JPH04188812A - 複合セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

複合セラミックコンデンサ及びその製造方法

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JPH04188812A
JPH04188812A JP2319335A JP31933590A JPH04188812A JP H04188812 A JPH04188812 A JP H04188812A JP 2319335 A JP2319335 A JP 2319335A JP 31933590 A JP31933590 A JP 31933590A JP H04188812 A JPH04188812 A JP H04188812A
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JP
Japan
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layer
composite ceramic
ceramic capacitor
plating layer
capacitor
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Pending
Application number
JP2319335A
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English (en)
Inventor
Jiro Harada
原田 次郎
Kaoru Nishizawa
薫 西澤
Hiroaki Yadokoro
谷所 博明
Koichiro Yoshimoto
幸一郎 吉本
Hisanori Akiyama
秋山 久典
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はベアチップの積重ね体の端部に端子電極として
焼付は電極層を設けた複合セラミックコンデンサ及びそ
の製造方法に関するものである。
[従来の技術] 積層セラミックコンデンサは、内部電極として電極材料
を印刷したセラミック誘電体を積層した後、これを焼成
してベアチップを形成し、このべアチップの外面に内部
電極に導通する端子電極を形成して作製される。
この積層セラミックコンデンサを高容量化するための手
段として、構成するセラミ・ンク誘電体を大型にしかつ
多層化する方法、或いは構成するセラミック誘電体を高
誘電率化する方法が試みられている。しかし、前者の方
法は多層化が技術的に困難で歩留りの低下が大きく、後
者の方法は量産に適した高誘電率のセラミック誘電体が
開発されていないため、ともに工業上現実的でない。
このため、従来より複数個の積層セラミ・ンクコンデン
サをチップコンデンサの形態で接着剤を介して重合した
複合セラミックコンデンサが高容量化したコンデンサと
して量産されている。
この複合セラミックコンデンサの製法は、第6図に示す
ように、ベアチップを作製する工程Aと、このベアチッ
プの端部にペースト状電極材料を塗布して端子電極を付
する工程Bと、この電極を焼付けて焼付は電極層を形成
する工程Cと、このチップコンデンサを接着剤を介して
重合して積重ね体を形成する工程りと、この積重ね体の
端部に金属板を配置する工程Eと、この金属板を高温は
んだ又は熱硬化型導電性樹脂の導電性接合剤により接着
して積重ね体端部に現れる複数の端子電極同士を電気的
に接続する工程Fと、更にはんだ付けの場合にはフラッ
クスの洗浄工程Gをこの順に含む。上記工程Fは第7図
に示され、ここで、1は積重ね体、2は金属板、3は導
電性接合剤、4は焼付は電極層である。
[発明が解決しようとする課題] しかし、従来の複合セラミックコンデンサの製法はA−
Gの多くの工程を要し、しかも工程C及び工程Fではベ
アチップの端部に繰返し熱衝撃を与える。このため、端
子電極内側のベアチップにクラックが生じ易く、コンデ
ンサの絶縁抵抗が劣化し易い。
また導電性接合剤として熱硬化型導電性樹脂を用いた場
合には、積重ね体の端部に金属板を接着する際に導電性
樹脂か金属板の外側に容易にはみ出るため、第一に積重
ね体の端部を汚して複合セラミックコンデンサの見栄え
を悪くし、第二に金属板を基板にはんだ付けするときに
導電性樹脂にはんだか乗らず、はんだ乗り不良を起こす
問題点かあった。
更にいずれの導電性接合剤を用いた場合にも、積重ね体
端部において金属板の煩雑な接着作業を行わなければな
らない不具合もあった。
本発明の目的は、高容量で高耐電圧の性能を有し、コン
デンサとして要求される各種特性に優れた複合セラミッ
クコンデンサを提供することにある。
また本発明の別の目的は、少ない工程で安価にかつ容易
にしかも見栄えよく製造し得る複合セラミックコンデン
サの製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、金属板を用いることなく積重ね体の端部
に直接焼付は電極層からなる端子電極を形成することに
より、本発明に到達した。
第1図に示すように、本発明の複合セラミックコンデン
サ10は、内部電極15a(第1図拡大図)を有するベ
アチップ11,12,13.14゜15を複数個重合し
て形成された積重ね体17の端部に、全ての内部電極1
5a(他の4つの内部電極は図示せず、以下同じ。)を
電気的に並列接続しかつこの積重ね体17の端部全体を
被包する焼付は電極層18が形成されたものである。
以下、本発明を詳述する。
本発明の複合セラミックコンデンサ10を構成するベア
チップ11〜15は、内部電極15aを有するセラミッ
ク誘電体11b〜15bが複数個積層焼成されて形成さ
れる。本明細書で、ベアチップとは公知の積層セラミッ
クチップコンデンサの外部電極が付いていない構造のも
のをいう。セラミック誘電体には、鉛系、チタン酸バリ
ウム系の誘電体が用いられ、内部電極にはPd、Pt。
A g / P d等の貴金属、或いはNi、Fe、C
等の卑金属が用いられる。
本発明の複合セラミックコンデンサ10は、上記ベアチ
ップ11〜15を複数個それぞれチップ端部を揃えて重
合して積重ね体17が形成される。
ベアチップの重合数は、第1図〜第4図では5個の例を
示すが、本発明はこれに限らない。この重合数は2個以
上であって、要求される静電容量、ベアチップの厚み等
に応じて決められる。
積重ね体17の端部には厚さ60〜70μmの焼付は電
極層18が形成される。この焼付は電極層を下地電極と
してこの表面にNi、Sn又はSn / P bのうち
少なくとも1種で形成されためつき層19a又は19b
を有することが好ましい。
焼付は電極層18の表面に厚みが1〜2μmのNiめっ
き層19aを形成した後、このNiめつき層19aの上
に厚みが4〜5μmのSn又はSn / P bめっき
層19bを形成することがより好ましい。Ni層を内層
にしてSn又はS n / P b層を外層にし、各め
っき層の厚みを上記範囲にするのは、焼付は電極層を耐
熱性のあるNiでより確実に保護し、かつSn又はS 
n / P b層で端子電極のはんだ濡れ性を高め、N
iの酸化を防止するためである。
これらのめっき層19a、19bは、無電解及び電解め
っき等をバレルめっきで行うことにより形成される。め
っき浴はNi、Sn又はSn/Pbともそれぞれ公知の
ものを使用する。
本発明の複合セラミックコンデンサを製造するには、先
ず複数個のベアチップを作製する(第5図A)。このベ
アチップは、内部電極として電極材料を印刷したセラミ
ック誘電体を積層した後、これを焼成して形成される。
次いで第2図及び第3図に示すように、本発明の複合セ
ラミックコンデンサ10は、複数個のヘアチップ11,
12,13,14.15がそれぞれチップ端部を揃えて
重合され積重ね体17に形成される(第5図B)。これ
らのベアチップ間に接着剤を配して重合状態のベアチッ
プを仮止めしてもよいが、接着剤を用いずに積重ね体の
一方の端部に接着力の弱い接着テープを貼付して仮止め
してもよい。接着剤を用いる場合には、接着剤としては
焼成時に分解するポリビニルアルコール系、エチルセル
ロース系の樹脂接着剤が使用される。
次いで重合状態のベアチ・ツブを仮止めしたまま、積重
ね体の端部全体ににAg、Ag/Pd等の貴金属粉末に
ガラスフリットを加えたペーストを塗布して端子電極を
付す(第5図C)。接着テープで仮止めした場合には、
テープを貼付していない端部から塗布し、ペーストが乾
燥した後、そのペーストの上から積重ね体の端部を仮止
めし、今まで貼付してあったテープを剥いでからそこに
ペーストを塗布する。
次に端部のペーストを乾燥した後、積重ね体を700〜
800℃の温度で処理し、ペーストを焼付けて端子電極
となる焼付は電極層18を形成する(第5図D)。
更にこの焼付は電極層18の表面にNiめつき層19a
に形成し、Niめっき層19aの表面にSn又はS n
 / P bめっき層19bを形成すると、第1図に示
す複合セラミックコンデンサ10が得られる。なお、導
電性樹脂層18の表面にSn又はS n / P bめ
っき層19bだけ形成してもよい。
[作 用] 本発明の複合セラミックコンデンサでは、従来の金属板
の機能及び重合したベアチップの接着機能を端部に設け
た焼付は電極層か果す。この焼付は電極層の表面にめっ
き層を設ければ、焼付は電極層の耐熱性、はんだ濡れ性
が高まる。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明によれば、従来と比べて工程
数が少なく、しかもヘアチップの端部が受ける熱衝撃回
数が少ないため、端子電極に熱的損傷を生じない。これ
により、高容量で高耐電圧の性能を有し、コンデンサと
して要求される各種特性を備え、信頼性に優れた複合セ
ラミックコンデンサが得られる。
また本発明によれば、金属板を用いないため、複合セラ
ミックコンデンサの端子電極の構成か単純化し、煩雑な
金属板の接合作業が不要となり、安価にかつ容易にしか
も見栄えよく製造することができる。
また焼付は電極層をめっき層で被覆することにより、焼
付は電極層の耐熱性、はんだ濡れ性を向上させることが
できる。
[実施例コ 次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
〈実施例1〉 定格電圧25Vで静電容量47μFの特性を有する長さ
5.7mmX幅5.0mmx高さ11mmのベアチップ
(EIAコード2220タイプ、三菱鉱業セメント側型
)を5個用意した。上記ベアチップは、鉛ペロブスカイ
ト系のセラミック誘電体にPdの内部電極を有する。5
個のベアチップを各チップ端部を揃えて重合して長さ5
.7mmX幅5.0mmX高さ5.0mmの積重ね体を
形成した。
接着力の弱いテープで重合したベアチップを仮止めしな
がら、積重ね体の両端部にAg/Pdの貴金属粉末にガ
ラスフリットを加えたペーストを塗布して端子電極を付
した。この塗布したペーストが乾燥した後、積重ね体を
700〜800℃の温度で処理し、ペーストを焼付けて
端子電極となる焼付は電極層を形成し、複合セラミック
コンデンサを得た。
く比較例1〉 実施例1と同一のベアチップの端部にガラスフリットを
含んだAgペーストの焼付は電極層を外部電極として形
成した積層セラミックチップコンデンサを5個用意し、
これらのチップコンデンサをエポキシ系樹脂接着剤(ウ
ルトラダイン#511.IW−5、四国化成工業側型)
を介して重合した後、120℃の温度で自重により接着
して積重ね体を得た。
この積重ね体の端部に、端子電極として、融点290℃
の高温クリームはんだを均一に塗布し、このはんだの上
から表面をS n/P b (9: 1)のめっき処理
した、板厚が0.1 mmの銅製の金属板を配してリフ
ロー炉で外部電極同士を金属板により電気的に接続して
複合セラミックコンデンサを得た。
上記実施例1及び比較例1で作製した複合セラミックコ
ンデンサに対して、諸特性を次の方法により調べた。
(a)静電容量(μF)及び誘電正接(%)1kHz、
IVrmsで測定した。
(b)絶縁抵抗(Ω) 25Vの直流電圧を印加した後1.30秒経過後の抵抗
を測定した。
(c)直流破壊電圧(V) 昇圧速度70V/秒で直流電圧を印加し、絶縁破壊を生
じたときの電圧を測定した。
(d)初期不良 定格の2.5倍の電圧を印加したときに破壊したか否か
調べ、破壊した試料数を数えた。
実施例1及び比較例1の複合セラミックコンデンサを上
記(a)〜(C)についてはそれぞれ30個ずつ試験し
、上記(d)については100個確認した。
その結果を第1表に示す。表において、Maxは最大値
、Minは最小値、σ7−2は標準偏差をそれぞれ示す
第  1  表 第1表より、比較例1のコンデンサに初期不良が見られ
たのに対して実施例1のコンデンサには初期不良のもの
はなく、実施例1のコンデンサが比較例1のコンデンサ
より優れていることが明らかとなった。
また実施例1のコンデンサは比較例1と同等の高容量で
高耐電圧のコンデンサ特性を具備していた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の複合セラミックコンデンサの断面図。 第2図、第3図及び第4図はその複合セラミックコンデ
ンサを製造する過程を示す断面図。 第5図はその複合セラミックコンデンサの製造工程図。 第6図は従来例の複合セラミックコンデンサの製造工程
図。 第7図は従来例の金属板を接着する状況を示す斜視図。 1o二複合セラミックコンデンサ、 11〜15:ベアチップ、 15a:内部電極、 113〜15a:セラミック誘電体、 17:積重ね体、 18二焼付は電極層、 19a、19b:めっき層。 マ二   −− N−一゛ 、” / y  \11 第2図 第3図 第4図 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)内部電極(15a)を有するベアチップ(11〜1
    5)を複数個重合して形成された積重ね体(17)の端
    部に、全ての前記内部電極(15a)を電気的に並列接
    続しかつ前記積重ね体(17)の端部全体を被包する焼
    付け電極層(18)が形成された複合セラミックコンデ
    ンサ。 2)焼付け電極層(18)の表面にめっき層(19a,
    19b)が被覆された請求項1記載の複合セラミックコ
    ンデンサ。 3)めっき層がNi,Sn又はSn/Pbの少なくとも
    1種のめっき層により構成された請求項2記載の複合セ
    ラミックコンデンサ。 4)めっき層がNiめっき層(19a)とこのNiめっ
    き層(19a)の上に形成されたSn又はSn/Pbめ
    っき層(19b)により構成された請求項3記載の複合
    セラミックコンデンサ。 5)内部電極(15a)を有するセラミック誘電体(1
    1b〜15b)を積層焼成したベアチップ(11〜15
    )を複数個各チップ端部を揃えて積重ね、 この積重ねて形成された積重ね体(17)の端部に全て
    の前記内部電極(15a)を電気的に並列接続し、かつ
    前記積重ね体(17)の端部全体を被包するように端子
    電極用ペーストを塗布し、 このペーストを焼付けて焼付け電極層(18)を形成す
    る複合セラミックコンデンサの製造方法。 6)焼付け電極層(18)の表面にめっき層(19a,
    19b)を形成する複合セラミックコンデンサの製造方
    法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835338A (en) * 1995-10-03 1998-11-10 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor
US11195659B2 (en) 2002-04-15 2021-12-07 Avx Corporation Plated terminations

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