気異方性を低下させる元素の添加は、
記録ノイズを増大させないためにも希土類元素中の５０
％程度までにすることが好ましいことが分かる。
第３磁性層の好ましい組成および膜厚条件については、
−（Ｇｄ−）ｔｏ） −（ＦｅＣｏ）
［実施例２−１〜２−１５］
・Ｇｄ−（ＦｅＣｏ）
［実施例２−２８〜２−２９］
等を４００〜５００人より大きな膜厚で、第２磁性層と
同じか、それ以上の膜厚で設けることにより、より良好
な外部磁界Ｈ９の低減効果を得られるので好ましいこと
が分る。
同じか、それ以上の膜厚で設けることにより、より良好
な外部磁界Ｈ９の低減効果を得られるので好ましいこと
が分る。
また、垂直磁気異方性大のＴｂ−（ＦｅＣｏ） ［実施
例２−１６〜２−１８１や（Ｔｂ−Ｄｙ）−（ＦｅＣｏ
） ［実施例２−３０１を用いると、良好な記録特性（
記録ノイズが低い）を示すが、外部磁界ＨＥの低減効果
に若干劣ることが分る。これはＴｂ−（ＦｅＣｏ）膜の
保磁力を小さくするには、Ｇｄ、 Ｈｏ−（ＦｅＣｏ）
膜に比べ、飽和磁化を大きく設定しなければならず、こ
のような膜は、磁化反転が始まる磁界は小さいが、一方
向に磁化を飽和するまで配向させるのに必要な磁界はか
えって増大してしまうからである。例えば、実施例２−
１８において第３磁性層Ｔｂ−（ＦｅＣｏ）を磁化飽和
させるには、約４ ｋＯｅの磁界が必要であった。
例２−１６〜２−１８１や（Ｔｂ−Ｄｙ）−（ＦｅＣｏ
） ［実施例２−３０１を用いると、良好な記録特性（
記録ノイズが低い）を示すが、外部磁界ＨＥの低減効果
に若干劣ることが分る。これはＴｂ−（ＦｅＣｏ）膜の
保磁力を小さくするには、Ｇｄ、 Ｈｏ−（ＦｅＣｏ）
膜に比べ、飽和磁化を大きく設定しなければならず、こ
のような膜は、磁化反転が始まる磁界は小さいが、一方
向に磁化を飽和するまで配向させるのに必要な磁界はか
えって増大してしまうからである。例えば、実施例２−
１８において第３磁性層Ｔｂ−（ＦｅＣｏ）を磁化飽和
させるには、約４ ｋＯｅの磁界が必要であった。
また、Ｔｂ−（ＦｅＣｏ）にＧｄを添加した系（実施例
２−１９〜２−２７） 、あるいは（Ｔｂ−Ｄｙ） −
（ＦｅＣｏ）にＨｏまたはＧｄを添加した系（実施例２
−３１〜２−３２）では、それぞれＧｄ、 Ｈａの元素
が希土類元素の中で５０％を超える程度までになると、
顕著な外部磁界ＨＥの低減効果を示す、これは、ｌ（ｏ
、 Ｇｄなとの垂直磁気異方性の小さな元素添加により
小さな外部磁界Ｈ５により第３磁性層が磁化飽和可能に
なるからである。
２−１９〜２−２７） 、あるいは（Ｔｂ−Ｄｙ） −
（ＦｅＣｏ）にＨｏまたはＧｄを添加した系（実施例２
−３１〜２−３２）では、それぞれＧｄ、 Ｈａの元素
が希土類元素の中で５０％を超える程度までになると、
顕著な外部磁界ＨＥの低減効果を示す、これは、ｌ（ｏ
、 Ｇｄなとの垂直磁気異方性の小さな元素添加により
小さな外部磁界Ｈ５により第３磁性層が磁化飽和可能に
なるからである。
実施例３
８元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板をターゲットとの間の距離２０
ｃｍの間隔にセットして回転させた。アルゴン中で５ｉ
ｓＮａのターゲットを用いてスパッタ速度的４０人／分
、スパッタ圧０．１５ＰａでＺｎＳを保護層として６０
０人の厚さに設けた。次にアルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅ
、 Ｃｏの３個のターゲットな用いて、スパッタ速度的
１００人／分、スパッタ圧０、１５Ｐａで、膜厚２５０
人、保磁力Ｈが約０．２ ｋＯｅ。
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板をターゲットとの間の距離２０
ｃｍの間隔にセットして回転させた。アルゴン中で５ｉ
ｓＮａのターゲットを用いてスパッタ速度的４０人／分
、スパッタ圧０．１５ＰａでＺｎＳを保護層として６０
０人の厚さに設けた。次にアルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅ
、 Ｃｏの３個のターゲットな用いて、スパッタ速度的
１００人／分、スパッタ圧０、１５Ｐａで、膜厚２５０
人、保磁力Ｈが約０．２ ｋＯｅ。
キュリー点が約３３０℃、飽和磁化が１０１００ｅ／ｃ
ｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅｏ、 ７
Ｃｏｏ、 ３）の磁性層を形成した。Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
の組成の調整は、Ｇｄ、 Ｆｅ、ＣＯのそれぞれのター
ゲットに加える電力を変化させて行なった。
ｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅｏ、 ７
