JPH04184323A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH04184323A
JPH04184323A JP2313482A JP31348290A JPH04184323A JP H04184323 A JPH04184323 A JP H04184323A JP 2313482 A JP2313482 A JP 2313482A JP 31348290 A JP31348290 A JP 31348290A JP H04184323 A JPH04184323 A JP H04184323A
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JP
Japan
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electrode
liquid crystal
display electrode
transistor
display
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JP2313482A
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Masaru Higuchi
勝 樋口
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は液晶表示装置に関し 特に補助容量の構成に関
するものである。
(ロ)従来の技術 一般に液晶表示装置は 低消費電力大容量化が可能であ
るために開発かやピンチに進められてし)る。
しかし画面の大型化 画素サイズの微細化を達成する時
 非常に多くの欠陥 マスクズレ等を生じ 実際の歩留
まり率は極端に低い結果を生じていた。また液晶は一般
にブラウン管の画像と比べ非常に見にくい欠点があった
。そのため各社がこの問題の解決のためにいろいろな構
造を提案している。その−例として第2図があり いか
に説明してゆく。
まず絶縁性透明基板4例えばガラス基板(50)があり
、この基板上にゲートライン(51)が設けられている
。このゲートライン(51)と同時に形成されたに本願
の問題とした補助容量電極(52)が、破線のように設
けられている。この上にはシリコン窒化膜等より成る絶
縁膜か被覆され 半導体層より成る活性層(53)が形
成されている。
ここでこの活性層(53)は 例えばアモルファスシリ
コンやポリシリコンよりなる。更には絶縁石が被覆され
た後に、活性層(53)の一方の側には実線で示された
トレイン電極f54)、他方には実線で示されたソース
電極(55)が形成され、このソース電極とコンタクト
するIT○よりなる表示室1’M(56)が形成されて
いる。ここでこのドレイン電極は 図番(57)の画像
ラインと一体で構成されている。また前記表示室tfj
(56+、トレイン電極(54)及びトランジスタ上を
被覆した配向膜が形成されている。
一方、ガラス基板(50)と対向するもう一つのガラス
基板の下層(こは、共通!極、配向膜が形成され、この
2つのガラス基板が相対向して設けられ1間には液晶が
封止されている。
(ハ)発明が解決しようとした課題 ここで遮光膜は、対向電極基板に形成されるのが一般的
である。しかし液晶表示装置を斜めから見た場合、視差
を生じて透過光が目視され 遮光膜本来の効果、所謂ブ
ラックマトリックス効果(色画素間の分離を行うことに
よる混色の回避)が失われることがある。
この問題を解決するために 前述した構成と逆に遮光膜
をTPT基板上に形成する構成がある。
どちらにしても遮光膜は表示電極(56)間に設けられ
るのが一般的である。
さて 第2図で光を遮断する領域を考えると、破線で示
した補助容量電極(52)と表示電極(56)間に設け
られた遮光膜が該当し、実際に表示領域となる補助容量
電極(52)と表示室tf56)の重畳しない領域の周
囲には、この遮断領域が非常に広く形成され、一般に言
われるブラックマトリックスの存在感が非常に顕著にな
る問題を有していた。
しかもこの表示装置を液晶プロジェクタ−に応用した場
合、拡大されるtこめに、更にブラックマトリックスの
存在感が顕著になる問題を有していtこ。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は前述の課題に鑑みて成され、表示電極(13)
から隣接する他の表示電極(13)までの離間距離と実
質的に等しい幅の前記補助容量電極(14)と重畳しな
い前記表示電極領域りが実質的に等間隔となるように 
前記補助容量電極(14)を設けることで解決するもの
である。
(ホ)作用 前述した表示lif!(13)間に形成された遮光膜の
ラインと前記補助容量電極(14)のラインは、第1図
に示すように、均等に格子上に配lされるため、前記補
助容量電極(14)と前記表示電極(13)が重畳しな
い領域、いわゆる表示領域りの周囲は均一な幅の遮光層
で形成され、また表示領域りが複数に分割されて形成さ
れているために、見かけ上、前記ブラックマトリックス
の存在感が低下する。
くべ)実施例 いかに第1図を参照しながら本発明について説明する。
まず絶縁性透明基板(10)、例えばガラス基板がある
。このガラス基板(10)上にはOrのスパッタリング
により形成されたゲート電極’(11)(ゲートライン
(12)と一体に形成される。)が、形成予定の表示電
極(13)の間に左右に延在されて設けられている。ま
たこのゲート電ffl+11]と同時に補助容量電極(
14)が破線の如く形成されている。
また、ゲート電極(11)、補助容量電極(14)を含
む基板全面にシリコン窒化膜よりなるゲート絶縁膜が被
覆されてい−る。
また、ゲート電極に対応するゲート絶縁膜上には、N型
のアモルファス・シリコンよりなる半導体活性層(15
)が設けられている。
またゲート絶縁膜上には、IT○より成る表示電極(1
3)が形成されている。
この半導体活性層(15)の両端には、N+型のアモル
ファス・シリコンより成るコンタクト層が形成されてい
る。ここで図面の都合上、前記コンタクト層は図示せず
、また両端に形成されたコンタクト層の間には、このコ
ンタクト層のエツチングの時に発生する半導体活性層の
エツチングを防止するために、絶縁層のシリコン窒化膜
が形成されている。
更には、ソース領域に対応するコンタクト層と表示電極
間には、ソース電極(16)が形成され、ドレイン領域
に対応するコンタクト層には、トレインライン(17)
と一体となってドレイン電極(18)が形成されている
。またセルはカラ一対応のために、横に隣接する2つの
表示電極(13)。
(13)と下段の表示電極(13)がトライアングル構
造になっている。また上段の表示電極もトライアングル
構造になっている。そのため実際は、ドレインラインは
縦方向にジグザグに延在されている。
更に、前記表示電極、ソース電極、ドレイン電極、ドレ
インライン及びトランジスタ上を被覆した配向膜が形成
され、他方のガラス基板の下層には共通電極、配向膜が
形成され、前記一方の基板と他方の基板は相対向して設
けられ、間には液晶が封入されている。
ここで遮光膜は、発明が解決しようとした課題の欄にも
述べたように、トランジスタが形成されたガラス基板(
10)、または対向電極が形成されたガラス基板に形成
される。主に形成領域は、表示電極(13)間に対応す
る領域に設けられ1表示部分りができるだけ大きくなる
ように、前記遮光膜と前記表示電VjA+13)の重畳
領域は極力少なくしている。
本発明の特徴は、前記補助容量電極(14)の形状にあ
る。この補助容量電極(14)は、第1図で見ると、見
かけ上1表示電極(13)を複数に分割し、ここでは4
分割しており、幅は前記表示電極(13)と隣接する表
示電tM(13)との間の離間距離と実質的に同一とな
っている。
前述した如く、遮光膜の形成領域は、表示電極(13)
間に設けられ、表示部分りができるだけ大きくなるよう
に、前記遮光膜と前記表示電極(13)の重畳領域は極
力少なくしているので、表示電極(13)間で形成され
るラインは、遮光膜で形成される領域と実質的に同一と
なり、この領域がブランクスドライブの一方となる。ま
た補助容量電極(14)は、ゲート電極(11)と同一
材料であるので、非透過性であり、これが前記ブラック
マトリックスの他方となる。従ってこの両者のブラック
マトリックスは 見かけ上一体の均等に形成された格子
を形成する。
ここで前記補助容量電極(14)と前記表示電極(13
)の非重畳領域りは、図面の都合上、非常に小さく形成
されているが、実際は、補助容量電極(14)の輻Aを
1と仮定すれば、前記非重量領域の1辺Bが約10〜2
0となる0例えば5〜30μmの幅の見かけ上のブラン
クマトリックスに対して5表示領域りの1辺が50μm
〜200μmとなる。従って、見かけ上のブラックマト
リックス幅が、従来構造よりも狭くなり、1画素が複数
に分割されて形成されているために、見かけ上、前記ブ
ラックマトリックスの存在感が低下する。
ここで表示領域りは、正方形で示しであるが、長方形等
でも良く、また分割数は、4分割に限らず、6分割、8
分割・・・でも良い、ただし見かけ上の表示領域りは、
全て実質的に同じサイズで均等に分散されている必要が
ある。
(ト)発明の効果 以上の説明からも明らかなように 見かけ上のブラック
マトリックス幅を小さくし、表示電極間の幅と補助容量
電極の幅を実質的に同一とし、表示領域を複数に均等に
分散させることにより 見かけ上のブラックマトリック
スの存在感を低下させることができる。
従って、この構造の表示装置をプロジェクタ−に応用し
ても、従来より遥かに存在感を無くせるために、ユーザ
ーに鮮明な画像を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の液晶表示装置の平面図、第2図は、
従来の液晶表示装置の平面図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マトリックス状に交差配列された複数のゲートラ
    インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
    ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
    ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
    る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
    で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
    けられた遮光膜とを少なくとも有する液晶表示装置にお
    いて、 前記表示電極から隣接する他の表示電極までの離間距離
    と実質的に等しい幅の前記補助容量電極と重畳しない前
    記表示電極領域が実質的に等間隔となるように、前記補
    助容量電極を設けたことを特徴とした液晶表示装置。
  2. (2)マトリックス状に交差配列された複数のゲートラ
    インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
    ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
    ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
    る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
    で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
    けられた遮光膜とを有する液晶表示装置において、 前記表示電極と隣接する表示電極間で等価的に形成され
    るラインと前記補助容量電極とで、前記表示電極の前記
    補助容量電極との非重畳部分を均等に配置させることを
    特徴とした液晶表示装置。
  3. (3)マトリックス状に交差配列された複数のゲートラ
    インおよび複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
    ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
    ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
    る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
    で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
    けられた遮光膜とを有する液晶表示装置において、 前記遮光膜で形成されるラインと前記補助容量電極で形
    成されるラインが見かけ上均等な格子を形成することを
    特徴とした液晶表示装置。
  4. (4)前記遮光膜は、前記液晶表示装置を構成する一対
    のガラス基板の少なくとも一方に構成されることを特徴
    とした請求項第1項、第2項または第3項記載の液晶表
    示装置。
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