JPH04184710A - 固定磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
固定磁気ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH04184710A JPH04184710A JP2313522A JP31352290A JPH04184710A JP H04184710 A JPH04184710 A JP H04184710A JP 2313522 A JP2313522 A JP 2313522A JP 31352290 A JP31352290 A JP 31352290A JP H04184710 A JPH04184710 A JP H04184710A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、信顛性に優れ、高密度磁気記録対応を可能に
する固定磁気ディスクおよびその製造方法に関する。
する固定磁気ディスクおよびその製造方法に関する。
従来の技術
近年の高度情報社会において、記憶すべき情報の量は年
々増加の一途をたどり、記憶装置の大容量化、高密度化
に対する要望も高まっている。
々増加の一途をたどり、記憶装置の大容量化、高密度化
に対する要望も高まっている。
このような状況のもと、コンピュータ周辺機器として用
いられる固定磁気ディスクに用いられる記憶媒体は、従
来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄系の針状磁性
粉などを塗布した塗布型から、めっき法やスパッタ法な
どによるＣｏ−Ｎｉ／ Ｃｒ合金の薄膜型へと変化し、
高密度化が図られてきた。
いられる固定磁気ディスクに用いられる記憶媒体は、従
来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄系の針状磁性
粉などを塗布した塗布型から、めっき法やスパッタ法な
どによるＣｏ−Ｎｉ／ Ｃｒ合金の薄膜型へと変化し、
高密度化が図られてきた。
発明が解決しようとする課題
しかし、Ｃｏ −Ｎ ｉ ／ Ｃｒ合金薄膜型はその構
成材料が合金であるため耐久性などに問題があり、固定
磁気ディスクの構造としては、（潤滑層／保護層／ Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ磁性層／Ｃｒ層／ Ｎ ｉ −Ｐめっき層
／アルミニウム基板）の５層構造になっており、製造工
程が複雑であるといった欠点がある。
成材料が合金であるため耐久性などに問題があり、固定
磁気ディスクの構造としては、（潤滑層／保護層／ Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ磁性層／Ｃｒ層／ Ｎ ｉ −Ｐめっき層
／アルミニウム基板）の５層構造になっており、製造工
程が複雑であるといった欠点がある。
第４図は従来の固定磁気ディスクであるＣｏ−Ｎ ｉ
／ Ｃｒ合金の薄膜型の固定磁気ディスクの断面構造を
示す。図において１はアルミニウム基板、２はＮ１−Ｐ
めっき層、３はＣｒ層、４はＣｏ−Ｎｉ磁性層、５は保
護層、６は潤滑層である。
／ Ｃｒ合金の薄膜型の固定磁気ディスクの断面構造を
示す。図において１はアルミニウム基板、２はＮ１−Ｐ
めっき層、３はＣｒ層、４はＣｏ−Ｎｉ磁性層、５は保
護層、６は潤滑層である。
上記従来の固定磁気ディスクはＣｏ−Ｎ１ｍ性層４が面
内記録媒体であるため、さらに記録密度を上げるために
記録波長を短くしていくと減磁界の影響で記録が困難に
なってくる。
内記録媒体であるため、さらに記録密度を上げるために
記録波長を短くしていくと減磁界の影響で記録が困難に
なってくる。
そこで、磁気記録方式の上で、上記欠点を改善した記録
方式である垂直記録を可能とする磁気記録媒体として、
磁気ヘッドとその媒体が接触状態となるものではあるが
、Ｃｏ−Ｃｒ１膜媒体などの研究が盛んになされてきた
。しかし第４図に示すＣｏ Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
の記録媒体の場合と同様、Ｃｏ−Ｃｒ１［膜媒体にも合
金であるために信転性に問題があり、Ｃｏ−Ｃｒ１［膜
の表面にアモルファスカーボン膜やＣＯ酸化物のような
保護層５を設けなくてはならないという課題がある。
方式である垂直記録を可能とする磁気記録媒体として、
磁気ヘッドとその媒体が接触状態となるものではあるが
、Ｃｏ−Ｃｒ１膜媒体などの研究が盛んになされてきた
。しかし第４図に示すＣｏ Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
の記録媒体の場合と同様、Ｃｏ−Ｃｒ１［膜媒体にも合