Ｃｏｏ、 ３）の磁性層を形成した。Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
の組成の調整は、Ｇｄ、 Ｆｅ、ＣＯのそれぞれのター
ゲットに加える電力を変化させて行なった。
次に、アルゴン中で、Ｄｙ％Ｆｅ、 Ｃｏの３個のター
ゲットを用いて、スパッタ速度的１００人／分、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで、膜厚３００人、保磁力Ｈ１が約２
０ ｋＯｅ、キュリー点Ｔ１が約１７０℃、飽和磁化が
３０ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢のＤｙ−
（Ｆｅｏ、 ａｓＣｏｏ、 ＩＢ）の第１磁性層を形成
した。
ゲットを用いて、スパッタ速度的１００人／分、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで、膜厚３００人、保磁力Ｈ１が約２
０ ｋＯｅ、キュリー点Ｔ１が約１７０℃、飽和磁化が
３０ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢のＤｙ−
（Ｆｅｏ、 ａｓＣｏｏ、 ＩＢ）の第１磁性層を形成
した。
次にアルゴン中で、Ｇｄｏ、 ５Ｄｙｏ、 ｓ、Ｆｅｏ
、 ａ Ｃｏｏ、 ４の２個のターゲットを用いて、ス
パッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで
膜厚２００人、保磁力が約０．２ｋＯｅ以下、キュリー
点が約１９０℃、飽和磁化が４５０ｅｍｕ／ｃｃのＧｄ
−Ｄｙ副格子磁化優勢の（Ｇｄ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ
）磁性層を形成した。
、 ａ Ｃｏｏ、 ４の２個のターゲットを用いて、ス
パッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで
膜厚２００人、保磁力が約０．２ｋＯｅ以下、キュリー
点が約１９０℃、飽和磁化が４５０ｅｍｕ／ｃｃのＧｄ
−Ｄｙ副格子磁化優勢の（Ｇｄ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ
）磁性層を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｇｄｏ、 ｙｓＴｂｏ、 ２Ｂ、
Ｆｅｏ、 ７Ｃｏｏ、 ｓの２個のターゲットを用いて
、スパッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａテ膜厚３００人、保磁力Ｈ２が約３．５ｋＯｅ、キュ
リー点Ｔ２が約２３０℃、飽和磁化が９０ｅｍｕ／ｃｃ
のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢の（Ｄｙ−Ｔｂ） −（Ｆ
ｅＣｏ）の第２磁性層を形成した。
Ｆｅｏ、 ７Ｃｏｏ、 ｓの２個のターゲットを用いて
、スパッタ速度的１００人／分、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａテ膜厚３００人、保磁力Ｈ２が約３．５ｋＯｅ、キュ
リー点Ｔ２が約２３０℃、飽和磁化が９０ｅｍｕ／ｃｃ
のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢の（Ｄｙ−Ｔｂ） −（Ｆ
ｅＣｏ）の第２磁性層を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅｏ、ａ ＣＯｏ、４
の２個のターゲットを用いて、スパッタ速度的１００人
／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで、膜厚４００人、保磁
力が０．５ ｋＯｅ 、キュリー点が約３００℃、飽和
磁化が１１０ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢
のＧｄ−（ＦｅＣｏ）第３磁性層を形成した。
の２個のターゲットを用いて、スパッタ速度的１００人
／分、スパッタ圧０．１５Ｐａで、膜厚４００人、保磁
力が０．５ ｋＯｅ 、キュリー点が約３００℃、飽和
磁化が１１０ｅｍｕ／ｃｃのＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢
のＧｄ−（ＦｅＣｏ）第３磁性層を形成した。
最後に、アルゴン中で、５ｉａＮ４のターゲットを用い
て、スパッタ速度約４０人／分、スパッタ圧０、１５Ｐ
ａで５ｉｄＬを保護層として６００人の厚さに設けた。
て、スパッタ速度約４０人／分、スパッタ圧０、１５Ｐ
ａで５ｉｄＬを保護層として６００人の厚さに設けた。
