JPH04188682A - 点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04188682A JPH04188682A JP2313484A JP31348490A JPH04188682A JP H04188682 A JPH04188682 A JP H04188682A JP 2313484 A JP2313484 A JP 2313484A JP 31348490 A JP31348490 A JP 31348490A JP H04188682 A JPH04188682 A JP H04188682A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rod
- tip
- insulating film
- oxide superconducting
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法に関
し、ジョセフソン素子の製造に利用できるものである。
し、ジョセフソン素子の製造に利用できるものである。
（ロ）従来の技術
酸化物超電導棒を用いた点接触型ジョセフソン接合素子
は、結晶の配向性の制御が十分でないため、その接合部
におけるジョセフソン電流が小さく、トランジスタと回
路を組むに当って、このジョセフソン電流が微弱である
ことが間組であった。
は、結晶の配向性の制御が十分でないため、その接合部
におけるジョセフソン電流が小さく、トランジスタと回
路を組むに当って、このジョセフソン電流が微弱である
ことが間組であった。
（ハ）発明が解決しようとする課題
点接触接合部を形成する酸化物超電導棒の配向性の制御
を行い、接合部におけるジョセフソン電流の大きさを向
上させた点接触型ジョセフソン接合素子の提供を解決課
題とする。
を行い、接合部におけるジョセフソン電流の大きさを向
上させた点接触型ジョセフソン接合素子の提供を解決課
題とする。
（ニ）課題を解決するための手段
かかる課題を解決するため、本発明による点接触型ジョ
セフソン接合素子の製造方法は、酸化物超電導棒の上面
に単結晶絶縁膜を形成するとともにこの絶縁膜に酸化物
超電導棒の先端を当接し、この先端部にその長さ方向へ
のレーザ光のスキャン照射を通じて、前記絶縁膜に当接
する酸化物超電導棒をＣ軸配向した単結晶にしたことを
特徴とするものである。
セフソン接合素子の製造方法は、酸化物超電導棒の上面
に単結晶絶縁膜を形成するとともにこの絶縁膜に酸化物
超電導棒の先端を当接し、この先端部にその長さ方向へ
のレーザ光のスキャン照射を通じて、前記絶縁膜に当接
する酸化物超電導棒をＣ軸配向した単結晶にしたことを
特徴とするものである。
（ホ）作用
前記絶縁膜に当接する酸化物超電導棒の先端部に、その
長さ方向にレーザ光をスキャン照射して前記先端部から
部分的に溶融した後、除々に冷却Ｌ、前記絶縁膜に当接
する酸化物超電導棒をＣ軸配向した単結晶にすることが
できる。このため、前記絶縁膜を介して対抗する酸化物
超電導棒と酸化物超電導棒とよりなる接合部におけるジ
ョセフソン電流の大きさを向上させることができる。
長さ方向にレーザ光をスキャン照射して前記先端部から
部分的に溶融した後、除々に冷却Ｌ、前記絶縁膜に当接
する酸化物超電導棒をＣ軸配向した単結晶にすることが
できる。このため、前記絶縁膜を介して対抗する酸化物
超電導棒と酸化物超電導棒とよりなる接合部におけるジ
ョセフソン電流の大きさを向上させることができる。
（へ）実施例
本発明の一実施例を図面に基ずいて説明する。
図面は本発明による点接触型ジョセフソン接合素子の製
造方法を示す概念図である。この図面において、酸化物
超電導棒１の上面に絶縁膜２が形成されている。
造方法を示す概念図である。この図面において、酸化物
超電導棒１の上面に絶縁膜２が形成されている。
この酸化物超電導棒１は、焼結法によりバルク状に形成
される。その素材系としては、ランタンイド系（イツト
リウムを含む）、Ｂｉ系、Ｔｌ系のものを使用すること
ができるが、この実施例では、相対的に高密度であるＹ
ｂ Ｂ ａ ＊Ｃｕ ５Ｏｙ−ａよりなるものであり
、次のように作成した。
される。その素材系としては、ランタンイド系（イツト
リウムを含む）、Ｂｉ系、Ｔｌ系のものを使用すること
ができるが、この実施例では、相対的に高密度であるＹ
ｂ Ｂ ａ ＊Ｃｕ ５Ｏｙ−ａよりなるものであり
、次のように作成した。
Ｙ ｂ ｔ Ｏｈ、Ｂ ａ ＣＯ＋、及びＣｕＯの粉末
をモル比１：４：６で混合し、有機溶媒、たとえばエタ
ノールやメタノールを加えてスターテで撹拌する。その
後、有機溶媒を蒸発させ、乳鉢ですりつぶして粉末状に
する。この粉末を厚さ２ｍｍに７５０Ｋｇｆ、’ｃｍ２
でプレスしてペレットに固める。このペレントをマツフ
ル炉に入れ、空気中で１０５０℃、１時間焼成した後、
空気中で１時間５０℃の極めて緩やかな速度で徐冷する
。このようにして厚さ１．８ｍｍの酸化物超電導棒１を
作成した。
をモル比１：４：６で混合し、有機溶媒、たとえばエタ
ノールやメタノールを加えてスターテで撹拌する。その
後、有機溶媒を蒸発させ、乳鉢ですりつぶして粉末状に
する。この粉末を厚さ２ｍｍに７５０Ｋｇｆ、’ｃｍ２
でプレスしてペレットに固める。このペレントをマツフ
ル炉に入れ、空気中で１０５０℃、１時間焼成した後、
