JPH04182485A - オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 - Google Patents
オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体Info
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- JPH04182485A JPH04182485A JP2310423A JP31042390A JPH04182485A JP H04182485 A JPH04182485 A JP H04182485A JP 2310423 A JP2310423 A JP 2310423A JP 31042390 A JP31042390 A JP 31042390A JP H04182485 A JPH04182485 A JP H04182485A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶性を示す新規なオクタキズ（アルコキシフ
ェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯
体に関する。
ェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯
体に関する。
フタロンアニン系化合物は非常に安定な青色顔料の骨格
化合物として種々利用されている。この種の化合物およ
びこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有して
いるため、光導電性を有し、例えば電子写真用の媒体等
の有機光電材料としての用途への利用が提案されている
。
化合物として種々利用されている。この種の化合物およ
びこの遷移金属錯体は分子内に多くの共役構造を有して
いるため、光導電性を有し、例えば電子写真用の媒体等
の有機光電材料としての用途への利用が提案されている
。
しかし、フタロシアニン系化合物およびその錯体はいか
なる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して有機光
電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッタリン
グ等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可能であ
った。
なる有機溶媒にも難溶であり、これを薄膜化して有機光
電材料として使用する場合、通常は蒸着、スパッタリン
グ等の手段を使用し、塗布法による薄膜化は不可能であ
った。
本発明者らは、上記の実情に鑑み、オクタキズ（アルコ
キシフェニル）フタロシアニン誘導体オよびそれらの遷
移金属錯体を合成し、構造や物性を検討したところ、フ
タロシアニン誘導体においては炭素数９〜３６の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
また遷移金属錯体においては炭素数１１〜３６の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
それらか液晶相を示すことを見い出し本発明に到達した
。
キシフェニル）フタロシアニン誘導体オよびそれらの遷
移金属錯体を合成し、構造や物性を検討したところ、フ
タロシアニン誘導体においては炭素数９〜３６の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
また遷移金属錯体においては炭素数１１〜３６の直鎖状
または分岐を有するアルキル基を有する場合において、
それらか液晶相を示すことを見い出し本発明に到達した
。
また、フタロシアニン金属錯体などの錯体はいかなる有
機溶媒にも難溶であるか、長鎖アルキル基を付与するこ
とにより、クロロホルム、ジクロロメタンなどに溶ける
ようになる。すなわち有機溶媒に可溶な新規の有機遷移
金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目的で
ある。
機溶媒にも難溶であるか、長鎖アルキル基を付与するこ
とにより、クロロホルム、ジクロロメタンなどに溶ける
ようになる。すなわち有機溶媒に可溶な新規の有機遷移
金属錯体の新規な液晶を提供することも本発明の目的で
ある。
すなわち、本発明は、下記の一般式〔工〕で表されるオ
クタキズ（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合
物、 （式中、Ｒ，は炭素数９〜３６のアルキル基を示す。） および下記の一般式〔ＩＩ〕で表されるオクタキズ（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物（Ｍは周期
律表第１Ｂ族、Ｉ［［Ｂ〜■Ｂ族および第■族金属から
選ばれた遷移金属を示し、Ｒ２は炭素数１１〜３６のア
ルキル基を示す。）以下、本発明について詳細に説明す
る。
クタキズ（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合
物、 （式中、Ｒ，は炭素数９〜３６のアルキル基を示す。） および下記の一般式〔ＩＩ〕で表されるオクタキズ（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物（Ｍは周期
律表第１Ｂ族、Ｉ［［Ｂ〜■Ｂ族および第■族金属から
選ばれた遷移金属を示し、Ｒ２は炭素数１１〜３６のア
ルキル基を示す。）以下、本発明について詳細に説明す
る。
本発明の一般式〔Ｉ〕で表されるオクタキズ（アルコキ
シフェニル）フタロシアニン系化合物は各フェニル基の
４−位にアルコキシ基ＯＲ（以下Ｒ４とＲ２を総称して
Ｒで表すことかある。）を有している。
シフェニル）フタロシアニン系化合物は各フェニル基の
４−位にアルコキシ基ＯＲ（以下Ｒ４とＲ２を総称して
Ｒで表すことかある。）を有している。
Ｒはアルキル基でＲ，は炭素数か９〜３６、好ましくは
ｌＯ〜２２の直鎖状または分岐状を有するものであり、
例えばノニル、デシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキ
サデシル、オクタデシル、エイコシル基などが挙げられ
る。Ｒ２は炭素数が１１〜３６、好ましくは１２〜２２
の直鎖状または分岐状を有するものであり、例えばドデ
シル、ペンタデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エ
イコシル基などが挙げられる。炭素数が下限より少ない
と液晶性を示さず、一方、上限より多いと液晶性発現が
困難となるので好ましくない。
ｌＯ〜２２の直鎖状または分岐状を有するものであり、
例えばノニル、デシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキ
サデシル、オクタデシル、エイコシル基などが挙げられ
る。Ｒ２は炭素数が１１〜３６、好ましくは１２〜２２
の直鎖状または分岐状を有するものであり、例えばドデ
シル、ペンタデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エ
イコシル基などが挙げられる。炭素数が下限より少ない
と液晶性を示さず、一方、上限より多いと液晶性発現が
困難となるので好ましくない。
また、−数式（ＩＩ）で表される上記のオクタキズ（ア
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体のＭとしてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ等の遷移金属が例示される。
ルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属
