JPH04182063A - はんだリフロー炉 - Google Patents
はんだリフロー炉Info
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- JPH04182063A JPH04182063A JP30751790A JP30751790A JPH04182063A JP H04182063 A JPH04182063 A JP H04182063A JP 30751790 A JP30751790 A JP 30751790A JP 30751790 A JP30751790 A JP 30751790A JP H04182063 A JPH04182063 A JP H04182063A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、クリームはんだを介して電子部品を搭載した
基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉に
関する。
基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉に
関する。
（発明の概要）
本発明は、クリームはんだを介して電子部品を搭載した
基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉に
おいて、基板を昇降移送するための手段を設けることに
よって設置面積の削減を図るとともに、チャンバーの搬
入口及び搬出口にシャ・ツタ−を設けてチャンバー内に
供給する酸化防止用カスの消費量低減を図ったしのであ
る。
基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉に
おいて、基板を昇降移送するための手段を設けることに
よって設置面積の削減を図るとともに、チャンバーの搬
入口及び搬出口にシャ・ツタ−を設けてチャンバー内に
供給する酸化防止用カスの消費量低減を図ったしのであ
る。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）従来の
はんだリフロー炉は、加熱体を平面状に配置して、プリ
ント基板上にクリームはんだを介し電子部品を搭載した
回路基板を水平面内で移送する構成であったため、はん
だリフロー炉の設置床面積か大きくなる欠点があった。
はんだリフロー炉は、加熱体を平面状に配置して、プリ
ント基板上にクリームはんだを介し電子部品を搭載した
回路基板を水平面内で移送する構成であったため、はん
だリフロー炉の設置床面積か大きくなる欠点があった。
また、プリント基板のパターンか微細化するなかて゛、
はんだの酸化も問題になり、窒素ガス等の酸化防止用ガ
スを用いた酸素除去の必要性が増しているが、従来装置
では酸化防止用ガスの消費を低減する対策が施されてい
ないため、ランニングコストが高くなっている嫌いがあ
る。
はんだの酸化も問題になり、窒素ガス等の酸化防止用ガ
スを用いた酸素除去の必要性が増しているが、従来装置
では酸化防止用ガスの消費を低減する対策が施されてい
ないため、ランニングコストが高くなっている嫌いがあ
る。
本発明は、上記の点に鑑み、設置スペースの低減及びラ
ンニングコストの低減を図り得るはんだリフロー炉を提
供することを目的とする。
ンニングコストの低減を図り得るはんだリフロー炉を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明は、基板搬入口及び
基板搬出口を備えたチャンバー内に基板を上下方向に移
送する昇降手段を設け、前記基板搬入口及び搬出口を開
閉するシャッターを設け、さらに前記チャンバーを貫通
するガス供給路を通してはんだ酸化防止用ガスを供給す
るとともに、前記チャンバー内に熱風を供給する構成と
している。
基板搬出口を備えたチャンバー内に基板を上下方向に移
送する昇降手段を設け、前記基板搬入口及び搬出口を開
閉するシャッターを設け、さらに前記チャンバーを貫通
するガス供給路を通してはんだ酸化防止用ガスを供給す
るとともに、前記チャンバー内に熱風を供給する構成と
している。
（作用）
本発明のはんだリフロー炉においては、基板を上下方向
に移送する昇降手段をチャンバー内に内蔵しているため
、設置床面積を従来よりも大幅に低減することができる
。また、チャンバーの基板搬入口及び搬出口にシャッタ
ーを設けて、チャンバーからのはんだ酸化防止用ガスの
無駄な放出を防止することにより、はんだ酸化防止用ガ
スの消費を抑制し、ひいてはランニングコストの低減を
図り得る。
に移送する昇降手段をチャンバー内に内蔵しているため
、設置床面積を従来よりも大幅に低減することができる
。また、チャンバーの基板搬入口及び搬出口にシャッタ