空気中で１時間５０℃の極めて緩やかな速度で徐冷する
。このようにして厚さ１．８ｍｍの酸化物超電導棒１を
作成した。
この酸化物超電導棒１の上面に通常の真空蒸着法、スパ
ッタリング法等により絶縁膜２を作成する。この絶縁膜
としては、λ１ ｇ Ｏ，Ｚ ｒ Ｏｔを使用すること
ができ、単結晶のものを使用することが望ましい。また
、この絶縁膜の厚みを３０人としたが、１０〜６０人と
することができる。
ッタリング法等により絶縁膜２を作成する。この絶縁膜
としては、λ１ ｇ Ｏ，Ｚ ｒ Ｏｔを使用すること
ができ、単結晶のものを使用することが望ましい。また
、この絶縁膜の厚みを３０人としたが、１０〜６０人と
することができる。
図面に戻って、この絶縁膜２には酸化物超電導棒３の先
端４が当接している。
端４が当接している。
酸化物超電導棒３は前述の酸化物超電導棒１と同様に焼
結により直径３〜５ｍｍの棒体に形成し、その先端を機
械研磨した後、エツチング液で電解研磨して先端径を１
〜１０μｍとした。
結により直径３〜５ｍｍの棒体に形成し、その先端を機
械研磨した後、エツチング液で電解研磨して先端径を１
〜１０μｍとした。
次に、前記絶縁膜２に当接する酸化物超電導棒３の先端
部５に、その長手方向にＣＯｔレーザ等によるレーザ光
６を照射し、連続的にスキャンしてレーザアニールを行
う。レーザ光のパワーは数十〜数百Ｗ ７’ ｍ ｍ
’であり、照射部を１０００〜１２００℃に加熱する。
部５に、その長手方向にＣＯｔレーザ等によるレーザ光
６を照射し、連続的にスキャンしてレーザアニールを行
う。レーザ光のパワーは数十〜数百Ｗ ７’ ｍ ｍ
’であり、照射部を１０００〜１２００℃に加熱する。
従って、この照射部が一端溶融し、その後、先端４から
徐々に冷却する。
徐々に冷却する。
これにより、先端部５は図面に誇張して示すように長手
方向にＣ軸配向した形で結晶化していく。
方向にＣ軸配向した形で結晶化していく。
このように作成したジョセフソン接合におけるジョセフ
ソン電流を微分抵抗測定器で測定したところ、０．３−
０．５ｍＡであった。
ソン電流を微分抵抗測定器で測定したところ、０．３−
０．５ｍＡであった。
（ト）発明の効果
本発明による点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法
は、酸化物超電導棒の上面に単結晶絶縁膜を形成すると
ともにこの絶縁膜に酸化物超電導棒の先端を当接し、こ
の先端部にその長さ方向へのレーザ光のスキャン照射を
通じて、前記絶縁膜に当接する酸化物超電導棒をＣ軸配
向した単結晶にしたことを特徴とするものであるから、
ジョセフソン電流を相対的に大きくすることができる。
は、酸化物超電導棒の上面に単結晶絶縁膜を形成すると
ともにこの絶縁膜に酸化物超電導棒の先端を当接し、こ
の先端部にその長さ方向へのレーザ光のスキャン照射を
通じて、前記絶縁膜に当接する酸化物超電導棒をＣ軸配
向した単結晶にしたことを特徴とするものであるから、
ジョセフソン電流を相対的に大きくすることができる。
図面は本発明による点接触型ジョセフソン接合素子の製
造方法を示す概念図である。 １−−−−−−一酸化物超電導棒、２・−一一一一一一
絶縁膜、３、−−−−−−−酸化物超電導棒、４−−−
−−−一洗端、５−−−−−−−一先端部、６−−−−
〜−−レーザ光。
造方法を示す概念図である。 １−−−−−−一酸化物超電導棒、２・−一一一一一一
絶縁膜、３、−−−−−−−酸化物超電導棒、４−−−
−−−一洗端、５−−−−−−−一先端部、６−−−−
〜−−レーザ光。
Claims (1)
- （１）酸化物超電導体の上面に絶縁膜を形成するととも
にこの絶縁膜に酸化物超電導棒の先端を当接させ、この
先端部にその長さ方向へのレーザ光のスキャン照射を通
じて、前記絶縁膜に当接する酸化物超電導棒をｃ軸配向
した単結晶にしたことを特徴とする点接触型ジョセフソ
ン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313484A JPH04188682A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313484A JPH04188682A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188682A true JPH04188682A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18041866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313484A Pending JPH04188682A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 点接触型ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188682A (ja) |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313484A patent/JPH04188682A/ja active Pending
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