錯体のＭとしてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ等の遷移金属が例示される。
上記化合物の合成法としては、各ステ・ツブは公知の方
法を採用することかできる。
法を採用することかできる。
合成ルートを例示すれば、下式の通りである。
（１）（ベンゾイン縮合）（２）
＊ ＤＢＵは１，８−シアサビシクロ［５，４，０］ウ
ンデカ−７−エンを示す。
ンデカ−７−エンを示す。
より詳細に述べれば、先ず、出発物質であるｐ−メトキ
シベンズアルデヒド（１）から３，４−ビス（４−アル
コキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オン（６）への合成はマクロモレキュラー・ケ
ミストリー、ラビット・コミュニケーション（Ｍａｋｒ
ｏｍｏｌ、 Ｃｈｅｍ、、 ＲａｐｉｄＣｏｍｍｕｎ、
）第６巻、５７７頁（１９８５年）に記載されている
ウェンツ（Ｇ、Ｗｅｎｚ）の方法を用いることができる
。
シベンズアルデヒド（１）から３，４−ビス（４−アル
コキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オン（６）への合成はマクロモレキュラー・ケ
ミストリー、ラビット・コミュニケーション（Ｍａｋｒ
ｏｍｏｌ、 Ｃｈｅｍ、、 ＲａｐｉｄＣｏｍｍｕｎ、
）第６巻、５７７頁（１９８５年）に記載されている
ウェンツ（Ｇ、Ｗｅｎｚ）の方法を用いることができる
。
次いで、上記方法で得られた３、４−ビス（４−アルコ
キシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン
−１−オン（６）とジシアノアセチレンを用いてケミス
トリー・レターズ（Ｃｈｅｍ、 Ｌｅｔｔ。
キシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン
−１−オン（６）とジシアノアセチレンを用いてケミス
トリー・レターズ（Ｃｈｅｍ、 Ｌｅｔｔ。
）１９８０年１２７７頁およびケミストリー・レターズ
（Ｃｈｅｍ、Ｌｅｔｔ、） １９８３年３１３頁に記載
されている方法を用いて目的とするオクタキズ（アルコ
キシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその金属
錯体を得ることができる。
（Ｃｈｅｍ、Ｌｅｔｔ、） １９８３年３１３頁に記載
されている方法を用いて目的とするオクタキズ（アルコ
キシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその金属
錯体を得ることができる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタ
キズ（４−オクタデシロキシフェニル） −２９Ｈ，３
１Ｈ−フタロシアニンの合成１ （Ａ：３．４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）
−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合
成） ４．４−ジオクタデシロキシベンジル８．０ｇ （１１
ミリモル）とカリウムｔｅｒｔ−ブチラード０．６０ｇ
（５，４ミリモル）およびアセトン１２．４ｇ（０，２
１モル）の混合物を、乾燥エタノール１５０ｒｎｌと乾
燥テトラヒドロフラン３０ｍ１の混合物中で、窒素雰囲
気下で１８時間加熱還流を行った。室温まで冷却した後
、反応生成物を４００＋ｎｌの２％酢酸水溶液中に入れ
、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで抽出物を水
を用いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した
。溶媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝５＝１、
Ｒｆ＝０．５０） 、続けて再結晶（エタノール）によ
り精製して、白色粉末の３，４−ビス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オンを得た。収量は５．８ｇで、収率は６７％
であった。また融点は８４−８５℃であった。
キズ（４−オクタデシロキシフェニル） −２９Ｈ，３
１Ｈ−フタロシアニンの合成１ （Ａ：３．４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）
−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合
成） ４．４−ジオクタデシロキシベンジル８．０ｇ （１１
ミリモル）とカリウムｔｅｒｔ−ブチラード０．６０ｇ
（５，４ミリモル）およびアセトン１２．４ｇ（０，２
１モル）の混合物を、乾燥エタノール１５０ｒｎｌと乾
燥テトラヒドロフラン３０ｍ１の混合物中で、窒素雰囲
気下で１８時間加熱還流を行った。室温まで冷却した後
、反応生成物を４００＋ｎｌの２％酢酸水溶液中に入れ
、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで抽出物を水
を用いて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した
。溶媒を除去した後、粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝５＝１、
Ｒｆ＝０．５０） 、続けて再結晶（エタノール）によ
り精製して、白色粉末の３，４−ビス（４−オクタデシ
ロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オンを得た。収量は５．８ｇで、収率は６７％
であった。また融点は８４−８５℃であった。
以下に’Ｈ−ＮＭＲおよび赤外吸収スペクトル（ＩＲ）
の測定結果を示す。
の測定結果を示す。
一’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２、ＴＭＳ、δ（ｐｐｍ））
７、５０−６．３３（ｍ、 ８Ｈ，ｐｈ）、６．５０（
ｓ、 ＬＨ，ｏｌｅｆｉｎ）３．９０（ｔ、 ４Ｈ，０
−ＣＨ２）、２．８８（ｓ、 ２Ｈ，ＣＨ２Ｃ０）、２
、５７（ｓ、 ＩＨ，ＯＨ）、１．３３（ｍ、 ６４Ｈ
，ＣＨ２）０、７２（ｔ、 ６Ｈ，ＣＨ３） ・Ｉ Ｒ（ＫＢｒ、 Ｌ／ （ａｍ−’）３２５０（
０旧、２９００．２８５０（ＣＨ２）、１６６０（ＣＯ
）１５９０、１５００（ｐｈ）、１２４０（−０ｐｈ）
（Ｂ：アセチレンジアミドの合成） 撹拌下１３０ｍ１のアンモニア水にアセチレンジカルボ
ン酸ジメチル２８ ｇ （０，２０モル）を２時間かけ
て滴下した後、−５℃で３０分間撹拌した。反応液から
ろ過により沈澱を回収した後、その沈澱を水、続いてエ
タノールで洗浄し、乾燥し、目的とする淡黄褐色の結晶
としてアセチレンジアミドを得た。
７、５０−６．３３（ｍ、 ８Ｈ，ｐｈ）、６．５０（
ｓ、 ＬＨ，ｏｌｅｆｉｎ）３．９０（ｔ、 ４Ｈ，０
−ＣＨ２）、２．８８（ｓ、 ２Ｈ，ＣＨ２Ｃ０）、２
、５７（ｓ、 ＩＨ，ＯＨ）、１．３３（ｍ、 ６４Ｈ
，ＣＨ２）０、７２（ｔ、 ６Ｈ，ＣＨ３） ・Ｉ Ｒ（ＫＢｒ、 Ｌ／ （ａｍ−’）３２５０（
０旧、２９００．２８５０（ＣＨ２）、１６６０（ＣＯ
）１５９０、１５００（ｐｈ）、１２４０（−０ｐｈ）
（Ｂ：アセチレンジアミドの合成） 撹拌下１３０ｍ１のアンモニア水にアセチレンジカルボ
ン酸ジメチル２８ ｇ （０，２０モル）を２時間かけ
て滴下した後、−５℃で３０分間撹拌した。反応液から
ろ過により沈澱を回収した後、その沈澱を水、続いてエ
タノールで洗浄し、乾燥し、目的とする淡黄褐色の結晶
としてアセチレンジアミドを得た。
収量は１９ｇで、収率は６８％であった。このものの分
解温度は、約２００°Ｃであった。なお、質量分析によ
るＭＳ （ｍ ７’ ｅ ）は１１２（Ｍ＋）であった
。
解温度は、約２００°Ｃであった。なお、質量分析によ
るＭＳ （ｍ ７’ ｅ ）は１１２（Ｍ＋）であった
。
（Ｃニジシアノアセチレンの合成）
アセチレンジアミド６．０ｇと海砂１００ｇを混合した
後、この混合物と五酸化ニリン５０ｇを３００ｍ ｌの
フラスコに入れ、均一に混合するようにフラスコを充分
に振った。次いでその混合物を、長さ１０ｃｍ、直径５
ｃｍの６本の試験管に分割し、少量のカラスウールを試
験管の上端につめた後、この試験管をガラス側管を有す
る特別に設計されたフラスコに連結した。上記した試験
管を連結した系を一度減圧にし、次いで乾燥した窒素で
充填した後、再度減圧にした。この操作を数回繰り返し
た後、系をｌｍｍＨｇまで減圧にした。この特殊なフラ
スコをドライアイス／アセトン浴に漬けることにより一
７８℃まで冷却した後、試験管を２１５℃に設定したシ
リコンオイル浴中に置いたところ、ジシアノアセチレン
の蒸発が起こり、針状の結晶がフラスコ内に成長した。
後、この混合物と五酸化ニリン５０ｇを３００ｍ ｌの
フラスコに入れ、均一に混合するようにフラスコを充分
に振った。次いでその混合物を、長さ１０ｃｍ、直径５
ｃｍの６本の試験管に分割し、少量のカラスウールを試
験管の上端につめた後、この試験管をガラス側管を有す
る特別に設計されたフラスコに連結した。上記した試験
管を連結した系を一度減圧にし、次いで乾燥した窒素で
充填した後、再度減圧にした。この操作を数回繰り返し
た後、系をｌｍｍＨｇまで減圧にした。この特殊なフラ
スコをドライアイス／アセトン浴に漬けることにより一
７８℃まで冷却した後、試験管を２１５℃に設定したシ
リコンオイル浴中に置いたところ、ジシアノアセチレン
の蒸発が起こり、針状の結晶がフラスコ内に成長した。
この状態を約３０分間維持した後、オイルバスを除去し
、この系を乾燥した窒素カスで充填した。ジシアノアセ
チレンの収量は１．１ｇで、収率は２０％であった。
、この系を乾燥した窒素カスで充填した。ジシアノアセ
チレンの収量は１．１ｇで、収率は２０％であった。
（Ｄ：４．４°−ジオクタデシロキシ−〇−ターフェニ
ルー４’ 、 ５’−ジカルボニトリルの合成）窒素雰
囲気下、特別製のフラスコ（アナレン・ヒミー（Ａｎｎ
、 Ｃｈｉｍ、）、１９２０年、ｖｏｌ、１４．５頁の
図−１に記載されている）で、過剰量のジシアノアセチ
レンと３，４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）
−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン４．
０ｇ（５，１ミリモル）および４０ｍ１のクロロベンゼ
ンを、６０〜７０℃の温度に維持しつつ撹拌した。次い
でｐ−トルエンスルホン酸９．７ｍｇ（０，０５１ミリ
モル）を溶解した０、４ｍｌの１，４−ジオキサンを、
上記したフラスコ中に、この温度を維持しつつ滴下した
。滴下終了後、この温度に維持しつつ、２０分間撹拌し
た後、１０分間加熱還流を行い反応を完結した。ついで
溶媒を蒸発し、得られた残金を減圧乾燥した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ（クロロホルム、Ｒｆ＝０
．７２） テ精製し、目的とする白色粉末状の結晶とし
て４，４°−ジオクタデシロキシー０−ターフェニル−
４′、５゜−ジカルボニトリルを得た。収量は３．４ｇ
で、収率は８０％であった。またこのものの融点は９８
℃であった。
ルー４’ 、 ５’−ジカルボニトリルの合成）窒素雰
囲気下、特別製のフラスコ（アナレン・ヒミー（Ａｎｎ
、 Ｃｈｉｍ、）、１９２０年、ｖｏｌ、１４．５頁の
図−１に記載されている）で、過剰量のジシアノアセチ
レンと３，４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）
−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オン４．
０ｇ（５，１ミリモル）および４０ｍ１のクロロベンゼ
ンを、６０〜７０℃の温度に維持しつつ撹拌した。次い
でｐ−トルエンスルホン酸９．７ｍｇ（０，０５１ミリ
モル）を溶解した０、４ｍｌの１，４−ジオキサンを、
上記したフラスコ中に、この温度を維持しつつ滴下した
。滴下終了後、この温度に維持しつつ、２０分間撹拌し
た後、１０分間加熱還流を行い反応を完結した。ついで
溶媒を蒸発し、得られた残金を減圧乾燥した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ（クロロホルム、Ｒｆ＝０
．７２） テ精製し、目的とする白色粉末状の結晶とし
て４，４°−ジオクタデシロキシー０−ターフェニル−
４′、５゜−ジカルボニトリルを得た。収量は３．４ｇ
で、収率は８０％であった。またこのものの融点は９８
℃であった。
以下に’Ｈ−ＮＭＲおよび赤外吸収スペクトル（ＩＲ）
の測定結果を示す。
の測定結果を示す。
−’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２、ＴＭＳ、δ（ｐｐｍ））
７、７０（ｓ、 ２Ｈ，ｐｈ）、６．９８（ｄ、 ４Ｈ
，ｐｈ）６、７０（ｄ、 ４Ｈ，ｐｈ）、３．９０（ｔ
、４Ｈ，０ＣＨ２）１、２２（ｍ、 ６４Ｈ，ＣＨ２）
、０．８７（ｔ、 ６Ｈ，ＣＨ３）・Ｉ Ｒ（ＫＢｒ、
ｖ （ｃｍ−１））２９００、２８６０（ＣＨ２）、
２２１０（ＣＮ）１５９０、１５００（ｐｈ）、１２４
０（−０ｐｈ）（Ｅ ： ２．３．９．１０．１６．１
？、 ２３．２４−オクタキズ（４−オクタデシロキシ
フェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニンの合成） ４．４゛−ジオクタデシロキシ−。−ターフェニル−４
’、 ５“−ジカルボニトリル１．０５ ｇ（１，８ミ
リモル）と１，８−ジアザビジクロロ５，４．Ｏｌウン
デカ−７−ニン０．４２ｇ（２，７ミリモル）の混合物
を１８時間加熱還流した後、室温まで冷却し、次いで生
成した沈澱物をろ過により回収した。このものをエタノ
ールと酢酸エチルで洗浄した後、乾燥した。
７、７０（ｓ、 ２Ｈ，ｐｈ）、６．９８（ｄ、 ４Ｈ
，ｐｈ）６、７０（ｄ、 ４Ｈ，ｐｈ）、３．９０（ｔ
、４Ｈ，０ＣＨ２）１、２２（ｍ、 ６４Ｈ，ＣＨ２）
、０．８７（ｔ、 ６Ｈ，ＣＨ３）・Ｉ Ｒ（ＫＢｒ、
ｖ （ｃｍ−１））２９００、２８６０（ＣＨ２）、
２２１０（ＣＮ）１５９０、１５００（ｐｈ）、１２４
０（−０ｐｈ）（Ｅ ： ２．３．９．１０．１６．１
？、 ２３．２４−オクタキズ（４−オクタデシロキシ
フェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニンの合成） ４．４゛−ジオクタデシロキシ−。−ターフェニル−４
’、 ５“−ジカルボニトリル１．０５ ｇ（１，８ミ
リモル）と１，８−ジアザビジクロロ５，４．Ｏｌウン
デカ−７−ニン０．４２ｇ（２，７ミリモル）の混合物
を１８時間加熱還流した後、室温まで冷却し、次いで生
成した沈澱物をろ過により回収した。このものをエタノ
ールと酢酸エチルで洗浄した後、乾燥した。
この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ベンゼン、Ｒｆ＝１．０）で精製した後、ジクロロメタ
ンと少量の酢酸エチルとの混合物から再結晶することに
より、緑色結晶として最終目的物である２、 ３．９．
１０．１６．１７．２３．２４−オクタキズ（４−オク
タデシロキシフェニル）−２９Ｈ，３ＬＨ−フタロシア
ニン（以下Ｃｚ＋０ｐｈＰｃＨ２と略称する。）を得た
。
ベンゼン、Ｒｆ＝１．０）で精製した後、ジクロロメタ
ンと少量の酢酸エチルとの混合物から再結晶することに
より、緑色結晶として最終目的物である２、 ３．９．
１０．１６．１７．２３．２４−オクタキズ（４−オク
タデシロキシフェニル）−２９Ｈ，３ＬＨ−フタロシア
ニン（以下Ｃｚ＋０ｐｈＰｃＨ２と略称する。）を得た
。
収率は４２％であった。
この最終生成物は、パーキンエルマー社製元素分析計２
４０Ｂ、プルツカ−社製’Ｈ−ＮＭＲ： ＡＣ−２５０
及び日立製作所製３３０型紫外可視スペクトロメーター
を用いて構造を確認した。結果をそれぞれ表−１、表−
２及び表−３に示す。
４０Ｂ、プルツカ−社製’Ｈ−ＮＭＲ： ＡＣ−２５０
及び日立製作所製３３０型紫外可視スペクトロメーター
を用いて構造を確認した。結果をそれぞれ表−１、表−
２及び表−３に示す。
この化合物の相転移挙動は、温度制御装置としてメトラ
ー社製ＦＰ８０および８２を装備した偏光顕微鏡および
理学社製示差走査熱量計サーモフレックスＲＴＧ−ＤＳ
Ｃを用いて測定した。さらに液晶相の同定を確実にする
ために温度制御装置を装備した理学社製の装置を用いて
Ｘ線回折パターンを検討した。結果を相転移温度と転移
エンタルピーを表−４に、格子定数、面間隔およびミラ
ー指数等のＸ線回折の結果を表−５に記載した。
ー社製ＦＰ８０および８２を装備した偏光顕微鏡および
理学社製示差走査熱量計サーモフレックスＲＴＧ−ＤＳ
Ｃを用いて測定した。さらに液晶相の同定を確実にする
ために温度制御装置を装備した理学社製の装置を用いて
Ｘ線回折パターンを検討した。結果を相転移温度と転移
エンタルピーを表−４に、格子定数、面間隔およびミラ
ー指数等のＸ線回折の結果を表−５に記載した。
以上の測定から、本化合物は、７８°Ｃ以上でヘキサゴ
ナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相）を示す
新規なディスコチック液晶性化合物であることが確認で
きた。
ナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相）を示す
新規なディスコチック液晶性化合物であることが確認で
きた。
実施例２
［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタ
キズ（４−オクタデシロキシフェニル）−２９８，３１
Ｈ−フタロシアニン銅（Ｉ［）錯体の合成］ ｎ−ペンタノール３０ｍ１に実施例１のＤて得た４゜４
°−ジオクタデシロキシ−〇−ターフェニルー４゛。
キズ（４−オクタデシロキシフェニル）−２９８，３１
Ｈ−フタロシアニン銅（Ｉ［）錯体の合成］ ｎ−ペンタノール３０ｍ１に実施例１のＤて得た４゜４
°−ジオクタデシロキシ−〇−ターフェニルー４゛。
５゛−ジカルボニトリル１．５０ｇ（１，８ミリモル）
と１゜８−シアサビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７
−ニン０．４２ ｇ （２，７ミリモル）および塩化銅
（Ｉｆ ）０．０７２ｇ （０，５１ミリモル）を溶解
し、１８時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応
液を室温まで冷却し、沈澱生成物をろ過により回収した
。回収物をエタノールおよび酢酸エチルで洗浄し、乾燥
した。
と１゜８−シアサビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７
−ニン０．４２ ｇ （２，７ミリモル）および塩化銅
（Ｉｆ ）０．０７２ｇ （０，５１ミリモル）を溶解
し、１８時間加熱還流した。加熱還流終了後、この反応
液を室温まで冷却し、沈澱生成物をろ過により回収した
。回収物をエタノールおよび酢酸エチルで洗浄し、乾燥
した。
この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ベンセン、Ｒｆ＝１．０）で精製し、次いでジクロロメ
タンと酢酸エチルとの混合溶媒より再結晶し、目的とす
る２、 ３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オク
タキズ（４−オクタデシロキシフェニル）−２９Ｈ。
ベンセン、Ｒｆ＝１．０）で精製し、次いでジクロロメ
タンと酢酸エチルとの混合溶媒より再結晶し、目的とす
る２、 ３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オク
タキズ（４−オクタデシロキシフェニル）−２９Ｈ。
３１Ｈ−フタロシアニン銅（Ｉ［）錯体（以下Ｃ１ｓＯ
ｐｈＰｃＣｕと略称する。）を得た。収量は１．１２ｇ
で、収率は７３％であった。
ｐｈＰｃＣｕと略称する。）を得た。収量は１．１２ｇ
で、収率は７３％であった。
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性等の確認を行った。表−１〜５に結果を示す
。
よび液晶性等の確認を行った。表−１〜５に結果を示す
。
すなわち本化合物は、８２°Ｃ以上の温度でレクタンギ
ュラーディスオーダードヵラムナー相（Ｄｒｄ（Ｃ２／
ｍ）相）を示す新規なディスコチック液晶性化合物であ
ることか確認できた。
ュラーディスオーダードヵラムナー相（Ｄｒｄ（Ｃ２／
ｍ）相）を示す新規なディスコチック液晶性化合物であ
ることか確認できた。
実施例３
［２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタ
キズ（４−ドブシロキシフェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニンの合成］ （Ａ：３．４−ビス（４−ドブシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４−ジオクタデシロキシベンジルに換え
て４，４゛−シトデシロキシヘンジルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラフェニルフランと乾燥メ
タノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用い
ることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマ
トグラフィーのＲｆ値が０．５４であること以外、実施
例１のＡと同様の方法で合成した。得られた３、４−ビ
ス（４−ドブシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２
−シクロペンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は
６１％であった。このものの融点は６５−６８℃であっ
た。
キズ（４−ドブシロキシフェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニンの合成］ （Ａ：３．４−ビス（４−ドブシロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４−ジオクタデシロキシベンジルに換え
て４，４゛−シトデシロキシヘンジルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラフェニルフランと乾燥メ
タノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用い
ることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマ
トグラフィーのＲｆ値が０．５４であること以外、実施
例１のＡと同様の方法で合成した。得られた３、４−ビ
ス（４−ドブシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２
−シクロペンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は
６１％であった。このものの融点は６５−６８℃であっ
た。
（Ｂ：アセチレンンアミドの合成）
実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（Ｃニジシアノアセチレンの合成）
実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（Ｄ：４．４’−シトデシロキシ−〇−ターフェニルー
４’、５°−ジカルボニトリルの合成）原料として３，
４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３，４
−ビス（４−ドブシロキンフェニル）−４−ヒドロキシ
−２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、粗生
成物の精製にさいしてシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにクロロフォルムに換えてベンセン：四塩化炭素＝
２・１ （Ｒｆ＝０．４２）の混合物を用いること以
外、実施例１のＤと同様の方法で合成した。
４’、５°−ジカルボニトリルの合成）原料として３，
４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３，４
−ビス（４−ドブシロキンフェニル）−４−ヒドロキシ
−２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、粗生
成物の精製にさいしてシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにクロロフォルムに換えてベンセン：四塩化炭素＝
２・１ （Ｒｆ＝０．４２）の混合物を用いること以
外、実施例１のＤと同様の方法で合成した。
得られた４、４°−シトデシロキシ−０−ターフェニル
−４°、５°−ジカルボニトリルは白色の板状結晶で、
収率は６９％であった。このものの融点は８８°Ｃであ
った。
−４°、５°−ジカルボニトリルは白色の板状結晶で、
収率は６９％であった。このものの融点は８８°Ｃであ
った。
（Ｅ ： ２．３．９．１０．１６．１７．２３．２４
〜オクタキズ（４−ドブシロキシフェニル）−２９Ｈ、
３１Ｈ−フタロシアニンの合成） 原料として４，４゛−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー４°、５°−ジカルボニトリルに換えて４，４
゛−シトデシロキシ−〇−ターフェニルー４°、５°−
ジカルホニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際
してシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに
換えてジクロロメタン（Ｒｆ＝１．０）を用いること以
外、実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた２
、 ３．９．１０．１６．１７．２３゜２４−オクタキ
ズ（４−ドブシロキシフェニル）＝２９８．３１Ｈ−フ
タロシアニン（以下Ｃ１□ｏｐｈｐ ＣＨ２と略称する
。）の収率は１６％であった。
〜オクタキズ（４−ドブシロキシフェニル）−２９Ｈ、
３１Ｈ−フタロシアニンの合成） 原料として４，４゛−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー４°、５°−ジカルボニトリルに換えて４，４
゛−シトデシロキシ−〇−ターフェニルー４°、５°−
ジカルホニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際
してシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに
換えてジクロロメタン（Ｒｆ＝１．０）を用いること以
外、実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた２
、 ３．９．１０．１６．１７．２３゜２４−オクタキ
ズ（４−ドブシロキシフェニル）＝２９８．３１Ｈ−フ
タロシアニン（以下Ｃ１□ｏｐｈｐ ＣＨ２と略称する
。）の収率は１６％であった。
実施令に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造およ
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、１９２℃以上の温度でヘキサゴナ
ルディスオーダートカラムナー相（Ｄｈｄ相）を示す新
規なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
ルディスオーダートカラムナー相（Ｄｈｄ相）を示す新
規なディスコチック液晶性化合物であることが確認でき
た。
実施例４
Ｅ２．３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オクタ
キズ（４−ドブシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ
−フタロシアニン銅（Ｉｆ）錯体の合成１ 原料として実施例３のＤで得た４、４°−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー４“、５°−ジカルボニト
リルに換えて実施例３のＤで得た４、４°−シトデシロ
キシ−〇−ターフェニルー４゛、５°−ジカルボニトリ
ルを用いることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにベンセンに換えてクロロ
ホルム（Ｒｆ＝１．Ｏ）を用いること以外、実施例２と
同様の方法で合成した。
キズ（４−ドブシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ
−フタロシアニン銅（Ｉｆ）錯体の合成１ 原料として実施例３のＤで得た４、４°−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー４“、５°−ジカルボニト
リルに換えて実施例３のＤで得た４、４°−シトデシロ
キシ−〇−ターフェニルー４゛、５°−ジカルボニトリ
ルを用いることと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにベンセンに換えてクロロ
ホルム（Ｒｆ＝１．Ｏ）を用いること以外、実施例２と
同様の方法で合成した。
得られた２、 ３．９．１０．１６．１７．２３．２４
−オクタキズ（４−ドブシロキシフェニル） −２９Ｈ
，３１Ｈ−フタロシアニン銅（ｎ）錯体（以下Ｃ１□０
ｐｈＰｃＣｕと略称する。）の収率は７６％であった。
−オクタキズ（４−ドブシロキシフェニル） −２９Ｈ
，３１Ｈ−フタロシアニン銅（ｎ）錯体（以下Ｃ１□０
ｐｈＰｃＣｕと略称する。）の収率は７６％であった。
〔構造および液晶性の確認し
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、１２℃以上の温度でレクタンキュ
ラーディスオーダートカラムナー相（Ｄｒｄ（Ｃ２／ｍ
）相）を示す新規なディスコチック液晶性化合物である
ことが確認できた。
ラーディスオーダートカラムナー相（Ｄｒｄ（Ｃ２／ｍ
）相）を示す新規なディスコチック液晶性化合物である
ことが確認できた。
実施例５
Ｅ２．３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オクタ
キズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニンの合成１ （Ａ・３，４−ビス（４−デシロキシフェニル）〜４−
ヒドロキシー２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４°−ジオクタデシロキシペンシルに換
えて４，４°−ジブシロキシペンシルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマト
グラフィーのＲｆ値か０．６０であること以外、実施例
１のＡと同様の方法で合成した。得られた３、４−ヒス
（４−デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は５８
％であった。このものの融点は５４−５７°Ｃであった
。
キズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニンの合成１ （Ａ・３，４−ビス（４−デシロキシフェニル）〜４−
ヒドロキシー２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４°−ジオクタデシロキシペンシルに換
えて４，４°−ジブシロキシペンシルを用いることと、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことと、粗生成物の精製にさいしてシリカゲルクロマト
グラフィーのＲｆ値か０．６０であること以外、実施例
１のＡと同様の方法で合成した。得られた３、４−ヒス
（４−デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテン−１−オンは、淡黄色の結晶で収率は５８
％であった。このものの融点は５４−５７°Ｃであった
。
（Ｂ：アセチレンジアミドの合成）
実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（Ｃニジシアノアセチレンの合成）
実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（Ｄ：４．４°−ジデシロキンー〇−ターフェニル−４
’、 ５’−ジカルボニトリルの合成）原料として３，
４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３，４
−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−
２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、粗生成
物の精製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にクロロホルムに換えてベンゼン（Ｒｆ＝０．５８）を
用いること以外、実施例１のＤと同様の方法で合成した
。得られた４、４“−ジブシロキシ−０−ターフェニル
−４′、５°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は７４％であった。このものの融点は８８°Ｃで
あった。
’、 ５’−ジカルボニトリルの合成）原料として３，
４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３，４
−ビス（４−デシロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−
２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、粗生成
物の精製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にクロロホルムに換えてベンゼン（Ｒｆ＝０．５８）を
用いること以外、実施例１のＤと同様の方法で合成した
。得られた４、４“−ジブシロキシ−０−ターフェニル
−４′、５°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は７４％であった。このものの融点は８８°Ｃで
あった。
（Ｅ ： ２．３．９．１０．１６．１７．２３．２４
−オクタキズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，
３１Ｈ−フタロシアニンの合成） 原料として４，４′−シオクタデンロキシー〇−ターフ
ェニル−４’、５’−ジカルボニトリルに換えて４，４
゛−ジブシロキシ−０−ターフェニル−４“、５°−ジ
カルボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際し
てシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに換
えてジクロロメタン（Ｒｆ−１，Ｏ）を用いること以外
、実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた２、
３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オクタキズ
（４−デシロキシフェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロ
シアニン（以下Ｃ、ｏＯｐｃＰｈＨ２と略称する。）の
収率は２１％であった。
−オクタキズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，
３１Ｈ−フタロシアニンの合成） 原料として４，４′−シオクタデンロキシー〇−ターフ
ェニル−４’、５’−ジカルボニトリルに換えて４，４
゛−ジブシロキシ−０−ターフェニル−４“、５°−ジ
カルボニトリルを用いることと、粗生成物の精製に際し
てシリカゲルカラムクロマトクラフィーにベンセンに換
えてジクロロメタン（Ｒｆ−１，Ｏ）を用いること以外
、実施例１のＥと同様の方法で合成した。得られた２、
３．９．１０．１６．１７．２３．２４−オクタキズ
（４−デシロキシフェニル）−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロ
シアニン（以下Ｃ、ｏＯｐｃＰｈＨ２と略称する。）の
収率は２１％であった。
実施例１に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造お
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
よび液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および
表−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、２２９℃以上の温度で液晶相（ヘ
キサコナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相）
と思われる）を示す新規なディスコチック液晶性化合物
であることが確認できた。
キサコナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相）
と思われる）を示す新規なディスコチック液晶性化合物
であることが確認できた。
比較例１
（２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタ
キズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニン銅（ｎ）錯体の合成） 原料として実施例１のＤで得た４、４゛−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー４’、５’−ジカルボニト
リルに換えて実施例５のＤで得た４、４゜−ジデシロキ
シー〇−ターフェニル−４°、５°−ジカルボニトリル
を用いることと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロフォ
ルム（Ｒｆ＝ １．０）ｔ−用いること以外、実施例２
と同様の方法で合成した。得られた２、 ３．９．１０
．１６．１７．２３．２４−オクタキズ（４−デシロキ
シフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン銅（
ＩＩ）錯体（以下Ｃ１゜０ｐｃＰｈＣｕと略称する。）
の収率は７０％であった。
キズ（４−デシロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニン銅（ｎ）錯体の合成） 原料として実施例１のＤで得た４、４゛−ジオクタデシ
ロキシ−〇−ターフェニルー４’、５’−ジカルボニト
リルに換えて実施例５のＤで得た４、４゜−ジデシロキ
シー〇−ターフェニル−４°、５°−ジカルボニトリル
を用いることと、粗生成物の精製に際してシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにベンゼンに換えてクロロフォ
ルム（Ｒｆ＝ １．０）ｔ−用いること以外、実施例２
と同様の方法で合成した。得られた２、 ３．９．１０
．１６．１７．２３．２４−オクタキズ（４−デシロキ
シフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン銅（
ＩＩ）錯体（以下Ｃ１゜０ｐｃＰｈＣｕと略称する。）
の収率は７０％であった。
実施例に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造およ
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、２２２℃以上の温度で分解が始ま
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
り、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は認
められなかった。
比較例２
（２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタ
キズ（４−オクチロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ
−フタロシアニンの合成） （Ａ：３．４−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４°−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて４，４′−ジオクチロキジベンジルを用いること、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことおよび粗生成物の精製に際してシリカゲルクロマト
グラフィーにクロロホルム・酢酸エチル−４： １
（Ｒｆ＝０．５１）を用いること以外、実施例１のＡと
同様の方法で合成した。得られた３、４−ビス（４−オ
クチロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペ
ンテン−１−オンは淡黄色の結晶で収率は６０％であっ
た。
キズ（４−オクチロキシフェニル） −２９Ｈ，３１Ｈ
−フタロシアニンの合成） （Ａ：３．４−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンの合成） 原料として４，４°−ジオクタデシロキシベンジルに換
えて４，４′−ジオクチロキジベンジルを用いること、
加熱還流時の溶媒に乾燥テトラヒドロフランと乾燥メタ
ノールの混合溶媒に換えて乾燥メタノールのみを用いる
ことおよび粗生成物の精製に際してシリカゲルクロマト
グラフィーにクロロホルム・酢酸エチル−４： １
（Ｒｆ＝０．５１）を用いること以外、実施例１のＡと
同様の方法で合成した。得られた３、４−ビス（４−オ
クチロキシフェニル）−４−ヒドロキシ−２−シクロペ
ンテン−１−オンは淡黄色の結晶で収率は６０％であっ
た。
このものの融点は約４８°Ｃであった。
（Ｂ：アセチレンジアミトの合成）
実施例１のＢと同様の方法で合成した。
（Ｃニジシアノアセチレンの合成）
実施例１のＣと同様の方法で合成した。
（Ｄ：４．４°−シオクチロキシー〇−ターフェニル−
４’、 ５’−ジカルボニトリルの合成）原料として３
，４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３．
４−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、フ
ラスコにアナレン・ヒミー（Ａｎｎ、 Ｃｈｉｍ、 ）
、 １９２０年、 １４．５の図−１に記載されている
特別製のフラスコを用いなかったこと、粗生成物の精製
に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにクロロ
ホルムに換えでジクロロメタン（Ｒｆ＝ ０．７４）を
用いること以外は実施例１のＤと同様の方法で合成した
。得られた４、４゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニ
ル−４゜５°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は１７％であった。このものの融点は８５−８７
°Ｃてあった。
４’、 ５’−ジカルボニトリルの合成）原料として３
，４−ビス（４−オクタデシロキシフェニル）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテン−１−オンに換えて３．
４−ビス（４−オクチロキシフェニル）−４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテン−１−オンを用いることと、フ
ラスコにアナレン・ヒミー（Ａｎｎ、 Ｃｈｉｍ、 ）
、 １９２０年、 １４．５の図−１に記載されている
特別製のフラスコを用いなかったこと、粗生成物の精製
に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにクロロ
ホルムに換えでジクロロメタン（Ｒｆ＝ ０．７４）を
用いること以外は実施例１のＤと同様の方法で合成した
。得られた４、４゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニ
ル−４゜５°−ジカルボニトリルは、白色の板状結晶で
、収率は１７％であった。このものの融点は８５−８７
°Ｃてあった。
（Ｅ ： ２．３．９．１０．１６．１７．２３．２４
−オクタキズ（４−オクチロキシフェニル） −２９Ｈ
，３１Ｈ−フタロンアニンの合成） 原料として４，４′−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー４’、５’−ジカルホニトリルに換えて４．４
゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニル−４°。
−オクタキズ（４−オクチロキシフェニル） −２９Ｈ
，３１Ｈ−フタロンアニンの合成） 原料として４，４′−ジオクタデシロキシ−〇−ターフ
ェニルー４’、５’−ジカルホニトリルに換えて４．４
゛−ジオクチロキシー〇−ターフェニル−４°。
５“−ジカルボニトリルを用いることと、粗生成物の精
製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにベン
ゼンに換えて四塩化炭素、ベンセン＝１ ： １ （Ｒ