次に、上記の膜形成を終えた基板をホットメルト接着剤
を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合
わせ、光磁気記録媒体を作製した。
を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合
わせ、光磁気記録媒体を作製した。
なお、第２磁性層、第３磁性層を積層した状態で、両層
を同時に磁化反転させるに必要な磁界（つまりＨＥ）は
２ ｋＯｅであった。
を同時に磁化反転させるに必要な磁界（つまりＨＥ）は
２ ｋＯｅであった。
本実施例で、一番基板に近い側に設けた磁性層Ｇｄ−（
Ｆｅｏ、 ？ Ｃｏｏ、 ｓ＞は、第１磁性層に比べ、
光磁気効果（カー回転角）の大きな層であり、第１磁性
層と室温において交換結合力によって強く結合している
ので、１５ ｋｏｅの印加磁界でも磁化の反転が起こら
なかった。
Ｆｅｏ、 ？ Ｃｏｏ、 ｓ＞は、第１磁性層に比べ、
光磁気効果（カー回転角）の大きな層であり、第１磁性
層と室温において交換結合力によって強く結合している
ので、１５ ｋｏｅの印加磁界でも磁化の反転が起こら
なかった。
第１磁性層と第２磁性層の間に設けた希土類元素副格子
磁化優勢の（Ｇｄ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ）層は、飽和
磁化が大きいこと、および単層膜では基板面垂直方向に
磁化飽和させるので、約３ ｋｏｅの磁界が必要な、基
板面内が容易磁化方向である。この層は、室温において
、第１及び第２磁性層の間に働く交換結合力を抑える働
きをする。
磁化優勢の（Ｇｄ−Ｄｙ） −（ＦｅＣｏ）層は、飽和
磁化が大きいこと、および単層膜では基板面垂直方向に
磁化飽和させるので、約３ ｋｏｅの磁界が必要な、基
板面内が容易磁化方向である。この層は、室温において
、第１及び第２磁性層の間に働く交換結合力を抑える働
きをする。
次に、この光磁気記録媒体を記録再生装置にセットし、
実施例１と同様の記録を行なった。ただし、２ ｋＯｅ
の外部磁界と４０００ｅのバイアス磁界Ｈｓは印加方向
が逆である。
実施例１と同様の記録を行なった。ただし、２ ｋＯｅ
の外部磁界と４０００ｅのバイアス磁界Ｈｓは印加方向
が逆である。
実施例４
第２磁性層および第３磁性層の材料組成、膜厚を変えた
以外は、実施例３と同様にして光磁気記録媒体を作製し
、同様の記録を行なった。ただし、外部磁界とバイアス
磁界の印加方向を第２または第３磁性層が室温とキュリ
ー点の間に補償温度がある場合は同方向に印加し、補償
温度が無い場合は逆方向に印加するものとした。
以外は、実施例３と同様にして光磁気記録媒体を作製し
、同様の記録を行なった。ただし、外部磁界とバイアス
磁界の印加方向を第２または第３磁性層が室温とキュリ
ー点の間に補償温度がある場合は同方向に印加し、補償
温度が無い場合は逆方向に印加するものとした。
この実施例３および実施例４の結果を表−６に示す。
表−６の結果から明らかなように、本実施例の全てにつ
いて必要な外部磁界Ｈｉを低減する効果があることを示
す、また、光磁気効果の大きい、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層を設けると、再生信号のキャリアレベルが約３ ｄＢ
ｍ向上していることが分る。
いて必要な外部磁界Ｈｉを低減する効果があることを示
す、また、光磁気効果の大きい、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層を設けると、再生信号のキャリアレベルが約３ ｄＢ
ｍ向上していることが分る。
なお表−６において、第２及び第３磁性層において補償
温度を有するものは、すべて希土類副格子磁化優位であ
り、補償温度を有しないものはすべて鉄族元素副格子磁
化優位であった。
温度を有するものは、すべて希土類副格子磁化優位であ
り、補償温度を有しないものはすべて鉄族元素副格子磁
化優位であった。
また実施例３と実施例４−１を比較すると、第１磁性層
に接する第２磁性層には、垂直磁気異方性の大きい（Ｄ
ｙ−Ｔｂ） −（ＦｅＣｏ）組成にした方が、Ｇｄ−（
ＦｅＣｏ）組成よりも記録ノイズが小さいことが分る。
に接する第２磁性層には、垂直磁気異方性の大きい（Ｄ
ｙ−Ｔｂ） −（ＦｅＣｏ）組成にした方が、Ｇｄ−（
ＦｅＣｏ）組成よりも記録ノイズが小さいことが分る。
また、同じＧｄ−（ＦｅＣｏ）系の磁性層を用いても、
実施例４−２や実施例４−３の様に補償温度を有する組
成域で使用することにより記録ノイズを低減できること
も分る。これは一つには、外部磁界Ｈｔとバイアス磁界
Ｈ８が同方向となり、記録中に第２及び第３磁性層の磁
化を安定させることができるからである。
実施例４−２や実施例４−３の様に補償温度を有する組
成域で使用することにより記録ノイズを低減できること