ーを設けて、チャンバーからのはんだ酸化防止用ガスの
無駄な放出を防止することにより、はんだ酸化防止用ガ
スの消費を抑制し、ひいてはランニングコストの低減を
図り得る。
（実施例）
以下、本発明に係るはんだリフロー炉の実施例を図面に
従って説明する。
従って説明する。
第１図において、１はチャンバーであり、該チャンバー
は中央隔壁で区画された２つの加熱室２Ａ。
は中央隔壁で区画された２つの加熱室２Ａ。
２Ｂを有し、さらに各加熱室２Ａ、２Ｂは仕切り板３Ａ
、３Ｂでそれぞれ２つのソーンに仕切られている。すな
わち、チャンバー１内は第１図右上の第１ゾーンｚ１と
、右下の第２ゾーンｚ２と、左下の第３ゾーンｚ３と、
左上の第４ゾーンＺ４とに区画されている。
、３Ｂでそれぞれ２つのソーンに仕切られている。すな
わち、チャンバー１内は第１図右上の第１ゾーンｚ１と
、右下の第２ゾーンｚ２と、左下の第３ゾーンｚ３と、
左上の第４ゾーンＺ４とに区画されている。
プリント基板１１上にクリームはんたを介し電子部品１
２を搭載した回路基板１０をメカニカルハンド１３等て
チャンバー１内の第１ゾーンｚ１に供給可能な如くチャ
ンバー１には基板搬入口４が設けられている。また、第
４ゾーンｚ４に到達したはんだ付は処理後の回路基板１
０をメカニカルハンド等で取り出すためにチャンバー１
に基板搬出口５が設けられている。それらの搬入口４及
び搬出口５には開閉用のシャッター６．７が開閉自在に
配設されている。
２を搭載した回路基板１０をメカニカルハンド１３等て
チャンバー１内の第１ゾーンｚ１に供給可能な如くチャ
ンバー１には基板搬入口４が設けられている。また、第
４ゾーンｚ４に到達したはんだ付は処理後の回路基板１
０をメカニカルハンド等で取り出すためにチャンバー１
に基板搬出口５が設けられている。それらの搬入口４及
び搬出口５には開閉用のシャッター６．７が開閉自在に
配設されている。
各加熱室２Ａ、２Ｂには、基板を上下方向に移送する昇
降手段としてのスクリュー搬送機構８Ａ。
降手段としてのスクリュー搬送機構８Ａ。
８Ｂが配設されている。該スクリュー搬送機構８Ａ、８
Ｂは、第２図に示すように、４本の螺旋スクリュー軸２
０で回路基板１０の縁部を支持し、各螺旋スクリュー軸
２０の回転によって回路基板１０を昇降せしめるもので
ある。例えば第２図の矢印ａ、ｂの如く螺旋スクリュー
軸２０を回転した場合は回路基板１０は下降し、逆に矢
印ｃ、ｄの如く回転した場合は回路基板１０は上昇する
。
Ｂは、第２図に示すように、４本の螺旋スクリュー軸２
０で回路基板１０の縁部を支持し、各螺旋スクリュー軸
２０の回転によって回路基板１０を昇降せしめるもので
ある。例えば第２図の矢印ａ、ｂの如く螺旋スクリュー
軸２０を回転した場合は回路基板１０は下降し、逆に矢
印ｃ、ｄの如く回転した場合は回路基板１０は上昇する
。
前記加熱室２Ａ、２Ｂを連絡するために横方向のコンベ
ア（ワイヤコンベア）１５がチャンバー内下部に配設さ
れ、また加熱室２Ａの第２ゾーンＺ２及び加熱室２Ｂの
第３ゾーンｚ３に連通ずる如くガス供給管１６がチャン
バー１を貫通して設けられている。各ガス供給管１６を
介しはんだ酸化防止用ガスとしての窒素ガスがチャンバ
ー内に供給されるようになっている。さらに、図示しな
い熱風供給路から第２ゾーンｚ２及び第３ゾーンＺ３に
熱風が供給されている。また、各加熱室２Ａ、２Ｂの天
井部分には輻射熱発生手段としての遠赤外面状ヒーター
１７がそれぞれ配設されている。
ア（ワイヤコンベア）１５がチャンバー内下部に配設さ
れ、また加熱室２Ａの第２ゾーンＺ２及び加熱室２Ｂの
第３ゾーンｚ３に連通ずる如くガス供給管１６がチャン
バー１を貫通して設けられている。各ガス供給管１６を
介しはんだ酸化防止用ガスとしての窒素ガスがチャンバ
ー内に供給されるようになっている。さらに、図示しな
い熱風供給路から第２ゾーンｚ２及び第３ゾーンＺ３に
熱風が供給されている。また、各加熱室２Ａ、２Ｂの天
井部分には輻射熱発生手段としての遠赤外面状ヒーター
１７がそれぞれ配設されている。
以上の実施例の構成において、チャンバー内の第１ゾー
ンｚ１は遠赤外面状ヒーター１７及び熱風により４００
℃程度に設定され、第２ゾーンＺ２は主として熱風によ
り２５０℃程度に設定され、第３ゾーンｚ３は主として
熱風により４００℃程度に設定され、第４ゾーンＺ４は
遠赤外面状ヒーター１７及び熱風により５５０℃程度に
設定されている。
ンｚ１は遠赤外面状ヒーター１７及び熱風により４００
℃程度に設定され、第２ゾーンＺ２は主として熱風によ
り２５０℃程度に設定され、第３ゾーンｚ３は主として
熱風により４００℃程度に設定され、第４ゾーンＺ４は
遠赤外面状ヒーター１７及び熱風により５５０℃程度に
設定されている。
そして、プリント基板１１上にクリームはんだを介し電
子部品１２を搭載した回路基板１０はメカニカルハンド
１３等で開状態の基板搬入口４を介しチャンバー１内の
第１ゾーンｚ１に供給され、昇降手段としてのスクリュ
ウ−搬送機構８Ａにて支持される。その後、スクリュウ
−搬送機構８Ａの下降動作により回路基板１０は第２ゾ
ーンｚ２に入り、ここを通過する間に回路基板上のクリ
ームはんだの温度は１６０°Ｃ程度にまで上昇すること
になる。
子部品１２を搭載した回路基板１０はメカニカルハンド
１３等で開状態の基板搬入口４を介しチャンバー１内の
第１ゾーンｚ１に供給され、昇降手段としてのスクリュ
ウ−搬送機構８Ａにて支持される。その後、スクリュウ
−搬送機構８Ａの下降動作により回路基板１０は第２ゾ
ーンｚ２に入り、ここを通過する間に回路基板上のクリ
ームはんだの温度は１６０°Ｃ程度にまで上昇すること
になる。
第２ゾーンｚ２を通った回路基板１０はスクリュウ−搬
送機構８Ａから横方向のコンベア１５上に載置され、該
コンベア１５の矢印ｅ方向の移動により加熱室２Ｂに移
される。そして、加熱室２Ｂ側のスクリュウ−搬送機構
８Ｂにて順次保持されて第３ゾーンｚ３内を上方に移送
される。この第３・／−ンｚ３を通過する間に回路基板
上のクリームはんだの温度は１９０°Ｃ程度にまで上昇
する。
送機構８Ａから横方向のコンベア１５上に載置され、該
コンベア１５の矢印ｅ方向の移動により加熱室２Ｂに移
される。そして、加熱室２Ｂ側のスクリュウ−搬送機構
８Ｂにて順次保持されて第３ゾーンｚ３内を上方に移送
される。この第３・／−ンｚ３を通過する間に回路基板
上のクリームはんだの温度は１９０°Ｃ程度にまで上昇
する。
そして、スクリュウ−搬送機構８Ｂの上昇動作により第
４ゾーンｚ４に到達した回路基板上のクリームはんだの
温度は２３０°Ｃ程度に達し、クリームはんだは溶融状
態となって所定のはんだ付けが実行される。そして、開
状態の基板搬出口５よりはんだ付は処理後の回路基板１
０がメカニカルハンド等で外部に取り出される。
４ゾーンｚ４に到達した回路基板上のクリームはんだの
温度は２３０°Ｃ程度に達し、クリームはんだは溶融状
態となって所定のはんだ付けが実行される。そして、開
状態の基板搬出口５よりはんだ付は処理後の回路基板１
０がメカニカルハンド等で外部に取り出される。
なお、シャッター６．７は基板搬入、搬出のタイミング
以外は閉した状態として熱風及び窒素ガスの無駄な放出
を極力防止する。
以外は閉した状態として熱風及び窒素ガスの無駄な放出
を極力防止する。
上記実施例の構成によれば、以下の効果を得ることがで
きる。
きる。
（１） チャンバー構造であり、熱風の撹拌効果によっ
て各ゾーンにおける温度のばらつきを少なくすることか
で・きる。
て各ゾーンにおける温度のばらつきを少なくすることか
で・きる。
（２） 回路基板１０を上下方向に移送するので、設置
床面積を大幅に削減できる。例えば、現状の平面的な基
板移送によるものは設置床面積が２３００１１＋ｍＸ
６００ｍｍであるか、上記実施例の場合１０００ｍｍＸ
６００ｍｍとなり半減する。
床面積を大幅に削減できる。例えば、現状の平面的な基
板移送によるものは設置床面積が２３００１１＋ｍＸ
６００ｍｍであるか、上記実施例の場合１０００ｍｍＸ
６００ｍｍとなり半減する。
（３）チャンバー内にはんだ酸化防止用ガスとしての窒
素ガスを各ガス供給管１６を介して供給することによっ
て、回路基板１０上のはんだの酸化を防止できる。また
、チャンバー１の基板搬入口４及び基板搬出口５はシャ
ッター６．７で回路基板の搬入、搬出時以外は閉じてお
くことができるので、窒素ガスの消費量を低減（例えば
従来品に比して半減）できる。
素ガスを各ガス供給管１６を介して供給することによっ
て、回路基板１０上のはんだの酸化を防止できる。また
、チャンバー１の基板搬入口４及び基板搬出口５はシャ
ッター６．７で回路基板の搬入、搬出時以外は閉じてお
くことができるので、窒素ガスの消費量を低減（例えば
従来品に比して半減）できる。
（４） 回路基板１０の上下送りはスクリュウ−搬送機
構８Ａ、８Ｂで行っており、各螺旋スクリュー軸２０の
回転数を変ｆヒさせることによって処理量の制御ができ
る。
構８Ａ、８Ｂで行っており、各螺旋スクリュー軸２０の
回転数を変ｆヒさせることによって処理量の制御ができ
る。
なお、上記実施例では、チャンバー１を２個の加熱室２
Ａ、２Ｂに区分し、各加熱室に昇降手段としてのスクリ
ュウ−搬送機構を配置したが、高さ寸法の大きな１個の
加熱室に１個のスクリュー搬送機構を配置する機構とし
ても良い。
Ａ、２Ｂに区分し、各加熱室に昇降手段としてのスクリ
ュウ−搬送機構を配置したが、高さ寸法の大きな１個の
加熱室に１個のスクリュー搬送機構を配置する機構とし
ても良い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明のはんだリフロー炉によれ