ｆ＝０．８０）を用いること、再結晶の溶媒にジクロロ
メタンと少量の酢酸エチルの混合物に換えて１，４−ジ
オキサンを用いること以外は実施例１のＥと同様の方法
で合成した。得られた２゜３、９．１０．１６．１７．
２３．２４−オクタキズ（４−オクチロキシフェニル）
−２９８，３１Ｈ−フタロンアニン（以下ＣｇＯｐｃＰ
ｈＨ２と略称する。）の収率は２０％であった。
製に際してシリカゲルカラムクロマトグラフィーにベン
ゼンに換えて四塩化炭素、ベンセン＝１ ： １ （Ｒ
ｆ＝０．８０）を用いること、再結晶の溶媒にジクロロ
メタンと少量の酢酸エチルの混合物に換えて１，４−ジ
オキサンを用いること以外は実施例１のＥと同様の方法
で合成した。得られた２゜３、９．１０．１６．１７．
２３．２４−オクタキズ（４−オクチロキシフェニル）
−２９８，３１Ｈ−フタロンアニン（以下ＣｇＯｐｃＰ
ｈＨ２と略称する。）の収率は２０％であった。
実施例に記載の方法と同様の方法で本化合物の構造およ
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
び液晶性の確認を行った。それぞれ表−１〜３および表
−４〜５に結果を示す。
すなわち本化合物は、２８５°Ｃ以上の温度で分解か始
まり、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は
認められなかった。
まり、この分解開始温度より低温側での液晶相の発現は
認められなかった。
本発明のオクタキズ（アルコキシフェニル）フタロシア
ニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体は、温度により
ヘキサゴナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相
）やレクタンキュラーディスオーダードカラムナー相（
Ｄ ｒ ｄ （Ｃ２／ｍ）相）等の液晶性を有し、また
分子内に多くの共役構造を有するので有機光電材料、例
えば表示材料、光導電性材料、非線形光学材料として有
用である。
ニン誘導体およびそれらの遷移金属錯体は、温度により
ヘキサゴナルディスオーダードカラムナー相（Ｄｈｄ相
）やレクタンキュラーディスオーダードカラムナー相（
Ｄ ｒ ｄ （Ｃ２／ｍ）相）等の液晶性を有し、また
分子内に多くの共役構造を有するので有機光電材料、例
えば表示材料、光導電性材料、非線形光学材料として有
用である。
またフタロシアニン金属錯体などの錯体は、いかなる有
機溶媒にも難溶であるが本化合物は、ジクロロメタンや
クロロホルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気化
学的キャラクタリゼーションが容易になる。
機溶媒にも難溶であるが本化合物は、ジクロロメタンや
クロロホルム等の有機溶媒に可溶であり、精製や電気化
学的キャラクタリゼーションが容易になる。
Claims (2)
- （１）下記一般式〔 I 〕で表されるオクタキズ（アル
コキシフェニル）フタロシアニン系化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＿１は炭素数９〜３６のアルキル基を示す。 ） - （２）下記一般式〔II〕で表されるオクタキズ（アルコ
キシフェニル）フタロシアニン系化合物の遷移金属錯体
。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （Ｍは周期律表第 I Ｂ族、IIIＢ〜VIIＢ族および第VI
II族金属から選ばれた遷移金属を示し、Ｒ＿２は炭素数
１１〜３６のアルキル基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310423A JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182485A true JPH04182485A (ja) | 1992-06-30 |
| JP2976057B2 JP2976057B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18005081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310423A Expired - Lifetime JP2976057B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | オクタキス（アルコキシフェニル）フタロシアニン系化合物およびその遷移金属錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976057B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996019480A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-27 | The Secretary Of State For Defence | Substituted phthalocyanines |
| JPH11256058A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
| JP2013043987A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電子材料組成物 |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2310423A patent/JP2976057B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996019480A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-27 | The Secretary Of State For Defence | Substituted phthalocyanines |
| GB2312675A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-05 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
| GB2312675B (en) * | 1994-12-22 | 1999-05-05 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
| US5942612A (en) * | 1994-12-22 | 1999-08-24 | Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The U.K. Of Gt. Britain And N. Ireland Defence Evaluation & Research Agency | Substituted phthalocyanine liquid crystal compounds |
| JPH11256058A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 液晶性フタロシアニンオキソチタニウム錯体 |
| JP2013043987A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電子材料組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2976057B2 (ja) | 1999-11-10 |
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