も分る。これは一つには、外部磁界Ｈｔとバイアス磁界
Ｈ８が同方向となり、記録中に第２及び第３磁性層の磁
化を安定させることができるからである。
また、補償温度の近くでは磁性層の保磁力は大きくなり
、磁化反転が起こりにくくなる。Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層は磁気異方性が小さく一般的に小さな保磁力を示すが
、実施例の様に補償温度が比較的近い２層を積層すると
、これらの両補償温度を含む比較的広い温度域において
、両層の交換結合力により安定化し、磁化反転が起こり
にくくなる。これらの効果によりＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ積層
膜が磁気異方性の大きな磁性膜の性質を表わし記録ノイ
ズを低減する効果があると考えられる。
、磁化反転が起こりにくくなる。Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性
層は磁気異方性が小さく一般的に小さな保磁力を示すが
、実施例の様に補償温度が比較的近い２層を積層すると
、これらの両補償温度を含む比較的広い温度域において
、両層の交換結合力により安定化し、磁化反転が起こり
にくくなる。これらの効果によりＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ積層
膜が磁気異方性の大きな磁性膜の性質を表わし記録ノイ
ズを低減する効果があると考えられる。
また、本発明において、第２及び第３磁性層はどちらが
第１磁性層に隣接するものであってもよい、すなわち、
どちらを先に積層してもよい、なお、表−６においては
便宜上積層順に第２磁性層、第３磁性層として表してい
るので、実施例４−１，４−３においては第３磁性層の
方が保磁力が大きくなっているが、この場合、この表の
第３磁性層は、本発明でいう第２磁性層を意味する。な
お、この実施例４−１．４−３と、実施例３．４−２．
４−４．４−５を比較すると、後者のほうが必要外部磁
界を低減させる効果が顕著なことが分る。
第１磁性層に隣接するものであってもよい、すなわち、
どちらを先に積層してもよい、なお、表−６においては
便宜上積層順に第２磁性層、第３磁性層として表してい
るので、実施例４−１，４−３においては第３磁性層の
方が保磁力が大きくなっているが、この場合、この表の
第３磁性層は、本発明でいう第２磁性層を意味する。な
お、この実施例４−１．４−３と、実施例３．４−２．
４−４．４−５を比較すると、後者のほうが必要外部磁
界を低減させる効果が顕著なことが分る。
〔発明の効果１
以上説明したように、本発明の光磁気記録媒体は、外部
磁界が比較的小さくても良好な重ね書きが可能であり、
その外部磁界の低減化により記録ビットの消失の防止及
び記録装置の更なるコンパクト化を可能にできるもので
ある。
磁界が比較的小さくても良好な重ね書きが可能であり、
その外部磁界の低減化により記録ビットの消失の防止及
び記録装置の更なるコンパクト化を可能にできるもので
ある。
また、第２磁性屡の希土類元素成分が主としてＴｂ、
Ｄｙであり、第３磁性層の希土類元素成分が主としてＧ
ｄ、 Ｈｏである組成を有すると、より記録ノイズの少
ない良好なものとなる。
Ｄｙであり、第３磁性層の希土類元素成分が主としてＧ
ｄ、 Ｈｏである組成を有すると、より記録ノイズの少
ない良好なものとなる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の光磁気記録媒体の
構成を例示する模式的断面図、第２図および第４図は、
本発明の光磁気記録媒体の記録過程における磁化状態を
例示する模式図、第３図および第５図は本発明の光磁気
記録媒体の第１〜第３磁性層における保磁力と温度の関
係を示す図である。
構成を例示する模式的断面図、第２図および第４図は、
本発明の光磁気記録媒体の記録過程における磁化状態を
例示する模式図、第３図および第５図は本発明の光磁気
記録媒体の第１〜第３磁性層における保磁力と温度の関
係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）キュリー点Ｔ＿１および保磁力Ｈ＿１を有する第１
磁性層と、キュリー点Ｔ＿２および保磁力Ｈ＿２を有す
る第２磁性層と、キュリー点Ｔ＿３および保磁力Ｈ＿３
を有する第３磁性層とを基体上に有し、該第１磁性層、
該第２磁性層および該第３磁性層が、希土類元素と遷移
金属元素との非晶質合金を主成分とする垂直磁化膜であ
り、且つ下記式を満たす光磁気記録媒体。 Ｈ＿１＞Ｈ＿２＞Ｈ＿３ Ｔ＿１＜Ｔ＿２及びＴ＿３ ２）該第２磁性層および／または該第３磁性層が、室温
とキュリー点との間に補償温度を有する請求項１記載の
光磁気記録媒体。 ３）該第２磁性層に含まれる希土類元素が主としてＴｂ
および／またはＤｙであり、該第３磁性層に含まれる希
土類元素が主としてＧｄおよび／またはＨｏである請求
項１または２記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291064A JP2724003B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光磁気記録媒体 |
| US08/411,921 US5536570A (en) | 1989-11-10 | 1995-03-28 | Overwrite capable magneto-optical recording medium having three magneto-optic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291064A JP2724003B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152743A true JPH03152743A (ja) | 1991-06-28 |
| JP2724003B2 JP2724003B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17763958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1291064A Expired - Fee Related JP2724003B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5536570A (ja) |
| JP (1) | JP2724003B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835105A (en) * | 1995-03-30 | 1998-11-10 | Imation Corp. | Method of optically turning a magneto-optic medium having in order a substrate two dielectric layers, and a thick magneto-optic recording layer, and medium turner by that method |
| JPH09270156A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH10134438A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Sony Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| US6541733B1 (en) | 2001-01-29 | 2003-04-01 | General Electric Company | Laser shock peening integrally bladed rotor blade edges |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675767A (en) * | 1983-12-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
| JPS60209942A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Canon Inc | 熱磁気記録媒体 |
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
| DE3752222T2 (de) * | 1986-07-08 | 1999-03-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Magnetoptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1291064A patent/JP2724003B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-28 US US08/411,921 patent/US5536570A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5536570A (en) | 1996-07-16 |
| JP2724003B2 (ja) | 1998-03-09 |
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