JPH04184323A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は液晶表示装置に関し 特に補助容量の構成に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a liquid crystal display device, and particularly relates to the structure of an auxiliary capacitor.
(ロ)従来の技術
一般に液晶表示装置は 低消費電力大容量化が可能であ
るために開発かやピンチに進められてし)る。(b) Conventional technology In general, the development of liquid crystal display devices is progressing in a pinch because they can achieve low power consumption and large capacity.
しかし画面の大型化 画素サイズの微細化を達成する時
非常に多くの欠陥 マスクズレ等を生じ 実際の歩留
まり率は極端に低い結果を生じていた。また液晶は一般
にブラウン管の画像と比べ非常に見にくい欠点があった
。そのため各社がこの問題の解決のためにいろいろな構
造を提案している。その−例として第2図があり いか
に説明してゆく。However, when increasing the size of the screen and miniaturizing the pixel size, a large number of defects and mask misalignment occurred, resulting in an extremely low yield rate. Additionally, LCDs generally have the disadvantage that they are much harder to see than images on cathode ray tubes. Therefore, various companies are proposing various structures to solve this problem. Figure 2 is an example of this, and I will explain how.
まず絶縁性透明基板4例えばガラス基板(50)があり
、この基板上にゲートライン(51)が設けられている
。このゲートライン(51)と同時に形成されたに本願
の問題とした補助容量電極(52)が、破線のように設
けられている。この上にはシリコン窒化膜等より成る絶
縁膜か被覆され 半導体層より成る活性層(53)が形
成されている。First, there is an insulating transparent substrate 4, for example a glass substrate (50), and a gate line (51) is provided on this substrate. An auxiliary capacitance electrode (52), which is the subject of this application, is formed at the same time as the gate line (51) and is provided as shown by a broken line. On top of this is formed an active layer (53) made of a semiconductor layer covered with an insulating film made of a silicon nitride film or the like.
ここでこの活性層(53)は 例えばアモルファスシリ
コンやポリシリコンよりなる。更には絶縁石が被覆され
た後に、活性層(53)の一方の側には実線で示された
トレイン電極f54)、他方には実線で示されたソース
電極(55)が形成され、このソース電極とコンタクト
するIT○よりなる表示室1’M(56)が形成されて
いる。ここでこのドレイン電極は 図番(57)の画像
ラインと一体で構成されている。また前記表示室tfj
(56+、トレイン電極(54)及びトランジスタ上を
被覆した配向膜が形成されている。Here, this active layer (53) is made of, for example, amorphous silicon or polysilicon. Further, after the insulating stone is coated, a train electrode (f54) indicated by a solid line is formed on one side of the active layer (53), and a source electrode (55) indicated by a solid line is formed on the other side of the active layer (53). A display chamber 1'M (56) made of IT○ in contact with the electrode is formed. Here, this drain electrode is constructed integrally with the image line shown in figure number (57). In addition, the display room tfj
(56+, an alignment film covering the train electrode (54) and the transistor is formed.
一方、ガラス基板(50)と対向するもう一つのガラス
基板の下層(こは、共通!極、配向膜が形成され、この
2つのガラス基板が相対向して設けられ1間には液晶が
封止されている。On the other hand, the lower layer of another glass substrate facing the glass substrate (50) is formed with a common electrode and an alignment film. It has been stopped.
(ハ)発明が解決しようとした課題
ここで遮光膜は、対向電極基板に形成されるのが一般的
である。しかし液晶表示装置を斜めから見た場合、視差
を生じて透過光が目視され 遮光膜本来の効果、所謂ブ
ラックマトリックス効果(色画素間の分離を行うことに
よる混色の回避)が失われることがある。(c) Problems to be Solved by the Invention Here, the light shielding film is generally formed on the counter electrode substrate. However, when viewing a liquid crystal display device from an angle, parallax occurs and the transmitted light becomes visible, and the original effect of the light-shielding film, the so-called black matrix effect (avoiding color mixture by separating color pixels), may be lost. .
この問題を解決するために 前述した構成と逆に遮光膜
をTPT基板上に形成する構成がある。To solve this problem, there is a configuration in which a light shielding film is formed on a TPT substrate, which is the opposite of the configuration described above.
どちらにしても遮光膜は表示電極(56)間に設けられ
るのが一般的である。In either case, a light shielding film is generally provided between the display electrodes (56).
さて 第2図で光を遮断する領域を考えると、破線で示
した補助容量電極(52)と表示電極(56)間に設け
られた遮光膜が該当し、実際に表示領域となる補助容量
電極(52)と表示室tf56)の重畳しない領域の周
囲には、この遮断領域が非常に広く形成され、一般に言
われるブラックマトリックスの存在感が非常に顕著にな
る問題を有していた。Now, considering the area that blocks light in Figure 2, the light shielding film provided between the auxiliary capacitor electrode (52) and the display electrode (56) shown by the broken line corresponds to the auxiliary capacitor electrode that actually becomes the display area. This blocking area is formed very widely around the area where (52) and the display chamber tf56) do not overlap, which causes the problem that the presence of the so-called black matrix becomes very noticeable.
しかもこの表示装置を液晶プロジェクタ−に応用した場
合、拡大されるtこめに、更にブラックマトリックスの
存在感が顕著になる問題を有していtこ。Moreover, when this display device is applied to a liquid crystal projector, there is a problem in that the presence of the black matrix becomes even more noticeable as the image is enlarged.
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は前述の課題に鑑みて成され、表示電極(13)
から隣接する他の表示電極(13)までの離間距離と実
質的に等しい幅の前記補助容量電極(14)と重畳しな
い前記表示電極領域りが実質的に等間隔となるように
前記補助容量電極(14)を設けることで解決するもの
である。(d) Means for solving the problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems.
The area of the display electrode that does not overlap with the auxiliary capacitance electrode (14) has a width substantially equal to the distance from the display electrode (13) to another adjacent display electrode (13), so that the area of the display electrode is substantially equally spaced.
This problem is solved by providing the auxiliary capacitance electrode (14).
(ホ)作用
前述した表示lif!(13)間に形成された遮光膜の
ラインと前記補助容量電極(14)のラインは、第1図
に示すように、均等に格子上に配lされるため、前記補
助容量電極(14)と前記表示電極(13)が重畳しな
い領域、いわゆる表示領域りの周囲は均一な幅の遮光層
で形成され、また表示領域りが複数に分割されて形成さ
れているために、見かけ上、前記ブラックマトリックス
の存在感が低下する。(e) Effect The display lif! (13) The lines of the light-shielding film formed between and the lines of the auxiliary capacitor electrode (14) are evenly distributed on a grid as shown in FIG. The periphery of the area where the display electrodes (13) and the display electrodes (13) do not overlap, the so-called display area, is formed with a light-shielding layer of uniform width, and since the display area is divided into a plurality of parts, the apparent The presence of the black matrix decreases.
くべ)実施例 いかに第1図を参照しながら本発明について説明する。Kube) Example The present invention will now be described with reference to FIG.
まず絶縁性透明基板(10)、例えばガラス基板がある
。このガラス基板(10)上にはOrのスパッタリング
により形成されたゲート電極’(11)(ゲートライン
(12)と一体に形成される。)が、形成予定の表示電
極(13)の間に左右に延在されて設けられている。ま
たこのゲート電ffl+11]と同時に補助容量電極(
14)が破線の如く形成されている。First, there is an insulating transparent substrate (10), for example a glass substrate. On this glass substrate (10), gate electrodes' (11) (formed integrally with the gate line (12)) formed by Or sputtering are placed between the display electrodes (13) to be formed on the left and right sides. It is extended to . Moreover, at the same time as this gate voltage ffl+11], the auxiliary capacitance electrode (
14) is formed like a broken line.
また、ゲート電極(11)、補助容量電極(14)を含
む基板全面にシリコン窒化膜よりなるゲート絶縁膜が被
覆されてい−る。Further, the entire surface of the substrate including the gate electrode (11) and the auxiliary capacitance electrode (14) is covered with a gate insulating film made of a silicon nitride film.
また、ゲート電極に対応するゲート絶縁膜上には、N型
のアモルファス・シリコンよりなる半導体活性層(15
)が設けられている。Further, on the gate insulating film corresponding to the gate electrode, a semiconductor active layer (15
) is provided.
またゲート絶縁膜上には、IT○より成る表示電極(1
3)が形成されている。Further, on the gate insulating film, a display electrode (1
3) is formed.
この半導体活性層(15)の両端には、N+型のアモル
ファス・シリコンより成るコンタクト層が形成されてい
る。ここで図面の都合上、前記コンタクト層は図示せず
、また両端に形成されたコンタクト層の間には、このコ
ンタクト層のエツチングの時に発生する半導体活性層の
エツチングを防止するために、絶縁層のシリコン窒化膜
が形成されている。Contact layers made of N+ type amorphous silicon are formed at both ends of this semiconductor active layer (15). For convenience of the drawing, the contact layer is not shown, and an insulating layer is provided between the contact layers formed at both ends to prevent etching of the semiconductor active layer that occurs when etching the contact layer. A silicon nitride film is formed.
更には、ソース領域に対応するコンタクト層と表示電極
間には、ソース電極(16)が形成され、ドレイン領域
に対応するコンタクト層には、トレインライン(17)
と一体となってドレイン電極(18)が形成されている
。またセルはカラ一対応のために、横に隣接する2つの
表示電極(13)。Furthermore, a source electrode (16) is formed between the contact layer corresponding to the source region and the display electrode, and a train line (17) is formed in the contact layer corresponding to the drain region.
A drain electrode (18) is formed integrally with the drain electrode (18). In addition, since the cell corresponds to one color, there are two display electrodes (13) adjacent to each other laterally.
(13)と下段の表示電極(13)がトライアングル構
造になっている。また上段の表示電極もトライアングル
構造になっている。そのため実際は、ドレインラインは
縦方向にジグザグに延在されている。(13) and the lower display electrode (13) have a triangular structure. The upper display electrode also has a triangular structure. Therefore, in reality, the drain line extends in a zigzag pattern in the vertical direction.
更に、前記表示電極、ソース電極、ドレイン電極、ドレ
インライン及びトランジスタ上を被覆した配向膜が形成
され、他方のガラス基板の下層には共通電極、配向膜が
形成され、前記一方の基板と他方の基板は相対向して設
けられ、間には液晶が封入されている。Furthermore, an alignment film is formed to cover the display electrode, source electrode, drain electrode, drain line, and transistor, and a common electrode and an alignment film are formed on the lower layer of the other glass substrate, and a The substrates are provided facing each other, and a liquid crystal is sealed between them.
ここで遮光膜は、発明が解決しようとした課題の欄にも
述べたように、トランジスタが形成されたガラス基板(
10)、または対向電極が形成されたガラス基板に形成
される。主に形成領域は、表示電極(13)間に対応す
る領域に設けられ1表示部分りができるだけ大きくなる
ように、前記遮光膜と前記表示電VjA+13)の重畳
領域は極力少なくしている。Here, the light-shielding film is the glass substrate on which the transistor is formed (
10), or formed on a glass substrate on which a counter electrode is formed. The formation area is mainly provided in the area corresponding to between the display electrodes (13), and the overlapping area of the light shielding film and the display electrode (VjA+13) is minimized as much as possible so that one display area is as large as possible.
本発明の特徴は、前記補助容量電極(14)の形状にあ
る。この補助容量電極(14)は、第1図で見ると、見
かけ上1表示電極(13)を複数に分割し、ここでは4
分割しており、幅は前記表示電極(13)と隣接する表
示電tM(13)との間の離間距離と実質的に同一とな
っている。The feature of the present invention lies in the shape of the auxiliary capacitance electrode (14). When viewed in FIG. 1, this auxiliary capacitance electrode (14) apparently divides one display electrode (13) into a plurality of parts;
The width is substantially the same as the distance between the display electrode (13) and the adjacent display electrode tM (13).
前述した如く、遮光膜の形成領域は、表示電極(13)
間に設けられ、表示部分りができるだけ大きくなるよう
に、前記遮光膜と前記表示電極(13)の重畳領域は極
力少なくしているので、表示電極(13)間で形成され
るラインは、遮光膜で形成される領域と実質的に同一と
なり、この領域がブランクスドライブの一方となる。ま
た補助容量電極(14)は、ゲート電極(11)と同一
材料であるので、非透過性であり、これが前記ブラック
マトリックスの他方となる。従ってこの両者のブラック
マトリックスは 見かけ上一体の均等に形成された格子
を形成する。As mentioned above, the region where the light shielding film is formed is located between the display electrodes (13)
The overlapping area of the light shielding film and the display electrodes (13) is minimized so that the display area is as large as possible, so the line formed between the display electrodes (13) is This area is substantially the same as the area formed by the film, and this area becomes one of the blank drives. Further, since the auxiliary capacitance electrode (14) is made of the same material as the gate electrode (11), it is non-transparent and serves as the other part of the black matrix. Therefore, these two black matrices form an apparently integral, uniformly formed lattice.
ここで前記補助容量電極(14)と前記表示電極(13
)の非重畳領域りは、図面の都合上、非常に小さく形成
されているが、実際は、補助容量電極(14)の輻Aを
1と仮定すれば、前記非重量領域の1辺Bが約10〜2
0となる0例えば5〜30μmの幅の見かけ上のブラン
クマトリックスに対して5表示領域りの1辺が50μm
〜200μmとなる。従って、見かけ上のブラックマト
リックス幅が、従来構造よりも狭くなり、1画素が複数
に分割されて形成されているために、見かけ上、前記ブ
ラックマトリックスの存在感が低下する。Here, the auxiliary capacitance electrode (14) and the display electrode (13)
) is formed to be very small due to the drawing, but in reality, if the radius A of the auxiliary capacitance electrode (14) is 1, one side B of the non-weight area is approximately 10-2
For example, one side of every 5 display areas is 50 μm for an apparent blank matrix with a width of 5 to 30 μm.
~200 μm. Therefore, the apparent width of the black matrix is narrower than in the conventional structure, and since one pixel is formed by being divided into a plurality of parts, the apparent presence of the black matrix is reduced.
ここで表示領域りは、正方形で示しであるが、長方形等
でも良く、また分割数は、4分割に限らず、6分割、8
分割・・・でも良い、ただし見かけ上の表示領域りは、
全て実質的に同じサイズで均等に分散されている必要が
ある。Here, the display area is shown as a square, but it may be a rectangle, etc., and the number of divisions is not limited to 4, but 6, 8, etc.
Split... is fine, but the apparent display area is
All must be substantially the same size and evenly distributed.
(ト)発明の効果
以上の説明からも明らかなように 見かけ上のブラック
マトリックス幅を小さくし、表示電極間の幅と補助容量
電極の幅を実質的に同一とし、表示領域を複数に均等に
分散させることにより 見かけ上のブラックマトリック
スの存在感を低下させることができる。(g) Effects of the invention As is clear from the above explanation, the apparent black matrix width is reduced, the width between the display electrodes and the width of the auxiliary capacitance electrode are made substantially the same, and the display area is divided into multiple equal parts. By dispersing it, the apparent presence of the black matrix can be reduced.
従って、この構造の表示装置をプロジェクタ−に応用し
ても、従来より遥かに存在感を無くせるために、ユーザ
ーに鮮明な画像を提供できる。Therefore, even if a display device having this structure is applied to a projector, the presence of the display device can be far less than that of the conventional projector, and a clear image can be provided to the user.
第1図は、本発明の液晶表示装置の平面図、第2図は、
従来の液晶表示装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal display device of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a plan view of a conventional liquid crystal display device.
Claims (4)
インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
けられた遮光膜とを少なくとも有する液晶表示装置にお
いて、 前記表示電極から隣接する他の表示電極までの離間距離
と実質的に等しい幅の前記補助容量電極と重畳しない前
記表示電極領域が実質的に等間隔となるように、前記補
助容量電極を設けたことを特徴とした液晶表示装置。(1) A plurality of gate lines and a plurality of image lines arranged in a matrix pattern, a transistor controlled by the gate line, and a transistor connected to the transistor and connected to the image line through the transistor. a liquid crystal cell comprising at least a display electrode to which an image signal is supplied; an auxiliary capacitance electrode made of an opaque material below the display electrode and supplementing the liquid crystal cell; and between the display electrode and the adjacent display electrode. In a liquid crystal display device having at least a light-shielding film provided for blocking light, the display electrode does not overlap with the auxiliary capacitance electrode and has a width substantially equal to the distance from the display electrode to another adjacent display electrode. A liquid crystal display device characterized in that the auxiliary capacitance electrodes are provided so that the regions are substantially equally spaced.
インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
けられた遮光膜とを有する液晶表示装置において、 前記表示電極と隣接する表示電極間で等価的に形成され
るラインと前記補助容量電極とで、前記表示電極の前記
補助容量電極との非重畳部分を均等に配置させることを
特徴とした液晶表示装置。(2) A plurality of gate lines and a plurality of image lines arranged in a matrix pattern, a transistor controlled by the gate line, and a transistor connected to the transistor and connected to the image line through the transistor. a liquid crystal cell comprising at least a display electrode to which an image signal is supplied; an auxiliary capacitance electrode made of an opaque material below the display electrode and supplementing the liquid crystal cell; and between the display electrode and the adjacent display electrode. In a liquid crystal display device having a light-shielding film provided for blocking light, the auxiliary capacitance of the display electrode is divided by the auxiliary capacitance electrode and a line equivalently formed between the display electrode and the adjacent display electrode. A liquid crystal display device characterized by uniformly disposing non-overlapping portions with electrodes.
インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
けられた遮光膜とを有する液晶表示装置において、 前記遮光膜で形成されるラインと前記補助容量電極で形
成されるラインが見かけ上均等な格子を形成することを
特徴とした液晶表示装置。(3) A plurality of gate lines and a plurality of image lines arranged in a matrix pattern, a transistor controlled by the gate line, and a transistor connected to the transistor and connected to the image line through the transistor. a liquid crystal cell comprising at least a display electrode to which an image signal is supplied; an auxiliary capacitance electrode made of an opaque material below the display electrode and supplementing the liquid crystal cell; and between the display electrode and the adjacent display electrode. A liquid crystal display device having a light shielding film provided for shielding light, characterized in that the lines formed by the light shielding film and the lines formed by the auxiliary capacitor electrode form an apparently uniform lattice. LCD display device.
のガラス基板の少なくとも一方に構成されることを特徴
とした請求項第1項、第2項または第3項記載の液晶表
示装置。(4) The liquid crystal display device according to claim 1, 2 or 3, wherein the light shielding film is formed on at least one of a pair of glass substrates constituting the liquid crystal display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31348290A JPH07119918B2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP31348290A JPH07119918B2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184323A true JPH04184323A (en) | 1992-07-01 |
| JPH07119918B2 JPH07119918B2 (en) | 1995-12-20 |
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ID=18041841
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|---|---|---|---|
| JP31348290A Expired - Lifetime JPH07119918B2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119918B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995022782A1 (en) * | 1994-02-17 | 1995-08-24 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display device |
| JPH08240811A (en) * | 1996-03-11 | 1996-09-17 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor panel |
| US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
| JP2008003557A (en) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate thereof |
| WO2009087705A1 (en) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299946A (en) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Seiko Epson Corp | display device |
| JPH0264615A (en) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Epson Corp | How to fix defects in active matrix panels |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31348290A patent/JPH07119918B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299946A (en) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Seiko Epson Corp | display device |
| JPH0264615A (en) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Epson Corp | How to fix defects in active matrix panels |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995022782A1 (en) * | 1994-02-17 | 1995-08-24 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display device |
| US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
| US5966189A (en) * | 1994-02-17 | 1999-10-12 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
| JPH08240811A (en) * | 1996-03-11 | 1996-09-17 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor panel |
| JP2008003557A (en) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate thereof |
| WO2009087705A1 (en) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
| EP2230657A4 (en) * | 2008-01-10 | 2011-07-20 | Sharp Kk | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US8274464B2 (en) | 2008-01-10 | 2012-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
| JP5149910B2 (en) * | 2008-01-10 | 2013-02-20 | シャープ株式会社 | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
Also Published As
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