JPH04186822A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH04186822A JPH04186822A JP31412190A JP31412190A JPH04186822A JP H04186822 A JPH04186822 A JP H04186822A JP 31412190 A JP31412190 A JP 31412190A JP 31412190 A JP31412190 A JP 31412190A JP H04186822 A JPH04186822 A JP H04186822A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- substrate
- vapor phase
- reaction tube
- outer peripheral
- Prior art date
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体等の製造に用いられる気相成長
装置に関する。
装置に関する。
（従来の技術）
基板上に半導体等の結晶薄膜を気相成長させて半導体等
を製造する気相成長装置は、例えば第３図に示すように
構成されている。
を製造する気相成長装置は、例えば第３図に示すように
構成されている。
この図に示すように、この気相成長装置は、反応管内１
内に支持体２で支持されたサセプタ３と、サセプタ３上
に載置された基板４と、サセプタ３を介して基板４を加
熱するためのヒータ５と、ヒータ５を支持して通電する
ための電極６とがら構成されている。
内に支持体２で支持されたサセプタ３と、サセプタ３上
に載置された基板４と、サセプタ３を介して基板４を加
熱するためのヒータ５と、ヒータ５を支持して通電する
ための電極６とがら構成されている。
反応管１の上部にはガス（反応ガス、キャリアガス等）
を反応管１内に供給するための供給口１ａが形成され、
下部には反応管１内の未反応ガスを排出するための排気
口１ｂが形成されており、反応管１の外側には、反応管
１の内壁面を水冷冷却するための冷却装置７が配設され
ている。また、ヒータ５は、サセプタ３を支持する支持
体２内に配設されている。
を反応管１内に供給するための供給口１ａが形成され、
下部には反応管１内の未反応ガスを排出するための排気
口１ｂが形成されており、反応管１の外側には、反応管
１の内壁面を水冷冷却するための冷却装置７が配設され
ている。また、ヒータ５は、サセプタ３を支持する支持
体２内に配設されている。
従来の気相成長装置は上記のように構成されており、サ
セプタ３上に載置された基板４をヒータ５による加熱に
よって所定温度に上昇させて、供給口１ａから反応管１
内に反応ガス（例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨＣ１，５ｉＨＣ
ＪＪ 、５ｉＣ斐４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ
２等）と共に供給し、基板４上に薄膜を気相成長させる
。
セプタ３上に載置された基板４をヒータ５による加熱に
よって所定温度に上昇させて、供給口１ａから反応管１
内に反応ガス（例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨＣ１，５ｉＨＣ
ＪＪ 、５ｉＣ斐４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ
２等）と共に供給し、基板４上に薄膜を気相成長させる
。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記した従来の気相成長装置では、サセプタ
３の下にヒータ５か配設されているので、サセプタ３の
外周側を支持体２によって支持している。このため、ヒ
ータ５によって加熱されるサセプタ３の熱は支持体２を
介して反応管１に伝達されるので、サセプタ３の外周側
の温度は中心側に比べて低くなる（第４図参照）。
３の下にヒータ５か配設されているので、サセプタ３の
外周側を支持体２によって支持している。このため、ヒ
ータ５によって加熱されるサセプタ３の熱は支持体２を
介して反応管１に伝達されるので、サセプタ３の外周側
の温度は中心側に比べて低くなる（第４図参照）。
更に、冷却装置７によって反応管１が冷却されることに
よって反応管１に近いサセプタ３の外周側の温度が下が
り、また、反応管］内に供給されるキャリアガスによっ
てサセプタの外周側は熱が取られるので温度が下がる。
よって反応管１に近いサセプタ３の外周側の温度が下が
り、また、反応管］内に供給されるキャリアガスによっ
てサセプタの外周側は熱が取られるので温度が下がる。
このように、サセプタ３の外周側が中心側より温度が下
がることによって温度分布が不均一になると、サセプタ
３に載置されている基板４に気相成長される結晶薄膜か
不均一なものとなり、特にこのような結晶薄膜によって
例えばレーザダイオードを作製した時に発振周波数かば
らつく等の問題か生しる。
がることによって温度分布が不均一になると、サセプタ
３に載置されている基板４に気相成長される結晶薄膜か
不均一なものとなり、特にこのような結晶薄膜によって
例えばレーザダイオードを作製した時に発振周波数かば
らつく等の問題か生しる。
本発明は上記した課題を解決する目的でなされ、ヒータ
によって加熱されるサセプタの温度分布を均一にして良
好な結晶薄膜を得ることかできる気相成長装置を提供し
ようとするものである。
によって加熱されるサセプタの温度分布を均一にして良
好な結晶薄膜を得ることかできる気相成長装置を提供し
ようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するだめの手段）
前記した課題を解決するために本発明は、反応管内に配
設されるサセプタ上に基板を載置し、加熱手段により前
記サセプタ上の基板を加熱して前期反応管内に供給され
るガスにより、前記基板上に結晶薄膜を気相成長させる
気相成長装置において、前記サセプタの基板載置側の面
の中心側より外周側の熱放射率を大きくしたことを特徴
としている。
設されるサセプタ上に基板を載置し、加熱手段により前
記サセプタ上の基板を加熱して前期反応管内に供給され
るガスにより、前記基板上に結晶薄膜を気相成長させる
気相成長装置において、前記サセプタの基板載置側の面
の中心側より外周側の熱放射率を大きくしたことを特徴
としている。
（作用）
本発明者の実験によって、サセプタを加熱した時にサセ
プタ表面の熱放射率を大きくした部分（例えば表面を粗
くしたり、黒体化した部分）は、熱放射率の小さい部分
よりも温度が高くなることが判明した。
プタ表面の熱放射率を大きくした部分（例えば表面を粗
くしたり、黒体化した部分）は、熱放射率の小さい部分
よりも温度が高くなることが判明した。
従って、本発明では、サセプタの基板載置側の面の中心
側より外周側の熱放射率を大きくしたことによって、サ
セプタの温度分布を略均−にすることができるので、基
板上に良好な結晶薄膜を気相成長させることができる。
側より外周側の熱放射率を大きくしたことによって、サ
セプタの温度分布を略均−にすることができるので、基
板上に良好な結晶薄膜を気相成長させることができる。
（実施例）
以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明に係る気相成長装置の要部を示す断面
図、第２図は、同気相成長装置のサセプタを示す平面図
である。尚、従来と同一部材には同一符号を付して説明
する。
図、第２図は、同気相成長装置のサセプタを示す平面図
である。尚、従来と同一部材には同一符号を付して説明
する。
両図に示すように、支持体２て支持されたサセプタ１０
の下には、通電用の電極６で支持されたヒータ５が配設
されている。ヒータ５、電極６、サセプタ１０は、第３
図に示した従来の気相成長装置と同様反応管（図示省略
）内に気密状態で配設されている。
の下には、通電用の電極６で支持されたヒータ５が配設
されている。ヒータ５、電極６、サセプタ１０は、第３
図に示した従来の気相成長装置と同様反応管（図示省略
）内に気密状態で配設されている。
円形状に形成されたモリブデン等から成るサセプタ１０
の上部には、基板４の外周部４ａを載置するための溝部
１０ａと、その内側にザクリ部］Ｏｂか形成されており
、サセプタ１０の下部の外周面には、サセプタ１０を支
持する支持体２か接続されている。
の上部には、基板４の外周部４ａを載置するための溝部
１０ａと、その内側にザクリ部］Ｏｂか形成されており
、サセプタ１０の下部の外周面には、サセプタ１０を支
持する支持体２か接続されている。
また、サセプタ１０の基板４か載置される側の中心側部
分１０ｃは、表面を研磨して熱放射率が小さくなるよう
に形成されており、その外周部分１０ｄは、表面を粗く
して熱放射率が大きくなるよう形成されている。
分１０ｃは、表面を研磨して熱放射率が小さくなるよう
に形成されており、その外周部分１０ｄは、表面を粗く
して熱放射率が大きくなるよう形成されている。
この時、例えばサセプタ１０の中心側部分１０Ｃの表面
粗さを１，５８〜６Ｓにし、その外周側部分１０ｄの表
面粗さを２５Ｓ〜６０Ｓにした場合、中心側部分１０ｃ
の熱放射率は０．２程度になり、その外周側部分１０ｄ
の熱放射率は０． ３程度になる。
粗さを１，５８〜６Ｓにし、その外周側部分１０ｄの表
面粗さを２５Ｓ〜６０Ｓにした場合、中心側部分１０ｃ
の熱放射率は０．２程度になり、その外周側部分１０ｄ
の熱放射率は０． ３程度になる。
そして、基板４を載置したこのサセプタ１０をヒータ５
て加熱し、反応管（図示省略）内に反応ガス（例えば、
ＳｉＨ、ＳｉＨＣ愛 、ＳｉＨＣＩ 、Ｓ ｉ Ｃｕ
４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ２等）と共に供給し
て基板４上に薄膜を気相成長させる時、サセプタ１０の
基板４載置側の中心部分（表面を研磨して熱放射率を小
さくした部分）１０ｃの温度を例えば７００℃にすると
、その外周側部分（表面を粗くして熱放射率を大きくし
た部分）１０ｄの温度は従来（サセプタ全面か同し放射
率の場合）に比べて１２℃程度高くなった。 このよう
に、サセプタ１０の基板４載置側の外周部分１０ｄの温
度を上げることができるので、ヒータ５によって加熱さ
れるサセプタ１０の温度分布か略均−になり（第４図参
照）、基板４の全面にわたって均一で良好な結晶薄膜を
気相成長させることができる。
て加熱し、反応管（図示省略）内に反応ガス（例えば、
ＳｉＨ、ＳｉＨＣ愛 、ＳｉＨＣＩ 、Ｓ ｉ Ｃｕ
４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ２等）と共に供給し
て基板４上に薄膜を気相成長させる時、サセプタ１０の
基板４載置側の中心部分（表面を研磨して熱放射率を小
さくした部分）１０ｃの温度を例えば７００℃にすると
、その外周側部分（表面を粗くして熱放射率を大きくし
た部分）１０ｄの温度は従来（サセプタ全面か同し放射
率の場合）に比べて１２℃程度高くなった。 このよう
に、サセプタ１０の基板４載置側の外周部分１０ｄの温
度を上げることができるので、ヒータ５によって加熱さ
れるサセプタ１０の温度分布か略均−になり（第４図参
照）、基板４の全面にわたって均一で良好な結晶薄膜を
気相成長させることができる。
また、前記した実施例では、サセプタ１０の中心側部分
１０ｃの熱放射率を０．２程度にしてその外周側部分１
０ｄの熱放射率を０．３程度にしたが、この数値に限定
されることなく、サセプタ１０の中心側部分１０ｃの熱
放射率をその外周側部分１０ｄの熱放射率より小さくな
るようにすれば、任意の熱放射率に設定することかでき
る。
１０ｃの熱放射率を０．２程度にしてその外周側部分１
０ｄの熱放射率を０．３程度にしたが、この数値に限定
されることなく、サセプタ１０の中心側部分１０ｃの熱