ば、基板を上下方向に移送する機構を内蔵することによ
って設置スペースを低減でき、またシャッター付き搬入
、搬出口を備えたチャンバー構造の採用によってはんだ
酸化防止用ガスの消費を抑えてランニングコストの低減
を図ることができる。
ば、基板を上下方向に移送する機構を内蔵することによ
って設置スペースを低減でき、またシャッター付き搬入
、搬出口を備えたチャンバー構造の採用によってはんだ
酸化防止用ガスの消費を抑えてランニングコストの低減
を図ることができる。
第１図は本発明に係るはんだリフロー炉の実施例を示す
構成図、第２図はスクリュー搬送機構の構成図である。 １・・チャンバー、２Ａ、２Ｂ・・・加熱室、４・・搬
入口、５・・・搬出口、６．７・・・シャッター、８Ａ
、８Ｂ・・スクリュー搬送機構、１０・・回路基板、１
１・・電子部品、１２・・・プリント基板、１５・・・
コンベア、１７・・・遠赤外面状ヒーター、２０・・・
スクリュー軸。
構成図、第２図はスクリュー搬送機構の構成図である。 １・・チャンバー、２Ａ、２Ｂ・・・加熱室、４・・搬
入口、５・・・搬出口、６．７・・・シャッター、８Ａ
、８Ｂ・・スクリュー搬送機構、１０・・回路基板、１
１・・電子部品、１２・・・プリント基板、１５・・・
コンベア、１７・・・遠赤外面状ヒーター、２０・・・
スクリュー軸。
Claims (2)
- （１）基板搬入口及び基板搬出口を備えたチャンバー内
に基板を上下方向に移送する昇降手段を設け、前記基板
搬入口及び搬出口を開閉するシャッターを設け、さらに
前記チャンバーを貫通するガス供給路を通してはんだ酸
化防止用ガスを供給するとともに、前記チャンバー内に
熱風を供給することを特徴とするはんだリフロー炉。 - （２）前記チャンバー内壁に輻射熱発生手段が配設され
ている請求項１記載のはんだリフロー炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307517A JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307517A JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182063A true JPH04182063A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2994454B2 JP2994454B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=17970036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307517A Expired - Fee Related JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994454B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661640A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー装置およびリフロー方法 |
| JPH07142855A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Nec Corp | 縦型リフロー半田付装置 |
| US6732911B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-05-11 | Fujitsu Limited | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307517A patent/JP2994454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661640A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー装置およびリフロー方法 |
| JPH07142855A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Nec Corp | 縦型リフロー半田付装置 |
| US6732911B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-05-11 | Fujitsu Limited | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2994454B2 (ja) | 1999-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |