JPH04182996A

JPH04182996A - データ消去可能ｒｏｍ

Info

Publication number: JPH04182996A
Application number: JP2313404A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Tsuchiya; 土屋　英紀
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-11-19
Filing date: 1990-11-19
Publication date: 1992-06-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、紫外線を照射しまたは電圧を印加することに
よってデータを消去することかできるデータ消去可能Ｒ
ＯＭに関する。

（従来の技術）従来、紫外線を照射することによって、または電圧を印
加することによってデータを消去することができるＲ　
ＯＭ　（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ）が提供されている
が、書込みを行う時、書込み禁止の機能がないため、デ
ータが既に書込まれていないこと、また重要なデータが
書込まれていないことを確認してから書込む必要があっ
た。

（発明が解決しようとする課題）上述したように従来のデータ消去可能なＲＯＭでは、書
込み禁止の機能がないため、−度書込みを行った場合に
再び別のデータを間違って書込んでしまう恐れがあり、
前のデータが破壊されてしまうばかりでなく、前のデー
タが残っているためデータの書込みが正しく行われない
といった問題があった。

本発明は、このような従来の欠点を除去するためになさ
れたしので、書込み禁止の機能を設けることによって、
操作ミス等によるデータの二重書込みを防止することの
できるデータ消去可能ＲＯＭを提供することを目的とす
る。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）上記従来の目的を達成する本発明は、紫外線を照射しま
たは電圧を印加することによりデータの消去が可能なＲ
ＯＭおいて、書込みを禁止する書込み禁止回路と、該書
込み禁止回路を制御する書込み禁止制御回路と、書込み
禁止か否かの情報を記憶する書込み禁止状態記憶回路と
を具備し、前記書込み禁止制御回路は、前記書込み禁止
状態記憶回路に設定された情報に基づいて前記書込み禁
止回路を制御して、書込み禁止または書込み許可状態と
し、かつ前記書込み禁止状態記憶回路は、紫外線の照射
または電圧の印加によりデータか消去された際に記憶さ
れた書込み禁止の情報か消去されることを特徴とする。

（作　用）本発明では、通常は書込み状態に設定してあり、書込み
禁止状態記憶回路に対して書込み禁止を示す内容を設定
することにより、書込みを禁止する。また、書込み状態
記憶回路は、紫外線か照射されると書込み禁止状態の記
憶は消えで書込み許可を示す状態になる。角書込みをす
る際に行う紫外線照射によって、データ消去と同時に自
動的に書込み可能状態になるので、使用者は意志的に書
込みを許可にする必要かなくなる。

以上により、操作ミス等によるデータの二重書込みを確
実に防止することかできる。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

第１−図は本発明の一実施例によるＥ　Ｐ　ＲＯＭの回
路構成を示すブロック図である。

図において、１は書込みを禁止するか可能にするかの情
報を記憶する書込み禁止状態記憶回路、２、は書込み禁
止状態記憶回路１の情報内容に従って書込み禁止の動作
を制御する書込み禁止制御回路、３は書込み禁止制御回
路２の制御によって書込みを禁止または許可する書込み
禁止回路、４は全体の制御を行うチップ制御回路、５は
アドレス信号を増幅するアドレスバッファ、６はデータ
信号を増幅するデータバッファ、７はデータを記憶する
メモリセルである。

上記書込み禁止状態記憶回路１は、データ保護線１１が
接続されており、このデータ保護線１１をアクティブに
することにより、データ書込み禁止であることを示す情
報か記憶される。また、この書込み禁止状態記憶回路１
に記憶された書込み禁止の情報は、ＲＯＭ　１．：紫外
線が照射されると消去されて書込み許可の記憶状態とな
る。書込み禁止回路３は、書込用電圧線１０をチップ制
御回路４側に接続して書込み可能とし、また書込用電圧
線１０をチップ制御回路４と非接続状態として書込み禁
止とする。書込み禁止制御回路２は、書込み禁止状態記
憶回路］の記憶内容によりこの書込み禁止回路３を動作
させ、書込み可能または書込ろ禁止とする。

次に、上記の如く構成される本Ｅ　Ｐ　ＲＯＭの動作を
説明する。

通常の状態では、書込み禁止状態記憶回路１には書込み
可能であることを示す情報が記憶され、メモリセルフに
対し書込み可能な状態に設定しである。

データ保護線１１をアクティブにすることにより、デー
タの書込みか禁止であることを示す情報か書込み禁止状
態記憶回路１に記憶される。そニアて、書込み禁止制御
回路２は、書込み禁止状＠記憶回路１の記憶情報に基づ
いて書込み禁止回路３に対して書込み禁止の制御信号を
出力する。書込み禁止制御回路２からの制御信号により
、書込み禁止回路３は書込用電圧線１０をチップ制御回
路４と非接続状態とし、書込用電圧かメモリセルフに到
達しないようにする。このように、書込み禁止状態では
、書込み用の電圧がメモリセルフに到達しないので、書
込みを行うことか確実に禁止される。

また、再書込みを行う場合は、紫外線を照射すると、メ
モリセルフに記憶されていたデータと共に書込み禁止状
態記憶回路１の書込み禁止の情報か消去され、書込み許
可の状態となるので、そのままデータの書込みが可能と
なる。従って、書込み禁止状態にある場合に、意図的に
書込み許可の状態に変更する必要がない。

以上のように動作することから、操作ミス等により一度
書込みを行った場合に再び別のデータを間違って書込ん
でしまうことがなくなる。

なお、以上においては、紫外線の照射によりデータの消
去か可能なＥ　Ｆ　ＲＯＭに適用した場合を示したが、
電圧の印加にリデータの消去が可能なＥＥＦＲＯＭに適
用することができるのは言うまでもない。

［発明の効果コ以上説明したように本発明のデータ消去可能ＲＯＭによ
れば、書込み禁止状態記憶回路に対して書込み禁止を示
す内容を設定することにより書込みが禁止状態になるの
で、−度書込みを行った場合に操作ミス等により再び別
のデータを間違って書込んでしまうということがなくな
る。

また、再書込みを行う場合は、データを消去した後でな
ければ書込みができないので、前のデータが残っている
ためデータの書込みか正しく行われないといったことが
なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るＲ　ＯＭの回路構成を
示すブロック図である。１・・・書込み禁止状態記憶回路、２・・・書込み禁止
制御回路、３・・・書込み禁止回路、４・・・チップ制
御回路、５・・・アドレスバッファ、６・・・データバ
ッファ、７・・・メモリセル、１０・・・書込み用電圧
線、１１・・・データ保護線。出願人　　　　　　株式会社　東芝代理人　　弁理士　須　山　佐　−

Claims

【特許請求の範囲】紫外線を照射しまたは電圧を印加することによりデータ
の消去が可能なＲＯＭおいて、書込みを禁止する書込み禁止回路と、該書込み禁止回路
を制御する書込み禁止制御回路と、書込み禁止か否かの
情報を記憶する書込み禁止状態記憶回路とを具備し、前記書込み禁止制御回路は、前記書込み禁止状態記憶回
路に設定された情報に基づいて前記書込み禁止回路を制
御して、書込み禁止または書込み許可状態とし、かつ前
記書込み禁止状態記憶回路は、紫外線の照射または電圧
の印加によりデータが消去された際に記憶された書込み
禁止の情報が消去されることを特徴とするデータ消去可
能ＲＯＭ。