放射率をその外周側部分１０ｄの熱放射率より小さくな
るようにすれば、任意の熱放射率に設定することかでき
る。
また、前記した実施例ではサセプタ１０の基板４載置側
の中心側部分１０ｃとその外周側部分１０ｄの熱放射率
を変化させるのに研磨による表面粗さで行なっていたか
、これ以外にも、サセプタ１０の基板４載置側の中心側
部分１０ｃとその外周側部分１０ｄにそれぞれ異なる塗
布剤を塗布することによって前記同様熱放射率を変化さ
せることもてき、また、サセプタ１０の基板４載置側の
中心側部分１０ｃから外周側部分１０ｄに向かって順次
黒体化することによって外周側部分１０ｄの熱放射率を
大きくすることができる。
の中心側部分１０ｃとその外周側部分１０ｄの熱放射率
を変化させるのに研磨による表面粗さで行なっていたか
、これ以外にも、サセプタ１０の基板４載置側の中心側
部分１０ｃとその外周側部分１０ｄにそれぞれ異なる塗
布剤を塗布することによって前記同様熱放射率を変化さ
せることもてき、また、サセプタ１０の基板４載置側の
中心側部分１０ｃから外周側部分１０ｄに向かって順次
黒体化することによって外周側部分１０ｄの熱放射率を
大きくすることができる。
また、以上の熱放射率の変化のさせ方は、従来のサセプ
タの温度分布を略均−とすべくサセプタの中心側部分１
０ｃから外周側部分１０ｄへ徐々に変化させるように、
あるいは段階的に変化させるようにすればよい。
タの温度分布を略均−とすべくサセプタの中心側部分１
０ｃから外周側部分１０ｄへ徐々に変化させるように、
あるいは段階的に変化させるようにすればよい。
尚、前記した実施例ではサセプタ１０上に一枚の基板４
を載置する気相成長装置の例であったが、サセプタ上に
多数の基板を載置する気相成長装置ても適用することが
できる。
を載置する気相成長装置の例であったが、サセプタ上に
多数の基板を載置する気相成長装置ても適用することが
できる。
［発明の効果］
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
によれば、ヒータによって加熱されるサセプタの温度分
布を略均−にすることができるので、基板上の全面に均
一で良好な結晶薄膜を気相成長させることができる。
によれば、ヒータによって加熱されるサセプタの温度分
布を略均−にすることができるので、基板上の全面に均
一で良好な結晶薄膜を気相成長させることができる。
第１図は、本発明に係る気相成長装置の要部を示す断面
図、第２図は、同気相成長装置のサセプタを示す平面図
、第３図は、従来の気相成長装置を示す断面図、第４図
は、本発明と従来の気相成長装置のサセプタの温度分布
を示す図である。 １・・・反応管 ２・・支持体４・基板
５・・ヒータ ６・・・電極 １ｏ・・サセプタ１０ｃ・・・
中心側部分 １０ｄ・・・外周側部分
図、第２図は、同気相成長装置のサセプタを示す平面図
、第３図は、従来の気相成長装置を示す断面図、第４図
は、本発明と従来の気相成長装置のサセプタの温度分布
を示す図である。 １・・・反応管 ２・・支持体４・基板
５・・ヒータ ６・・・電極 １ｏ・・サセプタ１０ｃ・・・
中心側部分 １０ｄ・・・外周側部分
Claims (1)
- 反応管内に配設されるサセプタ上に基板を載置し、加熱
手段により前記サセプタ上の基板を加熱して前記反応管
内に供給されるガスにより、前記基板上に結晶薄膜を気
相成長させる気相成長装置において、前記サセプタの基
板載置側の面の中心側より外周側の熱放射率を大きくし
たことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02314121A JP3078574B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02314121A JP3078574B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186822A true JPH04186822A (ja) | 1992-07-03 |
| JP3078574B2 JP3078574B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=18049498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02314121A Expired - Fee Related JP3078574B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3078574B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284280A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式熱処理装置 |
| JP2008187020A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 |
| JP2008240003A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP02314121A patent/JP3078574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284280A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式熱処理装置 |
| JP2008187020A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 |
| JP2008240003A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3078574B2 (ja) | 2000-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |