JPH04184155A - 全反射スペクトル測定装置 - Google Patents

全反射スペクトル測定装置

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JPH04184155A
JPH04184155A JP2312463A JP31246390A JPH04184155A JP H04184155 A JPH04184155 A JP H04184155A JP 2312463 A JP2312463 A JP 2312463A JP 31246390 A JP31246390 A JP 31246390A JP H04184155 A JPH04184155 A JP H04184155A
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reflection spectrum
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Katsuhiko Tani
克彦 谷
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恵里子 千葉
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本51明は、測定試料表面の方位を入射xi光線に対し
連続的に回転させながら全反射スペクトルを同時に測定
する装置に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕拡張X
線吸収微細構造(EXAFS)測定装置は、分光結晶と
して曲結晶を用いた実験室系の装置(テクノス社製等)
が実用化されている。光源として放射光を用いる場合に
は、1つのチャンネルカット分光結晶を用いた高分解能
装置が得られるが、実験室に入手可能な強力光源(回転
対陰極)を用いる限り、感度を落とさずに高分解能を達
成すること実現していない。
また、全反射を用いた薄膜計測法は、今日の材料デバイ
スで必須な薄膜の構造解析、およびその場観察の技術と
して最適のものである。この計測装置においては、薄膜
に入射するX線光束のエネルギーを変化させながら、各
エネルギーごとに、基板上の薄膜に対する入射X線光束
の入射角を連絖的に変化させ反射率を測定することにな
る。
しかしながら、従来の方法では、各エネルギーごとに薄
膜方位(θ)を0−60分程度走査し反射率の測定を行
なうことになり、また次の走査に移る前に初期のθ:0
に戻さなければならないので、放射光源(シンクロトロ
ン放射)などの高輝度のX線源を用いないかぎり、測定
に非常な長時間を必要とするため実現困難である。
本発明はこの点に鑑みなされたもので、回転対陰極X線
源を用いた実験室系装置で、全反射を用いた薄膜計測を
短時間で測定出来るようにする全反射スペクトル測定装
置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明によれば、X線を基板
上の測定試料面に照射し、その吸収、反射あるいは回折
スペクトルを測定することにより基板上の測定試料の構
造評価を行なう全反射スペクトル測定装置において、X
線源から放出された光束を白色光のまま平行光として測
定試料面に照射させるコリメータ系と、測定試料面から
の反射光束の全エネルギーを各単色光成分ごとに検出す
る分光検出手段と、測定試料面のX線光束に対する入射
角を連続的に変化させる機構とを有することを特徴とす
る全反射スペクトル測定装置が提供される。
〔作用〕
本発明では、X線源から放出された光束がコリメータ系
により白色光のまま平行光として測定試料面に照射され
、前記機構により測定試料面が傾けられながら、分光検
出手段が測定試料面からの反射光束の全エネルギーを一
挙にマルチヤンネル検圧する。したがって、1回のθ走
金で計測が行なえるようになり、測定時間が大幅に短縮
される。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
、先ず、第2図により、本発明者らが先に提案した全反
射スペクトル測定装置の説明を行なう。同図において1
はX線源、2は分光結晶、4は試料系、5は基板、6は
薄膜試料、9は検出器、10はビームストッパー、51
−33はスリット系を示す。X線源Iより射出された白
色X線は、スリット系S1により整形され、例えば31
などの完全に近い単結晶よりなる分光結晶2に入射する
。分光結晶2は、所定の結晶面(例えば、(111))
を入射X線光束に対し所定の方位にセットされ、分光結
晶2により所定のエネルギーのX線がブラッグ反射を起
こし射出されるようになっている。こうして、スリット
系S2を通過したX線光束は単色化される。分光結晶2
にはチャンネルカット結晶や複数の結晶を組み合わせた
ものが用いられる。スリットS2を通過後の単色、平行
のX線光束は、測定すべき薄膜試料6表面に入射され、
薄膜試料6表面からの反射光束がスリット系S3を介し
て検出器9に入り、反射X線強度が測定される。薄膜試
料6表面からのX線反射率はX線光束の入射角度に依存
するので、入射角を変化させながら測定が行なわれる。
すなわち、薄膜試料6表面へのX線光束の入射角がθの
とき、検出器9の方位は2θとなるように、薄膜試料6
表面のX線光束入射点(ナイフェツジの位yl(第2図
の8)〕を中心に連動回転を行なう。
ところが、薄膜の全反射スペクトル測定のためには、こ
のような測定を複数エネルギーのX線光束に対して繰り
返す必要がある。第3図には3種類のエネルギーJ+E
2+E3の場合を示しであるが、分解能を更に向上させ
るためにはより多くのエネルギーのX線光束について測
定を繰り返さなければならず、これには莫大な時間がか
かるため改善の余地があった。
第1図はこのような問題を解決する本発明による全反射
スペクトル測定装置の一実施例の概念図である。同図に
おいて、11はX線源、12は試料系、13は基板、】
4は測定すべき薄膜試料、】5は薄膜試料14表面への
X線光束入射点、1Gはビームストッパ、17は分光結
晶、18は位置敏感型X線検出器、511−312はス
リット系を示す。
動作について説明するとX線光源11より射出された白
色X線はスリット系Sll、312により平行光束に整
形された後、白色光のまま薄膜試料14表面に入射する
。薄膜試料14表面に対する白色X線光束の入射角θと
反射された白色X線光束を検出すべき検出系の方位2θ
は周知の技術で容易に構成しうる機構(図示せず)によ
り連動回転される。なお、実際はθは数十分程度の微小
角であるので回転させる必要はない場合も多い。薄膜試
料14表面より反射された白色X線光束は、分光結晶1
7により分光され、位置敏感型X線検出器18により受
光される。この位置敏感型X線検出器18は単色光成分
ごとにその各受光部位(チャンネル)に検出しうる構成
となっているため、全エネルギースペクトルが同時に検
出される。したがって、本装置によれば、同時に各エネ
ルギーに対し薄膜試料14表面よりの反射率を測定して
いることになるので、短時間に測定を行なうことが可能
となる。
なお、上記実施例では測定試料面からの反射光束の全エ
ネルギーを各単色光成分ごとに検出する手段として、分
光結晶17と位置敏感型X線検出器18との組合せを用
いたが、これに代えてエネルギー分解能を有する半導体
固体素子検出器(SSD)を用いることもできる。
また、上記では分光結晶17は透過型(ラウェケース)
の回折を用いているが、反射型(ブラッグケース)の回
折を用いることもできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば前記構成としたので以下のような効果が
得られる。
実験室で利用できるX線源を用いて、薄膜表面からの全
反射スペクトルを複数のエネルギーに対して測定するこ
とが短時間にできるようになる。
従来技術では、莫大な時間を要することになり、同等の
データを得ることは事実上不可能であるが、本装置によ
れば、ただ1回の薄膜試料方位スキャンにより同時の各
エネルギーに対する反射率データが得られるので、各エ
ネルギーごとにスキャンを繰り返し行なった場合に比べ
て、角度の誤差が全く生じない点で優れている。
また、反射スペクトルの各エネルギー成分をそれぞれ同
時に検出することができるので、莫大な時間を要して反
射スペクトルの測定がほとんど瞬時に出来るようになる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の全反射スペクトル測定装置の一実施例
の概念図、第2図は本発明者が先に提案した全反射スペ
クトル測定装置の概念図、第3図は従来の全反射スペク
トル測定の説明図である。 11 ・X線源 14・・・薄膜試料 17・・・分光結晶 18・・位置敏感型X線検出器 Sll、Si2・・・スリット系 特許出願人 株式会社 リ  コ −

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)X線を基板上の測定試料面に照射し、その吸収、
    反射あるいは回折スペクトルを測定することにより基板
    上の測定試料の構造評価を行なう全反射スペクトル測定
    装置において、X線源から放出された光束を白色光のま
    ま平行光として測定試料面に照射させるコリメータ系と
    、測定試料面からの反射光束の全エネルギーを各単色光
    成分ごとに検出する分光検出手段と、測定試料面のX線
    光束に対する入射角を連続的に変化させる機構とを有す
    ることを特徴とする全反射スペクトル測定装置。
  2. (2)該分光検出手段は、分光結晶と位置敏感型検出器
    の結合であることを特徴とする請求項1に記載の全反射
    スペクトル測定装置。
  3. (3)該分光検出手段は、エネルギー分解能を有する半
    導体固体素子検出器(SSD)であることを特徴とする
    請求項1記載の全反射スペクトル測定装置。
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