JPH04181732A - 二酸化硅素膜形成方法 - Google Patents
二酸化硅素膜形成方法Info
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- JPH04181732A JPH04181732A JP31047490A JP31047490A JPH04181732A JP H04181732 A JPH04181732 A JP H04181732A JP 31047490 A JP31047490 A JP 31047490A JP 31047490 A JP31047490 A JP 31047490A JP H04181732 A JPH04181732 A JP H04181732A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 silane (SiH4) Chemical class 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は良質な二酸化硅素膜を比較的低温にて形成する
方法を提供するもので、三次元ＬＳＩデバイス、薄膜ト
ランジスタ等シリコン系半導体装置製造分野に利用され
る物で有る。
方法を提供するもので、三次元ＬＳＩデバイス、薄膜ト
ランジスタ等シリコン系半導体装置製造分野に利用され
る物で有る。
〔従来の技術］
従来、二酸化硅素膜（Ｓ ｉ Ｏｘ ｉｉ）の形成方法
としては一般に、シリコン膜の熱酸化法と化学的気相堆
積法（ＣＶＤ法）の三者が広く知られている。前者の熱
酸化法は下地シリコン薄膜を酸素（０２）、笑気ガス（
Ｎ友ｏ）、水蒸気（Ｈ□０）などを含む酸化性雰囲気下
で、その温度が７００℃程度から１０００℃以上の高温
で熱処理を施す事に依りシリコン膜の表層部を酸化させ
、二酸化硅素膜を得る方法で有る。後者のＣＶＤ法はシ
ラン（ＳｉＨ４）やジシラン（Ｓｉ＊Ｈ−）、或いはテ
オス（Ｓｉ−（０−Ｃ１８，）、）などのシリコン含有
の液体又は気体化合物と酸素などの酸化物を気相或いは
基板表面で化学反応をさせる事に依り、該基板上に二酸
化硅素膜を堆積させる方法で有る。このＣＶＤ法には常
圧ＣＶＤ法。
としては一般に、シリコン膜の熱酸化法と化学的気相堆
積法（ＣＶＤ法）の三者が広く知られている。前者の熱
酸化法は下地シリコン薄膜を酸素（０２）、笑気ガス（
Ｎ友ｏ）、水蒸気（Ｈ□０）などを含む酸化性雰囲気下
で、その温度が７００℃程度から１０００℃以上の高温
で熱処理を施す事に依りシリコン膜の表層部を酸化させ
、二酸化硅素膜を得る方法で有る。後者のＣＶＤ法はシ
ラン（ＳｉＨ４）やジシラン（Ｓｉ＊Ｈ−）、或いはテ
オス（Ｓｉ−（０−Ｃ１８，）、）などのシリコン含有
の液体又は気体化合物と酸素などの酸化物を気相或いは
基板表面で化学反応をさせる事に依り、該基板上に二酸
化硅素膜を堆積させる方法で有る。このＣＶＤ法には常
圧ＣＶＤ法。
減圧ＣＶＤ法などが有り、その他にもプラズマＣＶＤ法
、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などが知られて
いる。
、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などが知られて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、先に述べた従来の方法に於いては、数多くの間
ｕ１点が指摘されている。まず、シリコン膜の熱酸化法
に依るＳｉｎ、膜形成法では、その形成に最低でも７０
０°Ｃ以上の高温熱処理を要する為基板の耐熱性が大き
な問題となる。この間闘は例えば三次元多層ＬＳＩの製
造に際して、上層部ＬＳＩ作成時には下層部ＬＳＩを保
護する、点がら本質的な課題として残る。又ガラス基板
上に薄膜トランジスタ等の半導体装置を製造する場合も
ガラスの不十分な耐熱性の為、熱酸化法は使用不能で有
る。
ｕ１点が指摘されている。まず、シリコン膜の熱酸化法
に依るＳｉｎ、膜形成法では、その形成に最低でも７０
０°Ｃ以上の高温熱処理を要する為基板の耐熱性が大き
な問題となる。この間闘は例えば三次元多層ＬＳＩの製
造に際して、上層部ＬＳＩ作成時には下層部ＬＳＩを保
護する、点がら本質的な課題として残る。又ガラス基板
上に薄膜トランジスタ等の半導体装置を製造する場合も
ガラスの不十分な耐熱性の為、熱酸化法は使用不能で有
る。
一方ＣＶＤ法に依り堆積されたＳｉＯ□膜に関しては比
較的低温で堆積し得るものの、例えばエツチング速度が
速いなどで示される様にその膜質が著しく劣っていると
の間圧が有る。従って現在迄の所、低温でしかも良質な
Ｓｉｎ、膜を形成する方法が無かった。
較的低温で堆積し得るものの、例えばエツチング速度が
速いなどで示される様にその膜質が著しく劣っていると
の間圧が有る。従って現在迄の所、低温でしかも良質な
Ｓｉｎ、膜を形成する方法が無かった。
本発明は斯様な従来のＳｉＯ２膜形成方法の間。
題声を解決する物で有り、その目的とする所は低温に於
いて良質な５ｉ０２膜の形成方法を提供する事に有る。
いて良質な５ｉ０２膜の形成方法を提供する事に有る。
〔課題を解決するための手段］
本発明は下地膜層に酸素プラズマを昭射する事に依り、
該下地膜層の総で、又はその一部を酸化して二酸化硅素
膜を得る事を特徴とする。
該下地膜層の総で、又はその一部を酸化して二酸化硅素
膜を得る事を特徴とする。
［実施例１］
以下本発明の詳細な説明するが、本発明が以下の実施例
に限定される物では無い。
に限定される物では無い。
本実施例Ｉでは基板として直径７６．２ｍｍて厚さ４０
０ＬＬｍの＜１００＞結晶面方位を有するｎ型単結晶シ
リコンウェハー３枚を用いた。この基板には燐がドープ
されて居り、その抵抗率は３．００Ω・ｃｍで有ったに
の基板を沸騰している濃度６０％の硝酸中に５分間浸し
て基板表面の汚れを除去した６次に液温２５°Ｃの］
６７％弗化水素酸水溶液に＠紀基板を２０秒間鏝しで表
面自然酸化膜を取り除き 引き続いて窒素バブリングさ
れている純水中で１５分間の水洗とスピン・ドライヤー
に依る乾燥とを清した後、直ちに常圧気相化学堆積法（
ＡＰＣＶＤ法）で下地とな６Ｓ ｉ Ｏ２膜ヲ１８１６
Ａ堆積シタ、下地ＳｉＯ２膜堆横時の基板温度は３００
’Ｃで、シランの濃度をＮ票に依り２０％へと希釈さ
れたシラン・窒素混合ガス６００ＳＣＣＭを８４０ＳＣ
ＣＭ（７）酸素と共に約１４０ＳＬＭの窒素で希釈して
ＡＰＣＶＤ炉に流し、下地５１０２１ｉを堆積した。こ
の時のＳｉＯ＊Ｍｉの堆積速度は３．３３Ａ７ｓｅｃで
有った。これら−違の工程は基板材料のいがんに拘らず
、後に堆積されるシリコン膜の膜質を安定化する為に施
された。
０ＬＬｍの＜１００＞結晶面方位を有するｎ型単結晶シ
リコンウェハー３枚を用いた。この基板には燐がドープ
されて居り、その抵抗率は３．００Ω・ｃｍで有ったに
の基板を沸騰している濃度６０％の硝酸中に５分間浸し
て基板表面の汚れを除去した６次に液温２５°Ｃの］
６７％弗化水素酸水溶液に＠紀基板を２０秒間鏝しで表
面自然酸化膜を取り除き 引き続いて窒素バブリングさ
れている純水中で１５分間の水洗とスピン・ドライヤー
に依る乾燥とを清した後、直ちに常圧気相化学堆積法（
ＡＰＣＶＤ法）で下地とな６Ｓ ｉ Ｏ２膜ヲ１８１６
Ａ堆積シタ、下地ＳｉＯ２膜堆横時の基板温度は３００
’Ｃで、シランの濃度をＮ票に依り２０％へと希釈さ
れたシラン・窒素混合ガス６００ＳＣＣＭを８４０ＳＣ
ＣＭ（７）酸素と共に約１４０ＳＬＭの窒素で希釈して
ＡＰＣＶＤ炉に流し、下地５１０２１ｉを堆積した。こ
の時のＳｉＯ＊Ｍｉの堆積速度は３．３３Ａ７ｓｅｃで
有った。これら−違の工程は基板材料のいがんに拘らず
、後に堆積されるシリコン膜の膜質を安定化する為に施
された。
続いて、斯様に形成された５ｉＯ２ｔｌＮ上にモノシラ
ン（ＳｉＨ，）を原料ガスとして減圧気相化学堆積法（
ＬＰＣＶＤ法）にて非単結晶シリコン膜を７４７人堆積
した１本実施例１に於けるＬＰＣＶＤ装置はホット・つ
オール型で、その反応炉中央付近に約３５０ｍｍの長さ
で垂直方向に均熱帯が拡がっている１反応炉の容積は１
８４．５４で基板は反応炉中央付近に表側を上向きにし
て挿入された。非単結晶シリコン膜の堆積温度は５５０
″Ｃで、原料ガスで有るモノシランを３０５ＣＣＭ流し
た。希釈ガスは一切用いなかった。排気系のコンダクタ
ンス・バルブの開閉を調整する事で堆積時の反応炉内圧
は３００．０ｍＴｏｒｒ１．：保たれた。この時の堆積
速度は１４．９３Ａ／ｍｉｎで有った。非羊結品シリコ
ン膜堆積後この基板の一枚（試料１−１）を温度２４°
Ｃ，温度４５％〜５０％の室内にｌＯ日間放置し、続い
て多？ｉ長分散型偏光解析法（多波長分光エリプソメト
リ−二ソーブラ社！、１１０５５−ＥＳ４Ｇ）にて表面
自然酸化膜の膜厚を測定した所、４人のＳｉＯ２が認め
られた。
ン（ＳｉＨ，）を原料ガスとして減圧気相化学堆積法（
ＬＰＣＶＤ法）にて非単結晶シリコン膜を７４７人堆積
した１本実施例１に於けるＬＰＣＶＤ装置はホット・つ
オール型で、その反応炉中央付近に約３５０ｍｍの長さ
で垂直方向に均熱帯が拡がっている１反応炉の容積は１
８４．５４で基板は反応炉中央付近に表側を上向きにし
て挿入された。非単結晶シリコン膜の堆積温度は５５０
″Ｃで、原料ガスで有るモノシランを３０５ＣＣＭ流し
た。希釈ガスは一切用いなかった。排気系のコンダクタ
ンス・バルブの開閉を調整する事で堆積時の反応炉内圧
は３００．０ｍＴｏｒｒ１．：保たれた。この時の堆積
速度は１４．９３Ａ／ｍｉｎで有った。非羊結品シリコ
ン膜堆積後この基板の一枚（試料１−１）を温度２４°
Ｃ，温度４５％〜５０％の室内にｌＯ日間放置し、続い
て多？ｉ長分散型偏光解析法（多波長分光エリプソメト
リ−二ソーブラ社！、１１０５５−ＥＳ４Ｇ）にて表面
自然酸化膜の膜厚を測定した所、４人のＳｉＯ２が認め
られた。
次に非単結晶シリコン膜堆積後の基板の一枚（試料１−
２）を１６７％弗化水素酸水溶液に２０秒間浸して表面
自然酸化膜を取り除いた後。
２）を１６７％弗化水素酸水溶液に２０秒間浸して表面
自然酸化膜を取り除いた後。
直ちに電子サイクロトロン共鳴プラズマｃｖｏｉｆｆｉ
（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置）にて非単結晶シリコン膜
に酸素プラズマ照射を施した１本実施例１で用いたＥＣ
Ｒ−ＰＥＣＶＤ装置の概要を第１図に示す、酸素プラズ
マは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１０１を通じ
て反応室１０２に導き、１００ＳＣＣＵの酸素をガス導
入管１０３から導入して酸素プラズマを立てた。この時
、反応室内の圧力は１．８０ｍＴｏｒｒで、マイクロ波
の出力は１００ＯＷで有った０反応室の外側には一外部
コイル１０４が設けられて居り、酸素プラズマに８７５
Ｇａｕｓｓの磁場を掛けてプラズマ中の電子にＥＣＲ条
件を満足せしめている。基板１０５はプラズマに対して
垂直に置かれ、ヒータ１０６に依り基板温度が３００°
Ｃとなる様保たれでいる。この条件で試料１−２に３４
分ｌＯ秒間酸素プラズマを照射した。又試料１−３は試
料１−２と同様に１６７％弗化水素酸に２０秒間浸して
表面自然酸化膜を取り除いた後、直ちに試Ｉｔ １−２
で酸素プラズマ照射を施したのと同しＥＣＲ−ＰＥＣＶ
Ｄ装置を用いて酸素プラズマを照射した。この時マイク
ロ波の出力を２５００Ｗにし、プラズマ照射時間を８分
２０秒とした他は試料ｌ−２と同じ条件下でプラズマ照
射を施した。
（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置）にて非単結晶シリコン膜
に酸素プラズマ照射を施した１本実施例１で用いたＥＣ
Ｒ−ＰＥＣＶＤ装置の概要を第１図に示す、酸素プラズ
マは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１０１を通じ
て反応室１０２に導き、１００ＳＣＣＵの酸素をガス導
入管１０３から導入して酸素プラズマを立てた。この時
、反応室内の圧力は１．８０ｍＴｏｒｒで、マイクロ波
の出力は１００ＯＷで有った０反応室の外側には一外部
コイル１０４が設けられて居り、酸素プラズマに８７５
Ｇａｕｓｓの磁場を掛けてプラズマ中の電子にＥＣＲ条
件を満足せしめている。基板１０５はプラズマに対して
垂直に置かれ、ヒータ１０６に依り基板温度が３００°
Ｃとなる様保たれでいる。この条件で試料１−２に３４
分ｌＯ秒間酸素プラズマを照射した。又試料１−３は試
料１−２と同様に１６７％弗化水素酸に２０秒間浸して
表面自然酸化膜を取り除いた後、直ちに試Ｉｔ １−２
で酸素プラズマ照射を施したのと同しＥＣＲ−ＰＥＣＶ
Ｄ装置を用いて酸素プラズマを照射した。この時マイク
ロ波の出力を２５００Ｗにし、プラズマ照射時間を８分
２０秒とした他は試料ｌ−２と同じ条件下でプラズマ照
射を施した。
こうして作成された試料１−２と試料１−３の表面酸化
膜の膜厚を多波長分散型偏光解析法で一１１定した所、
それぞれ９３人と１１２人のＳｉＯオ膜が確認された６
次にこれらの試料１−１．１−２．１−３と前述のＡＰ
ＣＶＤ法で堆積した下地ＳｉＯ□膜のエツチング速度を
測定した。エツチング液には１．６７％弗化水素酸水溶
液を用い。
膜の膜厚を多波長分散型偏光解析法で一１１定した所、
それぞれ９３人と１１２人のＳｉＯオ膜が確認された６
次にこれらの試料１−１．１−２．１−３と前述のＡＰ
ＣＶＤ法で堆積した下地ＳｉＯ□膜のエツチング速度を
測定した。エツチング液には１．６７％弗化水素酸水溶
液を用い。
その液温は２５℃で有った。試料１−１の自然酸化膜の
エツチング速度は０．７６人／ ｓ ｅ ｃで有った。
エツチング速度は０．７６人／ ｓ ｅ ｃで有った。
酸素プラズマ照射に依って作成された試料１−２と１−
３の５ｉＯ−膜のエツチング速度は其々４．３５人／ｓ
ｅｃと４，２９人／ｓｅｃで有った。これに対してＡＰ
ＣＶＤ法で堆積されたＳｉＯ，ｌ［のエツチング速度は
２１．４０人／ｓｅｃで有った。この様に非単結晶シリ
コン膜に酸素プラズマ照射する事で５１０２膜を形成す
る事が可能となり、しかもその膜質は基板温度が同し時
、従来広く普及されているＡＰＣＶＤ法で堆積した５ｉ
Ｏｓｌｌ！よりもはるかに優れている。
３の５ｉＯ−膜のエツチング速度は其々４．３５人／ｓ
ｅｃと４，２９人／ｓｅｃで有った。これに対してＡＰ
ＣＶＤ法で堆積されたＳｉＯ，ｌ［のエツチング速度は
２１．４０人／ｓｅｃで有った。この様に非単結晶シリ
コン膜に酸素プラズマ照射する事で５１０２膜を形成す
る事が可能となり、しかもその膜質は基板温度が同し時
、従来広く普及されているＡＰＣＶＤ法で堆積した５ｉ
Ｏｓｌｌ！よりもはるかに優れている。
［実施例２］
実施例１と非単結晶シリコン膜の堆積工程以外は全（同
じ工程で非単結晶シリコン膜の酸素プラズマ照射に依る
酸化の可能性をさぐった。
じ工程で非単結晶シリコン膜の酸素プラズマ照射に依る
酸化の可能性をさぐった。
本実施例２では実施例１と同じ基板を３枚用い下地５ｉ
Ｏｚ膜を形成する工程迄は実施例１と全く同じであった
。下地Ｓｉ○２形成後、原料ガスとしてジシラン（Ｓｌ
ｘＨａ）を用いて、ＬＰＣＶＤ法で非単結晶シリコン膜
を８３９Ａ堆積した１本実施例２に於けるＬＰＣＶＤ炉
は実施例１のＬＰＣＶＤ炉と同一で有る。非単結晶シリ
コン膿の堆積温度は４５０℃で、原料ガスで有るジシラ
ンは１１００５ＣＣ流した。希釈ガスとして純度９９．
９９９９％のヘリウムを用い、それを１１００３ＣＣ流
した。又、排気系のコンダクタシス・バルブの開閉を調
整する事で堆積時の反応炉内圧は２９８．７ｍＴｏｒｒ
に保たれた。この時、非単結晶シリコン膜の堆積速度＋
−；１６．７８人／ｍｉｎで有った。非単結晶シリコン
Ｍ堆積後、この基板の一枚（試料２−１）を１度２４°
Ｃ１湿度４５％〜５０％の室内にｌＯ日間放置し、続い
て多波長分散型偏光解析法にて表面自然酸化膜の膜厚を
測定した所、５人の５ｉＯ−が認められた。
Ｏｚ膜を形成する工程迄は実施例１と全く同じであった
。下地Ｓｉ○２形成後、原料ガスとしてジシラン（Ｓｌ
ｘＨａ）を用いて、ＬＰＣＶＤ法で非単結晶シリコン膜
を８３９Ａ堆積した１本実施例２に於けるＬＰＣＶＤ炉
は実施例１のＬＰＣＶＤ炉と同一で有る。非単結晶シリ
コン膿の堆積温度は４５０℃で、原料ガスで有るジシラ
ンは１１００５ＣＣ流した。希釈ガスとして純度９９．
９９９９％のヘリウムを用い、それを１１００３ＣＣ流
した。又、排気系のコンダクタシス・バルブの開閉を調
整する事で堆積時の反応炉内圧は２９８．７ｍＴｏｒｒ
に保たれた。この時、非単結晶シリコン膜の堆積速度＋
−；１６．７８人／ｍｉｎで有った。非単結晶シリコン
Ｍ堆積後、この基板の一枚（試料２−１）を１度２４°
Ｃ１湿度４５％〜５０％の室内にｌＯ日間放置し、続い
て多波長分散型偏光解析法にて表面自然酸化膜の膜厚を
測定した所、５人の５ｉＯ−が認められた。
次に非単結晶シリコン膜堆積後の基板の一枚（試料２−
２）を１．６７％弗化水素酸水溶液に２０秒間浸して表
面自然酸化膜を取り除いた後。
２）を１．６７％弗化水素酸水溶液に２０秒間浸して表
面自然酸化膜を取り除いた後。
直ちに実施例１で用いたＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置にて酸
素プラズマ照射を施した。この時のプラズマ照射条件は
実施例１の試料１−２と厳！に一致している。又、試料
２−３は試料２−２と同じ方法で非単結晶シリコン膜表
面上の自然酸化膜を除去した後、直ちに実施例１の試料
１−３と完全に等しい酸素プラズマ照射条件で酸素プラ
ズマ照射を行った。
素プラズマ照射を施した。この時のプラズマ照射条件は
実施例１の試料１−２と厳！に一致している。又、試料
２−３は試料２−２と同じ方法で非単結晶シリコン膜表
面上の自然酸化膜を除去した後、直ちに実施例１の試料
１−３と完全に等しい酸素プラズマ照射条件で酸素プラ
ズマ照射を行った。
こうして作成された試料２−２と試料２−３の表面酸化
膜の膜厚を多波長分数型偏光解析法で一１１定した所、
それぞれ１０２人と１１９人のＳｉＯ□膜が確認された
０次にこれらの試料２−１゜２−２．２−３のエツチン
グ速度を測定した。この測定条件は実施例１と全（同一
で有る。この結果試料２−１の自然酸化膜のエツチング
速度が１．０６Ａ／ｓｅｃで、非羊結晶シリコン膜に酵
素プラズマ解射する事に依り作成された試料２−２と２
−３のＳｉＯ２膜のエツチング速度は其々４８１人／
ｓ ｅ ｃと４．５９Ａ／ｓｅｃで有った。この様に非
単結晶シリコン膜に酸素プラズマを照射する事に依り、
基板温度が３００℃と云う低温で、しかもＣＶＤ法に依
り作成されたＳ１０、よりもはるかに良好な膜質のＳｉ
Ｃ）ａＭＪＮを作成出来た。
膜の膜厚を多波長分数型偏光解析法で一１１定した所、
それぞれ１０２人と１１９人のＳｉＯ□膜が確認された
０次にこれらの試料２−１゜２−２．２−３のエツチン
グ速度を測定した。この測定条件は実施例１と全（同一
で有る。この結果試料２−１の自然酸化膜のエツチング
速度が１．０６Ａ／ｓｅｃで、非羊結晶シリコン膜に酵
素プラズマ解射する事に依り作成された試料２−２と２
−３のＳｉＯ２膜のエツチング速度は其々４８１人／
ｓ ｅ ｃと４．５９Ａ／ｓｅｃで有った。この様に非
単結晶シリコン膜に酸素プラズマを照射する事に依り、
基板温度が３００℃と云う低温で、しかもＣＶＤ法に依
り作成されたＳ１０、よりもはるかに良好な膜質のＳｉ
Ｃ）ａＭＪＮを作成出来た。
［発明の効果〕
以上述べて来た様に、本発明に依れば成１１Ｍ温度を３
００℃程度の低温で有っても、非単結晶シリコン膜に酸
素プラズマ照射する事に依り、良質な二酸化硅素膜を形
成する事が可能となり、ＬＳＩの多層化や１膜トランジ
スタの低価格・高性能化をもたらすと云う多大な効果を
有する６
００℃程度の低温で有っても、非単結晶シリコン膜に酸
素プラズマ照射する事に依り、良質な二酸化硅素膜を形
成する事が可能となり、ＬＳＩの多層化や１膜トランジ
スタの低価格・高性能化をもたらすと云う多大な効果を
有する６
第１図は本発明の実施例に於いて酸素プラズマ照射に用
いた電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置の概要
を示す図。 １、０１ ・ ・ マイクロｉ皮導（残雪１０２・・・
反応室 １０３・・・酸素ガス導入管 １０４・・・外部コイル １０５・・・基板 １０６・ ・ ・ヒーター 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
いた電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置の概要
を示す図。 １、０１ ・ ・ マイクロｉ皮導（残雪１０２・・・
反応室 １０３・・・酸素ガス導入管 １０４・・・外部コイル １０５・・・基板 １０６・ ・ ・ヒーター 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）下地膜層に酸素プラズマを照射する事に依り、該
下地膜層の総て、又はその一部を酸化して二酸化硅素膜
を得る事を特徴とする二酸化硅素膜形成方法。 - （２）前記下地膜層は非単結晶性シリコン膜層で有るこ
とを特徴とする請求項１記載の二酸化硅素形成方法。 - （３）前記下地膜層の表層部が非単結晶性シリコン膜層
で有ることを特徴とする請求項１記載の二酸化硅素膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31047490A JPH04181732A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 二酸化硅素膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31047490A JPH04181732A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 二酸化硅素膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181732A true JPH04181732A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18005682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31047490A Pending JPH04181732A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 二酸化硅素膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04181732A (ja) |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31047490A patent/JPH04181732A/ja active Pending
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