JPH0418746A - Ic実装用基板 - Google Patents

Ic実装用基板

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JPH0418746A
JPH0418746A JP12175490A JP12175490A JPH0418746A JP H0418746 A JPH0418746 A JP H0418746A JP 12175490 A JP12175490 A JP 12175490A JP 12175490 A JP12175490 A JP 12175490A JP H0418746 A JPH0418746 A JP H0418746A
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substrate
layer
silicon carbide
mounting
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JP12175490A
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Hirokazu Tanaka
宏和 田中
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Makoto Chokai
誠 鳥海
Michio Yuzawa
湯沢 通男
Yoshio Kuromitsu
祥郎 黒光
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は例えば大出力IC実装用基板、特にその放熱性
を改良し、軽量化を図ったIC実装用基板に関する。
〈従来の技術〉 従来のこの種のIC実装用基板としては、例えはアルミ
ナ基板の表裏面にCu導体薄板を被着したものがあった
。これは、Cui板のアルミナ基板への積層後、所定温
度に加熱することにより、〈発明が解決しようとする課
題〉 しかしながら、このような従来のCu導体を用いたIC
実装用基板にあっては、回路形成用またはベース板用の
薄板材としてCu導体を用いているため、その基板全体
として重量が大きく、また、このCu導体とアルミナ基
板等との熱膨張率の差異が大きいため、熱ザイクル試験
においては該アルミナ基板にひび割れが発生し易いとい
う課題が生していた。
そこで、本発明は、軽量化を図るとともに耐熱サイクル
特性に優れたIC実装用基板を提供することを、その目
的としている。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、炭化珪素層と、この炭化珪素層の両面にろう
材層を介して被着されたアルミニウム層と、を有するI
C実装用基板である。
〈作用〉 本発明に係るIC実装用基板にあっては、Cu薄板の替
わりにアルミニウム薄板を使用しているため、基板全体
としての軽量化を図ることができた。また、高熱伝導率
の炭化珪素基板を使用しており、かつこれにアルミニウ
ム薄板をろう材により被着しているため、加熱等に起因
する応力を緩和することができ、熱サイクル試験に対し
ても耐性が大きく基板の寿命が長くなっている。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例に係るIC実装用基板を示す
ための断面図である。
この図において、11は絶縁体である炭化珪素層(S 
i C基板、例えは炭化珪素基焼結体板)であって、こ
の炭化珪素[11の両面にはろう材層12A、12Bを
介して回路形成用のアルミニウム層(またはアルミニウ
ム合金N)13A、13Bがそれぞれ被着されている。
このろう材としてはAl−5i系、Al−Ge系、Al
−Cu系等のろう材が使用される。
更に、これらのアルミニウムji13A、13Bの各表
面にはNiメツキN(またはCuメツキ層)14A、1
4Bが被着されている。
以上の構成に係る薄板基板にあっては、炭化珪素層11
はAl−5i系のろう祠12A、12Bとの接合強度が
強く、またアルミナよりも高い熱伝導率を有している(
SiCの熱伝導率は35〜270W/mKであるのに対
して、Al2O3のそれは15〜20W/rnKである
)。したがりて、炭化珪素を絶縁板材として用いること
によって高放熱性および高接合力が得られることとなる
また、アルミニウムJ!13A、13Bは回路形成用ま
たはベース板用として用いられるものであり、更にこの
基板全体としての軽量化に資するものである。例えばこ
のアルミニウム層13A、13Bは0.2〜0.4.m
m程度であり、アルミニウム密度が2.7〜2.8g/
cm3程度であるのに対し、従来のCu導体密度は8.
9〜9.0g/cm”程度である。
そして、上記ろう材112A、12Bは熱サイクル試験
に対してもそのろう材自体が塑性変形可能であってアル
ミニウムN15A、13Bと炭化珪素層11との間の熱
膨張率の差に基づく相対的な伸縮を吸収、緩和するもの
である。この点からしても耐熱サイクル特性は向上して
いるものである。
〈効果〉 以」二説明してきたように、本発明によれば、基板全体
として軽量化を達成することができる。また、炭化珪素
層についてひび割れ等が生じることがなく、基板全体と
しての耐熱サイクル特性が高められる。また、アルミニ
ウム層と炭化珪素層等との接合強度も高められる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るIC実装用基板の概略
構造を示す断面図である。 1ト・ 12A。 13A。 14A。 2B 3B 4B

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  炭化珪素層と、この炭化珪素層の両面にろう材層を介
    して被着されたアルミニウム層と、を有することを特徴
    とするIC実装用基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965193A (en) * 1994-04-11 1999-10-12 Dowa Mining Co., Ltd. Process for preparing a ceramic electronic circuit board and process for preparing aluminum or aluminum alloy bonded ceramic material
EP1243569A2 (en) 1994-04-11 2002-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate
CN103570221A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种带过滤装置的锡槽

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965193A (en) * 1994-04-11 1999-10-12 Dowa Mining Co., Ltd. Process for preparing a ceramic electronic circuit board and process for preparing aluminum or aluminum alloy bonded ceramic material
US6183875B1 (en) 1994-04-11 2001-02-06 Dowa Mining Co., Ltd. Electronic circuit substrates fabricated from an aluminum ceramic composite material
EP1243569A2 (en) 1994-04-11 2002-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Electrical circuit having a metal-bonded-ceramic material or MBC component as an insulating substrate
CN103570221A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种带过滤装置的锡槽

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