JPH04184847A - 電子管内蔵用分圧抵抗素子 - Google Patents
電子管内蔵用分圧抵抗素子Info
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- JPH04184847A JPH04184847A JP31476590A JP31476590A JPH04184847A JP H04184847 A JPH04184847 A JP H04184847A JP 31476590 A JP31476590 A JP 31476590A JP 31476590 A JP31476590 A JP 31476590A JP H04184847 A JPH04184847 A JP H04184847A
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- Japan
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- layer
- resistance
- electrode
- insulating coating
- resistance value
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、カラーブラウン管等の電子管内に組み込ま
れる電子管内蔵用分圧抵抗素子に関する。
れる電子管内蔵用分圧抵抗素子に関する。
(従来の技術)
従来、電子管例えばカラーテレビジョン受像機に用いら
れるカラーブラウン管において、陽極電圧以外にコンバ
ージェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧
が必要とされるものがある。
れるカラーブラウン管において、陽極電圧以外にコンバ
ージェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧
が必要とされるものがある。
このような場合、カラーブラウン管のステム部より高電
圧を供給すると、耐電圧の面から問題が生じるので、カ
ラーブラウン管内に電子銃と共に分圧用の抵抗器を電子
管内蔵用分圧抵抗素子として組み込み、これによって陽
極電圧を分圧して、それぞれの電極に高電圧を供給しよ
うとする方式が提案されている。
圧を供給すると、耐電圧の面から問題が生じるので、カ
ラーブラウン管内に電子銃と共に分圧用の抵抗器を電子
管内蔵用分圧抵抗素子として組み込み、これによって陽
極電圧を分圧して、それぞれの電極に高電圧を供給しよ
うとする方式が提案されている。
この種の分圧抵抗素子が組み込まれたカラーブラウン管
(但し電子銃付近)の−例を第2図に示す。図中の符号
1は管本体であり、この管本体1のネック部りa内に電
子銃構体2が配置されており、この電子銃構体2には3
個のカソードKに対し、共通に第1グリツド電極G1、
第2グリツド電極G2、第3グリツド電極G3、第4グ
リツド電極G4、第5グリツド電極G5、第6グリツド
電極G6、第7グリツド電極G7、第8グリツド電極G
8が順次同軸上に配置され、第8グリッド電極G8の後
段にはコンバージェンス電極3が配置されている。各グ
リッド電極G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7
及びG8は、相互に所定の位置関係を維持して、ビード
ガラス4によって機械的に保持されている。又、第3グ
リツド電極G3と第5グリツド電極G5とは、導線5に
より電気的に接続されており、更に、コンバージェンス
電極3は、第8グリツド電極G8と溶接により電気的に
接続されている。
(但し電子銃付近)の−例を第2図に示す。図中の符号
1は管本体であり、この管本体1のネック部りa内に電
子銃構体2が配置されており、この電子銃構体2には3
個のカソードKに対し、共通に第1グリツド電極G1、
第2グリツド電極G2、第3グリツド電極G3、第4グ
リツド電極G4、第5グリツド電極G5、第6グリツド
電極G6、第7グリツド電極G7、第8グリツド電極G
8が順次同軸上に配置され、第8グリッド電極G8の後
段にはコンバージェンス電極3が配置されている。各グ
リッド電極G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7
及びG8は、相互に所定の位置関係を維持して、ビード
ガラス4によって機械的に保持されている。又、第3グ
リツド電極G3と第5グリツド電極G5とは、導線5に
より電気的に接続されており、更に、コンバージェンス
電極3は、第8グリツド電極G8と溶接により電気的に
接続されている。
このような電子銃構体2に対して、分圧抵抗素子6が取
り付けられており、この分圧抵抗素子6には複数の端子
部7.8.9.10.11が設けられている。そして、
端子部8.9.10の各高圧の引き出し電極が第5グリ
ツド電極G5、第6グリツド電極G6、第7グリツド電
極G7に接続されている。又、端子部11の引き出し電
極がコンバージェンス電極3と接続され、更にアース側
の端子部7の引き出し電極がステム部ICに埋設された
アース電極ピン12に接続されている。
り付けられており、この分圧抵抗素子6には複数の端子
部7.8.9.10.11が設けられている。そして、
端子部8.9.10の各高圧の引き出し電極が第5グリ
ツド電極G5、第6グリツド電極G6、第7グリツド電
極G7に接続されている。又、端子部11の引き出し電
極がコンバージェンス電極3と接続され、更にアース側
の端子部7の引き出し電極がステム部ICに埋設された
アース電極ピン12に接続されている。
一方、管本体1のファンネル部1bの内壁には、ネック
部1aの内壁まで延びるグラファイト導電膜13が被着
されており、ファンネル部1bに設けられた高電圧供給
ボタン(陽極ボタンで図中では示していない)を通じて
陽極電圧が供給される。
部1aの内壁まで延びるグラファイト導電膜13が被着
されており、ファンネル部1bに設けられた高電圧供給
ボタン(陽極ボタンで図中では示していない)を通じて
陽極電圧が供給される。
そして、コンバージェンス電極3には、導電スプリング
14が設けられており、この導電スプリング14がグラ
ファイト導電膜13と接触することにより、コンバージ
ェンス電極3、第8グリツド電極G8及び分圧抵抗素子
6の端子部11に陽極電圧が供給され、高圧の端子部8
.9.10に発生する分圧電圧が第7グリ・ソド電極G
7、第6グリツド電極G6、第5グリツド電極G5に供
給される。
14が設けられており、この導電スプリング14がグラ
ファイト導電膜13と接触することにより、コンバージ
ェンス電極3、第8グリツド電極G8及び分圧抵抗素子
6の端子部11に陽極電圧が供給され、高圧の端子部8
.9.10に発生する分圧電圧が第7グリ・ソド電極G
7、第6グリツド電極G6、第5グリツド電極G5に供
給される。
このようなカラーブラウン管に内蔵される分圧抵抗素子
6は、例えば第3図(a)、(b)、(c)に示すよう
に構成され、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上か
ら透視した状態の分圧抵抗素子6を示し、(b)はB−
B’線に沿って切断された断面図、(c)は部分拡大図
である。
6は、例えば第3図(a)、(b)、(c)に示すよう
に構成され、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上か
ら透視した状態の分圧抵抗素子6を示し、(b)はB−
B’線に沿って切断された断面図、(c)は部分拡大図
である。
即ち、酸化アルミニウム等のセラミック製の絶縁基板1
5上には、既述のように複数の端子部7.8.9.10
.11が設けられている。そして、同図(c)に示すよ
うに、端子部7、は例えばRuO2とガラス系よりなる
電極材料を印刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し
電極17からなり、引き出し電極17は絶縁基板15を
貫通しているスルーホール18の上下からかしめられて
いる。尚、他の端子部8.9.10.11も同様に構成
されている。このような各端子部7.8.9.10.1
1間には、所定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よ
りなる抵抗材料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成
した抵抗層19が形成されている。更に、この抵抗層1
9を覆うように絶縁被覆層20が形成されている。
5上には、既述のように複数の端子部7.8.9.10
.11が設けられている。そして、同図(c)に示すよ
うに、端子部7、は例えばRuO2とガラス系よりなる
電極材料を印刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し
電極17からなり、引き出し電極17は絶縁基板15を
貫通しているスルーホール18の上下からかしめられて
いる。尚、他の端子部8.9.10.11も同様に構成
されている。このような各端子部7.8.9.10.1
1間には、所定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よ
りなる抵抗材料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成
した抵抗層19が形成されている。更に、この抵抗層1
9を覆うように絶縁被覆層20が形成されている。
このような電子管内蔵用分圧抵抗素子6に要求される条
件としては、 ■ カラーブラウン管の製造工程中の加熱工程や耐圧処
理工程で安定であること、 ■ 動作中に発生するジュール熱による抵抗値変化やガ
ス放出が少ないこと、 ■ 散乱電子が当たった時、2次電子放出源にならない
こと、 ■ 電子銃の電界分布を乱し、放電したり、電子の軌道
をずらしたりしないこと、等が挙げられる。
件としては、 ■ カラーブラウン管の製造工程中の加熱工程や耐圧処
理工程で安定であること、 ■ 動作中に発生するジュール熱による抵抗値変化やガ
ス放出が少ないこと、 ■ 散乱電子が当たった時、2次電子放出源にならない
こと、 ■ 電子銃の電界分布を乱し、放電したり、電子の軌道
をずらしたりしないこと、等が挙げられる。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、従来の分圧抵抗素子6をカラーブラウン管に
内蔵し、高電圧下で長時間に亘り使用すると、絶縁被覆
層20中の鉛成分が抵抗層19中へ溶出し、抵抗層19
の抵抗値の変化が起こり、分圧抵抗素子の特性として重
要な分割比の変動が発生するという欠点がある。
内蔵し、高電圧下で長時間に亘り使用すると、絶縁被覆
層20中の鉛成分が抵抗層19中へ溶出し、抵抗層19
の抵抗値の変化が起こり、分圧抵抗素子の特性として重
要な分割比の変動が発生するという欠点がある。
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、絶縁被覆
層中の鉛成分の抵抗層中への溶出を防止し、高電圧下に
おける長時間の使用に対しても、分割比の変動が極めて
少ない電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供することを目的
とする。
層中の鉛成分の抵抗層中への溶出を防止し、高電圧下に
おける長時間の使用に対しても、分割比の変動が極めて
少ない電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供することを目的
とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明は、セラミックス製の絶縁基板上にルテニウム
酸鉛を含み、硼硅酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層が形
成され、この抵抗層上に絶縁被覆層が形成されてなる電
子管内蔵用分圧抵抗素子1こおいて、抵抗層と絶縁被覆
層との間に、この絶縁被覆層中に含まれる鉛成分が抵抗
層中に溶出するのを防止するバリアー層が設けられ、且
つこのIくリアー層は金属アルコキシドを含む有機金属
化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層であ
る電子管内蔵用分圧抵抗素子である。
酸鉛を含み、硼硅酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層が形
成され、この抵抗層上に絶縁被覆層が形成されてなる電
子管内蔵用分圧抵抗素子1こおいて、抵抗層と絶縁被覆
層との間に、この絶縁被覆層中に含まれる鉛成分が抵抗
層中に溶出するのを防止するバリアー層が設けられ、且
つこのIくリアー層は金属アルコキシドを含む有機金属
化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層であ
る電子管内蔵用分圧抵抗素子である。
そして、金属アルコキシドは、
一般式:M(OR)x
(式中、Mは金属を表わし、0は酸素を表わし、Rは1
価の炭化水素を表わし、XはMの価数を表わす)で示さ
れるものであり、MとしてはS t sAl、Su、T
a5Ti等が例示されるが、特にMがS 1SAlの場
合、バリアー層として効果が大きい。
価の炭化水素を表わし、XはMの価数を表わす)で示さ
れるものであり、MとしてはS t sAl、Su、T
a5Ti等が例示されるが、特にMがS 1SAlの場
合、バリアー層として効果が大きい。
このような金属アルコキシドとしては、例えばトリエト
キシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、
テトラエトキシ硅素、テトラエトキシタンタル、テトラ
イソブロキチタン、テトラn−プロポキシチタン等やこ
れらの重合体又はこれらの混合物が挙げられる。
キシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、
テトラエトキシ硅素、テトラエトキシタンタル、テトラ
イソブロキチタン、テトラn−プロポキシチタン等やこ
れらの重合体又はこれらの混合物が挙げられる。
(作用)
この発明によれば、セラミックス製の絶縁基板上に形成
された抵抗層と、この抵抗層上に形成された絶縁被覆層
との間に、金属アルコキシドの加水分解で得られた、金
属酸化物層からなる鉛成分の溶出に対するバリアー層が
形成されているので、高電圧下における長期の使用にお
いても、絶縁被覆層中の鉛成分が抵抗層中へ溶出するこ
とがなく、この鉛成分の溶出による抵抗値の変化を防止
することが出来る。
された抵抗層と、この抵抗層上に形成された絶縁被覆層
との間に、金属アルコキシドの加水分解で得られた、金
属酸化物層からなる鉛成分の溶出に対するバリアー層が
形成されているので、高電圧下における長期の使用にお
いても、絶縁被覆層中の鉛成分が抵抗層中へ溶出するこ
とがなく、この鉛成分の溶出による抵抗値の変化を防止
することが出来る。
この結果、信頼性の高い電子管内蔵用分圧抵抗素子を得
ることが出来る。
ることが出来る。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
この発明による電子管内蔵用分圧抵抗素子は、第1図(
a)、(b)、(c)に示すように構成され、(a)は
外表部を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す
平面図、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図
、(c)は部分拡大図である。
a)、(b)、(c)に示すように構成され、(a)は
外表部を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す
平面図、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図
、(c)は部分拡大図である。
即ち、従来例(第3図)と同一箇所は同一符号を付すこ
とにすると、図中の符号15は酸化アルミニウム等のセ
ラミック製の絶縁基板であり、この絶縁基板15上には
、所定間隔で複数の端子部7.8.9.10.11が設
けられている。そして、同図(C)に示すように、端子
部7は例えばRuO2とガラス系よりなる電極材料を印
刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し電極17から
なり、引き出し電極17は絶縁基板15を貫通している
スルーホール18の上下からかしめられている。尚、他
の端子部8.9.10.11も同様に構成されている。
とにすると、図中の符号15は酸化アルミニウム等のセ
ラミック製の絶縁基板であり、この絶縁基板15上には
、所定間隔で複数の端子部7.8.9.10.11が設
けられている。そして、同図(C)に示すように、端子
部7は例えばRuO2とガラス系よりなる電極材料を印
刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し電極17から
なり、引き出し電極17は絶縁基板15を貫通している
スルーホール18の上下からかしめられている。尚、他
の端子部8.9.10.11も同様に構成されている。
このような各端子部7.8.9.10.11間には、所
定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よりなる抵抗材
料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成した抵抗層1
9が形成されている。更に、この抵抗層19を覆うよう
に絶縁被覆層20が形成されているが、この発明では、
抵抗層19と絶縁被覆層20との間にバリアー層21が
設けられている。このバリアー層21は絶縁被覆層20
中に含まれる鉛成分が抵抗層19中に溶出するのを防止
するために設けたもので、金属アルコキシド等の有機金
属化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層か
らなっている。
定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よりなる抵抗材
料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成した抵抗層1
9が形成されている。更に、この抵抗層19を覆うよう
に絶縁被覆層20が形成されているが、この発明では、
抵抗層19と絶縁被覆層20との間にバリアー層21が
設けられている。このバリアー層21は絶縁被覆層20
中に含まれる鉛成分が抵抗層19中に溶出するのを防止
するために設けたもので、金属アルコキシド等の有機金
属化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層か
らなっている。
さて次に、この発明による電子管内蔵用分圧抵抗素子の
製造方法について、説明することにする。
製造方法について、説明することにする。
先ず、絶縁基板15は純度96%以上の酸化アルミニウ
ムを主成分に他に酸化硅素、酸化マグネシウムを含み、
不純物として酸化ナトリウム、酸化カリウムを含んでい
るが、この絶縁基板15上にルテニウム酸鉛を含み硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする電極層16を形成する。この
電極層16は、この後に取り付けられる金属製の引き出
し電極17との接触抵抗を低減させるために、硼硅酸鉛
ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を大きくして抵抗値を
IOKΩ/口程度に調整された抵抗ペースト材料を使用
している。
ムを主成分に他に酸化硅素、酸化マグネシウムを含み、
不純物として酸化ナトリウム、酸化カリウムを含んでい
るが、この絶縁基板15上にルテニウム酸鉛を含み硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする電極層16を形成する。この
電極層16は、この後に取り付けられる金属製の引き出
し電極17との接触抵抗を低減させるために、硼硅酸鉛
ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を大きくして抵抗値を
IOKΩ/口程度に調整された抵抗ペースト材料を使用
している。
この抵抗ペースト材料を、スクリーン印刷法を用いて所
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
次いで、絶縁基板15上に、ルテニウム酸鉛を含み硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層19を形成する。この
抵抗層19は、抵抗器として約2〜3GΩの抵抗値を得
るために、硼硅酸鉛ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を
小さくして、1〜10MΩ/口程度に調整された抵抗ペ
ースト材料を使用している。
酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層19を形成する。この
抵抗層19は、抵抗器として約2〜3GΩの抵抗値を得
るために、硼硅酸鉛ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を
小さくして、1〜10MΩ/口程度に調整された抵抗ペ
ースト材料を使用している。
この抵抗ペースト材料を、スクリーン印刷法を用いて所
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
次いで、上記のの電極層16、抵抗層19を800〜9
00℃、より好ましい温度範囲としては840〜860
℃にて、大気中で約5〜15分間、より好ましい時間範
囲としては8〜10分間加熱し、焼成する。
00℃、より好ましい温度範囲としては840〜860
℃にて、大気中で約5〜15分間、より好ましい時間範
囲としては8〜10分間加熱し、焼成する。
次いで、形成された抵抗層19の抵抗値を測定し、分割
比率が所定の範囲内に入っていないときは、トリミング
工程により所定の分割比率となるように調整する。
比率が所定の範囲内に入っていないときは、トリミング
工程により所定の分割比率となるように調整する。
次いで、この抵抗層19を覆うように、抵抗層19上に
金属アルコキシドの加水分解により得られた5in2や
AI! 20.からなるバリアー層21を形成する。
金属アルコキシドの加水分解により得られた5in2や
AI! 20.からなるバリアー層21を形成する。
このバリアー層21の形成方法として、例えば金属アル
コキシドとして、 Al (0−isociHs)4や S l (OC2H5) a ・・・(1)
を含有する溶液(この金属アルコキシド溶液はモノマー
だけでなく重合度の異なるポリマーを含有していても良
い)に、絶縁基板15を浸漬し、−定速度で引上げ、大
気中で100〜6oo℃、例えば150℃×10分+4
00@CX30分間、加熱処理し、焼成する。
コキシドとして、 Al (0−isociHs)4や S l (OC2H5) a ・・・(1)
を含有する溶液(この金属アルコキシド溶液はモノマー
だけでなく重合度の異なるポリマーを含有していても良
い)に、絶縁基板15を浸漬し、−定速度で引上げ、大
気中で100〜6oo℃、例えば150℃×10分+4
00@CX30分間、加熱処理し、焼成する。
この際の、金属酸化物層形成の反応は、次のように考え
られる。
られる。
金属アルコキシドを含有するコーティング溶液中に、絶
縁基板15を浸漬し、引上げる際に雰囲気中のH2Oに
より下記の(2)式で示されるような加水分解反応並び
に(3)式で示されるような重合反応が複合して絡み合
って進行し、引上げ終了時には一〇H基を有する被膜が
基体表面に形成され、同時にアルコールが生成される。
縁基板15を浸漬し、引上げる際に雰囲気中のH2Oに
より下記の(2)式で示されるような加水分解反応並び
に(3)式で示されるような重合反応が複合して絡み合
って進行し、引上げ終了時には一〇H基を有する被膜が
基体表面に形成され、同時にアルコールが生成される。
これを100〜600℃に加熱することにより、生成し
たアルコール及び−OH基を分解揮散させ、強固な金属
酸化物層が形成される。
たアルコール及び−OH基を分解揮散させ、強固な金属
酸化物層が形成される。
尚、形成する金属酸化物層の厚さは、金属アルコキシド
溶液の粘度、モノマーとポリマーの混合比、添加剤の有
無、引上げ速度等を調整することにより、コントロール
することが可能である。
溶液の粘度、モノマーとポリマーの混合比、添加剤の有
無、引上げ速度等を調整することにより、コントロール
することが可能である。
次いで、金属酸化物層つまりバリアー層21上に、硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする絶縁被覆層20を形成する。
酸鉛ガラスを主成分とする絶縁被覆層20を形成する。
この絶縁被覆層20は、カラーブラウン管内で高電圧下
で使用されるため、耐電圧性に優れたものでなければな
らない。又、絶縁被覆層20の耐電圧性を増すために、
焼成後の膜厚を200〜400μm程度としている。
で使用されるため、耐電圧性に優れたものでなければな
らない。又、絶縁被覆層20の耐電圧性を増すために、
焼成後の膜厚を200〜400μm程度としている。
上記の絶縁被覆材料はペースト状に調整されており、こ
れをスクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷す
る。その後、100〜200℃の温度にて乾燥し、ペー
スト中に含まれている溶剤成分を除去する。
れをスクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷す
る。その後、100〜200℃の温度にて乾燥し、ペー
スト中に含まれている溶剤成分を除去する。
次いで、この絶縁被覆層20を500〜700℃、より
好ましい温度範囲としては570〜630℃にて、大気
中で約5〜15分間、より好ましい時間範囲としては8
〜10分間加熱し′、焼成する。
好ましい温度範囲としては570〜630℃にて、大気
中で約5〜15分間、より好ましい時間範囲としては8
〜10分間加熱し′、焼成する。
次いで、電極層16の中心に位置する、絶縁基板15の
スルーホール18に金属製の引き出し電極17をかしめ
により固着し、電極層16と電気的な導通を図っている
。この際、十分なかしめを行なうことにより、引き出し
電極17はバリアー層21を貫通し、電極層16に固着
され、十分な導通が得られている。尚、これらは、各端
子部7.8.9.10.11について、行なわれる。
スルーホール18に金属製の引き出し電極17をかしめ
により固着し、電極層16と電気的な導通を図っている
。この際、十分なかしめを行なうことにより、引き出し
電極17はバリアー層21を貫通し、電極層16に固着
され、十分な導通が得られている。尚、これらは、各端
子部7.8.9.10.11について、行なわれる。
さて、こうして得られたこの発明の分圧抵抗素子と従来
の分圧抵抗素子を全抵抗値が約30Ω程度となるように
し、lX10−’〜lX10−’Torrの真空中で、
コンバーゼンス電極3に接続する抵抗部へ(分割比率は
40%)とアース端子に接続する抵抗部間へDC50K
Vの電圧を印加し、10〜30時間動作させた。
の分圧抵抗素子を全抵抗値が約30Ω程度となるように
し、lX10−’〜lX10−’Torrの真空中で、
コンバーゼンス電極3に接続する抵抗部へ(分割比率は
40%)とアース端子に接続する抵抗部間へDC50K
Vの電圧を印加し、10〜30時間動作させた。
従来の分圧抵抗素子においては、早いもので10時間か
ら抵抗値が変化し、20時間以上では、急激に抵抗値が
減少した。しかし、この発明の分圧抵抗素子においては
、30時間印加後も抵抗値の変化は殆どない。
ら抵抗値が変化し、20時間以上では、急激に抵抗値が
減少した。しかし、この発明の分圧抵抗素子においては
、30時間印加後も抵抗値の変化は殆どない。
又、終了後、この発明の分圧抵抗素子の断面をEPMA
により調査したところ、絶縁被覆層20から抵抗層19
への鉛成分の移動は認められなかった。
により調査したところ、絶縁被覆層20から抵抗層19
への鉛成分の移動は認められなかった。
[発明の効果]
この発明によれば、バリアー層により絶縁被覆層中の鉛
成分が抵抗層へ溶出することが防止されるので、抵抗層
の抵抗値の変動を未然に防止することが出来る。このた
め、抵抗値の変化による分割比率の変動の少ない、寿命
特性に優れた電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供すること
が出来る。
成分が抵抗層へ溶出することが防止されるので、抵抗層
の抵抗値の変動を未然に防止することが出来る。このた
め、抵抗値の変化による分割比率の変動の少ない、寿命
特性に優れた電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供すること
が出来る。
第1図(a)、(b)、(c)はこの発明の一実施例に
係る電子管内蔵用分圧抵抗素子を示し、(a)は外表部
を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す平面図
、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図、(c
)は部分拡大図、第2図は一般的なカラーブラウン管の
要部(電子銃構体付近)を示・す断面図、第3図(a)
、(b)、(C)は従来の電子管内蔵用分圧抵抗素子を
示し、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上から透視
した状態を示す平面図、(b)はB−B’線に沿って切
断された断面図、(c)は部分拡大図である。 15・・・絶縁基板、19・・・抵抗層、20・・・絶
縁被覆層、21・・・バリアー層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
係る電子管内蔵用分圧抵抗素子を示し、(a)は外表部
を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す平面図
、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図、(c
)は部分拡大図、第2図は一般的なカラーブラウン管の
要部(電子銃構体付近)を示・す断面図、第3図(a)
、(b)、(C)は従来の電子管内蔵用分圧抵抗素子を
示し、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上から透視
した状態を示す平面図、(b)はB−B’線に沿って切
断された断面図、(c)は部分拡大図である。 15・・・絶縁基板、19・・・抵抗層、20・・・絶
縁被覆層、21・・・バリアー層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- セラミックス製の絶縁基板上にルテニウム酸鉛を含み、
硼硅酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層が形成され、この
抵抗層上に絶縁被覆層が形成されてなる電子管内蔵用分
圧抵抗素子において、上記抵抗層と上記絶縁被覆層との
間にバリアー層が設けられ、且つこのバリアー層は金属
アルコキシドを含む有機金属化合物層の加水分解により
形成された金属酸化物層であることを特徴とする電子管
内蔵用分圧抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31476590A JPH04184847A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 電子管内蔵用分圧抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31476590A JPH04184847A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 電子管内蔵用分圧抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184847A true JPH04184847A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18057316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31476590A Pending JPH04184847A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 電子管内蔵用分圧抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004057641A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 電子銃構体用抵抗器、電子銃構体、及び、陰極線管 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP31476590A patent/JPH04184847A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004057641A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 電子銃構体用抵抗器、電子銃構体、及び、陰極線管 |
| US6917151B2 (en) | 2002-12-20 | 2005-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistor for electron gun assembly, electron gun assembly, and cathode-ray tube |
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