金であるために信転性に問題があり、Ｃｏ−Ｃｒ１［膜
の表面にアモルファスカーボン膜やＣＯ酸化物のような
保護層５を設けなくてはならないという課題がある。
一方、固定磁気ディスク装置において１．磁気ヘッドの
磁気ディスクに対する走行高さ（フライングバイト）を
できるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁気ディスク
スペーシングによる出力の損失（スペーシング損失）を
軽減するため、記録密度向上につながるものであり、最
近では高記録密度を可能にするために、０．０５〜０．
１μｍ程度のフライングハイド量での走行が必要とされ
ている。
磁気ディスクに対する走行高さ（フライングバイト）を
できるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁気ディスク
スペーシングによる出力の損失（スペーシング損失）を
軽減するため、記録密度向上につながるものであり、最
近では高記録密度を可能にするために、０．０５〜０．
１μｍ程度のフライングハイド量での走行が必要とされ
ている。
しかしながら、上記従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜
型記録媒体、Ｃｏ−ＣｒＷＩ膜型記録媒体いずれにおい
ても、耐久性などに問題があるため、信転性確保のため
薄膜媒体表面に保護層５（数１００人）を形成しなけれ
ばならず、したがってどうしてもスペーシング損失が増
えてしまうという課題が残る。
型記録媒体、Ｃｏ−ＣｒＷＩ膜型記録媒体いずれにおい
ても、耐久性などに問題があるため、信転性確保のため
薄膜媒体表面に保護層５（数１００人）を形成しなけれ
ばならず、したがってどうしてもスペーシング損失が増
えてしまうという課題が残る。
本発明は上記課題を解決するものであり、信顛性に優れ
、かつ高密度磁気記録対応が可能である垂直磁気記録の
成分を有する固定磁気ディスクとその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
、かつ高密度磁気記録対応が可能である垂直磁気記録の
成分を有する固定磁気ディスクとその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、ディスク基板上に
ＮａＣｌ型結晶構造を有する酸化物薄膜と、その上にス
ピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性膜とさらにその上にコ
バルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形
成した３層構造の固定磁気ディスクであり、また前記固
定磁気ディスクをプラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用
した製造方法により作製するものである。
ＮａＣｌ型結晶構造を有する酸化物薄膜と、その上にス
ピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性膜とさらにその上にコ
バルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形
成した３層構造の固定磁気ディスクであり、また前記固
定磁気ディスクをプラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用
した製造方法により作製するものである。
作用
したがって本発明によれば、下地層として用いている酸
化物薄膜がＮａＣｌ型結晶構造の（１００）に完全配向
しており、またスピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜
およびコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性
薄膜も上記酸化物薄膜の配向性の影響を受けて（１００
）の配向性が向上しているため、耐久性や硬度などの信
顛性に優れ、かつ高密度磁気記録ができる。
化物薄膜がＮａＣｌ型結晶構造の（１００）に完全配向
しており、またスピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜
およびコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性
薄膜も上記酸化物薄膜の配向性の影響を受けて（１００
）の配向性が向上しているため、耐久性や硬度などの信
顛性に優れ、かつ高密度磁気記録ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における固定磁気ディスクの
構成を示すものであり、図において７はディスク基板、
８はＮｉＯ膜、９はＭｎ−Ｚｎフェライト膜層、１０は
ＣＯフェライト膜、１１は潤滑層である。
構成を示すものであり、図において７はディスク基板、
８はＮｉＯ膜、９はＭｎ−Ｚｎフェライト膜層、１０は
ＣＯフェライト膜、１１は潤滑層である。
第２図は本発明の一実施例において固定磁気ディスクの
製造に使用するプラズマＣＶＤ装置の概略図を示すもの
であり、図において１２は反応チャンバー、１３は電極
、１４は反応チャンバー内を低圧に保つための排気系で
、１５は高周波電源（１３，５６ＭＨｚ） 、１６〜２
０は原料の入った気化器で、２１〜２５はキャリアガス
の気化器１６〜２０内への導入の有無を制御するための
第１のバルブ、２６〜３０は原料ガスとキャリアガスの
反応チャンバー１１内への導入の有無を制御するための
第２のバルブ、３１はキャリアガスボンベ（窒素）、３
２は反応ガスボンベ（酸素）、３３は基板回転機構のつ
いた基板加熱ヒーターである。
製造に使用するプラズマＣＶＤ装置の概略図を示すもの
であり、図において１２は反応チャンバー、１３は電極
、１４は反応チャンバー内を低圧に保つための排気系で
、１５は高周波電源（１３，５６ＭＨｚ） 、１６〜２
０は原料の入った気化器で、２１〜２５はキャリアガス
の気化器１６〜２０内への導入の有無を制御するための
第１のバルブ、２６〜３０は原料ガスとキャリアガスの
反応チャンバー１１内への導入の有無を制御するための
第２のバルブ、３１はキャリアガスボンベ（窒素）、３
２は反応ガスボンベ（酸素）、３３は基板回転機構のつ
いた基板加熱ヒーターである。
次に本実施例の固定磁気ディスクの製造方法を第２図に
もとづき説明する。
もとづき説明する。
出発原料として、鉄アセチルアセトナート〔Ｆｅ （Ｃ
５Ｈｔ Ｏｘ ）！ 〕、マンガンアセチルアセトナー
ト［Ｍｎ （Ｃｓ Ｈｙ Ｏｘ ）３ 〕、亜鉛アセチ
ルアセトナート（Ｚｎ （Ｃ５Ｈｔ Ｏｘ ） ｚ
・２Ｈ，０）、にけっるアセチルアセトナート（Ｎｉ（
Ｃｓ Ｈｔ Ｏｘ ）＊ ・ＸＨｚ○〕およびコバル
トアセチルアセトナート（Ｃｏ （Ｃｓ Ｈ，Ｏ□）、
〕を使用し、気化器１６にマンガンアセチルアセトナー
ト、気化器１８に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセト
ナート（空気中１００°Ｃで２時間）、気化器１９にコ
バルトアセチルアセトナート、気化器２０に鉄アセチル
アセトナートを入れ、それぞれ１８５℃、１３０°Ｃ１
７０℃、１２０”Ｃ１１３５°Ｃに加熱し保持しておく
。第１のバルブ２１および第２のバルブ２６を開き、窒
素キャリアガス（流量２０５ＣＣＭ）とともにニッケル
アセチルアセチナートの蒸気を、反応ガスとしての酸素
（流量３５ＣＣＭ）とともに排気系１４により減圧され
た反応チャンバー１２内に導入し、プラズマを発生（電
力１．５Ｗ／ｃｄ）させ、４分間減圧下（０，１０Ｔｏ
ｒｒ）で反応を行い、４００℃に加熱したガラス等より
なるディスク基板７ （１２０回転／分）上にＮｉＯ膜
８を成膜し、第１のバルブ２１および第２のバルブ２６
を閉じる。
５Ｈｔ Ｏｘ ）！ 〕、マンガンアセチルアセトナー
ト［Ｍｎ （Ｃｓ Ｈｙ Ｏｘ ）３ 〕、亜鉛アセチ
ルアセトナート（Ｚｎ （Ｃ５Ｈｔ Ｏｘ ） ｚ
・２Ｈ，０）、にけっるアセチルアセトナート（Ｎｉ（
Ｃｓ Ｈｔ Ｏｘ ）＊ ・ＸＨｚ○〕およびコバル
トアセチルアセトナート（Ｃｏ （Ｃｓ Ｈ，Ｏ□）、
〕を使用し、気化器１６にマンガンアセチルアセトナー
ト、気化器１８に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセト
ナート（空気中１００°Ｃで２時間）、気化器１９にコ
バルトアセチルアセトナート、気化器２０に鉄アセチル
アセトナートを入れ、それぞれ１８５℃、１３０°Ｃ１
７０℃、１２０”Ｃ１１３５°Ｃに加熱し保持しておく
。第１のバルブ２１および第２のバルブ２６を開き、窒
素キャリアガス（流量２０５ＣＣＭ）とともにニッケル
アセチルアセチナートの蒸気を、反応ガスとしての酸素
（流量３５ＣＣＭ）とともに排気系１４により減圧され
た反応チャンバー１２内に導入し、プラズマを発生（電
力１．５Ｗ／ｃｄ）させ、４分間減圧下（０，１０Ｔｏ
ｒｒ）で反応を行い、４００℃に加熱したガラス等より
なるディスク基板７ （１２０回転／分）上にＮｉＯ膜
８を成膜し、第１のバルブ２１および第２のバルブ２６
を閉じる。
引き続き、真空を破らずに第１のバルブ２２．２３．２
５および第２のバルブ２７．２８．３０を開き、窒素キ
ャリアガス（気化器１７側に流量４ ＳＣＣＭ、気化器
１８側に流量７５ＣＣＭ、気化器２０側に流量１５５Ｃ
ＣＭ ）とともにマンガンアセチルアセトナートの蒸気
と亜鉛アセチルアセトナートの蒸気と鉄アセチルアセト
ナートの蒸気を、反応ガスとしての酸素（流量５ＳＣＣ
Ｍ ）とともに、排気系１４により減圧された反応チャ
ンバー１２内に導入し、プラズマを発生（電力１．５
Ｗ／ｃｉｉ）させ、６分間減圧下（０，０９Ｔｏｒｒ）
で反応を行い、４００℃に加熱したディスク基板７ （
１２０回転／分）上にＭｎ−Ｚｎフェライト膜９を成膜
し、第１のバルブ２２．２３および第２のバルブ２７．
２８を閉じる。
５および第２のバルブ２７．２８．３０を開き、窒素キ
ャリアガス（気化器１７側に流量４ ＳＣＣＭ、気化器
１８側に流量７５ＣＣＭ、気化器２０側に流量１５５Ｃ
ＣＭ ）とともにマンガンアセチルアセトナートの蒸気
と亜鉛アセチルアセトナートの蒸気と鉄アセチルアセト
ナートの蒸気を、反応ガスとしての酸素（流量５ＳＣＣ
Ｍ ）とともに、排気系１４により減圧された反応チャ
ンバー１２内に導入し、プラズマを発生（電力１．５
Ｗ／ｃｉｉ）させ、６分間減圧下（０，０９Ｔｏｒｒ）
で反応を行い、４００℃に加熱したディスク基板７ （
１２０回転／分）上にＭｎ−Ｚｎフェライト膜９を成膜
し、第１のバルブ２２．２３および第２のバルブ２７．
２８を閉じる。
さらに引き続き、真空を破らずに第１のバルブ２４およ
び第２のバルブ２９を開き、窒素キャリアガス（流量７
ＳＣＣＭ）とともにコバルトアセチルアセトナートの蒸
気を鉄アセチルアセトナートの蒸気とともに反応チャン
バー１２内に導入し、プラズマ中（電力１．５Ｗ／ｄ）
で８分間減圧下（０，０７Ｔｏｒｒ）で反応を行い、Ｍ
ｎ −Ｚ ｎフェライト膜９上にＣＯフェライト膜１
０を成膜し、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライト／
Ｎ ｉ Ｏの３層膜を形成する。
び第２のバルブ２９を開き、窒素キャリアガス（流量７
ＳＣＣＭ）とともにコバルトアセチルアセトナートの蒸
気を鉄アセチルアセトナートの蒸気とともに反応チャン
バー１２内に導入し、プラズマ中（電力１．５Ｗ／ｄ）
で８分間減圧下（０，０７Ｔｏｒｒ）で反応を行い、Ｍ
ｎ −Ｚ ｎフェライト膜９上にＣＯフェライト膜１
０を成膜し、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライト／
Ｎ ｉ Ｏの３層膜を形成する。
そして、その３層膜を形成したディスク基板７を反応チ
ャンバー１２から取り出し、裏面にも同様の方法で、同
じ構成の３層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣｏ
フェライト／Ｍｎ Ｚｎフェライトディスク／ Ｎ
ｉ Ｏディスクを作製した。
ャンバー１２から取り出し、裏面にも同様の方法で、同
じ構成の３層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣｏ
フェライト／Ｍｎ Ｚｎフェライトディスク／ Ｎ
ｉ Ｏディスクを作製した。
次に、このディスクを３００℃の空気中で３時間熱処理
を行った後、フッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽（図
示せず）に沈めて潤滑層１１を塗布することによって、
固定磁気ディスクを作製した。
を行った後、フッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽（図
示せず）に沈めて潤滑層１１を塗布することによって、
固定磁気ディスクを作製した。
作製した本実施例の固定磁気ディスクは、ギャップ長（
ＧＬ）が０．２５μｍ、トランク幅（Ｔｗ）が１０μｍ
のＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍＡのヘッド電流値を選
んで電磁変換特性の評価を行った。
ＧＬ）が０．２５μｍ、トランク幅（Ｔｗ）が１０μｍ
のＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍＡのヘッド電流値を選
んで電磁変換特性の評価を行った。
固定磁気ディスクを３６０Ｏｒ、ｐ、＋ｎの速度で回転
させ、ディスクの中心から２０．０Ｍの円周トラックで
評価を行った。なお、固定磁気ディスクと磁気ヘッドの
相対速度は７．５／ｓｅｃであり、磁気ヘッドのフライ
ングハイドは０．１５μｍであった。
させ、ディスクの中心から２０．０Ｍの円周トラックで
評価を行った。なお、固定磁気ディスクと磁気ヘッドの
相対速度は７．５／ｓｅｃであり、磁気ヘッドのフライ
ングハイドは０．１５μｍであった。
次に比較のために、ＨＣ＝ｌＯｋＯｅで、Ｍｓ＝ ８０
０ｅ＋ｎｕ ／ ｃｃのＣｒ層３とＣｏ−Ｎｉ磁性層４
とからなる磁性層膜厚が８００人で、その上に保護層５
としてカーボン膜を６００人形成し、本発明と同様の潤
滑層６を設けた従来のＣｏ −Ｎ ｉ ／ Ｃｒ合金の
薄膜型の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で面内方
向に磁化配向したもの）と、ガラスディスク基板上に直
接Ｃｏフェライト磁性膜（作製条件は３層膜の場合と同
じ）を形成した構造のＣｏフェライト薄膜固定磁気ディ
スクを用意し、本実施例の固定磁気ディスクと同じ条件
で電磁変換特性を測定した。
０ｅ＋ｎｕ ／ ｃｃのＣｒ層３とＣｏ−Ｎｉ磁性層４
とからなる磁性層膜厚が８００人で、その上に保護層５
としてカーボン膜を６００人形成し、本発明と同様の潤
滑層６を設けた従来のＣｏ −Ｎ ｉ ／ Ｃｒ合金の
薄膜型の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で面内方
向に磁化配向したもの）と、ガラスディスク基板上に直
接Ｃｏフェライト磁性膜（作製条件は３層膜の場合と同
じ）を形成した構造のＣｏフェライト薄膜固定磁気ディ
スクを用意し、本実施例の固定磁気ディスクと同じ条件
で電磁変換特性を測定した。
このようにして得られた本実施例の固定磁気ディスクと
従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクおよ
びＣｏフェライト薄膜固定磁気ディスクの再生出力と記
録密度または記録波長との関係を比較して第３図に示す
。
従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクおよ
びＣｏフェライト薄膜固定磁気ディスクの再生出力と記
録密度または記録波長との関係を比較して第３図に示す
。
第３図において、横軸が記録密度または記録波長で、縦
軸が再生出力である。また、同図中（ａ）が本実施例の
固定磁気ディスク、（ｂ）が比較のための従来のＣｏ−
Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク、（Ｃ）が同じく
他の従来のＣｏフェライト薄膜固定磁気ディスク（Ｃｏ
フェライト単層膜）の特性をそれぞれ示している。
軸が再生出力である。また、同図中（ａ）が本実施例の
固定磁気ディスク、（ｂ）が比較のための従来のＣｏ−
Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク、（Ｃ）が同じく
他の従来のＣｏフェライト薄膜固定磁気ディスク（Ｃｏ
フェライト単層膜）の特性をそれぞれ示している。
第３図から本実施例の固定磁気ディスクは従来のＣｏ
−Ｎ ｉ ／ Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクやＣｏフ
ェライト薄膜固定磁気ディスクと比較して全体的に再生
出力が高くなっており、高記録密度化対応が可能である
ことがわかる。
−Ｎ ｉ ／ Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクやＣｏフ
ェライト薄膜固定磁気ディスクと比較して全体的に再生
出力が高くなっており、高記録密度化対応が可能である
ことがわかる。
なお、本実施例の固定磁気ディスクの記録信号の再生波
形をオシロスコープで観察すると、垂直磁気記録成分を
含むことの特徴であるグイパルス波形を示している。
形をオシロスコープで観察すると、垂直磁気記録成分を
含むことの特徴であるグイパルス波形を示している。
電磁変換特性の測定終了後、本実施例の固定磁気ディス
クを破壊して高分解能の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を
用いて、その表面および破断面を観察した結果、その３
層膜は柱状構造を有し、膜厚約４５００人でコラム径は
５００〜９００人であることがわかった。
クを破壊して高分解能の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を
用いて、その表面および破断面を観察した結果、その３
層膜は柱状構造を有し、膜厚約４５００人でコラム径は
５００〜９００人であることがわかった。
比較のためにガラスディスク基板上に前記実施例と同じ
条件で成膜したＮｉＯ膜およびＭｎ−Ｚｎフェライト膜
およびＣｏフェライト膜を作製し、ＳＥＭにより同様に
観察した結果、ＮｉＯ膜は膜厚が１０００人、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト膜は膜厚が１５００人、Ｃｏフェライト膜
は膜厚が２０００人であった。
条件で成膜したＮｉＯ膜およびＭｎ−Ｚｎフェライト膜
およびＣｏフェライト膜を作製し、ＳＥＭにより同様に
観察した結果、ＮｉＯ膜は膜厚が１０００人、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト膜は膜厚が１５００人、Ｃｏフェライト膜
は膜厚が２０００人であった。
さらに、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によ
りＭｎ−Ｚｎフェライト膜およびＣｏフェライト膜の組
成を分析した結果、それぞれＭｎ／Ｚｎ／Ｆｅ−７／３
／２０、Ｃｏ／Ｆｅ＝１／１９であった。
りＭｎ−Ｚｎフェライト膜およびＣｏフェライト膜の組
成を分析した結果、それぞれＭｎ／Ｚｎ／Ｆｅ−７／３
／２０、Ｃｏ／Ｆｅ＝１／１９であった。
次に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト膜およびＣＯフェライトＭ
ｌの磁気特性について振動試料型磁気測定装置（ＶＳＭ
）により測定を行った。その結果、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト膜はＨｃ ＝４５０ｅ、 Ｍｓ＝３２０ｅｍｕ ／ｃ
ｃ、 Ｇ ｏフェライト膜はＨｅ土＝ １．２ＫＯｅ
ＳＭ ｓ ＝２８０ｅｍｕ／ｃｃであった。
ｌの磁気特性について振動試料型磁気測定装置（ＶＳＭ
）により測定を行った。その結果、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト膜はＨｃ ＝４５０ｅ、 Ｍｓ＝３２０ｅｍｕ ／ｃ
ｃ、 Ｇ ｏフェライト膜はＨｅ土＝ １．２ＫＯｅ
ＳＭ ｓ ＝２８０ｅｍｕ／ｃｃであった。
また、Ｘ線回折による結晶構造の解析を行った結果、下
地層として用いているＮｉＯ膜はＮａＣｌ型結晶構造の
（１００）に完全配向しており、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
膜およびＣｏフェライト膜のいずれの膜も、ＮｉＯ膜の
配向性の影響を受けて下地層を設けない場合と比較して
スピネル型結晶構造における（１００）の配向性は向上
していた。
地層として用いているＮｉＯ膜はＮａＣｌ型結晶構造の
（１００）に完全配向しており、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
膜およびＣｏフェライト膜のいずれの膜も、ＮｉＯ膜の
配向性の影響を受けて下地層を設けない場合と比較して
スピネル型結晶構造における（１００）の配向性は向上
していた。
本実施例の固定磁気ディスクが従来のＣｏ−Ｎ ｉ ／
Ｃｒ合金薄膜磁気ディスクより短波長域の高記録密度
側で再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分
を含んでいるからであり、またＣｏフェライト薄膜固定
磁気ディスクより高い再生出力を示すのは、下地層とし
て軟磁性材料を用いていることよりＣｏフェライト磁性
層と馬蹄形の磁路を形成することによって反磁界の影響
が低減されているためであると考えられる。
Ｃｒ合金薄膜磁気ディスクより短波長域の高記録密度
側で再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分
を含んでいるからであり、またＣｏフェライト薄膜固定
磁気ディスクより高い再生出力を示すのは、下地層とし
て軟磁性材料を用いていることよりＣｏフェライト磁性
層と馬蹄形の磁路を形成することによって反磁界の影響
が低減されているためであると考えられる。
また本発明の他の実施例として同様の成膜方法を用いて
、下地膜にＮｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎフェライト、Ｎ
ｉフェライトまたはＺｎフェライトをそれぞれ成膜し、
Ｃｏフェライト／ Ｎ ｉ −ＺｎフェライトＮｉ０１
Ｃｏフエライト／ Ｍ ｎフェライトＮｉ０１Ｃｏフエ
ライト／ＮｉフエライトＮｉＯまたはＣｏフェライト／
Ｚ ｎフェライトＮｉＯの３層膜ディスクを作製し、
電磁変換特性の評価を行ったその結果、本実施例のＣｏ
フェライト／ Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトの３層膜よ
りなる固定磁気ディスクの場合と同様に、従来のＣｏ−
Ｎｉ／ Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクと比較して全体
的に再生出力が高くなった。
、下地膜にＮｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎフェライト、Ｎ
ｉフェライトまたはＺｎフェライトをそれぞれ成膜し、
Ｃｏフェライト／ Ｎ ｉ −ＺｎフェライトＮｉ０１
Ｃｏフエライト／ Ｍ ｎフェライトＮｉ０１Ｃｏフエ
ライト／ＮｉフエライトＮｉＯまたはＣｏフェライト／
Ｚ ｎフェライトＮｉＯの３層膜ディスクを作製し、
電磁変換特性の評価を行ったその結果、本実施例のＣｏ
フェライト／ Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトの３層膜よ
りなる固定磁気ディスクの場合と同様に、従来のＣｏ−
Ｎｉ／ Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクと比較して全体
的に再生出力が高くなった。
このように上記実施例によれば、ディスク基板上にＮｉ
Ｏ膜８を形成し、その上にＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト
膜９を形成し、さらにその上にＣｏフェライト膜１０を
形成しているため、耐久性や硬度などの信転性に優れ、
かつ高密度磁気記録が可能な固定磁気ディスクを製造す
ることができる。
Ｏ膜８を形成し、その上にＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト
膜９を形成し、さらにその上にＣｏフェライト膜１０を
形成しているため、耐久性や硬度などの信転性に優れ、
かつ高密度磁気記録が可能な固定磁気ディスクを製造す
ることができる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らかなように、ディスク基板
上に、下地層として（１００）に優先配向したＮｉＯ膜
を形成し、その上にＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎ
フェライトなどのスピネル型の結晶構造をした酸化鉄軟
磁性薄膜を形成し、さらに磁性層として柱状構造を有す
るＣｏを含むスピネル型酸化鉄磁性薄膜を形成した固定
磁気ディスクの構造であるため、高信頼性であり、かつ
高記録密度対応が可能となるものであり、またその製造
方法にプラズマＣＶＤ法を用いているため、簡単な原料
供給の制御を行うだけで３層膜を簡単に、かつ連続的に
製造できるという利点を有するものである。
上に、下地層として（１００）に優先配向したＮｉＯ膜
を形成し、その上にＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎ
フェライトなどのスピネル型の結晶構造をした酸化鉄軟
磁性薄膜を形成し、さらに磁性層として柱状構造を有す
るＣｏを含むスピネル型酸化鉄磁性薄膜を形成した固定
磁気ディスクの構造であるため、高信頼性であり、かつ
高記録密度対応が可能となるものであり、またその製造
方法にプラズマＣＶＤ法を用いているため、簡単な原料
供給の制御を行うだけで３層膜を簡単に、かつ連続的に
製造できるという利点を有するものである。
第１図は本発明の一実施例における固定磁気ディスクの
要部拡大断面図、第２図は同固定磁気ディスクの製造方
法を実施するために使用するプラズマＣＶＤ装置の概略
正面断面図、第３図は実施例および従来例の固定磁気デ
ィスクの記録波長および記録密度と再生出力との関係を
比較して示した特性図、第４図は従来の固定磁気ディス
クの要部拡大断面図である。 ７・・・・・・ディスク基板、８・・・・・・ＮｉＯ膜
（酸化物情ＩＩ）、９・・・・・・Ｍ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライト膜（酸化鉄軟磁性薄膜）、１０・・・・・・Ｃ
Ｏフェライト膜（コバルトを含むスピネル型結晶構造の
酸化鉄磁性薄膜）。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名７ −−
− ４ イ ス り 暮 豪８ −−− Ｎｒ
ＯＲ（＃１仁 −１１ｓＲ）９− Ｍｎ−１ｎフズライ
ト順 （＃１仁！！−χ石１刺を淘Ｓ） 箆五図
要部拡大断面図、第２図は同固定磁気ディスクの製造方
法を実施するために使用するプラズマＣＶＤ装置の概略
正面断面図、第３図は実施例および従来例の固定磁気デ
ィスクの記録波長および記録密度と再生出力との関係を
比較して示した特性図、第４図は従来の固定磁気ディス
クの要部拡大断面図である。 ７・・・・・・ディスク基板、８・・・・・・ＮｉＯ膜
（酸化物情ＩＩ）、９・・・・・・Ｍ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライト膜（酸化鉄軟磁性薄膜）、１０・・・・・・Ｃ
Ｏフェライト膜（コバルトを含むスピネル型結晶構造の
酸化鉄磁性薄膜）。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名７ −−
− ４ イ ス り 暮 豪８ −−− Ｎｒ
ＯＲ（＃１仁 −１１ｓＲ）９− Ｍｎ−１ｎフズライ
ト順 （＃１仁！！−χ石１刺を淘Ｓ） 箆五図
Claims (6)
- （１）ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄
膜を形成し、その酸化物薄膜上にスピネル型結晶構造の
酸化鉄軟磁性薄膜を形成し、さらに前記酸化鉄軟磁性薄
膜上にコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性
薄膜を形成した固定磁気ディスク。 - （２）ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜が、結晶学的に
（１００）に優先配向したニッケル酸化物である請求項
（１）記載の固定磁気ディスク。 - （３）スピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜が、亜鉛
、マンガン、ニッケルのうち少なくとも一種の元素を含
む請求項（１）記載の固定磁気ディスク。 - （４）コバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性
薄膜が、ディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構造
を有する請求項（１）記載の固定磁気ディスク。 - （５）ニッケルを含む有機金属化合物の蒸気と酸素の混
合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基板上に
ＮａＣｌ型結晶構造のニッケル酸化物薄膜を化学蒸着し
、さらに亜鉛を含む有機金属化合物、マンガンを含む有
機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物のうち少
なくとも一種以上の有機金属化合物の蒸気と、鉄を含む
有機金属化合物の蒸気と酸素との混合ガスをプラズマを
用いて反応させ、前記ニッケル酸化物薄膜上にスピネル
型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜を形成し、さらに鉄を含
む有機金属化合物の蒸気とコバルトを含む有機金属化合
物の蒸気と酸素の混合ガスをプラズマを用いて分解して
前記酸化鉄軟磁性薄膜上にコバルトを含むスピネル型結
晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着する固定磁気ディス
クの製造方法。 - （６）亜鉛を含む有機金属化合物およびマンガンを含む
有機金属化合物およびニッケルを含む有機金属化合物お
よび鉄を含む有機金属化合物およびコバルトを含む有機
金属化合物がβ−ジケトン系金属錯体である請求項（５
）に記載の固定磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313522A JP2538124B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313522A JP2538124B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184710A true JPH04184710A (ja) | 1992-07-01 |
| JP2538124B2 JP2538124B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=18042327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313522A Expired - Fee Related JP2538124B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538124B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020060A (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic disk device |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313522A patent/JP2538124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020060A (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic disk device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538124B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |